在竞争激烈的全球半导体市场，制造商一直在努力缩短产品上市时间。同时，他们对流畅、高分辨率图形显示器的需求也在日益增长。为了满足这些市场需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布与科尤特（Qt Group）展开战略合作。科尤特是一家全球软件公司，为整个软件开发生命周期提供跨平台解决方案。此次合作将科尤特的轻量级、高性能图形框架加入到英飞凌拥有图形功能的TRAVEO™ T2G cluster微控制器系列，标志着图形用户界面（GUI）开发模式的转变。如今的微控制器具有丰富的图形功能，能够实现紧凑设计、高成本效益和更低的功耗。凭借即时启动、占用空间小和实时处理效率高等特点，它们被广泛应用于汽车仪表盘、两轮车、建筑机械、工业等各个领域。英飞凌的TRAVEO T2G MCU专为满足这些应用需求而设计，尤其是TRAVEO T2G cluster系列。该系列器件可为图形用户界面提供出色的刷新率和达到全高清水平的分辨率。英飞凌通过将Qt图形解决方案直接集成到这些MCU中，进一步优化了这些器件并实现了智能渲染技术，其优点包括：内存利用效率较市场平均水平提高多达5倍。启动时间较市场平均水平加快多达2倍。产品从设计到生产的上市时间缩短多达50%。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/12 16:42:48
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.布，推出新系列浪涌限流正温度系数（PTC）热敏电阻---PTCEL。Vishay BCcomponents PTCEL系列器件25 °C（R25）条件下阻值范围宽，具有高电压处理和高能量吸收能力，可提高汽车和工业应用有源充放电电路的性能。日前发布的器件R25阻值为60 W至1 kW，500 W 最大额定直流电压高达1000 VDC，1 kW 达1200 VDC，最大能量吸收能力达240 J，比竞品器件高四倍。多个热敏电阻并联，能量吸收能力高于1000 J。PTCEL系列电阻工作温度达+105 °C、所有阻值的热容为2.3 J/K。新型热敏电阻符合AEC-Q200标准，具有自我保护功能，无过热危险，主要用于各种过载保护，包括AC/DC和DC/DC转换器、抛负载、DC-Link、电池管理、紧急放电电路、车载充电器、家庭储能系统、电机驱动以及焊接设备。元件可承受至少10万次浪涌循环，以及在25 kW功率条件下（不触发跳变）具备高度迅速的恢复能力。PTCEL系列有两种尺寸可供选择：小电阻PTCEL13R和大电阻PTCEL17，分别用于低能量和高能量应用。所有器件采用卷盘式包装，引线节距为5 mm。此外，PTCEL17R还有7.5 mm和10 mm引线节距，适用于更高电压，还可采用自动贴片加工，降低加工成本。钛酸钡热敏电阻由瓷片组成，两端焊接镀锡CCS引线，涂有符合UL 94 V-0标准的耐高温硅树脂涂料。器件符合RoHS标准，经过C-UL-US认证，文件编号E148885，适于 AC和DC使用，提高并控制安全水平。PTCEL13R和PTCEL17R具有SPICE和3D两种型号。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，...
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2024/3/11 15:54:25
电子产品智能化、小型化发展日新月异，行业对电源模块等元器件的高集成度、小型化、超薄化要求也不断提高。对此，金升阳依托强大的产研实力，不断进行技术突破与创新，重磅推出兼备超小型和高效能的芯片级电源模块KAP05_T-1A，完美适配便携设备、手持设备等对体积要求非常高的行业应用需求。一、产品优势• 微型体积，尊享体验金升阳非隔离PSiP产品——KAP05_T-1A系列，采用DFN封装工艺技术，体积极小，仅2.5*2*1.2mm（小于1颗1206电容）；同时用极少器件即可搭建外围电路（仅需滤波电容）；有效减小占板面积，提高空间利用率，简化设计。• 高效能、高可靠性传统线性稳压器方案效率较低、发热严重，存在较多可靠性隐患。而金升阳KAP05_T-1A系列非隔离电源产品满载效率最高可达91%，在70℃条件下仍可带满载工作，有效保障后端使用；同时空载输入电流低至0.3mA，匹配低功耗待机应用需求。• 国产化率100%微型电源市场长期以海外品牌居多，金升阳本次重磅推出的KAP05_T-1A系列基于国产物料平台，满足国产化率100%，即元器件国产化、技术国产化、制造国产化，可最大程度上保障稳定可靠的交付周期及售后服务。二、产品应用超小体积的KAP05_T-1A模块可广泛应用于可穿戴设备、智能手机、掌上电脑、手持游戏机、便携式导航仪等，特别是需要高效率且对安装元器件的面积要求严格的小型便携式仪器。三、产品特点• 输入电压范围：2.5-5.5VDC• 输出电压固定：1.2、1.8、3.3VDC• 满载效率高达91%• 空载输入电流低至0.3mA• 宽工作温度范围：-40℃ to +85℃• 超小体积、超薄DFN封装(2.5*2*1.2mm)免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/11 15:51:50
