ISO7240x、ISO7241x和ISO7242x设备是具有多通道配置和输出启用功能的四通道数字隔离器。这些器件具有由Texas Instrument的二氧化硅（SiO2）隔离屏障分隔的逻辑输入和逻辑输出缓冲器。这些设备与隔离电源一起使用，有助于阻断高压，隔离接地，防止噪声电流进入本地接地，干扰或损坏敏感电路。 ISO7240x系列设备具有相同方向的所有四个通道。ISO7241x系列设备具有三个相同方向的通道和一个相反方向的通道。ISO7242x系列设备在每个方向上有两个通道。 带有C后缀（C选项）的设备具有TTL输入阈值和输入处的噪声滤波器，以防止瞬态脉冲传递到设备的输出。带有M后缀（M选项）的器件具有CMOS VCC/2输入阈值，并且不具有输入噪声滤波器或附加传播延迟。 ISO7240CF设备在引脚7上具有输入禁用功能，并通过CTRL引脚（引脚10）具有可选择的高或低故障保护输出功能。当逻辑高置于CTRL引脚上或未连接时，故障保护输出为逻辑高。如果向CTRL引脚施加逻辑低信号，则故障保护输出变为逻辑低输出状态。ISO7240CF设备的输入禁用功能可防止数据通过隔离屏障传递到输出。当输入被禁用或VCC1断电时，输出由CTRL引脚设置。 这些设备可以任意组合从两侧的3.3V或5V电源供电。无论所使用的电压供应水平如何，信号输入引脚都能耐受5V。 这些设备的特点是在-40°C至+125°C的环境温度范围内运行。
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2022/12/29 15:53:15
LP2998线性稳压器的设计符合JEDEC SSTL-2和JEDEC SSL-18的DDR-SDRAM和DDR2内存终端规范。该设备还支持DDR3和DDR3L VTT总线终端，VDDQ最小值为1.35V。输出级防止击穿，同时根据DDR-SDRAM终端的要求，在应用中提供1.5 A的连续电流和高达3 A的瞬态峰值。LP2998还包含一个VSENSE引脚，以提供卓越的负载调节和VREF输出，作为芯片组和DIMM的参考。 LP2998上的另一个功能是提供挂起至RAM（STR）功能的主动低关机（SD）引脚。当SD被拉低时，VTT输出将为三态，提供高阻抗输出，但VREF将保持激活。在这种模式下，通过较低的静态电流可以获得节能优势。
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2022/12/29 15:23:48
TPS51916设备以最低的总成本和最小的空间为DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4内存系统提供完整的电源。它集成了一个同步降压调节器控制器（VDDQ）和一个2-a宿和2-a源跟踪LDO（VTT）以及缓冲低噪声参考（VTTREF）。 该设备采用D-CAP? 模式与300kHz或400kHz频率耦合，便于使用和快速瞬态响应或D-CAP2? 该模式与更高的500kHz或670kHz频率耦合，以支持陶瓷输出电容器而无需外部补偿电路。VTTREF跟踪VDDQ/2的准确率为0.8%。VTT提供2-A宿和2-A源峰值电流能力，只需要10?F的陶瓷电容。专用LDO电源输入可用。 该设备还提供了优异的电源性能。它支持灵活的电源状态控制，在S3中将VTT置于高Z，在S4或S5状态下将VDDQ、VTT和VTTREF（软关闭）放电。可编程OCL具有低侧MOSFET RDS（开启）传感、OVP、UVP、UVLO和热关机保护。
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2022/12/29 15:20:09
TPS51200A-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。此器件可保持快速的瞬态响应，最低仅需 20µF 输出电容。此器件支持遥感功能，并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。此外，该器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用进行 VTT 放电。此器件采用高效散热型 VSON-10 封装，具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。
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2022/12/29 15:18:33
TPS65296器件以最低的总成本和最小的空间为LPDDR4/LPDDR4X存储器系统提供了完整的电源解决方案。它符合JEDEC标准的LPDDR4/LPDDR4X加电和断电顺序要求。TPS65296集成了两个同步降压转换器（VDD1和VDD2）和1.5 a LDO（VDDQ）。TPS65296采用D-CAP3™ 该模式具有600 kHz开关频率，可实现快速瞬变、良好的负载/线路调节，并支持无外部补偿电路的陶瓷输出电容器。TPS65296提供了丰富的功能以及内部低Rdson功率MOSFET的良好效率。它支持灵活的电源状态控制，在S3中将VDDQ置于高Z，在S4/S5状态下将VDD1、VDD2和VDDQ放电。完整的保护功能包括OVP、UVP、OCP、UVLO和热关机保护。该部件采用热增强型18针HotRod™ VQFN封装，设计在-40°C至125°C结温范围内工作。
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2022/12/29 15:07:08
TPS53830为D-CAP+™ 用于DIMM电源上DDR5的模式集成降压转换器。它为DIMM模块上的DRAM芯片提供VDD、VDDQ和VPP电压，具有可配置的电流能力。高电流轨可配置为2相或2个输出，通过D-CAP提供高达12 A（或6 A+6 A）的电流+™ 模式控制。转换器还采用内部补偿，以便于使用并减少外部组件。转换器提供全套遥测，包括输入电压、输出电压和输出电流。还提供过电压、欠电压、过电流限制和过热保护。TPS53830封装在热增强型35针QFN中，工作温度范围为-40°C至+125°C。
