半导体制造商ROHM宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV（电动汽车）用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。
ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时（Tj=175℃）的导通电阻降低约30%（相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较）。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，该产品有助于缩小单元体积，提高输出功率。
第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片样品，并于2026年3月完成开发。
应用示例：
车载设备：xEV用牵引逆变器、车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电动压缩机
工业设备：AI服务器及数据中心等的电源、PV逆变器、ESS（储能系统）、UPS（不间断电源）
eVTOL、AC伺服
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