BFHKI-1072+是一款微型低温共烧陶瓷（LTCC）超高阻带抑制带通滤波器，通带为9.2至11.3 GHz，支持多种应用。当安装在共面波导布局上时，该模型实现了高达30 GHz的45 dB典型阻带抑制。该滤波器采用4.95毫米乘3.65毫米的小型陶瓷外形，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。BFHKI系列集成了插入板，可以使用自动化制造设备安装到PCB布局上。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了3.2 dB的典型插入损耗。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性带集成插入板的LTCC带通滤波器典型宽阻带抑制。45 dB至30 GHz小尺寸，4.95毫米x 3.65毫米屏蔽结构应用测试和测量设备
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2025/5/28 14:16:11
BFHKI-4951+是一款微型低温共烧陶瓷（LTCC）超高阻带抑制带通滤波器，通带为4.3至5.3 GHz，支持多种应用。该模型实现了高达12.3 GHz的60 dB典型阻带抑制，并能够安装在共面波导布局上。该滤波器采用4.95毫米乘3.65毫米的小型陶瓷外形，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。BFHKI系列集成了插入板，可以使用自动化制造设备安装到PCB布局上。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了3.8 dB的典型插入损耗。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性带集成插入板的LTCC带通滤波器宽阻带抑制型。高达12.3 GHz的60 dB小尺寸，4.95毫米x 3.65毫米屏蔽结构应用测试和测量设备
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2025/5/28 14:12:52
据供应链消息，三星电子计划于2025年6月正式停止接收MLC NAND闪存订单，标志着这家存储巨头将全面转向TLC（三层单元）与QLC（四层单元）技术路线。 此次战略调整已引发下游厂商连锁反应，LG显示等核心客户正加速多元化采购布局。成本压力倒逼技术转型MLC NAND因每个存储单元可保存2个数据位，曾长期主导企业级存储市场。但随着TLC技术成熟度提升，其单位成本优势日益凸显。TrendForce数据显示，2025年Q1 TLC NAND已占据全球NAND销售额的62%，较2020年提升28个百分点。三星此次停产MLC，被视为应对价格竞争的关键举措。客户端紧急启动备援方案作为三星MLC NAND的重要采购方，LG显示正面临供应链重构压力。该公司用于大型OLED面板的4GB eMMC模组中，约35%的MLC NAND由三星供应。知情人士透露，LG已启动替代供应商认证流程，重点关注铠侠、ESMT等既有合作伙伴的产能保障能力。行业格局呈现三大趋势1. 技术迭代加速：QLC NAND凭借每GB 0.08美元的成本优势，在数据中心冷存储市场渗透率已达41%（IDC 2025年Q1数据），成为三星等厂商重点发力方向。2. 应用场景分化：MLC NAND逐步退守工业控制、汽车电子等高可靠性需求领域，而消费级市场基本完成向TLC/QLC的切换。3. 供应商集中度提升：随着三星战略收缩，全球MLC NAND供应商将缩减至铠侠、西部数据等少数厂商，行业集中度（CR4）预计从78%升至85%。中国厂商迎来替代机遇在MLC NAND市场收缩背景下，长江存储等国内厂商正通过定制化服务切入细分领域。其3D MLC NAND产品已通过AEC-Q100车规认证，正在导入部分国产新能源汽车品牌供应链。业内人士分析，2025年中国厂商在MLC NAND市场的份额有望突破15%，较2023年提升7个百分点。展望...
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2025/5/28 13:48:25
Littelfuse最新推出的 IXD2012NTR高压侧/低压侧栅极驱动器 ，以 200V自举电压、2.3A灌电流输出 及 3.3V~20V宽压兼容性 ，瞄准高频电源转换与电机控制市场。该器件通过集成交叉传导保护与高速开关逻辑，将功率器件（MOSFET/IGBT）的开关损耗降低30%，适配DC-DC转换器、太阳能逆变器等场景，直面TI、ST等厂商的竞争。产品功能：高频驱动的技术矩阵● 驱动能力：1.9A拉电流/2.3A灌电流输出，支持SiC MOSFET 100ns级开关速度；● 电压兼容性：10V~20V工作电压，自举模式下高压侧支持200V；● 逻辑接口：兼容3.3V TTL/CMOS电平，无缝连接MCU/DSP控制器；● 保护机制：集成死区时间控制（典型值480ns），防止上下管直通；● 封装与环境：SOIC-8封装（5mm×6mm），-40℃~125℃宽温运行。技术突破：三大创新点1. 高压自举架构优化： ● 采用电荷泵升压技术，自举电容容值需求降低至0.1μF（竞品需0.47μF），PCB面积缩减50%； ● 200V耐压支持650V SiC MOSFET驱动，适配光伏逆变器拓扑。2. 动态驱动电流增强： ● 2.3A灌电流能力较上一代提升40%，可驱动TO-247封装的100A IGBT； ● 开关延时一致性±10ns，减少多并联器件的时序偏差。3. 智能保护集成： ● 交叉传导保护响应时间 ● 欠压锁定（UVLO）阈值精...
