TPS51216以最低的总成本和最小的空间为DDR2、DDR3和DDR3L内存系统提供完整的电源。它集成了同步降压调节器控制器(VDDQ)、2-a接收器/源跟踪LDO(VTT)和缓冲低噪声基准(VTTREF)。TPS51216采用D-CAP™ 模式与300kHz/400kHz频率耦合,便于使用和快速瞬态响应。VTTREF跟踪VDDQ/2的精度达到0.8%。VTT提供2-A的漏极/源极峰值电流能力,只需要10-μF的陶瓷电容。此外,还提供了专用LDO电源输入。
TPS51216提供了丰富的实用功能以及优异的电源性能。它支持灵活的电源状态控制,将VTT置于S3的高Z,并在S4/S5状态下放电VDDQ、VTT和VTTREF(软关闭)。还提供可编程OCL,带有低侧MOSFET RDS(打开)感测、OVP/UVP/UVLO和热关机保护。
TPS51216采用20针、3 mm×3 mm QFN封装,适用于-40°C至85°C的环境温度。