HMC432(E)是一款低噪声2分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用超小型表面贴装SOT26塑料封装。 此器件在DC（使用方波输入）至8 GHz的输入频率下工作，使用+3V DC单电源。 单端输入和输出可减少元件数量和成本。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-148 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。应用UNII、点对点和VSAT无线电802.11a和HiperLAN WLAN光纤产品蜂窝/3G基础设施
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2023/1/9 14:59:54
HMC903LP3E是一款自偏置、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪声放大器(LNA)，提供可选偏置控制来降低IDQ。采用16引脚、3 mm × 3 mm、LFCSP封装。HMC903LP3E放大器的工作频率范围为6 GHz至17 GHz，提供18.5 dB的小信号增益，1.7 dB的噪声系数（在6 GHz至16 GHz频段范围内），25 dBm的输出IP3（全频段6 GHz至17 GHz），采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。14.5 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC903LP3E还具有隔直输入和输出，内部匹配至50 Ω，因而非常适合高容量微波无线电和视频卫星(VSAT)应用。应用点对点无线电点对多点无线电军事与太空测试仪器仪表
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2023/1/9 14:59:02
HMC713LP3E对数检波器/控制器非常适合将RF信号（50 MHz至8000 MHz频率范围内）的功率在输出端转换为与输入功率成正比的直流电压。 HMC713LP3E采用连续压缩技术，可在宽输入频率范围内提供具有高测量精度的54 dB动态范围。 随着输入信号增加，连续放大器逐渐进入饱和，从而生成精确的对数函数近似值。 一系列检波器输出求和、转换成电压域并缓冲驱动OUTP输出。在检测模式下，OUTP引脚连接到VSET输入，提供17 mV/dB标称对数斜率和-68 dBm截距。 HMC713LP3E也可以在控制器模式下使用，在该模式下向VSET引脚施加外部电压以实现AGC或APC反馈环路。应用蜂窝基础设施WiMAX, WiBro和amp; LTE/4G电源监控和控制电路接收机信号强度指示(RSSI)蜂窝基础设施自动增益和功率控制军事、ECM和雷达
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2023/1/9 14:58:03
HMC346AMS8GE是一款吸收式电压可变衰减器（VVA），采用8引脚表面安装封装，工作频率为DC-8 GHz。它具有片上参考衰减器，可与外部运算放大器一起使用，以提供简单的单电压衰减控制，0至-5V。在模拟DC控制信号必须控制30dB幅度范围内的RF信号电平的设计中，该设备是理想的。应用包括微波点对点和VSAT无线电中的AGC电路和多增益级的温度补偿。应用点对点无线电VSAT无线电
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2023/1/9 14:52:30
HMC536MS8G & HMC536MS8GE 是 DC - 6 GHz、GaAs、MMIC、T/R 交换芯片，采用 8 引脚 MSOP8G 表面贴装封装，带有裸露的接地焊盘。该交换芯片非常适合蜂窝 PCS/3G 基站应用，具有 0.5 dB 的低插入损耗和 +55 dBm 的输入IP3 。该交换芯片在 6 GHz 的频率下具有出色的功率处理能力，具体为开关在 +3 V 控制下提供 +29 dBm 的 P0.1dB 压缩点。片内电路允许在极低的直流电流下将正电压控制在 0/+ 3 V 或 0/+ 5V。应用蜂窝/3G 基础设施 ISM/MMDS/WiMAX CATV/CMTS 测试仪器仪表
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2023/1/9 14:51:28
HMC407MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器，工作频率范围为5至7 GHz。 该放大器无需外部匹配亦可工作，从而在输入和输出端实现真正的50 Ohm匹配性能。 该放大器采用低成本、表面贴装8引脚封装，带有裸露基座以改善RF和散热性能。 该放大器提供15 dB增益，饱和功率为+29 dBm（28% PAE时），电源电压为+5V。 当放大器不用时，可使用省电功能以节省功耗。应用UNIIHiperLAN
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2023/1/9 14:50:10
