GALI-59+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。铅饰面为SnAgNi。它具有可重复的性能，并封装在SOT-89封装中。它使用专利的瞬态保护达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。GALI-59+的设计坚固耐用，适用于ESD和电源开启瞬态。特性•微型SOT-89封装•频率范围，直流至5 GHz•内部匹配50欧姆•输出功率，典型值17.6dBm。•散热性能极佳，金属底部外露•可水洗应用•蜂窝•个人电脑•通信接收器和发射器
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2025/5/26 14:11:08
MNA-2A+是一款基于PHEMT的宽带MMIC放大器，具有高有源指向性。MNA将整个匹配网络和封装内的大部分偏置电路集成在一起，减少了对复杂外部电路的需求。这种方法使MNA放大器的使用非常简单。该设计在单个2.8至5V电源上运行，与50Ω 并且采用小巧、薄型的3x3mm 8引脚MCLP封装，可容纳密集的电路板布局。MNA-2A+属于MNA系列模具和封装形式的型号。特性集成匹配、直流块和偏置电路出色的主动指向性，典型值为+22 dB。2 GHz和5V电源电压选择，+2.8V至+5V微型尺寸.120“X.120”输出功率，典型值+17.9 dBm。2 GHz和5V可水洗应用缓冲放大器蜂窝基础设施通信卫星防守
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2025/5/26 14:08:01
MAV-11BSM+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在一个塑料模制的包装中。MAV-11BSM+采用达林顿配置，并采用硅技术制造。在85°C的外壳温度下，预计MTBF为270年。特性•类似于安捷伦MSA-1105和微型电路MAV-11SM+•高IP3，典型值为34 dBm。•出色的驻波比，典型值为1.2:1。•中等增益•输出功率，典型值为18 dBm。•可水洗应用•蜂窝•UHF/VHF接收器/发射器
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2025/5/26 14:05:03
MAR-8A+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在Micro-X封装中。MAR-8A+使用达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。 特性•高增益，0.1 GHz时为31.5 dB，减少了组件数量•内部匹配50欧姆•高功率输出，典型值+12.5 dBm。•低噪音•提高稳定性•防止电源瞬变应用•蜂窝•PCN和仪表
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2025/5/26 14:02:21
Mini-Circuits PSA-5453+是一款基于E-PHEMT*的超低噪声MMIC放大器，工作频率为50 MHz至4 GHz，具有低噪声和高IP3的独特组合，使该放大器成为敏感接收器应用的理想选择。该设计在单个3V电源上仅以60mA运行，内部匹配为50欧姆。特性单正电源电压，+3V，Id=60mA超低噪声系数，典型值为0.7 dB。0.5GHz高IP3，典型值35 dBm。1GHz增益，典型值19.6dB。1GHz输出功率，典型值高达+19.5 dBm。微型SOT-363封装可水洗应用蜂窝ISMGSMWCDMALTEWiMAX无线局域网UNII和HIPERLAN
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2025/5/26 13:58:16
GALI-52+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。铅饰面为SnAgNi。它具有可重复的性能，并封装在SOT-89封装中。它使用专利的瞬态保护达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。在85°C的外壳温度下，预计MTTF为14000年。GALI-52+的设计坚固耐用，适用于ESD和电源开启瞬态。特性•InGaP HBT微波放大器•微型SOT-89封装•内部匹配50欧姆•频率范围，直流至2 GHz•输出功率，典型值15.5 dBm。•散热性能极佳，金属底部外露•低热阻，可靠性高•可水洗应用•蜂窝•个人电脑•通信接收器和发射器
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2025/5/26 13:55:11
据半导体行业消息，三星电子正加速推进第6代10nm级DRAM（1c DRAM）产能布局，继平泽P4工厂启动每月3万片产能试产线后，计划2025年底前在华城工厂追加投资，将1c DRAM月产能提升至7万片规模。这一扩产计划标志着三星在HBM4高带宽存储器领域发起关键攻坚。业内人士指出，三星此次技术路线选择颇具战略深意。当前主流HBM4厂商多采用1b DRAM（第五代10nm级）作为基础架构，而三星选择直接跨越至1c DRAM，旨在通过更制程工艺实现能效比突破。测试数据显示，1c DRAM在相同功耗下可提供20%以上的带宽提升，这对AI服务器等高负载场景意义重大。产能布局呈现"双核驱动"特征：平泽P4工厂作为主力基地，将承担技术验证与初期量产任务；华城工厂则通过改造现有17号线（原生产1z DRAM），实现快速产能转换。值得注意的是，三星同步推进15/16号生产线升级，将传统DRAM产能向1b DRAM转移，形成"新旧产能梯次配置"的竞争策略。市场分析机构TechInsights认为，三星此举折射出存储行业技术竞赛新态势。随着HBM4标准争夺进入白热化，制程工艺正成为决定话语权的关键变量。SK海力士虽占据HBM3市场七成份额，但其HBM4产品仍基于1b DRAM架构，这为三星提供了弯道超车契机。不过三星也面临产能爬坡挑战。行业专家警告，1c DRAM量产良率较1b DRAM低约15个百分点，若要实现规模化供应，需在2026年前将良率提升至70%以上。与此同时，美光科技已宣布2026年量产1γ DRAM（第七代10nm级）的计划，存储芯片代际更迭速度持续加快。在这场存储技术军备竞赛中，三星正以"制程跃迁+产能碾压"的双轮战略抢占先机。随着华城平泽双基地进入设备导入阶段，2026年HBM4市场格局或将迎来重大变局。免责声明...