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2025/5/28 13:43:46
LPF-B500+是一款采用SMT技术制造的屏蔽封装低通滤波器（尺寸为0.472英寸x 0.826英寸x.22英寸）。这些单元覆盖DC-500 MHz带宽，在通带内具有良好的匹配性和高抑制性。该单元使用微型高Q电容器和焊线电感器，具有高可靠性。此外，它在生产批次中具有可重复的性能，在温度范围内具有一致的性能。特性•高抑制，典型值为31dB•插入损耗急剧下降•微型屏蔽外壳•可水洗应用•国防通信•发射器/接收器•谐波抑制
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2025/5/27 11:26:59
RBPF-246+是一款50Ω 采用SMT技术制造的带通滤波器。该带通滤波器覆盖236至256 MHz。该滤波器采用高Q电容器、片式电感器和绕线电感器构建，性能卓越。此外，它在不同生产批次中具有可重复的性能，在不同温度下具有一致的性能。特性•更好的通带插入损耗和回波损耗•高拒绝率•微型屏蔽外壳应用•军用飞机•海上通信
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2025/5/27 11:24:50
Mini-Circuits的XHF2-1832+无反射滤波器采用了一种新型的滤波器拓扑结构，该拓扑结构在内部吸收和终止阻带信号，而不是将其反射回源。这种新功能使滤波器电路的应用超越了传统方法。传统滤波器在阻带中是反射性的，以100%的功率电平将信号发送回源。这些反射与相邻组件相互作用，通常会导致互调和其他干扰。无反射滤波器消除了阻带反射，使其能够与敏感设备配对，并用于需要隔离放大器或衰减器等电路的应用。特性匹配50Ω 在阻带中，消除了不希望的反射可级联出色的电源处理能力温度稳定，最高可达+105°C尺寸小，2 x 2毫米应用无线传输系统全球微波接入互操作性微波无线电军事与太空
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2025/5/27 11:22:59
Mini-Circuits的XLF-133+无反射滤波器采用了一种新型的滤波器拓扑结构，该拓扑结构在内部吸收和终止阻带信号，而不是将其反射回源。这种新功能使滤波器电路的应用超越了传统方法。传统滤波器在阻带中是反射性的，以100%的功率电平将信号发送回源。这些反射与相邻组件相互作用，通常会导致互调和其他干扰。无反射滤波器消除了阻带反射，使其能够与敏感设备配对，并用于需要隔离放大器或衰减器等电路的应用。特性匹配50Ω 在阻带中，消除了不希望的反射可级联出色的电源处理能力温度数据，最高+105°C尺寸小，3 x 3毫米应用谐波抑制人造卫星雷达军事与太空
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2025/5/27 11:19:06
Mini-Circuits的XLF-63H+三段无反射滤波器采用了一种新型的滤波器拓扑结构，该拓扑结构在内部吸收和终止阻带信号，而不是将其反射回源。这种新功能使滤波器电路的应用超越了传统方法。传统滤波器在阻带中是反射性的，以100%的功率电平将信号发送回源。这些反射与相邻组件相互作用，通常会导致互调和其他干扰。无反射滤波器消除了阻带反射，使其能够与敏感设备配对，并用于需要隔离放大器或衰减器等电路的应用。特性匹配50Ω 在阻带中，消除了不希望的反射可级联出色的阻带抑制，典型值为43 dB。温度数据，最高+105°C尺寸小，3 x 3毫米应用ISM应用可移动的固定卫星天气雷达
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2025/5/27 11:14:27
Mini-Circuits的XLF-73+无反射滤波器采用了一种新型的滤波器拓扑结构，该拓扑结构在内部吸收和终止阻带信号，而不是将其反射回源。这种新功能使滤波器电路的应用超越了传统方法。传统滤波器在阻带中是反射性的，以100%的功率电平将信号发送回源。这些反射与相邻组件相互作用，通常会导致互调和其他干扰。无反射滤波器消除了阻带反射，使其能够与敏感设备配对，并用于需要隔离放大器或衰减器等电路的应用。特性匹配50Ω 在阻带中，消除了不希望的反射可级联出色的电源处理能力温度数据，最高+105°C尺寸小，3 x 3毫米应用谐波抑制人造卫星雷达军事与太空
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2025/5/27 11:11:29
Mini-Circuits的XHF-252+无反射滤波器采用了一种新型的滤波器拓扑结构，该拓扑结构在内部吸收和终止阻带信号，而不是将其反射回源。这种新功能使滤波器电路的应用超越了传统方法。传统滤波器在阻带中是反射性的，以100%的功率电平将信号发送回源。这些反射与相邻组件相互作用，通常会导致互调和其他干扰。无反射滤波器消除了阻带反射，使其能够与敏感设备配对，并用于需要隔离放大器或衰减器等电路的应用。特性匹配50Ω 在阻带中，消除了不希望的反射可级联出色的电源处理能力温度稳定，高达105°C尺寸小，3 x 3毫米应用无线传输系统全球微波接入互操作性微波无线电军事与太空
