三菱电机集团近日（2024年2月27日）宣布，将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频（RF）高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）样品，用于商用手持式双向无线电（对讲机）的射频高功率放大器。该型号采用3.6V单节锂离子电池，可实现业界先端的6.5W输出功率，有望扩大商用无线电设备的通信范围并降低功耗。随着3.6V锂离子电池在智能手机中的日益普及，商业无线电行业也期望以比传统7.2V电池更低的成本开发出更高功率的产品。但到目前为止，3.6V电池的使用导致商用无线电放大器的输出功率降低，因此在与智能手机相比需要更高输出的商用无线电放大器市场中，一直在等待能够提高3.6V电池输出功率的MOSFET。为此，三菱电机现已开发出一种高功率硅MOSFET（RD06LUS2），可为工作电压为3.6V的商用无线电提供无与伦比的功率输出和高漏极效率*1。此外，内置两个MOSFET芯片的封装可以节省商用无线电印刷电路板上的空间，有助于降低组装成本。产品特点行业先端的6.5W输出功率，有助于扩展无线电通信范围. 通过针对3.6V工作电压优化的结构降低导通电阻，提高了功率密度。. 内置两个MOSFET芯片的封装为3.6V无线电实现了无与伦比的6.5W输出功率。. 与现有型号*2相比，输出功率的增加将通信范围扩大了27%。行业先端的65%漏极效率，实现低功耗. 针对3.6V工作电压的优化，实现65%漏极效率。. 漏极效率的提高可降低无线电功耗，从而延长运行时间。双MOSFET封装，可节省空间并降低组装成本. 与两个单芯片产品相比，带有两个MOSFET芯片的新型封装可减少33%的空间。. 兼容表面贴装技术（SMT），可降低封装组装成本。环保意识本产品符合RoHS*3指令2011/65/EU和（EU）2015/863。*1：从电池电源到射频功率输出的转换效率*2：三菱电机现有的4W 射频高...
浏览次数：
23
2024/3/5 15:27:10
据台媒Digitimes报道，存储价格涨势近期明显走扬，农历春节假期导致市场观望气氛浓厚，DRAM及NAN Wafer现货市场价格涨势较为趋缓，涨幅呈现收敛。存储业界认为，3月市场价格仍将延续上涨行情，DDR4/LPDDR4价格可望逐月调涨。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
19
2024/3/5 15:09:57
7805是一款常用的三端正电压稳压器，其引脚图和参数如下：引脚图：7805的引脚布局类似于普通的三极管，具有三个管脚，分别是：输入端（Vin）：连接整流器输出的正电压。接地端（GND）：公共地，也就是负极。输出端（Vout）：提供稳定的正5V电压。参数：封装形式：常见的封装形式为TO-220。输入电压：不超过36V。输出电压：通常在4.75V到5.25V之间。输入输出压差：至少保持2V的压差。输出电流：最大输出电流为1.5A。精度：一般精度可达到0.04以上。7805的电路应用中，可以通过电阻（如R1和R2）来调节输出电压，使其在5V到12V的范围内连续可调节。例如，一个简单的7805电路中，R1和R2的值可以设置为220Ω和680Ω，以调节输出电压。此外，7805的最大输入电压为35V，而其稳压范围可以在5V到12V之间实现输出电压的连续可调节。
浏览次数：
33
2024/3/1 16:50:39