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2025/5/26 13:43:37
Mini-Circuits的LFCG-630+是一款LTCC低通滤波器，通带从直流到630 MHz，支持各种应用。该模型提供了1.6 dB的典型通带插入损耗，并由于战略性地构建了组件之间相互作用最小的布局，提供了非常好的阻带抑制。它可处理高达3.5W的射频输入功率，并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。该滤波器采用微小的0805陶瓷形状，带有环绕式端子，是密集PCB布局的理想选择，并且由于寄生效应导致的性能变化最小。特性•低损耗，典型值为1.6 dB•高抑制，典型值为45 dB•良好的功率处理能力，3.5W•尺寸极小的0805（2.0mm x 1.25mm）•温度稳定•LTCC结构应用•谐波抑制•VHF/UHF发射机/接收机•军用雷达应用•测试和测量•电信和宽带无线应用•卫星通信调制解调器
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2025/5/23 14:43:09
Mini-Circuits的EP2RKU+是一款MMIC双向0°分路器/合路器，专为直流至18 GHz的宽带操作而设计，支持许多需要在宽频范围内高性能的应用，包括通过WiMax和WiFi的所有LTE频段，以及仪器仪表等。该型号在微小的5 x 5mm QFN封装中提供了高达0.6W的出色功率处理（作为分路器/合路器），具有良好的隔离性和低相位和幅度不平衡性。EP2RKU+采用GaAs IPD技术制造，不仅具有可重复的性能，而且具有高水平的ESD保护。特性超宽带，直流至18 GHz高隔离，典型值20dB。12 GHz出色的振幅不平衡，典型值为0.1 dB。至18GHz相位不平衡良好，典型值为3.3度。12 GHz尺寸小，5x5毫米可水洗应用宽带无线接入ISM仪表雷达无线局域网卫星通信长期演进技术
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2025/5/23 14:34:59
Mini-Circuits的NP2G+是一款MMIC双向0˚分路器/合路器，专为1150至1950 MHz的窄带操作而设计，支持许多在窄带频率范围内需要高性能的应用，包括GPS、雷达、移动和无线电导航。该型号在1.4 x 2.0 mm的6引脚微型MCLP封装中提供了高达1.5W的出色功率处理（作为分路器），具有低插入损耗、良好的隔离以及低相位和幅度不平衡。采用硅IPD工艺技术制造。特性•出色的振幅不平衡，典型值为0.05 dB。1550 MHz•相位不平衡良好，典型值为0.8度。•尺寸小，1.4mm x 2.0mm•可水洗应用•全球定位系统•雷达•移动•无线电导航
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2025/5/23 14:29:27
KAT-7+是一种采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造的吸收式固定衰减器。该模型在直流至43.5GHz的频率范围内运行。它实现了出色的衰减精度和平整度，同时在整个频带内保持了出色的VSWR。该型号还可以处理高达1.3W的输入功率，这使得该型号成为广泛应用的理想选择。特性超宽带，DC-43.5 GHz高功率处理，1.3W小包装，2x2 MCLP™出色的驻波比，1.14:1典型值应用5G测试与测量雷达通信防守
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2025/5/23 14:24:47
