HMC341LC3B是一款GaAs PHEMT MMIC低噪音放大器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该放大器的工作频率范围为21至29 GHz，采用+3V单电源时提供13 dB增益和2.5 dB噪声系数。 隔直RF I/O匹配至50 Ω，无需外部元件。 HMC341LC3B无需线焊，可以使用表贴制造技术。Applications点对点无线电点对多点无线电和VSAT测试设备和传感器军用最终用途
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2023/1/9 15:09:52
HMC578LC3B是一款使用GaAs PHEMT技术的x2有源宽带倍频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 由+3 dBm信号驱动时，该倍频器在24至33 GHz范围内提供+15 dBm的典型输出功率。 在28 GHz频率下，Fo和3Fo隔离分别大于20 dBc和30 dBc。HMC578LC3B非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-129 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。 HMC578LC3B采用符合RoHS标准的封装，无需线焊，可以使用表贴制造技术。应用时钟生成应用：SONET OC-192和SDH STM-64点对点和VSAT无线电测试仪器仪表军事和太空
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2023/1/9 15:06:33
HMC586LC4B是一款宽带GaAs InGaP电压控制振荡器，集成了谐振器、负电阻器件、变容二极管。 由于振荡器的单芯片结构，其输出功率和相位噪声性能在不同的温度下始终非常出色。 Vtune端口接受0至+18V的模拟调谐电压。 HMC586LC4B VCO采用+5V单电源供电，功耗仅55 mA，提供符合RoHS标准的SMT封装。 这款宽带VCO集超小尺寸、低相位噪声、低功耗和宽调谐范围等特性于一体，构成独特的特性组合。应用工业/医疗设备测试和测量设备军用雷达、电子战和电子对抗
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2023/1/9 15:05:42
HMC1122是一款6位数字衰减器，工作频率范围为0.1 GHz至6 GHz，以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。HMC1122采用硅工艺实现，提供超快速建立时间、低功耗和高ESD鲁棒性。该器件具有安全状态转换特性，并针对频率和温度范围内出色的步长精度和高线性度进行了优化。RF输入与输出为匹配元件。该设计为双向；因此，RF输入与输出可以互换。HMC1122采用3.3 V至5 V单电源供电，由于集成了片内稳压器，性能不会发生变化。该器件集成一个驱动器，支持对衰减器进行串行和并行控制。该器件还提供用户可选上电状态和串行输出端口，可级联其他串行控制元件。该器件采用符合RoHS标准的紧凑型4 mm × 4 mm LFCSP封装，与HMC624A引脚兼容。同时提供完全填充的评估板。应用蜂窝通信基础设施微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)测试设备和传感器IF和RF设计
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2023/1/9 15:04:03
HMC349AMS8G是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)、单刀双掷(SPDT)开关，额定频率范围为100 MHz至 4 GHz。HMC349AMS8G非常适合蜂窝基础设施应用，可实现57 dB高隔离、0.9 dB低插入损耗、52 dBm高输入IP3和34 dBm高输入P1dB。HMC349AMS8G采用3 V至5 V单正电源供电，提供CMOS/TTL兼容控制接口。HMC349AMS8G采用带exposed pad的8引脚超小型封装。应用蜂窝/4G基础设施无线基础设施移动无线电测试设备
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2023/1/9 15:02:05
HMC985ALP4KE是一款吸收式电压可变衰减器(VVA)，工作范围为10 - 40 GHz，非常适合必须利用模拟DC控制信号来控制超过40 dB动态范围的RF信号电平。它集成了由两个模拟电压Vctl1和Vctl2控制的分流型衰减器。该衰减器通过第一衰减级Vctl1在-5V至0 V电压范围内的变化实现优质线性度性能，Vctl2固定在-5V。第二衰减级的控制电压Vctl2应在-5V至0V电压范围内变化，Vctl1固定在0V。如果Vctl1和Vctl2引脚连接在一起，仅需稍微降低输入IP3性能便可实现全模拟衰减范围。具体应用包括微波点对点和VSAT无线电中的AGC电路和多增益级温度补偿。应用点对点无线电VSAT无线电测试仪器仪表微波传感器军事、ECM和雷达