意法半导体SRK1004同步整流控制器降低采用硅基或GaN晶体管的功率转换器的设计难度，提高转换能效，目标应用包括工业电源、便携式设备充电器和AC/DC适配器。有助于简化工业电源、便携式设备充电器和交流/直流适配器操作，节省电能。2024 年3 月7 日，中国——意法半导体SRK1004同步整流控制器降低采用硅基或GaN 晶体管的功率转换器的设计难度，提高转换能效，目标应用包括工业电源、便携式设备充电器和AC/DC适配器。SRK1004的检测输入能够承受高达190V 的电压，可以连接高低边功率开关管。共有四款产品供用户选择，仅器件选型就可以让用户优化应用设计，通过选择5.5V或9V的栅极驱动电压，可以在设计选用理想的逻辑电平MOSFET、标准MOSFET 或GaN 晶体管，避免复杂的计算过程。这款控制器能够让功率转换器缩减尺寸，同时提高额定输出功率。500kHz的最高开关频率允许使用小尺寸的电磁元件，当使用GaN 晶体管时，还能最大限度地发挥宽带隙技术的优势。这款控制器采用意法半导体的绝缘体上硅(SOI)制造工艺，在保证优异的鲁棒性的同时，还可以采用2mm x 2mm 的DFN-6L微型封装。SRK1004的电源电压是4V至36V，可以使用各种标准工业总线电源。宽压输入还可以灵活地调整降压比，以获得最佳的能效。此外，该控制器还内置快速短路检测功能，有助于开发稳健可靠的设备。在新推出的四款产品中，SRK1004A和SRK1004B的栅极驱动电压为5.5V，可与逻辑电平MOSFET 或GaN 晶体管配合使用。栅极驱动电压9V的SRK1004C和SRK1004D适用采用标准栅极驱动信号的MOSFET。SRK1004x 同步整流控制器全系产品现已量产。四款产品的评估板EVLSRK1004A、EVLSRK1004B、EVLSRK1004C和EVLSRK1004D现已上市，这些板子可以...
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2024/3/11 15:48:06
近期功率半导体和MCU芯片开启新一轮涨价潮，但市场需求回暖信号并不明确，价格上涨存在多方面因素。尽管看起来目前行业已经复苏，但一些从业者表示，价格上涨只是成本的反映。自2022年以来，从二极管到不同MOSFET等功率元件，以及各类应用MCU芯片，都经历了供需关系逆转和大幅度降价。与此同时，整体经济的低迷导致消费电子市场需求下降，因此企业在一年时间内集中精力调整库存。进入2024年，库存逐渐恢复至正常水平，此前激烈的降价竞争似乎已经结束。业界消息称，2023年末，中国台湾功率半导体制造商率先开始提价10%~20%，涨价原因是原材料和劳动力成本增加，导致运营成本上升。各公司正积极采取价格调整策略，以帮助实现收支平衡。此外，中国大陆公司也在提高中低端产品的价格。业界表示，短期内中低端产品线的提价对中国台湾企业影响不大；许多MCU厂商表示，库存预计将在一季度恢复正常。尽管消费电子需求仍未明显提升，但近期许多中国台湾MCU厂商已开始涨价。业界人士称，涨价的产品为通用产品，价格上涨的因素主要是市场价格触底，以及成本增加。关于2024年市场情况，MCU企业仍持谨慎态度，并将注意力投向海外市场，预计今年市场将好于2023年，但仍存在不确定性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/11 15:45:02
