HMC598是一款x2有源宽带倍频器芯片，采用GaAs PHEMT技术。 由+5 dBm信号驱动时，倍频器提供+15 dBm典型输出功率（22 GHz至46 GHz），30 GHz时的Fo和3Fo隔离分别为25 dBc和15 dBc。 HMC598非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频器链中使用，与传统设计方案相比，可以减少器件数量。Applications时钟生成应用：OC-768与SDM STM-256点对点和VSAT无线电测试仪器仪表军事和太空
浏览次数：
5
2023/3/27 10:33:42
HMC-XTB110是一款单芯片x3无源倍频器，采用GaAs肖特基二极管技术，具有低转换损耗和高度Fo隔离。 这款宽带x3倍频器无需直流电源，适用于低频率的3倍频率比直接生成高频率更加经济的大规模应用。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化。 HMC-XTB110无源x3 MMIC可兼容常规的芯片贴装方法，以及热压缩和热超声线焊，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。应用E波段通信系统短程/高容量无线电汽车雷达测试和测量设备卫星通信
浏览次数：
2
2023/3/27 10:32:40
HMC942LP4E是一款x2有源宽带倍频器，使用GaAs pHEMT技术，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 由+4 dBm信号驱动时，该倍频器在13至24.6 GHz范围内提供+17 dBm的典型输出功率。 Fo和3Fo隔离大于20 dBc（19 GHz）。 HMC942LP4E适合用于点对点和VSAT无线电的LO倍频链，相比传统方案可实现更少的器件数。应用时钟生成应用：SONET OC-192和SDH STM-64点对点和VSAT无线电测试仪器仪表军事和太空传感器
浏览次数：
2
2023/3/27 10:31:58
HMC1110是一款采用GaAs pHEMT技术制造而成的x6有源宽带倍频器芯片。 由+4 dBm信号驱动时，该倍频器在71至86 GHz范围内提供+13 dBm的典型输出功率。 相对于输出信号电平，5Fo和7Fo谐波隔离分别为+25 dBc和+40dBc。 HMC1110非常适合用于点对点和VSAT无线电应用的LO倍频链，与使用分立式元件的传统方法相比，通过集成输入和输出放大器减少了器件数量。 所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mils)的两条0.025mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。应用点对点和VSAT无线电测试仪器仪表军事和太空传感器
浏览次数：
3
2023/3/27 10:31:05
ADAR2001是一款发送器IC，针对毫米波人体扫描应用进行了优化。ADAR2001接受2.5 GHz至10 GHz之间的单端连续波(CW)输入信号，提供增益、4×倍频、谐波滤波、1:4信号分离和四个可独立控制的功率放大器(PA)，具有差分输出，旨在直接驱动带差分输入的偶极天线。所有器件功能和配置选项均可通过ADI公司的3线或4线串行外围设备接口(SPI)进行访问。ADAR2001还集成了两个状态机，便于简化配置，可控制和快速切换倍频器、滤波器和发送器部分。这些时序控制器通过SPI编程，然后由脉冲输入（复位和推进）操控。输出功率和芯片温度可由四个片上检测器和一个温度传感器监测，温度传感器的输出复用到一个8位ADC。ADAR2001仅需一个2.5 V电源，在打开一个通道的情况下功耗为450 mW。ADAR2001采用紧凑型、40引脚、6 mm × 6 mm LGA封装，工作温度范围为-40°C至+85°C。应用毫米波成像安防医疗工业宽带本地振荡器(LO)倍频器/分配器
浏览次数：
2
2023/3/27 10:29:52