SS34是一种硅基P-N结二极管，其主要参数包括：最大反向电压（VRRM）。最高40V。最大正向电流（IF(AV)）。最大3A。最大正向电压降（VF）。在3A电流下为0.55V。最大反向电流（IR）。最大0.5mA。最大浪涌电流（IFSM）。最大100A。工作温度范围。从-55°C到+125°C。封装类型。SMC或DO-214AB。针脚数。通常为2个。表面安装器件。是表面安装的。此外，SS34二极管通常用于小电流电路中，如电调应用，用于电路的瞬间整流。
浏览次数：
35
2024/3/1 16:47:56
整流桥MB10F是一种高效率整流器件,常用于电源转换、电路整流和电能采集等应用。它具有稳定的电压转换特性和较低的功耗,适用于各种电子设备和系统。整流桥MB10F的参数如下：型号：MB10F封装：MBF-4最大重复峰值反向电压(VRRM)：1000V最大平均正向整流输出电流(IF)：1.0A峰值正向浪涌电流(IFSM)：35A每个元件的典型热阻(ReJA)：85℃/W工作结和储存温度范围(TJ, TSTG)：-55 to +150℃最大瞬时正向压降(VF)：1V最大直流反向电流(IR)：5uA
浏览次数：
174
2024/3/1 16:43:52
S8050是一种常见的NPN型硅三极管，其参数主要包括：集电极-基极电压（Vcbo）。最大值为40V。集电极-发射极电压（Vceo）。最大值为25V。发射极-基极电压（Vebo）。最大值为6V。集电极电流（Ic）。最大值为1.5A。总功耗（Ptot）。最大值为625mW。电流增益（hFE）。在100mA时为120至400。转换速度。最大值为300MHz。工作温度范围。-55℃至150℃。丝印。J3Y。此外，S8050的管脚排列顺序通常为E、B、C或E、C、B。这些参数决定了三极管的安全工作范围和使用条件，反映了三极管的放大能力和承受电流的能力。
浏览次数：
41
2024/3/1 16:37:04
2024年2月27日--智能电源和智能感知技术的企业安森美onsemi，宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31 智能功率模块 (IPM)。与市场上其他领先的解决方案相比， SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而总体系统成本更低。由于这些IPM集成了优化的IGBT，实现了更高效率，因此非常适合三相变频驱动应用，如热泵、商用暖通空调（HVAC）系统以及工业泵和风扇。据估计，全球温室气体排放量约有26%来自于运行中的住宅和商业建筑，其中供暖、制冷和建筑物供电等间接排放量约占18%。SPM31 IPM 通过调节三相电机供电的频率和电压来控制热泵和空调系统中变频压缩机和风扇的功率流，以实现出色效率。例如，安森美采用 FS7 技术的 25A SPM31 与上一代产品相比，功率损耗降低达 10%，功率密度提高达 9%。在电气化趋势和更高的能效要求下，这些模块助力制造商大幅改进供暖和制冷系统设计，同时提高能效。安森美的 SPM31 IPM 系列产品采用FS7技术，具备更佳的性能，实现高能效和更低能耗，进一步减少了全球的有害排放。这些高度集成的模块含栅极驱动 IC、多种模块内置保护功能及FS7 IGBT，实现优异的热性能，且支持15A至35A的宽广电流范围。SPM31 FS7 IGBT IPM的功率密度超高，是节省贴装空间、提高性能预期、同时缩短开发时间的理想解决方案。此外，SPM31 IPM 还具有以下优势：栅极驱动和保护控件低损耗、具有抗短路能力的IGBT每一相有IGBT 半桥负端，以支持各种控制算法内置欠压保护 (UVP)内置自举二极管和电阻器内置高速高压集成电路单接地电源免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编...