半导体市场调研机构TECHCET近日发布报告，预计今年晶圆总面积出货量将增长5%，2025年将再增长7%。在2023-2028年预测期内，随着12英寸的增长继续超过其他直径，晶圆总出货量预计将以大于4%的复合年增长率增长，到2028年总出货量将接近160亿平方英寸。报告指出，2023年，半导体行业整体状况放缓，加上现有的高库存水平，导致硅晶圆出货量下降约13%。此次收缩是自2019年以来首次出现年度出货量下降。不过，由于长期协议 (LTA) 下的定价规定仍然存在，晶圆市场（不包括 SOI）2023年的收入下降其实并不那么明显。由于供应链仍在努力应对2023年以来库存水平上升的问题，预计今年晶圆出货量将逐渐增加。TECHCET预计下半年情况将有所改善，因为晶圆出货量复苏可能会落后半导体器件的复苏，时间差大约为一到两个季度。然而，随着晶圆库存水平的调整和产能上升，供应商的出货量将再次增加。此外，预计2024年内存的强劲增长也将有助于纠正晶圆库存状况。当前的行业状况已经减缓了全球晶圆产能的增长。然而，随着长期协议的到位和新协议的谈判，晶圆供应商预计将提高产能，以满足未来不断增长的客户需求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/11 15:38:45
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布推出一款面向高性能机器人应用的新产品——RZ/V2H，进一步扩展其广受欢迎的RZ产品家族微处理器（MPU）。RZ/V2H打造了产品家族中最高水平性能，可实现视觉AI与实时控制功能。RZ/V2H配备瑞萨新一代专有AI加速器DRP-AI3（动态可配置处理器-AI3），可带来10TOPS/W的能效，相比早期型号提高可达10倍之多。此外，DRP-AI3加速器采用的剪枝技术显著增强了AI计算效率，将AI推理性能提升至80TOPS。这种性能提升使工程师能够直接在边缘AI设备上处理视觉AI应用，而无需依赖云计算平台。最近，全新DRP-AI3加速技术的细节在美国旧金山举行的国际固态电路会议（ISSCC 2024）上公布。RZ/V2H集成了四个最大工作频率为1.8GHz的Arm® Cortex®-A55 CPU内核（用于Linux应用程序处理）、两个工作频率为800MHz的Cortex-R8内核（用于高性能实时处理），和一个Cortex-M33子内核。通过将这些内核集成至单个芯片中，该产品可有效管理视觉AI与实时控制任务，成为未来要求苛刻的机器人应用的理想之选。得益于RZ/V2H的较低功耗，因而无需使用冷却风扇和其它散热元件，让工程师可以设计出体积更小、成本更低、可靠性更高的系统。Daryl Khoo, Vice President of the Embedded Processing 1st Division at Renesas表示：“作为卓越的电机控制微处理器供应商，瑞萨已为迎接下一个挑战做好准备，以利用AI技术推动机器人市场的发展。RZ/V2H将促进具有视觉AI功能，且具备独立思考和实时动作控制能力的下一代自主机器人的研发。”OpenCV是用于计算机视觉处理的开源行业标准库。对此，瑞萨应用其专有的DRP技术开发了OpenCV加速...
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2024/3/6 15:31:27
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 宣布推出一款全能型、直接式飞行时间(dToF)3D LiDAR(光探测与测距)模块，具有优秀的2.3k分辨率，同时还宣布超小型的50万像素间接飞行时间(iToF)传感器获得首张订单。今天发布的VL53L9是一款新推出的直接ToF 3D激光雷达芯片，分辨率高达2300个检测区。这款LiDAR雷达集成的双扫描泛光照明在市场上独一无二，可以检测小物体和边缘，并捕获2D红外(IR)图像和3D深度图信息。这是一款直接可用的低功耗模块，具有片上dToF处理功能，无需额外的外部组件或校准过程。此外，这款芯片测距范围在5厘米到10米之间。VL53L9的功能特性可提升相机辅助对焦性能，支持微距到远摄拍照，让静态图像和每秒60帧视频拍摄具有激光自动对焦、散焦和电影图效功能。虚拟现实(VR)系统利用准确的深度图和2D图可以提高3D重构的准确度，提高沉浸式游戏的身临其境感和虚拟现实体验，例如，虚拟访问或3D化身。此外，近距和远距检测小物体边缘的能力，让这款传感器适用于虚拟现实或SLAM（同时定位绘图）等应用。意法半导体还公布了VD55H1 ToF传感器的消息，该产品已经开始量产，并与中国的移动机器人深度视觉系统专业开发公司蓝芯科技签订了首份供货合同。蓝芯科技的子公司迈尔微视(MRDVS)选用VD55H1提高3D摄像头的深度感知准确度。这款高性能、小尺寸摄像头内置意法半导体传感器，整合3D视觉能力和边缘人工智能，为移动机器人提供智能避障和高精度对接功能。除机器视觉外，VD55H1还非常适用于3D网络摄像头、PC机和VR头戴眼镜3D重建，以及智能家居和建筑中的人员计数和活动检测。这款传感器在一个微型芯片上集成了672 x 804个感知像素，可以通过测量传感器到50多万...
