MACOM的MA4AGSW1A是一种铝镓砷化物，单极单掷（SPST），吸收PIN二极管开关。该开关采用MACOM专利异质结技术形成的增强型AlGaAs阳极。AlGaAs技术生产的开关比使用传统GaAs工艺制造的器件损耗更小。在50GHz下，插入损耗可以降低0.3dB。该器件是在OMCVD外延晶片上使用为高器件均匀性和极低寄生效应而设计的工艺制造的。芯片内的PIN二极管具有低串联电阻、低电容和快速开关速度。它们用氮化硅完全钝化，并有一个额外的聚合物层用于划痕保护。保护涂层可防止在搬运和组装过程中损坏二极管结和阳极空气桥。需要片外偏置电路。
应用分析
该设备的输出端口J2在隔离模式下端接至50Ω，这使得该信号被吸收而不是反射回来。此功能使其成为仪器和雷达应用的理想选择。吸收开关可以添加到其他AlGaAs反射开关中，以提高隔离VSWR并增加隔离幅度。PIN二极管的超低电容使其非常适合用于70 GHz以下的低损耗和高隔离微波和毫米波开关设计。AlGaAs二极管的较低串联电阻降低了器件的总插入损耗和失真。AlGaAs PIN开关用于雷达系统、辐射计和其他多功能组件的开关阵列等应用。