浏览次数：
34
2024/3/1 16:20:55
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器，非常适合各种应用。在确保安全控制方面，STGAP系列隔离栅极驱动器作为优选解决方案，在输入部分和被驱动的MOSFET或IGBT之间提供电气隔离，确保无缝集成和优质性能。选择正确的栅极驱动器对于实现最佳功率转换效率非常重要。随着SiC 技术得到广泛采用，对可靠安全的控制解决方案的需求比以往任何时候都更高，而ST的STGAP 系列电气隔离栅极驱动器在此成为必不可缺的一环。STGAP2SICS系列针对SiC MOSFET 的安全控制进行了专门优化，并可在高达1200V的高压下工作，使其成为节能型电源系统、驱动器和控制装置的绝佳选择。从工业电动汽车充电系统到太阳能、感应加热和汽车 OBC DC-DC，STGAP2SICS系列可简化设计、节省空间并增强稳健性和可靠性。STGAP2SICSA 是一款符合汽车AEC-Q100 标准的单通道栅极驱动器，优化控制SiC MOSFET，其采用了节省空间的窄体 SO-8封装 (相关型号：STGAP2SICSAN)和宽体 SO-8W 封装(相关型号：STGAP2SICSA)，通过精确PWM控制提供强大的性能。STGAP2SICSA 在栅极驱动通道和低压控制之间具有电气隔离，可在高达1700V (SO-8) 和 1200V (SO-8W) 的电压工作。其小于45ns 的输入到输出传播时间可确保高PWM 精度，并凭借±100V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI) 实现可靠的开关。内置保护包括欠压锁定(UVLO)，防止SiC电源开关在低效率或不安全条件下运行，以及热关断，如果检测到结温过高，则将两个驱动器输出调低。STGAP2SICSA 具有带米勒钳位功能的单输出配置。单输出增...
浏览次数：
27
2024/3/1 16:16:47
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。日前发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器，包括铁路设备；发电、配电和储电系统；焊接设备；电机驱动器和机器人。为降低TIG焊机输出级导通损耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C，额定电流下，集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07 V。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用，开关损耗极低，+125 °C，额定电流下，Eoff仅为1.0 mJ。模块符合RoHS标准，集电极至发射极电压为650 V，集电极连续电流为100 A至200 A，结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996认证，可直接安装散热片，EMI小，减少了对吸收电路的要求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
24
2024/3/1 16:14:00
TDK 公司推出用于汽车高频电路的新型电感器MHQ1005075HA系列。该产品使用的材料和构造方法与传统产品相同，同时从可靠设计角度出发，还将TDK的专有设计知识应用于内部设计。该系列为 1005尺寸 （1.0 × 0.5 × 0.7毫米 - 长 x 宽 x 高），电感范围从1.0 nH至56 nH，将于2024年2月开始量产。基于独特的设计专业知识，为汽车行业提供高安全性、高可靠性采用TDK开发的原创内部结构，高频性能等同或优于与传统产品采用积层方法，满足电感精细增量要求工作温度范围为-55 至 +125 ℃产品的实际外观与图片不同。TDK标志没有印在实际产品上。TDK 公司（TSE：6762）推出用于汽车高频电路的新型电感器MHQ1005075HA系列。该产品使用的材料和构造方法与传统产品相同，同时从可靠设计角度出发，还将TDK的专有设计知识应用于内部设计。该系列为 1005尺寸 （1.0 × 0.5 × 0.7毫米 - 长 x 宽 x 高），电感范围从1.0 nH至56 nH，将于2024年2月开始量产。用于汽车或基础设施的高频电路电感器必须满足更高的安全性和可靠性标准，基于AEC-Q200设计。该产品将 TDK 独特的设计专业知识用于设计内部结构，高频性能等同或优于传统产品。比如，电感器的内部结构设计能够降低因设备安装点中的裂纹导致断路故障的几率。结合汽车电路板制造指引，TDK MHQ1005075HA 电感器大幅提升了在汽车环境中的可靠性。TDK将进一步扩大产品线，满足不断变化的客户需求。主要应用用于汽车设备的高频电路（汽车内外通信的发射器-接收器电路，如远程信息处理和 V2X）智能手机、平板电脑、基站等设备的无线电通信高频电路发射器-接收器（用作阻抗匹配或滤波电路的元件）主要特点与优势采用TDK开发的原创内部结构，高频性...