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2022/12/29 15:05:42
作为SWIFT成员™ TPS54872低输入电压高输出电流同步降压PWM转换器集成了所有所需的有源元件。具有所列特征的基板上包括一个真正的高性能电压误差放大器，它能够在瞬态条件下实现最大性能，并在选择输出滤波器L和C组件时具有灵活性；欠压锁定电路，用于防止启动直到输入电压达到3.8V；内部设置的慢启动电路，用于限制浪涌电流；以及指示有效操作条件的状态输出。TPS54872可用于热增强型28引脚TSSOP（PWP）PowerPAD™ 它消除了笨重的散热片。TI提供评估模块和SWIFT设计器软件工具，帮助快速实现高性能电源设计，以满足苛刻的设备开发周期。
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2022/12/29 14:58:32
LP2997线性稳压器的设计符合JEDEC SSTL-18 DDR-II内存终端规范。该设备包含一个高速运算放大器，以提供对负载瞬变的出色响应。输出级防止击穿，同时根据DDR-II SDRAM终端的要求，在应用中提供500mA的连续电流和高达900mA的瞬态峰值。LP2997还包含一个VSENSE引脚，以提供卓越的负载调节和VREF输出，作为芯片组和DIMM的参考。LP2997上的另一个功能是提供挂起至RAM（STR）功能的主动低关机（SD）引脚。当SD被拉低时，VTT输出将为三态，提供高阻抗输出，但VREF将保持激活。在这种模式下，通过较低的静态电流可以获得节能优势。
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2022/12/29 14:57:45
LP2998线性稳压器的设计符合JEDEC SSTL-2和JEDEC SSL-18的DDR-SDRAM和DDR2内存终端规范。该设备还支持DDR3和DDR3L VTT总线终端，VDDQ最小值为1.35V。输出级防止击穿，同时根据DDR-SDRAM终端的要求，在应用中提供1.5 A的连续电流和高达3 A的瞬态峰值。LP2998还包含一个VSENSE引脚，以提供卓越的负载调节和VREF输出，作为芯片组和DIMM的参考。LP2998上的另一个功能是提供挂起至RAM（STR）功能的主动低关机（SD）引脚。当SD被拉低时，VTT输出将为三态，提供高阻抗输出，但VREF将保持激活。在这种模式下，通过较低的静态电流可以获得节能优势。
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2022/12/29 14:56:36
TPS51200-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。TPS51200-Q1 器件可保持快速的瞬态响应，最低仅需 20µF 输出电容。TPS51200-Q1 器件支持遥感功能，并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。此外，TPS51200-Q1 器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用使 VTT 放电。TPS51200-Q1 器件采用高效散热型 VSON-10 封装，具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。
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2022/12/29 14:53:42
TPS51206 器件是具有 VTTREF 缓冲基准输出的灌电流/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部组件数的空间受限型系统而设计。该器件可保持快速的瞬态响应，并且仅需 1 个 10µF 的陶瓷输出电容。该器件支持遥感功能，并且可满足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。VTT 具有 ±2A 峰值电流能力。该器件支持所有 DDR 电源状态，在 S3 状态下将 VTT 置于高阻态（挂起到 RAM）；在 S4/S5 状态下使 VTT 和 VTTREF 放电（挂起到磁盘）。TPS51206 器件采用 10 引脚 2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD™封装，额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C。
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2022/12/29 14:52:05
TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出，此输出具有吸收电流和源电流功能。 TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式，简单易用，所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外，该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值（600kHz 和 1MHz），可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能，支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V，而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装（绿色环保，符合 RoHS 标准并且无铅），其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术，其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。
