AD7714 提供多种校准选项，可通过模式寄存器中的 MD2、MD1、MD0 位进行编程。随时可向这些位写入数据以启动一次校准周期。AD7714 的校准可消除器件本身的失调和增益误差。当环境温度、供电电压发生变化，或增益、滤波器陷波频率、单/双极输入范围被重新选择时，都应重新执行校准。器件允许用户访问片内校准寄存器：微处理器既可读取 AD7714 的校准系数，也可将预存于 E²PROM 中的系数写回器件。这使微处理器对校准过程拥有更高控制权，并可通过比对校准后的系数与 E²PROM 预存值，验证校准是否正确完成。校准寄存器均为 24 位宽。此外，用户还可手动微调器件的零点（offset）与量程（span）。不同输出更新速率、增益以及单/双极模式下，这些系数的数值差异显著。AD7714 内部会先把系数归一化，再用其对数字滤波器输出字进行缩放：失调校准寄存器的值归一化后被“减去”，满量程校准寄存器的值归一化后被“乘以”。由于失调系数先被减去，满量程系数实际相当于一个增益/量程系数。AD7714 支持三种校准方式：自校准、系统校准和后台校准。要对当前通道完成完整校准，片内微控制器必须记录调制器在两种输入条件下的输出：“零刻度”点和“满刻度”点。这两个点通过对校准期间提供给调制器输入端的不同电压进行转换而得到。因此，校准精度最终受限于器件正常工作模式下的噪声水平。“零刻度”校准转换结果存入对应通道的零刻度校准寄存器；“满刻度”校准转换结果存入对应通道的满量程校准寄存器。凭借这两组读数，微控制器可计算出转换器输入-输出传递函数的失调量和增益斜率。内部处理时，器件以 33 位分辨率进行运算，最终输出 16 位或 24 位结果。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/14 9:23:25
FM33LE026独立看门狗功能用于监视系统运行，如果 CPU 运行异常，无法定时清狗，则看门狗在溢出后产生全局复位信号，重启系统，以避免系统锁死。独立看门狗在芯片上电后由软件启动，启动后无法关闭，直到芯片发生复位。为了便于调试，在以下情况下 IWDT 会停止运行：当芯片处于调试模式时，软件可以通过配置 DBG_CR 寄存器在调试过程中暂停 IWDT当 OPTBYTES 中 IWDTSLP 有效时，软件可以在休眠模式下暂停 IWDT 计数IWDT 核心是一个 12bit 向上计数器，复位后从 0 开始递增，计数到溢出后触发 IWDT 复位。IWDT 复位是一个全局复位，效果等同于上下电复位。IWDT 使用 LSCLK 工作，结合停振检测电路，确保在 XTLF 低频晶振停振时也不会停止运行。IWDT 带有除 128 预分频器，计数器长度为 12bit。IWDT 支持可编程窗口功能，软件只能在允许的窗口内清狗，窗口外清狗将触发 IWDT 复位。结构框图IWDT 功能描述CPU 正常运行时，看门狗应使用较短的溢出周期，而在 SLEEP/DEEPSLEEP 等低功耗模式下，为了使芯片尽可能长时间的停留在低功耗模式下，则看门狗应使用较长的溢出周期。为了兼容两者的不同应用需求，软件可以实时修改 IWDT 的溢出周期配置。为避免不当操作引发不可预计的后果，软件在更新溢出周期配置时应遵循以下操作步骤：确保看门狗正在运行首先进行一次清狗操作随后改写 IWDT_CR 寄存器，选择合适的溢出周期读 IWDT_CR，确保写入正确溢出周期更新完毕，CPU 正常运行IWDT 使用 LSCLK 工作，内部预分频 128，分频后的计数器溢出长度可配置为 14096（共 8 个可用档位），溢出时间长度计算公式如下：IWDT 窗口功能IWDT支持可编程清狗窗口功能。IWDT_WIN寄存器用于定义允许的清狗窗口...