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2023/1/9 15:01:00
HMC432(E)是一款低噪声2分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用超小型表面贴装SOT26塑料封装。 此器件在DC（使用方波输入）至8 GHz的输入频率下工作，使用+3V DC单电源。 单端输入和输出可减少元件数量和成本。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-148 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。应用UNII、点对点和VSAT无线电802.11a和HiperLAN WLAN光纤产品蜂窝/3G基础设施
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2023/1/9 14:59:54
HMC903LP3E是一款自偏置、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪声放大器(LNA)，提供可选偏置控制来降低IDQ。采用16引脚、3 mm × 3 mm、LFCSP封装。HMC903LP3E放大器的工作频率范围为6 GHz至17 GHz，提供18.5 dB的小信号增益，1.7 dB的噪声系数（在6 GHz至16 GHz频段范围内），25 dBm的输出IP3（全频段6 GHz至17 GHz），采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。14.5 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC903LP3E还具有隔直输入和输出，内部匹配至50 Ω，因而非常适合高容量微波无线电和视频卫星(VSAT)应用。应用点对点无线电点对多点无线电军事与太空测试仪器仪表
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2023/1/9 14:59:02
HMC713LP3E对数检波器/控制器非常适合将RF信号（50 MHz至8000 MHz频率范围内）的功率在输出端转换为与输入功率成正比的直流电压。 HMC713LP3E采用连续压缩技术，可在宽输入频率范围内提供具有高测量精度的54 dB动态范围。 随着输入信号增加，连续放大器逐渐进入饱和，从而生成精确的对数函数近似值。 一系列检波器输出求和、转换成电压域并缓冲驱动OUTP输出。在检测模式下，OUTP引脚连接到VSET输入，提供17 mV/dB标称对数斜率和-68 dBm截距。 HMC713LP3E也可以在控制器模式下使用，在该模式下向VSET引脚施加外部电压以实现AGC或APC反馈环路。应用蜂窝基础设施WiMAX, WiBro和amp; LTE/4G电源监控和控制电路接收机信号强度指示(RSSI)蜂窝基础设施自动增益和功率控制军事、ECM和雷达
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2023/1/9 14:58:03
HMC346AMS8GE是一款吸收式电压可变衰减器（VVA），采用8引脚表面安装封装，工作频率为DC-8 GHz。它具有片上参考衰减器，可与外部运算放大器一起使用，以提供简单的单电压衰减控制，0至-5V。在模拟DC控制信号必须控制30dB幅度范围内的RF信号电平的设计中，该设备是理想的。应用包括微波点对点和VSAT无线电中的AGC电路和多增益级的温度补偿。应用点对点无线电VSAT无线电
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2023/1/9 14:52:30
HMC536MS8G & HMC536MS8GE 是 DC - 6 GHz、GaAs、MMIC、T/R 交换芯片，采用 8 引脚 MSOP8G 表面贴装封装，带有裸露的接地焊盘。该交换芯片非常适合蜂窝 PCS/3G 基站应用，具有 0.5 dB 的低插入损耗和 +55 dBm 的输入IP3 。该交换芯片在 6 GHz 的频率下具有出色的功率处理能力，具体为开关在 +3 V 控制下提供 +29 dBm 的 P0.1dB 压缩点。片内电路允许在极低的直流电流下将正电压控制在 0/+ 3 V 或 0/+ 5V。应用蜂窝/3G 基础设施 ISM/MMDS/WiMAX CATV/CMTS 测试仪器仪表
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2023/1/9 14:51:28
HMC407MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器，工作频率范围为5至7 GHz。 该放大器无需外部匹配亦可工作，从而在输入和输出端实现真正的50 Ohm匹配性能。 该放大器采用低成本、表面贴装8引脚封装，带有裸露基座以改善RF和散热性能。 该放大器提供15 dB增益，饱和功率为+29 dBm（28% PAE时），电源电压为+5V。 当放大器不用时，可使用省电功能以节省功耗。应用UNIIHiperLAN
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2023/1/9 14:50:10