浏览次数：
22
2024/3/1 16:11:05
随着科技行业寻求下一个增长动力，英特尔高管2月27日表示，该公司的目标是到2025年为多达1亿台支持人工智能的个人电脑（AI PC）提供核心处理器。英特尔客户端计算集团副总裁David Feng称，英特尔预计今年将为4000万台“AI PC”提供芯片，2025年扩大至6000万台，占2025年全球个人电脑市场预计总量的20%以上。“在人工智能个人电脑时代，英特尔不仅需要关心芯片性能，还需要关心服务和用户体验，这使得与软件和应用程序开发商的合作变得更加重要。我们的业务是销售CPU和GPU性能芯片。现在我们真正进入了销售体验的行业，我所描述的东西只能通过软件来实现，因此越来越需要与应用程序开发人员合作。”他说，英特尔正在与微软合作定义人工智能个人电脑。这一概念有三个关键要素：英特尔的酷睿Ultra PC芯片组，其特点是该公司的第一个内置神经处理单元（NPU）的平台，旨在处理人工智能工作负载；微软的人工智能聊天机器人Copilot以及键盘上还有一个专用的“Copilot键”。David Feng表示，由于人工智能个人电脑提高工作效率的潜力，预计企业支出会增加。除了苹果之外，所有的主要个人电脑制造商都表示，他们计划在今年晚些时候推出人工智能个人电脑。据悉，英特尔是全球最大的个人电脑微处理器供应商，控制着笔记本电脑芯片约76%的市场份额。然而，苹果和高通正试图通过基于Arm的电脑设计抢占更大的市场份额。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
25
2024/3/1 15:57:57
据韩联社报道，据市场调研机构Omdia27日发布的一组数据，三星电子2023年第四季度DRAM全球市占率为45.7%，位居榜首，继2016年第三季度（48.2%）之后时隔7年创下最高值。三星电子DRAM的市占率环比提升7个百分点，与排名第二的SK海力士（31.7%）的差距拉大到14个百分点。美光以19.1%位列第三。同期，三星电子DRAM销售环比和同比分增21%和39%，时隔6个季度首次由负转正。分析指出，DDR5内存和HBM等高附加值产品销售大增，拉动整体销售增长。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
22
2024/3/1 15:54:58
AD9850是一款高度集成的器件，采用DDS技术，内置一个高速、高性能数模转换器和比较器，共同构成完整的数字可编程频率合成器和时钟发生器。以精密时钟源作为基准时，AD9850能产生频谱纯净的频率/相位可编程、模拟输出正弦波。该正弦波可以直接用作频率源，或转换为适合捷变时钟发生器应用的方波。AD9850的创新型高速DDS内核提供一个32位频率调谐字；对于125 MHz基准时钟输入，输出调谐分辨率可以达到0.0291 Hz。AD9850的电路架构允许产生最高达到基准时钟频率一半（或62.5 MHz）的输出频率，而且输出频率能以最高每秒2300万新频率的速率发生数字式改变（异步）。该器件还提供五位数字控制相位调制，使其输出能够以180°、90°、45°、22.5°、11.25°及其任意组合的增量发生相移。AD9850还内置一个高速比较器，它经过配置可以接受DAC的（外部）滤波输出，以产生低抖动方波输出，这样该器件便可用作捷变时钟发生器。 频率调谐、控制和相位调制字均以并行字节或串行加载格式载入AD9850。并行加载格式由一个8位控制字（字节）的五次迭代加载组成，第一个字节控制相位调制、省电使能和加载格式，第二至第五个字节组成32位频率调谐字。串行加载通过单个引脚上的40位串行数据流完成。AD9850完整DDS利用先进的CMOS技术提供这一突破性功能与性能，而功耗仅155 mW（+3.3 V电源）。 AD9850采用节省空间的28引脚SSOP表面贴装封装，工作温度范围为–40°C至+85°C扩展工业温度范围。
浏览次数：
28
2024/2/28 16:35:03