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2026/1/13 13:15:14
FM33LE0 支持以下 Flash 编程方法：•在系统编程（ISP）：通过 FMSH 专用编程器或者 KEIL 用户界面实施芯片编程，使用 SWD 接口•在应用编程（IAP）：通过 bootloader 代码实现芯片自编程，用户可定义任意串口，可用于实现程序在线升级编程前必须对 Flash 进行擦除。Flash 支持三种擦除操作：全擦、扇区擦、页擦一、Flash 擦写时钟执行 Flash 擦写时使用校准后的 RCHF 时钟，但是系统时钟可以是任意时钟。NVMIF 根据当前RCHF 实际频率设置，来产生相应的计时长度。需要支持的 RCHF 频率为 8M、16M 和 24M。擦写时钟独立于 CPU 时钟，两者之间作为异步时钟处理。二、Flash 擦写方法FM33LE0 支持 Flash 擦除操作，以及单次编程和连续编程。Flash 擦写前须进行 Key 校验，写入顺序错误或写入值错误，或者在 Flash Key 验证正确之前就进行擦除或编程 Flash 操作将会进入错误状态，并产生相应中断。Flash Key 认证错误之后将禁止擦写Flash 直到下一次复位。而在正常擦写完成后，向 KEY 寄存器写入任意值都会使状态机返回初始的写保护状态。状态转换如下图：软件可以通过查询 FLSIF.KEYSTA 来确认当前 Key 输入状态。三、全擦操作（Matrix Erase）全擦操作只能由 SWD 接口启动，软件禁止进行全擦。全擦操作仅擦除 main array，不会擦除特殊信息扇区。SWD 可以在制造商或用户模式下启动全擦，操作流程如下：•编程器通过 SWD 配置 ERTYPE 寄存器为 10•编程器通过 SWD 清除 PREQ 寄存器，置位 EREQ 寄存器•编程器通过 SWD 写入 Flash 全擦 Key：0x9696_9696 和 0x7D7D_7D7D•SWD 向 Fla...
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2026/1/13 11:35:48
FM24C64D 提供 65 536 位串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），按 8 192 个字、每字 8 位组织，并带有 128 位唯一标识码（UID）和 32 字节安全扇区。该器件支持级联功能，最多允许 8 颗芯片共享同一双线总线，经过优化，适用于对低功耗和低电压运行至关重要的多种工业与商业应用场景。具备的特点工作电压低：Vcc = 1.7 V 至 5.5 V内部结构：8 192 × 8 位双线串行接口施密特触发、滤波输入，抑制噪声双向数据传输协议兼容 1 MHz（2.5 V5.5 V）与 400 kHz（1.7 V）写保护引脚，实现硬件数据保护32 字节页写模式（允许部分页写）可锁定的 32 字节安全扇区每颗芯片 128 位唯一 ID自定时写周期（最大 5 ms）高可靠性– 擦写寿命：1 000 000 次– 数据保存：40 年封装形式（均符合 RoHS，无卤）：PDIP8、SOP8、TSSOP8、TDFN8、超薄 4 球 WLCSP封装类型盘点以上是关于其的一些相关信息，如有采购及选型需求，可联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/13 11:31:11