HMC311SC70(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为DC至8 GHz。 此款放大器采用业界标准SC70封装，可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+15 dBm的HMC混频器LO端口。 HMC311SC70(E)提供15 dB的增益，+30 dBm的输出IP3，同时仅需+5V电源提供54 mA电流。 达林顿拓扑结构可降低对正常工艺变化的敏感度，提供出色的温度增益稳定性，只需极少的外部偏置元件。应用蜂窝/PCS/3GWiBro / WiMAX / 4G固定无线和WLAN有线电视、电缆调制解调器和数字广播卫星微波无线电和测试设备
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2023/1/9 14:46:37
HMC902LP3E是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)，通过可选偏置控制实现自偏置，以降低IDQ。HMC902LP3E采用无引脚3 mm × 3 mm塑料表贴封装。该放大器的工作频率范围为5 GHz至11 GHz，提供19.5 dB的小信号增益，1.8 dB的噪声系数，28 dBm的输出IP3，采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。16 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC902LP3E还具有隔直输入/输出，内部匹配50 Ω，因而非常适合高容量微波无线电和C频段甚小孔径终端(VSAT)应用。应用点对点无线电点对多点无线电军事和太空测试仪器仪表
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2023/1/9 14:40:42
HMC385LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击、振动和工艺范围内尤为出色，工作频率范围为2.25至2.5 GHz。 采用3V单电源(35mA)时，输出功率为4.5 dBm（典型值）。 该电压控制振荡器采用低成本无铅QFN 4x4 mm表面贴装封装。应用无线基础设施工业控制测试设备军事
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2023/1/9 14:39:50
HMC1119是一款宽带、高精度、7位数字衰减器，工作频率范围为0.1 GHz至6.0 GHz，以0.25 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。HMC1119采用硅工艺实现，提供超快速建立时间、低功耗和高ESD鲁棒性。该器件具有安全状态转换特性，并针对频率和温度范围内出色的步长精度和高线性度进行了优化。RF输入与输出为匹配元件。该设计为双向；因此，RF输入与输出可以互换。HMC1119集成了片内稳压器，具有3.3 V至5.0 V宽电源工作范围，而电气特性性能不会发生变化。HMC1119集成一个驱动器，支持对衰减器进行串行（3线式）和并行控制。该器件采用符合RoHS标准的紧凑型4 mm × 4 mm LFCSP封装。同时提供完全填充的评估板。应用蜂窝通信基础设施微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)测试设备和传感器IF和RF设计
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2023/1/9 14:38:25
HMC346AMS8GE是一款吸收式电压可变衰减器(VVA)，采用8引脚表贴封装，工作频率范围为DC - 8 GHz。它集成了片内基准电压衰减器，可配合外部运算放大器使用，提供0至-5V的简单单电压衰减控制。该器件非常适合模拟直流控制信号必须在30 dB幅度范围内控制RF信号电平的设计。具体应用包括微波、点对点和VSAT无线电中的AGC电路和多增益级温度补偿。应用点对点无线电VSAT无线电
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2023/1/9 14:36:12
HMC432(E)是一款低噪声2分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用超小型表面贴装SOT26塑料封装。 此器件在DC（使用方波输入）至8 GHz的输入频率下工作，使用+3V DC单电源。 单端输入和输出可减少元件数量和成本。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-148 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。应用UNII、点对点和VSAT无线电802.11a和HiperLAN WLAN光纤产品蜂窝/3G基础设施
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2023/1/9 14:35:31
