LAT-10+10 dB SMT固定衰减器，DC-2500 MHz，50Ω
2022/12/2 11:17:40
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LAT-10+10 dB SMT固定衰减器，DC-2500 MHz，50Ω
特征
y出色的功率处理，8W
y小尺寸
y 7段
y温度稳定
y LTCC施工
y受美国专利6943646保护
应用
y谐波抑制
y VHF/UHF发射机/接收机
y实验室使用
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2025-12-26
通过在非转换期间将 AD7940 置于掉电模式，可随吞吐速率降低而减小 ADC 的平均功耗。图 19 显示：吞吐速率越低，器件处于关断状态的时间越长，随时间平均的功耗相应下降。举例：连续采样模式下，吞吐速率 10 kSPS，SCLK 2.5 MHz (VDD = 3.6 V)，并在两次转换之间进入掉电模式，则功耗计算如下：正常工作时最大功耗 6.84 mW (VDD = 3.6 V)从掉电状态唤醒需 1 µs，剩余转换时间 6.4 µs（16 个 SCLK 传输）→ 每个转换周期内，AD7940 仅在 7.4 µs 内耗散 6.84 mW10 kSPS 对应的周期为 100 µs，剩余 92.6 µs 器件处于掉电模式，此期间仅耗散 1.08 µW。因此，每周期平均功耗为：(7.4/100) × 6.84 mW + (92.6/100) × 1.08 µW ≈ 0.51 mW图 19 给出了在 3.6 V 供电、SCLK = 2.5 MHz 条件下，使用掉电模式时芯片功耗随吞吐速率变化的曲线。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025-12-26
AD1954 内置 26 bit DSP（双精度模式下 48 bit），用于插值与音频处理；包含三路过采样多位 Δ-Σ 调制器及模拟输出驱动电路。芯片还集成参数 RAM，采用“安全上传”机制，可在不中断音频的情况下同时更新滤波器系数与数字去加重滤波器。输入选择器最多可切换三路串行数据源及主时钟，特别适合 2.1 声道系统（两颗卫星箱 + 一只低音炮）。默认程序可对卫星箱与低音炮输出分别进行均衡、压缩/限幅处理。AD1954 内部含程序 RAM，上电时由片内引导 ROM 自动加载；信号处理参数存放于 256 单元的参数 RAM，同样由上电引导 ROM 初始化。新参数通过 SPI 端口写入参数 RAM，可实时控制 IIR 均衡滤波器、双段压缩/限幅器、延时值以及立体声展宽算法的各项设置。AD1954 的 SPI 接口功能完备，支持程序 RAM 与参数 RAM 的全读写操作；另设两个控制寄存器，用于配置串行模式及其它可选功能，并自带握手协议，方便批量上传/下载。芯片内置 4 路独立数据捕获电路，可在 DSP 算法链任意节点截取信号；捕获结果既可通过独立串行输出引脚送至外部 DAC 或 DSP，也可通过 SPI 寄存器直接读取，从而轻松扩展系统功能。AD1954 的处理器内核专为复杂压缩/限幅算法设计，含两路独立压缩/限幅器，均具备 RMS 幅度检测、起控/保持/释放时间控制，以及用户自定义压缩曲线。压缩器还支持“前瞻”功能，可提前抑制过冲，确保输出平稳。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025-12-26