FM24C16D 提供 16384 位串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），按 2048 个字、每字 8 位组织，并带有 128 位唯一标识码（UID）和 16 字节安全扇区。该器件经过优化，适用于对低功耗和低电压运行至关重要的多种工业与商业应用场景。具备的特点工作电压低：Vcc = 1.7 V 至 5.5 V内部结构：2048 × 8 位双线串行接口施密特触发、滤波输入，抑制噪声双向数据传输协议兼容 1 MHz（2.5 V5.5 V）与 400 kHz（1.7 V）写保护引脚，实现硬件数据保护16 字节页写模式（允许部分页写）可锁定的 16 字节安全扇区每颗芯片 128 位唯一 ID自定时写周期（最大 5 ms）高可靠性– 擦写寿命：1,000,000 次– 数据保存：40 年封装形式（均符合 RoHS，无卤）：PDIP8、SOP8、TSSOP8、TSOT23-5L、TDFN8、超薄 5 球 WLCSP封装类型盘点以上是关于其的一些相关信息，如有采购及选型需求，可联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/13 11:29:27
FM17580是一款高度集成的工作在13.56MHz下的非接触通讯芯片，支持以下2种不同的工作模式。支持符合ISO/IEC14443TypeA协议的读写器模式支持符合ISO/IEC14443TypeB协议的读写器模式并且同时提供了低功耗的快速发场功能，方便电池供电、需要低功耗工作、并且需要实时处理任意时刻会进入射频场的外部卡片的读写器设备。具有低电压、低功耗、驱动能力强、多接口支持、多协议支持等特点。适用于低功耗、低电压、低成本要求的非接触读写器应用。具备的特点支持ISO/IEC 14443 TypeA 读写器模式支持ISO/IEC 14443 TypeB 读写器模式读写器模式支持M1 加密ISO14443 TYPEA 支持通讯速率106kbps，212kbps，424kbps读写器操作距离可达50mm（取决于天线设计）支持多种host 接口SPI 接口最高10Mbps，PVDD 为1.7V 时最高5MbpsHost 接口独立电源供电64Byte 收发缓冲FIFO中断输出模式灵活可配两种低功耗模式Soft powerdown 模式Deep powerdown 模式（常温典型值50nA）可编程定时器内置振荡电路外接27.12MHz 晶体宽电压工作范围2.5V3.6V射频发射驱动采用独立电源供电，最高可达5.5V内置CRC 协处理器可编程I/O 引脚下面是基于FM17580的典型应用图以上是关于其的一些相关信息，如有采购及选型需求，可联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/13 11:20:27
非接触逻辑加密芯片是RFID与传感产品线最早的一个产品系列，该系列产品基于ISO14443协议，有多种存储容量规格的系列产品。依托具有优良兼容性的射频模拟设计技术、高可靠的存储设计技术，此系列产品被广泛应用于交通、校园、门禁门锁、小额支付、证件、防伪等领域。以下是关于其型号的详细介绍FM11RF005M容量为 512Bits，符合ISO14443-A 标准，工作频率为 13.56MHz，工作距离不小于 10CM。FM11RF005M 内含加密控制和通讯逻辑电路，是具有极高的保密性和逻辑处理功能的多用途非接触逻辑加密芯片，可广泛应用于低成本的城市轨道交通、各类计费支付卡和数据采集系统等领域。FM11RF005M 非接触式逻辑加密由 FM11RF005M 芯片、天线和卡基组成；本身不携带电源；通过天线获得读写器发出的能量进行工作；与读写器之间的通讯采用无线射频技术来实现。FM11RF005U容量为 512Bits，符合ISO14443-A 标准，工作频率为 13.56MHz，工作距离不小于 10CM。FM11RF005UL 的 OTP 和存储器只读锁定功能，使其成为具有较高的保密性的多用途非接触式射频卡芯片，适用于城市轨道交通、各类计费支付卡和数据采集系统等应用领域。FM11RF005UL 非接触式射频卡由 FM11RF005UL 芯片、天线和卡基三部分组成。它本身不携带电源，通过天线获得读写器发出的能量进行工作，与读写器之间的通讯采用无线射频技术来实现。FM11RF08S该芯片容量为 1K x 8 bits，符合 ISO14443 -A标准，工作频率为 13.56MHz。FM11RF08S 带三重防伪认证，内含加密控制和通讯逻辑电路，是具有保密功能和逻辑处理功能的多用途非接触射频卡芯片，可广泛应用于低成本的城市轨道交通、各类计费支付卡和数据采集系统等领域。相对于 FM11RF...