AD9653是一款4通道、16位、125 MSPS模数转换器(ADC)，内置片内采样保持电路，专门针对低成本、低功耗、小尺寸和易用性而设计。该产品的转换速率最高可达125 MSPS，具有杰出的动态性能与低功耗特性，对小封装尺寸的应用很有意义。该ADC要求采用1.8 V单电源供电以及LVPECL/CMOS/LVDS兼容型采样速率时钟信号，以便充分发挥其工作性能。对于大多数应用来说，无需外部基准电压源或驱动器件。为获得合适的LVDS串行数据速率，该ADC会自动倍乘采样速率时钟。它提供一个数据时钟输出(DCO)用于在输出端捕获数据，以及一个帧时钟输出(FCO)用于发送新输出字节信号。它还支持独立关断各通道；禁用所有通道时，典型功耗低于2 mW。该ADC内置多种功能特性，可使器件的灵活性达到较佳、系统成本较低，例如可编程输出时钟与数据对准、生成数字测试码等。可获得的数字测试码包括内置固定码和伪随机码，以及通过串行端口接口(SPI)输入的用户自定义测试码。AD9653采用符合RoHS标准的48引脚LFCSP封装，额定温度范围为−40°C至+85°C工业温度范围。特性• 1.8 V电源供电• 低功耗：每通道164 mW（125 MSPS），功率选项可调整• 信噪比(SNR)：76.5 dBFS（70 MHz，2.0Vp-p输入范围）• 信噪比(SNR)：77.5 dBFS（70 MHz，2.6Vp-p输入范围）• 无杂散动态范围(SFDR)：90 dBc（至Nyquist频率）• DNL = ±0.7 LSB（典型值）；INL = ±3.5 LSB（典型值）• 串行LVDS（ANSI-644，默认）、低功耗，减少信号选项（类似于IEEE 1596.3）• 650 MHz全功率模拟带宽• 2 V p-p输入电压范围（支持高达2.6 V p-p）
浏览次数：
21
2024/2/28 16:31:33
AD7190是一款适合高精密测量应用的低噪声完整模拟前端。它集成一个低噪声、24位Σ-Δ型模数转换器(ADC)。片内低噪声增益级意味着可直接输入小信号。这款器件可配置为两路差分输入或四路伪差分输入。片内通道序列器可以使能多个通道，AD7190按顺序在各使能通道上执行转换，这可以简化与器件的通信。片内4.92 MHz时钟可以用作ADC的时钟源；或者，也可以使用外部时钟或晶振。该器件的输出数据速率可在4.7 Hz至4.8 kHz的范围内变化。这款器件提供两种数字滤波器选项。滤波器的选择会影响以编程输出数据速率工作时的均方根噪声和无噪声分辨率、建立时间以及50 Hz/60 Hz抑制。针对要求所有转换均需建立的应用，AD7190具有零延迟特性。该器件采用5 V模拟电源和2.7 V至5.25 V的数字电源供电，功耗为6 mA，提供24引脚TSSOP封装。特性• 均方根(RMS)噪声： 8.5 nV（4.7 Hz，G = 128）• 16位无噪声分辨率（2.4 kHz，G = 128）• 无噪声分辨率高达22.5位(G = 1)• 失调漂移： 5 nV/℃• 增益漂移： 1 ppm/℃• 稳定的时间漂移特性• 2个差分/4个伪差分输入通道• 通过汽车应用认证
浏览次数：
26
2024/2/28 16:25:31
非对称稳压输出适合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动 - 现在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 转换器为 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动器供电变得空前简单。SMT 器件采用紧凑型 36 引脚 SSOP 封装，尺寸为 7.5 x 12.83 mm，可方便提供非对称双路输出电压，并可通过外部电阻网络进行编程。路输出电压范围可设置在 +2.5 至 +22.5 VDC，另一路可设置为 -2.5 至 -22.5 VDC，总正负电压范围为 18 至 25 VDC，例如 +15/-3 V，以高效驱动 SiC 栅极。电压保持在 +/-1.5% 范围内，防止过电压和损坏的风险。总功率2W时工作温度高达 82°C，2.5W时可达 75°C。即使在最高温度 125°C 时，转换器仍然可以提供有效的降额功率。R24C2T25 的隔离电压为 3 kVAC/1 min，具有 3.5 pF 的超低耦合电容和 +/-150 V/ns 的共模瞬态抗扰度。所以这款产品非常适合为具有快速 dV/dt 和 dI/dt 电源开关斜率的高侧栅极驱动器供电。R24C2T25 可以提供软启动、输入欠压和过压锁定、热关断以及输出过功率保护功能。还提供输出过压和欠压锁定功能，以确保功率器件不会受到无效栅极电压的影响。同时提供电源良好信号和开/关控制功能，当电流消耗低于 700 μA时产品会进入待机模式。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