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2024/3/6 15:28:49
全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）近日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅技术还支持以更高的开关频率运行，通过使用更小的外部元件进一步缩小解决方案的尺寸。这些模块的高效率特性可以简化电源设计流程，让我们的客户能够专注做好单一模块的设计、布局、组装、特性分析和认证，无需应对多个分立式元件。”以 9.4mΩ 导通电阻的 UHB100SC12E1BC3N 为代表的这四款 SiC 模块均采用 Qorvo 独特的共源共栅配置，最大限度地降低了导通电阻和开关损耗，从而能够极大地提升效率，这一优势在软开关应用中尤为显著。另外，银烧结芯片贴装将热阻降至 0.23°C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功率循环性能比市场同类 SiC 电源模块高出 2 倍。得益于以上特性，这些高度集成的 SiC 电源模块不仅易于使用，而且具有卓越的热性能、高功率密度和高可靠性。下表概述了 Qorvo 全新的 1200V SiC 模块系列：Qorvo 功能强大的设计工具套件（例如 FET-Jet Calculator 和 QSPICE™ 软件）有助于产品选择和性能仿真。Qorvo SiC 模块系列已在美国加利福尼亚州长滩会议中心举行的国际电力电子应用展览会（APEC）上进行了首次亮相。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本...
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2024/3/5 15:49:29
三菱电机集团近日（2024年2月27日）宣布，将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频（RF）高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）样品，用于商用手持式双向无线电（对讲机）的射频高功率放大器。该型号采用3.6V单节锂离子电池，可实现业界先端的6.5W输出功率，有望扩大商用无线电设备的通信范围并降低功耗。随着3.6V锂离子电池在智能手机中的日益普及，商业无线电行业也期望以比传统7.2V电池更低的成本开发出更高功率的产品。但到目前为止，3.6V电池的使用导致商用无线电放大器的输出功率降低，因此在与智能手机相比需要更高输出的商用无线电放大器市场中，一直在等待能够提高3.6V电池输出功率的MOSFET。为此，三菱电机现已开发出一种高功率硅MOSFET（RD06LUS2），可为工作电压为3.6V的商用无线电提供无与伦比的功率输出和高漏极效率*1。此外，内置两个MOSFET芯片的封装可以节省商用无线电印刷电路板上的空间，有助于降低组装成本。产品特点行业先端的6.5W输出功率，有助于扩展无线电通信范围. 通过针对3.6V工作电压优化的结构降低导通电阻，提高了功率密度。. 内置两个MOSFET芯片的封装为3.6V无线电实现了无与伦比的6.5W输出功率。. 与现有型号*2相比，输出功率的增加将通信范围扩大了27%。行业先端的65%漏极效率，实现低功耗. 针对3.6V工作电压的优化，实现65%漏极效率。. 漏极效率的提高可降低无线电功耗，从而延长运行时间。双MOSFET封装，可节省空间并降低组装成本. 与两个单芯片产品相比，带有两个MOSFET芯片的新型封装可减少33%的空间。. 兼容表面贴装技术（SMT），可降低封装组装成本。环保意识本产品符合RoHS*3指令2011/65/EU和（EU）2015/863。*1：从电池电源到射频功率输出的转换效率*2：三菱电机现有的4W 射频高...