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2026/1/13 11:05:46
电气原理图主要是用来表明设备电气的工作原理及各种电器元件的作用，是一种相互之间关系的表达方式。合理运用电器原理图的方式和技巧，对于分析电气线路、排除电路故障、程序编程等方面有显著作用。下面就一块来了解一下吧！1.电气原理图组成电气原理图通常由主电路、控制电路、保护、配电电路等几部分组成。2.常见的绘图软件电气CAD、protel99、Cadence等3.基础的电气符号图3.1电气常用图形符号3.2电气常用文字符号3.3常用的辅助文字符号以上就是关于电气原理图的一些基础电气符号信息，希望对你在设计中有所帮助，如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/13 10:09:06
1.安森美74HC373概述74HC373 的引脚排列与 LS373 完全一致。器件输入端兼容标准 CMOS 输出；外加上拉电阻后，也可与 LSTTL 输出兼容。当锁存使能（Latch Enable）为高电平时，这些锁存器对数据“透明”——输出随输入异步变化；当锁存使能变为低电平后，满足建立与保持时间的数据即被锁存。输出使能（Output Enable）端不影响锁存器的内部状态，但当其为高电平时，所有器件输出均被强制进入高阻态。因此，即使输出未被使能，数据仍可被锁存。HC373A 的功能与 HC573A 完全相同，后者将数据输入端置于封装对面一侧，以方便 PCB 布线。HC373A 是 HC533A 的非反相版本。2.具备的特征•输出驱动能力：15个LSTTL负载•输出直接连接到CMOS、NMOS和TTL•工作电压范围：2.0至6.0 V•低输入电流：1.0 A•CMOS器件的高抗噪特性•符合JEDEC标准7.0 A要求•ESD性能：HBM 2000 V；机器型号200V•芯片复杂度：186个FET或46.5个等效门•这是一个无铅设备3.芯片尺寸图如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/13 9:55:43
针对工程应用中尺寸匹配以及对主动式PFC功能需求的难题，金升阳现推出性能更优的LIFxx-20BxxR3系列——120W/240W/480W。该系列具有85-264VAC全球通用输入电压范围，60℃可满载工作，支持1.5倍过载(3s)，高隔离耐压，适用领域比上一代LIFxx-10BxxR2系列功能型导轨电源更广，为客户系统提供稳定可靠的能量支持。一、产品对比产品对比（以480W为例）二、产品优势1）宽输入输出电压①全球通用输入电压范围：85-264VAC/120-370DC，305VAC输入持续5s不损坏，可交直流两用；②输出可调范围宽，可有效解决长距离供电的线损问题。2）优异的电气性能①带主动式PFC，产品效率高达95%，高效环保，减少发热的同时提升了电源可靠性和使用寿命；②工作温度范围：-40to+85℃(120W：-40to+70℃)，无风环境下，全电压范围满载60℃不降额，适用于机房高温环境；③满足1.5倍（3s）瞬态峰值功率，可与直流电机或其他大容性负载搭配使用；④4000VAC高隔离耐压，提供更好的电气隔离，减少电源的损耗，有效防止电源的过载和过热，保障电源的安全运行；⑤超低噪音，市内应用可实现全电压全负载范围内噪音低于25dB；⑥DCOK支持直接并机模式下的单机故障告警，帮助客户快速定位故障单元，降低设备维护成本。3）保护功能齐全，安全可靠①集成过温保护，输出短路、过流、过压保护功能；②通过双85验证测试，恶劣应用环境下可正常使用；③具备高等级EMC性能，高输入抗扰度，EMI余量更足(CLASSA谐波电流，传导/辐射骚扰CLASSB)、浪涌共模±4kV等，防护等级更高，抗扰能力更强；⑤满足SemiF-47应用，拥有超长掉电保持时间，满载掉电保持时间高达40mS（240W：20mS）；⑥支持5000m海拔应用，2000m海拔以内满足EN62477过电压...
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2026/1/13 9:40:04
意法半导体推出了STM32MP21 微处理器 (MPU)。这款新品凭借异构双核架构、全方位安全防护体系、丰富外设接口及成熟的STM32开发生态，实现了性能、功耗与成本的精准平衡，更配套推出专用电源管理芯片优化系统设计，精准聚焦智能工厂、智能家居、智慧城市等成本敏感型场景。STM32MP21的特点和性能STM32MP21 MPU提供了一个专注的功能集，集成了MIPI CSI-2和图像信号处理（ISP）流水线，用于工业检测和条形码或二维码阅读器等机器视觉应用。此外，两个具有时间敏感网络（TSN）的千兆以太网端口支持需要确定性、低延迟、无抖动通信、同步和调度的应用程序，包括工业自动化、机器人技术、功能安全和传感器数据捕获。除了DDR4/LPDDR4 DRAM支持外，该系列还支持DDR3L内存，使设计人员能够优化系统性能、占地面积和BoM，同时在DDR4/LPDDR持续短缺和价格飙升的情况下保持有竞争力的价格和安全的供应。STM32MP2系列共享的安全架构旨在遵守全球日益加强的法规，包括即将出台的《欧盟网络弹性法案》（CRA）。MPU的SESIP 3级安全保证目标符合CRA实施指南，该指南规定重要（II类）产品应具有AVA_VAN.2或AVA_VAN.3抗性，关键产品应至少具有AVA_VAN.4抗性。客户的应用程序甚至在交付之前就受到ST工厂内安全秘密配置（SSP）的保护，以加载唯一身份和不可变密码进行身份验证和证明。安全的硬件加密加速器可抑制物理攻击，同时支持安全启动和应用程序需求。Arm TrustZone™的代码隔离保护启动和敏感进程，并利用ST专有的资源隔离框架（RIF）对内存和外围设备进行硬件保护，以防止篡改。STM32MP21封装选项包括适用于6层高密度互连（HDI）板的8mm x 8mm 225针和10mm x 10mm 361针VFBGA。此外，11mm x 11m...