手机HD版本驱动与触控整合IC（TDDI）近日因供需吃紧意外传出涨价消息，部分IC设计企业证实，3月初以来主流市场的HD画质TDDI芯片报价已上涨一成，这是IC设计厂历经去年下半年以来修正潮后，首见报价调涨，让半导体产业景气初露曙光。据了解目前订单需求仍以急单为主，价格则由供需决定。手机应用似乎已有点变化，换机潮应会慢慢出现，相关营收将逐步回温。则预期本季适逢淡季，第2季后应可回到季节性需求，下半年终端需求值得期待。 IC设计公司指出，这次HD版本的TDDI芯片意外涨价，主要因某陆系晶圆代工厂基于利润考量，控制TDDI产能，挪去支援其他品牌大厂产品，与部分电源管理IC的生产，顿时让手机应用HD版本TDDI的供应总量减少，短期供不应求，造成意外涨价。至于其他驱动IC方面，离涨价还有点远，但「不再降价」应该是市场共识。 IC设计厂商表示，HD版本与FULL HD版本TDDI相比，前者规格虽然较低，但销售量大，应用在主流机种，后者主攻高阶市场，遭遇AMOLED相关驱动IC的取代竞争。即使HD版本价格上涨一成，也只是不亏钱，先前杀价竞争已陷入「卖一颗赔一颗」情况，也让敦泰去年营运由盈转亏，全年每股净损9.39元。 IC设计厂坦言，HD版本TDDI供不应求应会延续至4月，等5月产能供应恢复正常，价格可能回复正常，但「有订单、又涨价」总比没有好。 业界人士认为，之前因库存修正调整压力，不少IC设计厂不惜向晶圆代工厂违约，现在较难立刻获得产能支援，而只跟晶圆代工厂协商修约的业者，比较有机会吃到这两个月的「涨价红利」。此外，还要考虑各家IC设计厂库存水位，这时仓库里若有手机HD版本TDDI库存，有望多赚一些差价。对照目前HD版本TDDI供不应求与涨价现况，IC设计业者不讳言，市场变化很快...
浏览次数：
3
2023/3/27 10:25:06
ADG839是一款低压CMOS器件，内置一个单刀双掷(SPDT)开关。在整个温度范围内，该器件具有小于0.6 Ω的超低导通电阻。额定电源电压为1.8 V、2.5 V和3.3 V。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG839为先开后合式开关。ADG839采用6引脚SC70封装。
浏览次数：
10
2023/3/24 11:17:13
MAX16141为理想二极管控制器，提供系统保护，防止各种系统故障，例如反向电流、过电流、输入过压/欠压以及过热条件。3.5V至36V较宽工作电压范围与5μA (典型值)关断电流相结合，使得MAX16141成为汽车应用的理想选择。集成电荷泵将外部反向配置nFET的栅极驱动到比源连接高9V，最大程度降低源和负载之间的功率损耗。快速动作比较器允许MAX16141在输入下降到低于输出之后1μs (最大值)时间内阻塞反向电流。RS和OUT之间的外部检流电阻提供过载监测能力。OVSET和UVSET两个输入引脚使用简单的电阻分压器提供保护设置点，防止输入过压和欠压事件。启动期间，MAX16141监测外部nFET上的电压降(VIN - VOUT)，确保 VOUT高于0.9 x VIN。完成启动事件后，MAX16141即可防止系统故障。常规工作期间，有些系统会发生掉电或电源短时间中断。为确保系统在此类中断之后恢复，MAX16141包括辅助电源输入(VCC)，保证关键电路处于有效状态。当主输入电源恢复时，MAX16141在快速模式(70μs，典型值)使能栅极，为输出电容充电。附加特性包括低功耗模式(允许MAX16141为负载源出受限功率)、内部开关(帮助在关断模式下节省功耗)、故障输出(故障条件期间触发)。MAX16141采用4mm x 4mm x 0.75mm、16引脚TQFN封装，工作在-40°C至+125°C汽车级温度范围。应用汽车电源系统网络/电信电源系统PoE系统RAID系统服务器
浏览次数：
2
2023/3/24 11:09:00