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2024/3/5 15:27:10
据台媒Digitimes报道，存储价格涨势近期明显走扬，农历春节假期导致市场观望气氛浓厚，DRAM及NAN Wafer现货市场价格涨势较为趋缓，涨幅呈现收敛。存储业界认为，3月市场价格仍将延续上涨行情，DDR4/LPDDR4价格可望逐月调涨。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/5 15:09:57
2024年2月27日--智能电源和智能感知技术的企业安森美onsemi，宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31 智能功率模块 (IPM)。与市场上其他领先的解决方案相比， SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而总体系统成本更低。由于这些IPM集成了优化的IGBT，实现了更高效率，因此非常适合三相变频驱动应用，如热泵、商用暖通空调（HVAC）系统以及工业泵和风扇。据估计，全球温室气体排放量约有26%来自于运行中的住宅和商业建筑，其中供暖、制冷和建筑物供电等间接排放量约占18%。SPM31 IPM 通过调节三相电机供电的频率和电压来控制热泵和空调系统中变频压缩机和风扇的功率流，以实现出色效率。例如，安森美采用 FS7 技术的 25A SPM31 与上一代产品相比，功率损耗降低达 10%，功率密度提高达 9%。在电气化趋势和更高的能效要求下，这些模块助力制造商大幅改进供暖和制冷系统设计，同时提高能效。安森美的 SPM31 IPM 系列产品采用FS7技术，具备更佳的性能，实现高能效和更低能耗，进一步减少了全球的有害排放。这些高度集成的模块含栅极驱动 IC、多种模块内置保护功能及FS7 IGBT，实现优异的热性能，且支持15A至35A的宽广电流范围。SPM31 FS7 IGBT IPM的功率密度超高，是节省贴装空间、提高性能预期、同时缩短开发时间的理想解决方案。此外，SPM31 IPM 还具有以下优势：栅极驱动和保护控件低损耗、具有抗短路能力的IGBT每一相有IGBT 半桥负端，以支持各种控制算法内置欠压保护 (UVP)内置自举二极管和电阻器内置高速高压集成电路单接地电源免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编...
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2024/3/1 16:20:55
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器，非常适合各种应用。在确保安全控制方面，STGAP系列隔离栅极驱动器作为优选解决方案，在输入部分和被驱动的MOSFET或IGBT之间提供电气隔离，确保无缝集成和优质性能。选择正确的栅极驱动器对于实现最佳功率转换效率非常重要。随着SiC 技术得到广泛采用，对可靠安全的控制解决方案的需求比以往任何时候都更高，而ST的STGAP 系列电气隔离栅极驱动器在此成为必不可缺的一环。STGAP2SICS系列针对SiC MOSFET 的安全控制进行了专门优化，并可在高达1200V的高压下工作，使其成为节能型电源系统、驱动器和控制装置的绝佳选择。从工业电动汽车充电系统到太阳能、感应加热和汽车 OBC DC-DC，STGAP2SICS系列可简化设计、节省空间并增强稳健性和可靠性。STGAP2SICSA 是一款符合汽车AEC-Q100 标准的单通道栅极驱动器，优化控制SiC MOSFET，其采用了节省空间的窄体 SO-8封装 (相关型号：STGAP2SICSAN)和宽体 SO-8W 封装(相关型号：STGAP2SICSA)，通过精确PWM控制提供强大的性能。STGAP2SICSA 在栅极驱动通道和低压控制之间具有电气隔离，可在高达1700V (SO-8) 和 1200V (SO-8W) 的电压工作。其小于45ns 的输入到输出传播时间可确保高PWM 精度，并凭借±100V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI) 实现可靠的开关。内置保护包括欠压锁定(UVLO)，防止SiC电源开关在低效率或不安全条件下运行，以及热关断，如果检测到结温过高，则将两个驱动器输出调低。STGAP2SICSA 具有带米勒钳位功能的单输出配置。单输出增...
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2024/3/1 16:16:47
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。日前发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器，包括铁路设备；发电、配电和储电系统；焊接设备；电机驱动器和机器人。为降低TIG焊机输出级导通损耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C，额定电流下，集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07 V。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用，开关损耗极低，+125 °C，额定电流下，Eoff仅为1.0 mJ。模块符合RoHS标准，集电极至发射极电压为650 V，集电极连续电流为100 A至200 A，结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996认证，可直接安装散热片，EMI小，减少了对吸收电路的要求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/1 16:14:00
TDK 公司推出用于汽车高频电路的新型电感器MHQ1005075HA系列。该产品使用的材料和构造方法与传统产品相同，同时从可靠设计角度出发，还将TDK的专有设计知识应用于内部设计。该系列为 1005尺寸 （1.0 × 0.5 × 0.7毫米 - 长 x 宽 x 高），电感范围从1.0 nH至56 nH，将于2024年2月开始量产。基于独特的设计专业知识，为汽车行业提供高安全性、高可靠性采用TDK开发的原创内部结构，高频性能等同或优于与传统产品采用积层方法，满足电感精细增量要求工作温度范围为-55 至 +125 ℃产品的实际外观与图片不同。TDK标志没有印在实际产品上。TDK 公司（TSE：6762）推出用于汽车高频电路的新型电感器MHQ1005075HA系列。该产品使用的材料和构造方法与传统产品相同，同时从可靠设计角度出发，还将TDK的专有设计知识应用于内部设计。该系列为 1005尺寸 （1.0 × 0.5 × 0.7毫米 - 长 x 宽 x 高），电感范围从1.0 nH至56 nH，将于2024年2月开始量产。用于汽车或基础设施的高频电路电感器必须满足更高的安全性和可靠性标准，基于AEC-Q200设计。该产品将 TDK 独特的设计专业知识用于设计内部结构，高频性能等同或优于传统产品。比如，电感器的内部结构设计能够降低因设备安装点中的裂纹导致断路故障的几率。结合汽车电路板制造指引，TDK MHQ1005075HA 电感器大幅提升了在汽车环境中的可靠性。TDK将进一步扩大产品线，满足不断变化的客户需求。主要应用用于汽车设备的高频电路（汽车内外通信的发射器-接收器电路，如远程信息处理和 V2X）智能手机、平板电脑、基站等设备的无线电通信高频电路发射器-接收器（用作阻抗匹配或滤波电路的元件）主要特点与优势采用TDK开发的原创内部结构，高频性...