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2026/1/13 9:18:00
1.概述LM4132 系列精密电压基准虽然采用经济型 CMOS 工艺，却能达到与最顶尖的激光修正双极基准相当的性能。其关键在于利用 EEPROM 寄存器，在 CMOS 带隙架构内对曲率、温度系数（tempco）和初始精度进行校正，并可在封装级重新编程，从而克服组装漂移。传统激光修正在芯片塑封后出现的电压精度和温度系数漂移，往往限制了最终精度。与其他 LDO 型基准不同，LM4132 可提供高达 20 mA 的输出电流，无需输出电容，也无需缓冲放大器。加上 SOT-23 小封装，这些优势使其特别适合空间受限的应用。串联型基准的功耗低于并联型，因为空载时无需“闲置”最大可能的负载电流。结合其 60 µA 超低静态电流和 400 mV 低压差特性，LM4132 成为电池供电系统的理想选择。芯片提供 A、B、C、D、E 五个精度等级，灵活度更高：最高等级（A）：初始精度 0.05%，温度系数 ≤10 ppm/°C最低等级（E）：初始精度 0.5%，温度系数 30 ppm/°C2.型号特性输出初始电压精度：0.05 %低温漂：10 ppm/°C低供电电流：60 µA使能引脚支持 3 µA 关断模式输出电流能力：20 mA电压选项标准：1.8 V、2.048 V、2.5 V、3 V、3.3 V、4.096 V可定制：1.8 V – 4.096 V 范围内任意值输入电压范围VREF + 400 mV 至 5.5 V（负载 10 mA 时）外接电容兼容低 ESR 陶瓷电容，系统更稳定。2.1符合汽车级应用要求已通过 AEC-Q100 认证，主要结果如下：器件温度等级 1：环境温度工作范围 –40 °C 至 +125 °C器件 HBM ESD 分类等级 23.常见应用•仪表和过程控制•测试设备•数据采集系统•基站...
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2026/1/12 10:56:47
1.概述MP8756 是一款全集成、高频率、同步整流的降压型开关电源转换器。它可在宽输入电压范围内提供高达 6 A 的持续输出电流，并具有出色的负载与线性调整率，方案极为紧凑。凭借 MPS 独有的开关损耗降低技术及内部低 Rsub 功率 MOSFET，MP8756 在宽负载电流范围内均能保持高效率。自适应恒定导通时间（COT）控制模式带来快速瞬态响应，并简化环路补偿；DC 自动调谐环路进一步保证良好的负载与线性调整特性。完整的保护功能包括：过流限制、过压保护（OVP）、欠压保护（UVP）及热关断。该转换器所需外部元件极少，采用 QFN-12（2 mm × 3 mm）封装。2.具备的特征4.5V至26V宽工作输入范围输出可从0.6V调节超声波模式（USM）117μA低静态电流6连续输出电流快速瞬态自适应COT直流自动调谐回路POSCAP和陶瓷输出稳定1% 参考电压内部软启动输出放电700kHz开关频率OCP、OVP、UVP（打嗝）和热关机提供QFN-12（2mmx3mm）封装3.常见的应用膝上型计算机平板电脑网络系统个人视频记录器平板电视和显示器分布式电力系统4.芯片封装及引脚配置信息如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/12 10:46:15
DS18B20 可通过 VDD 引脚外接电源供电，也可工作于“寄生电源”模式——无需本地外部电源。寄生电源非常适合远程测温或空间极度受限的场合。上图给出了 DS18B20 的寄生电源控制电路：当总线为高电平时，芯片通过 DQ 引脚“窃取” 1-Wire 总线上的能量。窃得的电荷在总线高电平期间为芯片供电，同时部分电荷被储存在寄生电容 Cpp 中，以供总线低电平时使用。采用寄生电源时，VDD 引脚必须接地。在寄生电源模式下，只要满足规定的时序与电压要求，1-Wire 总线与 Cpp 可为 DS18B20 的大部分操作提供足够电流。然而，当芯片正在进行温度转换或将暂存器数据复制到 EEPROM 时，工作电流可达 1.5 mA。