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2025/5/27 10:57:55
BFTC-500+LTCC带通滤波器覆盖400至600 MHz的通带，具有25 dB的上/下阻带抑制。该型号可处理高达4W的射频输入功率，并提供-40至+85°C的宽工作温度范围。利用LTCC多层结构，该滤波器实现了出色的性能可重复性，并采用微小的陶瓷封装，在密集的PCB布局中节省了空间。特性•电压驻波比1.5（典型值）良好。@通带•体积小•密封•温度稳定•LTCC结构应用•测试和测量•谐波抑制•发射器/接收器
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2025/5/27 10:53:01
ADCH-1220+系列射频扼流圈实现了从5到1220 MHz的非常宽的带宽。扼流圈用AWG32线缠绕，使最大连续电流为200mA DC。出色的插入损耗、良好的VSWR（典型值1.1:1）、平坦度和坚固的结构使这些型号成为非常宽频率范围内射频扼流圈应用的理想解决方案。这些单元支持广泛的系统和测试应用。特性•低寄生电容，典型值为0.1pf。•有效并联电阻，典型值为Rch 800欧姆。•可水洗应用•偏置放大器•激光二极管偏置•有源天线的偏置
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2025/5/27 10:49:56
ROS-200-719R+是一种压控振荡器，设计用于军事和航空电子应用，工作频率为144至200 MHz。ROS-200-719R+封装在金属外壳（尺寸为.500“x.500”x.180“）中，以屏蔽不需要的信号和噪声。特性•低相位噪声，典型值为-122 dBc/Hz。@10kHz偏移•高功率输出，典型值+9 dBm。•低拉力，典型值为0.1 MHz。•低推力，典型值为0.1 MHz/V。•可水洗应用•军事和航空电子•PMR/PAMR•移动卫星
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2025/5/27 10:40:47
ERA-5+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在Micro-X封装中。ERA-5+使用达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。在85°C的外壳温度下，预计MTTF为940年。特性•DC-4 GHz•单电压电源•内部匹配50欧姆•无条件稳定•性能随温度变化较小•瞬态保护•可水洗应用•蜂窝/PCS/3G基站•有线电视、有线调制解调器和DBS•固定无线和WLAN•微波无线电和测试设备
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2025/5/26 14:28:34
Mini-Circuits PMA2-43LN+是一款基于E-PHEMT*的超低噪声MMIC放大器，具有低噪声和高IP3的独特组合，使其成为灵敏、高动态范围接收器应用的理想选择。该设计在单个+5V电源上运行，与50Ω 系统，并采用小巧、低调的封装，适应密集的电路板布局。特性超低噪声系数，典型值0.46 dB。1.9 GHz高IP3，+33 dBm典型值。1.9 GHz高Pout，典型值P1dB+19.9 dBm。1.9 GHz尺寸小，2 x 2 x 1毫米应用基站基础设施便携式无线长期演进技术全球定位系统全球移动通信系统机载雷达
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2025/5/26 14:25:53
Mini-Circuits GVA-91+（符合RoHS标准）是一种采用GaAs HBT技术制造的宽带放大器，在应用频带内提供高增益和出色的功率输出，并具有出色的功率附加效率。它具有可重复的性能，并采用SOT-89封装，具有非常好的热性能。特性高功率，典型值29.5 dBm。920兆赫高增益，典型值20.4 dB。高功率附加效率高P1dB，920 MHz时为29.5 dBm，2140 MHz时为27.4 dBm应用基站基础设施LTEWCDMA
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2025/5/26 14:22:46
ERA-51SM+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在Micro-X封装中。ERA-51SM+使用达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。在+85°C的外壳温度下，预计MTTF为450年。特性直流至4 GHz单电压电源内部匹配50Ω无条件稳定性能随温度变化低瞬态保护可水洗应用蜂窝/PCS/3G基站有线电视、有线调制解调器和DBS固定无线和WLAN微波无线电和测试设备
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2025/5/26 14:16:46