LTC®4412HV 控制一个外部 P 沟道 MOSFET，以造就一种用于电源切换或负载均分的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效 “合路” 操作，旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时，MOSFET 两端的电压降通常为 20mV。对于那些采用了一个墙上适配器或其他辅助电源的应用，当辅助电源接入时，负载将自动地与电池断接。可通过两个或更多 LTC4412HV 的互连来实现多个电池之间的负载均分或从单个充电器来对多个电池进行充电。LTC4412HV 是 LTC4412 的一款扩展电源和温度范围版本。LTC4412HV 的宽电源工作范围支持采用 1 至 8 节串联锂离子电池来工作。低静态电流 (典型值为 11μA) 与负载电流无关。栅极驱动器包括一个用于 MOSFET 保护的内部电压箝位。当检测到一个辅助电源时，可采用 STAT 引脚来使能一个辅助 P 沟道 MOSFET 电源开关。另外，该引脚还可用于在接入了一个辅助电源时向微控制器发出指示信号。控制 (CTL) 输入使得用户能够强制关断主 MOSFET，并将 STAT 引脚置于低电平。LTC4412HV 采用扁平 (高度仅 1mm) SOT-23 封装。
浏览次数：
2
2023/3/24 11:02:13
MAX5079 “或”逻辑MOSFET控制器用于在在高可靠性冗余、并联电源中可替代“或”逻辑二极管。“或”逻辑肖特基二极管尽管具有较低前向压降，但在大电流情况下功耗较大。MAX5079可使用低导通电阻的n沟道功率MOSFET来替代肖特基二极管，从而在大功率应用中，实现更低功耗、更小尺寸，而且不需要热沉。MAX5079采用2.75V至13.2V电源供电，内置电荷泵驱动高端n沟道MOSFET。提供至少2.75V的辅助电压时，器件最低可在1V下工作。控制器检测到IN和BUS间出现正压差时，启动n沟道MOSFET。一旦MAX5079检测到IN相对于BUS压差为负，MOSFET将被关断，正压差恢复后，自动重新打开。故障状态下，1A的“或”逻辑MOSFET栅极下拉电流可提供200ns超快速关断。反向电压关断阈值可由外部设置，以避免电源热拔插在IN或BUS上产生干扰脉冲，导致“或”逻辑MOSFET被无意关断。其他特性包括，OVP标志便于在过压时关断失效电源，PGOOD信号用于指示VIN低于欠压锁定或VBUS过压。MAX5079工作在-40°C至+85°C温度范围内，可提供节省空间的14引脚TSSOP封装。应用基站线卡N+1冗余电源系统网络线卡可并联的DC-DC转换器模块RAID服务器
浏览次数：
7
2023/3/24 10:58:12
LTC®4414 控制一个外部 P 沟道 MOSFET，以造就一种用于电源切换的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效“或”操作，旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时，MOSFET 两端的压降通常为 20mV。对于那些采用了一个交流适配器或其它辅助电源的应用，当辅助电源接入时，负载将自动地与电池断接。可通过两个或更多 LTC4414 的互连来实现多个电池之间的切换或由单个充电器来对多个电池进行充电。LTC4414 的宽电源工作范围支持采用 1 至 8 节串联锂离子电池来提供工作电源。低静态电流 (典型值为 30µA) 与负载电流无关。栅极驱动器包括一个用于 MOSFET 保护的内部电压箝位。当检测到一个辅助电源时，可采用 STAT 引脚来使能一个辅助 P 沟道 MOSFET 电源开关。该引脚还可被用于在接入了一个辅助电源时向微控制器发出指示信号。控制 (CTL) 输入使得用户能够强制关断主 MOSFET 并将 STAT 引脚置于低电平。LTC4414 采用扁平 8 引脚 MSOP 封装。Applications高电流电源通路开关工业和汽车应用不间断电源逻辑控制型电源开关后备电池系统具有后备电池的应急系统
浏览次数：
4
2023/3/24 10:55:58
