KAT-30-D+是一种吸收衰减器芯片,采用高度重复的MMIC工艺制造,包括在GaAs衬底上的薄膜电阻器。KAT-30-D+衰减器管芯包含晶片通孔,以实现低热阻和宽带操作。

特性
宽带宽,直流至43.5 GHz
卓越的衰减精度和平坦度
卓越的功率处理,最高可达1.0W
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