22
2024/2/28 16:22:17
金升阳深耕大功率开关电源领域，为响应全国产化趋势，现推出5000W AC/DC机壳电源产品LMF5000-25Bxx系列。该系列具有高效率(90%)、宽工作温度范围、超宽范围调压、调流等优势，是一款高效率、高可靠的优质电源，为工程师提供更优选择。一、产品优势（1）小体积：460.00×211.00×83.5mm（2）兼容多种输入方式：3相4线，3相3线，单相和直流（3）高效率：效率高达90%（4）宽工作温度范围：-40℃ to +70℃（5）20%-120%超宽范围调压、调流（6）并联均流可达20000W（3+1）（7）高可靠性：a.传导/辐射骚扰满足CLASS A；静电放电 ±8KV/Air±15KVb.4000VAC高隔离耐压c.符合IEC/EN/UL62368等认证标准d.五年质保二、产品应用可广泛适用于激光设备、半导体设备等领域。三、产品特点• 输入电压范围：3W+PE △196-305VAC或3W+N+PE Y340-530VAC• 兼容多种输入方式：3相4线，3相3线，单相和直流• PF值高达0.98• 工作温度范围：-40℃ to +70℃• 低待机功耗、高效率、低纹波噪声• 20%-120%超宽范围调压、调流• 并联均流可达20000W（3+1）• 485通信• 双面三防漆• 4000VAC高隔离电压• 输出短路、过流、过压、过温保护• 满足5000m海拔应用• 过电压等级Ⅱ• 符合IEC/EN/UL/BSEN62368等认证标准免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
23
2024/2/28 16:17:39
这款高度集成的 3.3 kV XIFM 即插即用数字栅极驱动器可与基于SiC的高压电源模块搭配使用，从而简化并加快系统集成万物电气化推动了碳化硅 （SiC）技术在交通、电网和重型汽车等中高压应用领域的广泛采用。为了帮助开发人员部署SiC解决方案并快速推进开发流程，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日推出采用Augmented Switching™ 专利技术的3.3 kV XIFM 即插即用mSiC™栅极驱动器。该驱动器采用预配置模块设置，开箱即用，可显著缩短设计和评估时间。为了加快产品上市，这款即插即用的解决方案已经完成了栅极驱动器电路设计、测试和验证等复杂的开发工作。XIFM 数字栅极驱动器是一种结构紧凑的解决方案，具备数字控制、集成电源和可提高抗噪能力的坚固光纤接口。该栅极驱动器具有预配置的“开/关”栅极驱动曲线，可量身定制以优化模块性能。它具有10.2 kV初级到次级强化隔离，内置监控和保护功能，包括温度和直流链路监控、欠压锁定（UVLO）、过压锁定（OVLO）、短路/过流保护（DESAT）和负温度系数 （NTC）。这款栅极驱动器还符合铁路应用的重要规范EN 50155标准。Microchip碳化硅业务部副总裁Clayton Pillion表示：“随着碳化硅市场的不断发展和对更高电压极限的不断突破，Microchip推出3.3 kV即插即用mSiC栅极驱动器等交钥匙解决方案，使电源系统开发商更容易采用宽带隙技术。与传统模拟解决方案相比，该解决方案通过预配置栅极驱动电路，可将设计周期缩短 50%。”Microchip在SiC器件和电源解决方案的开发、设计、制造和支持等方面拥有20多年的丰富经验，能够帮助客户轻松、快速、放心地采用SiC。Microchip的mSiC™产品可提供最低的系统成本、最快的上市时间和最低的风险。Microchip...
浏览次数：
22
2024/2/28 16:14:53