LTC®4416 / LTC4416-1 控制两组外部 P 沟道 MOSFET，以造就两种用于电源切换电路的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效“或”操作，旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时，MOSFET 两端的电压降通常为 25mV。对于那些采用了一个交流适配器或其它辅助电源的应用，当辅助电源接入时，负载将自动地与电池断接。LTC4416 集成了两个具有软切换控制功能的互连电源通路 (PowerPath™) 控制器。“软关断”型切换允许用户在两个不同的电压之间转换，而不会在输出电源中产生过大的电压欠冲 (即 VDROOP)。另外，LTC4416 / LTC4416-1 还包含一种“快速接通”功能，其可在正向输入电压超过 25mV 时大幅度地增加栅极驱动电流。当检测电压超过输入电压达 25mV 时，LTC4416 的“快速关断”功能被启用。LTC4416-1 在相同的情况下以及采用使能引脚选择了另一个外部 P沟道器件时实现快速关断。LTC4416 的宽电源工作范围支持采用 1 至 8 节串联锂离子电池来提供工作电源。低静态电流 (每个通道为 35µA) 与负载电流无关。栅极驱动器包括一个用于 MOSFET 保护的内部电压箝位。LTC4416 / LTC4416-1 采用扁平 10 引脚 MSOP 封装。应用高电流 PowerPath 开关工业和汽车应用不间断电源逻辑控制型电源开关后备电池系统具有后备电池的应急系统
浏览次数：
4
2023/3/24 10:54:45
LTC®4413-1 和 LTC4413-2 是亚德诺品牌的一种各自包含两个单片式理想二极管，均能够从 2.5V 至 5.5V 的输入电压提供高达 2.6A 的输出电流。理想二极管采用了一个 100mΩ P 沟道 MOSFET，用于独立地把 INA 连接至 OUTA，以及将 INB 连接至 OUTB。在标准的正向操作期间，这些二极管两端的电压降均被调节为低至 18mV。在二极管电流高达 1A 时，静态电流小于 80μA。如果任一个输出电压超过其各自的输入电压，则 MOSFET 被关断，且有少于 1μA 的反向电流从 OUT 流至 IN。每个 MOSFET 中的最大正向电流被限制在一个恒定值 2.6A，而内部热限制电路负责在故障条件下对器件实施保护。如果某个电压超过了 LTC4413-2 的绝对最大电压容限，则内部过压保护传感器将能够检测出来。两个高态有效控制引脚可独立地关断 LTC4413-1 / LTC4413-2 内含的两个理想二极管。当选定通道被加有反向偏压、或者 LTC4413-1 / LTC4413-2 被置于低功率待机状态时，将由一个 11μA 漏极开路把状态信号拉至低电平。LTC4413-1 / LTC4413-2 采用 10 引脚 3mm x 3mm DFN 封装。应用手持式产品中的电池和墙上适配器二极管 “或”后备电池二极管 “或”电源转换USB 外设不间断电源
浏览次数：
3
2023/3/24 10:52:55
LTC®4413-1 和 LTC4413-2 各自包含两个单片式理想二极管，均能够从 2.5V 至 5.5V 的输入电压提供高达 2.6A 的输出电流。理想二极管采用了一个 100mΩ P 沟道 MOSFET，用于独立地把 INA 连接至 OUTA，以及将 INB 连接至 OUTB。在标准的正向操作期间，这些二极管两端的电压降均被调节为低至 18mV。在二极管电流高达 1A 时，静态电流小于 80μA。如果任一个输出电压超过其各自的输入电压，则 MOSFET 被关断，且有少于 1μA 的反向电流从 OUT 流至 IN。每个 MOSFET 中的最大正向电流被限制在一个恒定值 2.6A，而内部热限制电路负责在故障条件下对器件实施保护。如果某个电压超过了 LTC4413-2 的绝对最大电压容限，则内部过压保护传感器将能够检测出来。两个高态有效控制引脚可独立地关断 LTC4413-1 / LTC4413-2 内含的两个理想二极管。当选定通道被加有反向偏压、或者 LTC4413-1 / LTC4413-2 被置于低功率待机状态时，将由一个 11μA 漏极开路把状态信号拉至低电平。LTC4413-1 / LTC4413-2 采用 10 引脚 3mm x 3mm DFN 封装。应用手持式产品中的电池和墙上适配器二极管 “或”后备电池二极管 “或”电源转换USB 外设不间断电源
浏览次数：
3
2023/3/24 10:45:56
