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HMC349AMS8GE射频开关功能特性以及引脚图

2023/12/26 14:43:29

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HMC349AMS8G是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)、单刀双掷(SPDT)开关，额定频率范围为100 MHz至 4 GHz。

HMC349AMS8G非常适合蜂窝基础设施应用，可实现57 dB高隔离、0.9 dB低插入损耗、52 dBm高输入IP3和34 dBm高输入P1dB。

HMC349AMS8G采用3 V至5 V单正电源供电，提供CMOS/TTL兼容控制接口。

HMC349AMS8G采用带exposed pad的8引脚超小型封装。

应用

蜂窝/4G基础设施无线基础设施移动无线电测试设备

特性

• 非反射式50 Ω设计

• 高隔离度：57 dB至2 GHz

• 低插入损耗：0.9 dB至2 GHz

• 高输入线性度• 1 dB功率压缩(P1dB)：34 dBm（典型值）

• 三阶交调截点(IP3)：52 dBm（典型值）

HMC349AMS8GE射频开关功能特性以及引脚图

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