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2022/12/29 14:51:15
TPS51200A-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。此器件可保持快速的瞬态响应，最低仅需 20µF 输出电容。此器件支持遥感功能，并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。此外，该器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用进行 VTT 放电。此器件采用高效散热型 VSON-10 封装，具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。
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2022/12/29 14:49:30
TPS51200 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。TPS51200 可保持快速的瞬态响应，仅需 20µF 超低输出电容。TPS51200 支持遥感功能，并满足 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。此外，TPS51200 还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用对 VTT 进行放电。TPS51200 采用带散热焊盘的高效散热型 10 引脚 VSON 封装，具有绿色环保和无铅的特性。其额定温度范围为 -40°C 至 +85°C。
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2022/12/29 14:47:25
TPS51116 提供一个用于 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 内存系统的完整电源。它集成了一个具有 3A 拉电流/灌电流跟踪线性稳压器和经缓冲的低噪声基准的同步降压控制器。该器件在空间受限的系统中提供最低的总解决方案成本。同步控制器运行具有自适应接通时间控制的定频 400kHz、伪恒定频率脉宽调制 (PWM)，此控制可在 D-CAP 中配置™易于使用和最快瞬态响应或者电流模式以支持陶瓷输出电容器。3A 拉电流/灌电流 LDO 只需 20µF (2 × 10µF) 陶瓷输出电容器即可保持快速瞬态响应。此外，LDO 电源输入是外部可用的，这样可大大减少总体功耗。该器件支持所有睡眠状态控制，此类控制在 S3（挂起到 RAM）中将 VTT 置于 high-Z 状态并且在 S4/S5（挂起到硬盘）中将 VDDQ、VTT 和 VTTREF（软关闭）放电。该器件还具有全部保护 特性， 包括热关断保护，并且提供 20 引脚 HTSSOP PowerPAD™封装和 24 引脚 4 × 4 QFN 封装。
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2022/12/29 14:46:08
作为SWIFT成员™ TPS54972低输入电压高输出电流同步降压PWM转换器集成了所有所需的有源元件。具有所列特征的基板上包括一个真正的高性能电压误差放大器，它能够在瞬态条件下实现最大性能，并在选择输出滤波器L和C组件时具有灵活性；欠压锁定电路，用于防止启动直到输入电压达到3.0V；内部设置的慢启动电路，用于限制浪涌电流；以及指示有效操作条件的状态输出。TPS54972可用于热增强型28引脚TSSOP（PWP）PowerPAD™ 它消除了笨重的散热片。TI提供评估模块和SWIFT设计器软件工具，帮助快速实现高性能电源设计，以满足苛刻的设备开发周期。
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2022/12/29 14:43:40
LP2996A 线性稳压器的设计符合 DDR-SDRAM 端接的 JEDEC SSTL-2 规范。 此器件还支持 DDR2、DDR3 和 DDR3L VTT 总线端接，VDDQ 最小值为 1.35V。 此器件包含高速运算放大器，可提供出色的负载瞬变响应。 输出级可防止在 DDR-SDRAM 端接所需的应用中提供 1.5A 连续电流和最大 3A 的瞬态峰值电流时发生直通。 LP2996A 还包含一个 VSENSE 引脚（用于提供出色的负载调节），以及一个 VREF 输出（作为芯片组和 DIMM 的参考）。LP2996A 的一个附加特性是具有一个低电平有效关断 (SD) 引脚，该引脚提供“挂起到 RAM”(STR) 功能。 当 SD 下拉时，VTT 输出将变为三态，并提供高阻抗输出，但 VREF 将保持有效。 在此模式下，可通过较低的静态电流获得节能优势。要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。
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2022/12/29 14:35:26
LP2998线性稳压器的设计符合JEDEC SSTL-2和JEDEC SSL-18的DDR-SDRAM和DDR2内存终端规范。该设备还支持DDR3和DDR3L VTT总线终端，VDDQ最小值为1.35V。输出级防止击穿，同时根据DDR-SDRAM终端的要求，在应用中提供1.5 A的连续电流和高达3 A的瞬态峰值。LP2998还包含一个VSENSE引脚，以提供卓越的负载调节和VREF输出，作为芯片组和DIMM的参考。LP2998上的另一个功能是提供挂起至RAM（STR）功能的主动低关机（SD）引脚。当SD被拉低时，VTT输出将为三态，提供高阻抗输出，但VREF将保持激活。在这种模式下，通过较低的静态电流可以获得节能优势。
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2022/12/29 14:14:28