HMC832LP6GE是一款3.3 V、高性能、宽带、小数N分频锁相环(PLL)，集成基频范围为1500 MHz – 3000 MHz的压控振荡器(VCO)，以及集成式VCO输出分频器（1/2/4/6.../60/62分频），支持HMC832LP6GE产生范围为25 MHz至3000 MHz的连续频率。 集成式相位检波器(PD)和Δ-Σ型调制器能以高达100 MHz的频率工作，实现更宽的环路带宽和更快的频率调谐，并具备出色的频谱性能。HMC832LP6GE在所有频率下均具有业界卓越的相位噪声和杂散性能，可较大程度降低阻塞效应，改善接收机灵敏度和发射机频谱纯度。 低噪底(-160 dBc/Hz)可消除发射机应用中导致产生调制器/混频器噪底的一切因素。HMC832LP6GE具有所有3.3 V电源功能并采用创新的可编程性能技术，通过选择低功耗模式或高性能模式，针对各应用定制功耗和相应的噪底性能，以便获得改进的噪底性能。HMC832LP6GE的其他功能包括：12 dB RF输出增益控制（1 dB步进）、输出静音功能（可在器件未锁定的情况下发生频率变化时自动对输出进行静音处理）、改善输出回损的可选电阻、可编程差分或单端输出，在单端模式下可分别选择各输出、以及Δ-Σ型调制器的精确频率模式，允许用户以0 Hz频率误差生成输出频率。
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2023/1/9 14:33:46
HMC704经过专门设计，具有集成式频率合成器所能具备的较佳相位噪声和较低杂散成分性能。 这款小数N分频频率合成器采用SiGe BiCMOS工艺制造，内置极低噪声数字鉴相器、VCO分频器、基准分频器和精密控制电荷泵。该器件具有超低带内相位噪声和低杂散性能，因而支持宽环路带宽，从而可以实现更快的跳频和低微音。 精确频率模式与24位小数调制器相结合，能够生成零频率误差的小数频率，这项功能对于数字预失真系统而言很重要。串行接口提供回读能力，与各种协议兼容。应用微波点对点无线电移动无线电基站(GSM, PCS, DCS, CDMA, WCDMA)无线LAN、WiMax通信测试设备有线电视设备汽车
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2023/1/9 14:33:02
AD9516-0*提供多路输出时钟分配功能，具有亚皮秒级抖动性能，还配有片内集成锁相环(PLL)和电压控制振荡器(VCO)。片内VCO的调谐频率范围为2.55 GHz至2.95 GHz。或者，也可以使用最高2.4 GHz的外部VCO/VCXO。AD9516-0具有出色的低抖动和相位噪声特性，可极大地提升数据转换器的性能，并且也有利于其它相位噪声和抖动要求严苛的应用。AD9516-0提供6路LVPECL输出（分为三对）、4路LVDS输出（分为两对）和8路CMOS输出（每路LVDS输出对应两路）。LVPECL输出的工作频率达1.6 GHz，LVDS输出的工作频率达800 MHz，CMOS输出的工作频率达250 MHz。每对输出均有分频器，其分频比和粗调延迟（或相位）均可以设置。LVPECL输出的分频范围为1至32。LVDS/CMOS输出的分频范围最高可达1024。AD9516-0提供64引脚LFCSP封装，可以采用3.3 V单电源供电。将，采用外部VCO时，需要更宽的电压范围, 可通过将电荷泵电源(VCP)与5.5 V电压相连来实现独立的LVPECL电源可以为2.375 V至3.6 V。AD9516-0的额定工作温度范围为?40°C至+85°C工业温度范围。应用--低抖动、低相位噪声时钟分配--10/40/100 Gb/s网络线路卡，包括SONET、同步以太网、OTU2/3/4--前向纠错(G.710)--为高速ADC、DAC、DDS、DDC、DUC、MxFE提供时钟--高性能无线收发器--自动测试设备(ATE)和高性能仪器仪表* AD9516泛指AD9516系列的所有器件。
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2023/1/9 10:13:14
微波射频电路在实际运行过程中，受自身电路设计和外界电磁环境的影响，会产生相应的杂波干扰信号，影响整个射频电路稳定、可靠运行。杂波干扰信号特点各有不同，影响也存在差异化，从而导致相关的抗干扰工作较为复杂。为了有效解决这一问题，应加强微波射频电路杂波干扰问题技术分析，并针对性提出相应的改进措施，提高微波射频电路抗杂波干扰能力。 （射频百花潭配图） 本文在解决微波射频电路抗干扰的技术问题决时，注重提高电路自身抗外部干扰的能力，通过电路内部设计优化，降低电路内部的干扰，从而实现微波射频电路的高抗杂波干扰能力。 1 微波射频电路杂波干扰技术问题分析 （1）电磁环境复杂。在应用过程中，微波射频电路所处的电磁环境较为复杂、空间干扰源较多，使得微波射频电路容易受到空间杂波信号的干扰，从而影响整个电路的指标和正常运行。 （2）微波电路体积小导致电路复杂。随着相控阵技术、多通道射频TR前端的发展，对微波射频前端电路的体积要求越来越小，从而导致微波内部电路的复杂度提高，具体表现为设备、线路以及元器件之间的距离较近，存在交叉布置的问题，容易产生干扰。 （3）数模混合布板带来干扰。随着微波射频电路集成度的提高，数模混合布板越来越常见，数字地和模拟地的分割、数字信号和模拟信号的交叉、数字电源和模拟电源的干扰等，会给模拟电路带来干扰，影响电路质量和指标。 2 微波射频电路杂波干扰技术改进 2.1 针对空间电磁环境复杂的改进技术 为了有效解决微波射频电路电磁环境复杂的问题，可以从RF布局实施改进，具体包括物理分区和电气分区设计。 （1）物理分区设计。...
