LTC4359 是一款正高压理想二极管控制器,用于驱动外部 N 沟道 MOSFET 以替代肖特基二极管。它通过控制 MOSFET 的正向压降,确保即使在轻载条件下也能实现平滑电流传输而不产生振荡。若电源发生故障或短路,其快速关断功能可最大限度减少反向电流瞬态。该器件还提供关断模式,可将静态电流降低至负载开关应用下的 9μA,或理想二极管应用下的 14μA。
在大电流二极管应用中,LTC4359 电子元器件可降低功耗、热耗散、电压损耗及 PCB 板面积。凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力以及高温额定值,LTC4359 能够满足汽车和电信应用的严苛要求。此外,LTC4359 还可轻松在具有冗余电源的系统中实现电源“或”功能。
具备的特征
通过更换功率肖特基二极管来降低功耗
宽工作电压范围:4V至80V
反向输入保护至-40V
9µA低关断电流
低150μA工作电流
平稳切换,无振荡
控制单沟道或背对背N沟道MOSFET
提供6引脚(2mm×3mm)DFN、8引脚MSOP和8引脚SO封装
AEC-Q100符合汽车应用标准
常见应用
汽车电池保护
冗余电源
供应停滞
电信基础设施
计算机系统/服务器
太阳能系统