该电流会在弱上拉电阻上产生不可接受的压降，也超过 Cpp 的供电能力。为确保 DS18B20 获得足够电流，必须在温度转换或暂存器复制期间对 1-Wire 总线实施“强上拉”。典型做法是用 MOSFET 把总线直接拉到电源轨，如下图所示。必须在主机发出 Convert T [44h] 或 Copy Scratchpad [48h] 命令后 10 µs（最大）内切换到强上拉；强上拉必须持续整个转换时间 tconv 或数据拷贝时间 tWR（10 ms）；强上拉期间，1-Wire 总线上不得进行任何其他操作。DS18B20 也可采用传统方式供电：把外部电源接到 VDD 引脚。如下图所示。优点：无需 MOSFET 强上拉，温度转换期间 1-Wire 总线可自由传输其他数据。高温注意事项当环境温度高于 +100 °C 时，不推荐采用寄生电源，因为高温漏电流增大，可能导致通信失败。若应用可能超过该温度，强烈建议改用外部电源供电。电源类型检测某些情况下，主机不知道总线上的 DS18B20 是寄生供电还是外部供电，而这决定是否需要强上拉。主机可发送：S...
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2026/1/12 10:39:42
DS18B20数字温度计提供9位至12位摄氏温度测量，并具有非易失性用户可编程上下触发点的报警功能。温度测量操作DS18B20 的核心功能是直接输出数字温度的温度传感器。其分辨率可由用户配置为 9、10、11 或 12 位，分别对应 0.5 °C、0.25 °C、0.125 °C 和 0.0625 °C 的温度步进。上电默认分辨率为 12 位。芯片上电后处于低功耗空闲状态。主器件必须发出“转换温度”命令 Convert T [44h] 才能启动温度测量与模数转换。转换结束后，温度数据被存入暂存器中的 2 字节温度寄存器，DS18B20 随即返回空闲状态。若 DS18B20 由外部电源供电，主器件可在 Convert T 命令后发出“读时隙”，芯片会在转换期间回传 0，转换完成后回传 1。若采用寄生电源供电，则无法使用这种通知方式，因为整个转换期间总线必须被强上拉拉高。温度数据格式DS18B20 输出的温度数据以摄氏度为单位已做校准；若需华氏度，必须另行查表或运行转换程序。温度寄存器中的数据为 16 位符号扩展二进制补码（见图）。符号位 S 表示温度正负：S = 0 为正，S = 1 为负。12 位分辨率时，温度寄存器所有位均有效；11 位分辨率时，bit 0 未定义；10 位分辨率时，bit 1 和 bit 0 未定义；9 位分辨率时，bit 2、1、0 未定义。表 1 给出了 12 位分辨率下若干数字输出与对应温度值的示例。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/12 10:33:49
MX25L12833F 是一款 128 Mb（16,777,216 × 8）串行 NOR Flash 存储器。当处于双线或四线 I/O 模式时，内部结构分别变为 67,108,864 位 × 2 或 33,554,432 位 × 4。该芯片采用串行外设接口（SPI）及软件协议，在单线 I/O 模式下仅需 3 根信号线即可操作：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。片选信号 CS# 为低时启用对器件的串行访问。双线读模式时，SI、SO 引脚变为 SIO0、SIO1，用于地址/哑元位输入与数据输出。四线读模式时，SI、SO、WP#、RESET#（8 引脚封装）分别变为 SIO0、SIO1、SIO2、SIO3，同样负责地址/哑元位输入与数据输出。MX25L12833F 的 MXSMIO（Serial Multi I/O）接口支持整芯片的连续读取操作。发出编程/擦除命令后，内部自动执行编程/擦除及校验算法，可针对指定页、扇区或块进行操作。编程可按字节、页（256 字节）或字单位执行。擦除可按 4 KB 扇区、32 KB 块、64 KB 块或整片执行。为便于用户使用，芯片内含状态寄存器，可通过读取 WIP（Write-In-Progress）位来查询编程或擦除是否完成。此外，还提供高级安全功能以增强保护与保密性。当 CS# 为高且器件空闲时，自动进入待机模式。MX25L12833F 采用旺宏专有存储单元，可承受 100,000 次编程/擦除循环，仍能可靠保存数据。不同封装下的引脚配置图如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/12 10:25:07