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2023/1/9 8:49:45
AD9763/AD9765/AD9767分别是双端口、高速、双通道、10/12/14位CMOS DAC，每款器件均集成两个高品质TxDAC+®内核、一个基准电压源和数字接口电路，采用48引脚小型LQFP封装。这些器件提供出色的交流和直流性能，同时支持最高125 MSPS的更新速率。AD9763/AD9765/AD9767针对通信应用中的I数据与Q数据处理进行了优化。数字接口含有两个双缓冲锁存器以及控制逻辑。独立的写输入允许数据彼此独立地写入两个DAC端口。独立的时钟可控制各DAC的更新速率。利用模式控制引脚，AD9763/AD9765/AD9767可以与两个单独的数据端口接口，或与单个交错式高速数据端口接口。在交错模式下，输入数据流被解复用为原始I数据与Q数据，然后锁存。随后，I数据与Q数据由两个DAC转换，并以一半输入数据速率更新。GAINCTRL引脚允许以两种模式设置两个DAC的满量程电流(IOUTFS)。可以用两个外部电阻独立设置各DAC的IOUTFS，也可以用一个外部电阻设置两个DAC的IOUTFS。关于此特性的重要日期码信息，请参阅增益控制模式部分。这些DAC采用分段电流源架构，并结合专有开关技术，可减小突波能量，并使动态精度达到较大。每个DAC均提供差分电流输出，从而支持单端或差分应用。AD9763、AD9765或AD9767的两个DAC可以同时更新，并可以提供20 mA的标称满量程电流。各DAC之间的满量程电流匹配精度可达到0.1%以内。AD9763/AD9765/AD9767采用先进的低成本CMOS工艺制造，采用3.3 V至5 V单电源供电，功耗为380 mW。
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2023/1/6 17:07:53
ADL5569是一款针对DC至6.0 GHz应用而优化的高性能双通道、差分放大器，具有20 dB电压增益。该放大器提供双通道格式，在宽频率范围内提供1.0 nV/√Hz（500 MHz时）的低折合到输入(RTI)噪声和出色的失真性能，堪称高速12位至16位模数转换器(ADC)的理想驱动器。ADL5569非常适合用于高性能零中频(IF)和复合中频接收器设计。此外，该器件针对单端输入驱动器应用具有出色的低失真特性。每个放大器各使用两个外部串联电阻来扩展放大器的增益灵活性，并允许差分输入选择6 dB至20 dB范围内的任意增益。对于单端输入，增益可在6 dB至17 dB范围内调整。此外，该器件在2 V至3 V输出共模范围内保持低失真性能，在最高2 V p-p的交流电平下，提供灵活的ADC驱动能力。ADL5569采用5V单电源供电，其静态电流典型值为每放大器86 mA。禁用时，这些放大器的功耗仅为16 mA。该器件针对宽带、低失真和低噪声工作优化，使其具备了无可比拟的DC至4 GHz无杂散动态范围(SFDR)。这些特性加上可调增益能力，使该器件成为驱动多种ADC、混频器、PIN二极管衰减器、表面声波(SAW)滤波器以及各种分立RF器件的放大器选择。ADL5569采用ADI公司的高速硅锗(SiGe)工艺制造，提供紧凑型2.5 mm × 3 mm、16引脚LFCSP封装，工作温度范围为−40°C至+85°C。
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2023/1/6 17:06:50