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2024/3/1 16:11:05
随着科技行业寻求下一个增长动力，英特尔高管2月27日表示，该公司的目标是到2025年为多达1亿台支持人工智能的个人电脑（AI PC）提供核心处理器。英特尔客户端计算集团副总裁David Feng称，英特尔预计今年将为4000万台“AI PC”提供芯片，2025年扩大至6000万台，占2025年全球个人电脑市场预计总量的20%以上。“在人工智能个人电脑时代，英特尔不仅需要关心芯片性能，还需要关心服务和用户体验，这使得与软件和应用程序开发商的合作变得更加重要。我们的业务是销售CPU和GPU性能芯片。现在我们真正进入了销售体验的行业，我所描述的东西只能通过软件来实现，因此越来越需要与应用程序开发人员合作。”他说，英特尔正在与微软合作定义人工智能个人电脑。这一概念有三个关键要素：英特尔的酷睿Ultra PC芯片组，其特点是该公司的第一个内置神经处理单元（NPU）的平台，旨在处理人工智能工作负载；微软的人工智能聊天机器人Copilot以及键盘上还有一个专用的“Copilot键”。David Feng表示，由于人工智能个人电脑提高工作效率的潜力，预计企业支出会增加。除了苹果之外，所有的主要个人电脑制造商都表示，他们计划在今年晚些时候推出人工智能个人电脑。据悉，英特尔是全球最大的个人电脑微处理器供应商，控制着笔记本电脑芯片约76%的市场份额。然而，苹果和高通正试图通过基于Arm的电脑设计抢占更大的市场份额。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/1 15:57:57
据韩联社报道，据市场调研机构Omdia27日发布的一组数据，三星电子2023年第四季度DRAM全球市占率为45.7%，位居榜首，继2016年第三季度（48.2%）之后时隔7年创下最高值。三星电子DRAM的市占率环比提升7个百分点，与排名第二的SK海力士（31.7%）的差距拉大到14个百分点。美光以19.1%位列第三。同期，三星电子DRAM销售环比和同比分增21%和39%，时隔6个季度首次由负转正。分析指出，DDR5内存和HBM等高附加值产品销售大增，拉动整体销售增长。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/1 15:54:58
非对称稳压输出适合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动 - 现在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 转换器为 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动器供电变得空前简单。SMT 器件采用紧凑型 36 引脚 SSOP 封装，尺寸为 7.5 x 12.83 mm，可方便提供非对称双路输出电压，并可通过外部电阻网络进行编程。路输出电压范围可设置在 +2.5 至 +22.5 VDC，另一路可设置为 -2.5 至 -22.5 VDC，总正负电压范围为 18 至 25 VDC，例如 +15/-3 V，以高效驱动 SiC 栅极。电压保持在 +/-1.5% 范围内，防止过电压和损坏的风险。总功率2W时工作温度高达 82°C，2.5W时可达 75°C。即使在最高温度 125°C 时，转换器仍然可以提供有效的降额功率。R24C2T25 的隔离电压为 3 kVAC/1 min，具有 3.5 pF 的超低耦合电容和 +/-150 V/ns 的共模瞬态抗扰度。所以这款产品非常适合为具有快速 dV/dt 和 dI/dt 电源开关斜率的高侧栅极驱动器供电。R24C2T25 可以提供软启动、输入欠压和过压锁定、热关断以及输出过功率保护功能。还提供输出过压和欠压锁定功能，以确保功率器件不会受到无效栅极电压的影响。同时提供电源良好信号和开/关控制功能，当电流消耗低于 700 μA时产品会进入待机模式。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/2/28 16:22:17