HMC311SC70(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为DC至8 GHz。 此款放大器采用业界标准SC70封装，可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+15 dBm的HMC混频器LO端口。 HMC311SC70(E)提供15 dB的增益，+30 dBm的输出IP3，同时仅需+5V电源提供54 mA电流。 达林顿拓扑结构可降低对正常工艺变化的敏感度，提供出色的温度增益稳定性，只需极少的外部偏置元件。应用蜂窝/PCS/3GWiBro / WiMAX / 4G固定无线和WLAN有线电视、电缆调制解调器和数字广播卫星微波无线电和测试设备
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2023/1/9 14:46:37
HMC902LP3E是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)，通过可选偏置控制实现自偏置，以降低IDQ。HMC902LP3E采用无引脚3 mm × 3 mm塑料表贴封装。该放大器的工作频率范围为5 GHz至11 GHz，提供19.5 dB的小信号增益，1.8 dB的噪声系数，28 dBm的输出IP3，采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。16 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC902LP3E还具有隔直输入/输出，内部匹配50 Ω，因而非常适合高容量微波无线电和C频段甚小孔径终端(VSAT)应用。应用点对点无线电点对多点无线电军事和太空测试仪器仪表
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2023/1/9 14:40:42
HMC385LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击、振动和工艺范围内尤为出色，工作频率范围为2.25至2.5 GHz。 采用3V单电源(35mA)时，输出功率为4.5 dBm（典型值）。 该电压控制振荡器采用低成本无铅QFN 4x4 mm表面贴装封装。应用无线基础设施工业控制测试设备军事
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2023/1/9 14:39:50
HMC1119是一款宽带、高精度、7位数字衰减器，工作频率范围为0.1 GHz至6.0 GHz，以0.25 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。HMC1119采用硅工艺实现，提供超快速建立时间、低功耗和高ESD鲁棒性。该器件具有安全状态转换特性，并针对频率和温度范围内出色的步长精度和高线性度进行了优化。RF输入与输出为匹配元件。该设计为双向；因此，RF输入与输出可以互换。HMC1119集成了片内稳压器，具有3.3 V至5.0 V宽电源工作范围，而电气特性性能不会发生变化。HMC1119集成一个驱动器，支持对衰减器进行串行（3线式）和并行控制。该器件采用符合RoHS标准的紧凑型4 mm × 4 mm LFCSP封装。同时提供完全填充的评估板。应用蜂窝通信基础设施微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)测试设备和传感器IF和RF设计
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2023/1/9 14:38:25
HMC346AMS8GE是一款吸收式电压可变衰减器(VVA)，采用8引脚表贴封装，工作频率范围为DC - 8 GHz。它集成了片内基准电压衰减器，可配合外部运算放大器使用，提供0至-5V的简单单电压衰减控制。该器件非常适合模拟直流控制信号必须在30 dB幅度范围内控制RF信号电平的设计。具体应用包括微波、点对点和VSAT无线电中的AGC电路和多增益级温度补偿。应用点对点无线电VSAT无线电
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2023/1/9 14:36:12
HMC432(E)是一款低噪声2分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用超小型表面贴装SOT26塑料封装。 此器件在DC（使用方波输入）至8 GHz的输入频率下工作，使用+3V DC单电源。 单端输入和输出可减少元件数量和成本。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-148 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。应用UNII、点对点和VSAT无线电802.11a和HiperLAN WLAN光纤产品蜂窝/3G基础设施
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2023/1/9 14:35:31