QAT-9+是一种吸收式固定衰减器，采用高度可靠和可重复的GaAs MMIC IPD工艺制造。该模型的工作范围为直流至50 GHz。它实现了出色的衰减精度和平整度，同时在整个频带内保持了出色的VSWR。该型号还可以处理高达1.1W的输入功率，这使得该型号成为广泛应用的理想选择。特性小包装，2x2mm MCLP™超宽带，直流至50 GHz出色的驻波比，典型值为1.19:1。频率为25 GHz高功率处理，1.1W应用5G测试与测量雷达通信防守人造卫星
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2025/5/23 14:20:46
Mini-Circuits的FW-A系列是直流至12000 MHz频率范围内的固定衰减器，具有出色的衰减平坦度。FW-A系列的标称衰减范围为1至20 dB。该衰减器系列支持测试和测量应用。精确的性能、出色的VSWR和坚固的一体式结构使该模型成为需要在非常宽的频率范围内进行精确衰减的系统的理想解决方案。特性宽带覆盖，DC至12000 MHz额定功率高达2瓦坚固的一体式结构现成可用性成本非常低应用阻抗匹配信号电平调整
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2025/5/23 14:13:19
MAX38888为超级电容备份调节器，设计用于在超级电容和系统电源轨之间高效传输电源。有主电池且主电源高于最低系统电源电压时，调节器对超级电容进行充电，充电电流可达500mA。超级电容充电之后，电路仅吸收2.5μA电流，同时超级电容保持在就绪状态。主电池移除后，调节器可防止系统下降到最低工作电压以下，以高达2.5A的速率对超级电容进行放电。MAX38888可通过外部编程设置超级电容最小和最大电压、最低系统电压、最大充电和放电电流。内部DC/DC转换器仅需要1μH电感。特性• 2.5V至5V系统输出电压• 0.8V至5V超级电容电压范围• 高达2.5A峰值放电电流• 可编程电压及电流门限• ±2%门限精度• 效率高达95%，包括充电或放电• 2.5μA就绪静态电流• 较小方案尺寸• 3mm x 3mm x 0.75mm TDFN封装应用• 手持式工业设备• 便携式计算机• 具有可拆卸电池的便携式设备
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2025/5/23 14:07:37
LTM4637 是一款完整的 20A 输出、高效率、开关模式、降压型 DC/DC μModule (微型模块) 稳压器。封装中内置了开关控制器、功率 FET、电感器和补偿组件。LTM4637 可在一个 4.5V 至 20V 的输入电压范围内运作，支持一个 0.6V 至 5.5V 的输出电压范围 (由单个外部电阻器来设定)。仅需少量的输入和输出电容器。电流模式操作实现了多达 4 个 LTM4637 稳压器的精准均流，以获得高达 80A 的输出。高开关频率和一种电流模式架构的运用提供了针对电压和负载变化的非常快之瞬态响应，而并未牺牲稳定性。该器件支持频率同步、多相 / 均流运作、突发模式操作以及用于电源轨排序的输出电压跟踪功能。可提供一个二极管连接的 PNP 晶体管，用作内部温度监视器。LTM4637 采用 15mm x 15mm x 4.32mm LGA 封装和 15mm x 15mm x 4.92mm BGA 封装。LTM4637 具有符合 SnPb (BGA) 或 RoHS 标准的引脚涂层。LTM4637 的引脚与 LTM4627 相兼容，后者是一款 15A DC/DC μModule 稳压器。特性• 完整的 20A 开关模式电源• 4.5V 至 20V 输入电压范围• 0.6V 至 5.5V 输出电压范围• ±1.5% 的总 DC 输出电压误差 (-40°C 至 125°C)• 差分远端检测放大器针对 VOUT ≤ 3.3V 实现精准调节• 电流模式控制 / 快速瞬态响应• 并联均流 (高达 80A)• 频率同步• 可选的脉冲跳跃或突发模式 (Burst Mode®) 操作• 软起动 / 电压跟踪• 效率高达 88% (12VIN、1.8VOUT)• 过流折返保护• 输出过压保护• 内部温度监视器• 过热保护• 15mm x 15...