LTC3128 会实时监测串联输出电容中每一颗电容的电压。如果某颗电容的电压超过了设定的最大允许值，芯片将停止对整个电容组充电，并启动两颗电容之间的主动平衡。若平衡失败且故障状态持续，充电将被中止，直到电容自行放电至故障条件解除。这种情况通常出现在某颗输出电容短路或损坏时。最大电容电压通过一颗连接在 MAXV 引脚与地之间的电阻设定。该电阻应尽量靠近 MAXV 引脚放置，以减小引脚寄生电容。典型电阻值可用下面公式估算： RMAXV (kΩ) = 50 × VMAXV (V)其中 VMAXV 为单颗电容允许的最高电压。按此公式选定的 RMAXV 对应的实际 VMAXV 可能有 ±6 % 的偏差。只有当 VOUT 高于约 1.5 V 后，最大电容电压比较器才会启用。若仅需给单颗电容充电且无需平衡，可将 MAXV 引脚直接接地，此时最大电容电压比较器和主动电荷平衡功能均被关闭。单电容应用时，应改用 FB 引脚设定最高电压，电压环路会防止电容过压，同时 MID 引脚必须接地。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025-12-26
LTC3128 是一款高效率的升降压型 DC/DC 超级电容充电器。无论输入电压高于、低于或等于输出电压，它都能高效运行。LTC3128 集成了可编程平均输入电流限制、主动电荷平衡以及可编程最大电容电压等功能。这些特性使其非常适合在备用电源系统中安全地为大容量电容充电并提供保护。输入电流限制和最大电容电压均可通过单颗电阻设定。平均输入电流可在 0.5 A 至 3 A 范围内精确编程，而单颗电容的最大电压可设定在 1.8 V 至 3.0 V 之间。其他特性包括：Burst 模式下 VOUT 静态电流 2 µA、精确的电源良好（Power-Good）与电源故障指示、以及热过载保护。LTC3128 提供低厚度、热增强型 20 引脚 4 mm × 5 mm × 0.75 mm QFN 封装和 24 引脚 TSSOP 封装。主要特性±2 % 精度的平均输入电流限制，最高可编程至 3 A可编程最大电容电压限制主动电荷平衡，支持不匹配电容的快速充电可给单颗或串联电容充电输入电压范围：1.73 V 至 5.5 V输出电压范围：1.8 V 至 5.5 V充电完成后 VOUT 静态电流 2 µA关断时输出断开，关断电流 1 µA内置电源良好比较器电源故障指示热增强 20 引脚 QFN（4 mm × 5 mm × 0.75 mm）与 24 引脚 TSSOP 封装典型应用基于超级电容的备用电源存储器备份服务器、RAID、射频系统工业、通信、计算设备如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025-12-26
LT1715 在单 5 V 供电时，规定的共模范围为 -100 mV 至 3.8 V。更通用的描述是：共模范围从 VEE 以下 100 mV 到 VCC 以下 1.2 V。该共模限制的判定标准是：输出仍能对小差分输入信号做出正确响应。若其中一个输入位于共模范围内，另一输入即使超出共模限制（但未超过绝对最大额定值），输出极性仍保持正确。当任一输入信号低于负共模限制时，与衬底形成的内部 PN 结可能导通，导致芯片内出现较大电流。在输入端与负电源之间外接一只肖特基钳位二极管，可防止衬底二极管导通，从而加快从负向过驱状态的恢复。当两个输入信号均低于负共模限制时，内部的相位反转保护电路可防止输出出现错误翻转，至少可保护到 -400 mV 共模电压。然而，在此区域内，失调电压与迟滞电压都会显著增大，最高可达 15 mV；输入偏置电流也会上升。当某一输入信号高于共模上限，但未超过输入电源轨一个二极管压降时，输入级仍保持偏置，比较器输出极性正确。若再升高，输入级电流源将完全饱和，ESD 保护二极管正向导通。一旦异常输入回到共模范围内，比较器将在不到 10 ns 内重新对有效输入信号做出正确响应。当两个输入信号均高于正共模限制时，输入级将失去偏置，输出极性随机；但内部迟滞仍会保持输出为有效逻辑电平。当至少一个输入回到共模范围内时，从该状态恢复所需时间最长可达 1 µs。在大差分电压驱动下，传播延迟不会显著增加；但在低过驱电平且源阻抗较大时，由于 2 pF 典型输入电容带来的 RC 延迟，可能观察到明显的“延迟增大”现象。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。