ADP197是一款高端负载开关，采用1.8 V至5.5 V电源供电。该负载开关可提供电池域隔离，有助于扩大电源域隔离范围。它内置一个低导通电阻N沟道MOSFET，支持3 A以上的连续电流，功率损耗极小。ADP197具有18 μA的低静态电流和超低关断电流，因此非常适合电池供电的便携式设备使用。借助内置的使能逻辑电平转换器，ADP197可兼容多种处理器和GPIO控制器。如果结温超过125°C，过温保护电路就会激活，保护器件本身及下游电路免受损害。ADP197不但拥有出色的工作性能，而且占用的印刷电路板(PCB)空间极小，面积不到1.5 mm2，高度仅0.60 mm。ADP197采用6引脚、1 mm x 1.5 mm、0.5 mm间距、超小型WLCSP封装。
浏览次数：
5
2023/3/24 10:44:37
LTC®4228 通过控制每个电源轨中的两个外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了理想二极管和热插拔 (Hot Swap™) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。另外，还利用快速动作电流限制和内部定时电路断路器对电源输出提供了针对短路故障的保护。LTC4228 可调节外部 MOSFET 和检测电阻器两端的正向压降，以确保实现从一个电源至另一个电源的无振荡平滑电流转移。理想二极管快速接通以减小电源切换期间的负载电压降。倘若输入电源发生故障或者短路，则快速关断能够较大限度地减小反向瞬态电流。LTC4228 可提供独立的接通 / 关断控制，并报告电源的故障及良好运行状态。LTC4228 在 LTC4225 的基础上做了改进，可更快地从输入欠压状态恢复以保持输出电压。应用冗余电源MicroTCA 系统和服务器电信网络电源优先级排序器
浏览次数：
0
2023/3/24 10:43:32
LT4321 是一款双路理想二极管桥控制器，其可使一部以太网供电 (PoE) 受电设备 (PD) 从 RJ-45 数据线对和/或空闲线对接收任一电压极性的电源。LT4321 和 8 个 N 沟道 MOSFET 可替代一个无源 PoE 整流器桥中的 8 个二极管。LT4321 简化了热设计并可增加输送功率。一个内部充电泵可实现一个全 NMOS 桥，从而免除了体积更大且更加昂贵的 PMOS 开关。LT4321 适合于两对线和四对线应用。高阻抗输入检测引脚可防止在未用线对上出现反向电流。如果电源发生故障或短路，则快速关断以较大限度地抑制反向电流瞬变。与分立式理想二极管桥解决方案不同，LT4321 将在整个瞬变过程中正常运作，而无需使能未通电线对上的 MOSFET。应用PoE / PoE+ / LTPoE++ 受电设备电信电源的 DC 极性校正和理想二极管 “或”
浏览次数：
6
2023/3/24 10:40:07
LTC®4236 通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供理想二极管 “或” 和热插拔 (Hot Swap) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 可替代两个高功率肖特基二极管和关联的散热器，从而节省了功率和电路板空间。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流在带电背板上实现了安全的电路板插拔操作。另外，利用一个快速动作折返电流限制和电子电路断路器还为电源输出提供了针对短路故障的保护。LTC4236 可调节理想二极管 MOSFET 两端的正向电压降，以确保从一个电源至另一个电源的无振荡平滑电流转移。理想二极管 MOSFET 快速接通以减小电源切换期间的负载电压降。如果输入电源发生故障或短路，则快速关断可较大限度地抑制反向电流瞬变。一个电流检测放大器把检测电阻器两端的电压转换为一个接地参考信号。LTC4236 提供了可调启动延迟、接通 / 关断控制，并向电源报告故障和电源良好状态。应用冗余电源高可用性系统和服务器电信和网络基础设施
浏览次数：
5
2023/3/24 10:38:57