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2025/5/23 14:01:15
LT3470是一款微功耗降压型DC/DC转换器，在薄型3mm × 2mm DD和ThinSOT™封装中集成了300mA电源开关、续流二极管和升压二极管。LT3470结合了突发工作和连续工作模式以便使用小型电感和电容，同时向高达200mA的负载提供低纹波输出。LT3470具有4V至40V的宽输入电压范围，可调节各种电源，从2节锂离子电池到未稳压的壁式变压器和铅酸电池。在典型应用中，处于稳压状态的静态电流仅为26µA，同时零电流关断模式可从输入源断开负载，从而简化电池供电系统中的电源管理。快速限流和迟滞控制可保护LT3470和外部器件免受短路输出的影响，甚至在40V输入电压下。特性• 低静态电流：26µA（12VIN至3.3VOUT）• 集成升压和续流二极管• 输入范围：4V至40V• 低输出纹波：• • 输出电压：1.25V至16V• 输出电流：200mA• 迟滞模式控制• 低纹波突发工作模式(Burst Mode®)（轻负载下）• 在较高负载下连续工作应用• 汽车电池调节• 便携式产品电源• 分布式电源调节• 工业电源• 壁式变压器调整
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2025/5/23 13:58:16
ADM1185是一款集成式、4通道、电压监控和时序控制器件，采用2.7 V至5.5 V电源，通过VCC引脚供电。四个精密比较器监控四个电压轨。所有比较器均有一个0.6 V基准电压源，最差精度为0.8%。VIN1、VIN2、VIN3和VIN4引脚外的电阻网络可设置受监控供电轨的跳变点。数字内核则解读比较器输出的状态。内部时间延迟可以用来控制由各输出先后启用的各电源的启动时序。同时还能检测超出范围的电源，进而禁用相应的输出。ADM1185具有四路开漏输出。在典型配置中，用OUT1至OUT3实现电源使能，而PWRGD则为共用的电源正常信号输出，指示所有受监控电源的状态。ADM1185采用10引脚超小型封装(MSOP)。特性• 采用2.7 V至5.5 V电源，通过VCC引脚供电• 具有内部超时的逻辑内核提供电源时序控制和故障保护• 利用分阻器可以对4路输入进行编程，以监控不同的电平应用监控和报警功能电源排序电信和数据通信设备个人电脑/服务器
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2025/5/23 13:54:56
英飞凌发布SiC沟槽型超结技术（TSJ），通过融合沟槽栅结构与超结设计，将碳化硅功率器件的性能边界推向新高度。该技术首次应用于ID-PAK封装的1200V功率器件，支持最高800kW功率的电动汽车牵引逆变器，较传统方案功率密度提升40%，主逆变器电流承载能力增强25%，为现代汽车等客户提供更高效、紧凑的动力系统解决方案。随着全球电动车市场向800V高压架构加速转型，英飞凌以技术迭代抢占SiC赛道制高点，目标2030年占据30%市场份额。技术突破：结构优化与工艺创新1. 沟槽栅+超结协同设计：通过三维沟槽结构优化载流子路径，开关损耗降低25%，支持高频化运行（100kHz+）；超结技术减少寄生电容，R DS(on)*A指标较平面型SiC MOSFET降低40%。2. 封装热管理升级：采用.XT互连技术，结温较前代下降25℃，支持175℃持续工作；ID-PAK封装兼容水冷/风冷，功率密度达50W/cm³（行业平均30W/cm³）。3. 可靠性强化：通过100%雪崩测试，短路耐受能力提升15%；循环寿命超100万次，适配车规级AEC-Q101认证。行业价值：能效与成本双赢1. 电动汽车领域：支持800V平台电驱系统，续航提升7%（现代汽车实测）；逆变器体积缩小30%，助力车企实现轻量化设计。2. 工业能源：光伏逆变器效率突破99%，LCOE（平准化度电成本）降低0.5美分/kWh；储能系统响应速度提升至微秒级，充放电循环寿命延长20%。3. 经济性突破：● 系统并联需求减少50%，BOM成本降低15%；● 8英寸晶圆量产（2027年）后，器件单价预计下降30%。技术难题与突破路径挑战：高频工况下的热管理与材料缺陷● 传统方案局限：平面型SiC器件开关损耗高，散热依赖复杂液冷系统；● 英飞凌创新：▶ 沟槽栅刻蚀工艺：缺陷密度降低至0.1/cm²（行业平...
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2025/5/23 13:49:41