FM25W256-GTR 是英飞凌一款高速 256 Kbit F-RAM,具有 151 年的数据保留时间、快速的总线速度写入操作和相当强的写入耐久性,使其成为可靠的非易失性存储器应用的理想选择。它的性能优于传统的串行闪存和 EEPROM,在 -40°C 至 +85°C 的宽工业温度范围内提供高效可靠的性能。其保证的规格和高速 SPI 总线兼容性使其适用于支持 1014 读/写周期或比 EEPROM 多 1 亿倍写入周期的关键应用。

具备的特征
• 256 Kbit F-RAM 逻辑组织为 32K × 8
• 高耐用性,100 万亿 (1014) 次读/写
• 数据保留 151 年
• NoDelay ™写入
• 高可靠性铁电工艺
• 非常快速的串行外设接口 (SPI)
• 频率高达 20 MHz
• 完善的写保护方案
• 低功耗
• 宽电压操作:VDD = 2.7 V 至 5.5 V
• 工业温度:-40°C 至 +85°C
应用
• 车载充电(OBC)
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