W29N01HV（1 Gbit）NAND Flash 存储器为空间、引脚和功耗均受限的嵌入式系统提供了一种存储方案。 回拷（Copy Back）操作回拷操作需要两组命令：先下发“回拷读”命令序列（00h-35h），再下发“回拷编程”命令序列（85h-10h）。回拷读（00h-35h）该命令与“回拷编程”配合使用。操作流程：向命令寄存器写入 00h；输入 4 个周期的源页地址；再写入 35h，启动把选中页的数据从存储阵列搬入数据寄存器。命令序列执行完毕且 RY/#BY 返回高电平后，可通过反复拉低 #RE 把数据读出；数据从当初“回拷读”命令指定的列地址开始顺序输出。此时可不限次数地使用“随机数据输出”命令（05h-E0h）调整输出列地址。至此，芯片处于就绪状态，等待接收“回拷编程”命令。回拷编程（85h-10h）“回拷读”完成且 RY/#BY 变高后，即可写入“回拷编程”命令。操作流程：向命令寄存器写入 85h；输入 4 个周期的目标页地址；再写入 10h，内部控制器自动开始把数据编程到新的目标页。编程期间 RY/#BY 保持低电平；也可用“读状态”命令（70h）代替 RY/#BY 检测完成时间。状态寄存器 Bit6=1 时表示就绪，此时 Bit0 指示操作结果：0=成功，1=失败。在“回拷编程”序列中，可插入“随机数据输入”命令（85h）来修改原始数据：先用“回拷读”把源页搬入数据寄存器；再写 85h 并给出需修改的列地址，同时在外部数据线上放置新数据；可多次使用 85h 任意修改；最后写 10h，原始数据与修改后的数据一起被写入目标页。由于回拷过程不经过外部存储器，且源页数据可能已存在位错误，建议在编程前先用可靠的 ECC 算法校验/修正数据。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/12 10:18:08
W29N01HV（1 Gbit）NAND Flash 存储器为空间、引脚和功耗均受限的嵌入式系统提供了一种存储方案。编程操作页编程（80h-10h）W29N01HV 的页编程命令必须按块内地址从低页到高页的顺序依次编程，禁止跳序编程。若将一页分区使用，本器件最多允许对同一页进行 4 次部分页编程；之后必须先擦除才能再次编程。注意：不支持在未擦除的情况下对同一位进行多次编程。串行数据输入（80h）页编程操作以向命令寄存器写入“串行数据输入”命令（80h）开始；随后输入 4 个地址周期，再连续写入数据。每个 #WE 周期把串行数据装入数据寄存器。数据输入完成后，向命令寄存器写入“编程”命令（10h）。此时内部写状态控制器自动执行编程与校验算法。编程开始后，可通过监测 RY/#BY 引脚或状态寄存器第 6 位（与 RY/#BY 同步）来判断是否完成。内部阵列编程期间（tPROG 时段）RY/#BY 保持低电平。在页编程过程中，芯片仅响应两条命令：读状态（70h）和复位（FFh）。当器件进入就绪状态后，状态寄存器第 0 位（I/O0）指示编程结果：Bit0 = 0 表示编程成功；Bit0 = 1 表示编程失败。命令寄存器将保持“读状态”模式，直到下发新的命令。随机数据输入（85h）在执行页编程（80h）并已将初始数据装入数据寄存器后，若还需在同一页内补充写入数据，可在下发“编程”命令（10h）之前，使用“随机数据输入”命令（85h）指定新的列地址进行写入。该命令可在同一页内多次使用。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2026/1/12 10:08:44