在全球半导体产业竞逐埃米级制程的硝烟中，台积电再次抛出技术震撼弹。在6月12日举行的2025北美技术研讨会上，这家芯片代工巨头首次披露A14制程量产时间表——计划于2028年投入生产，这标志着其技术路线图已突破传统纳米尺度命名体系，剑指1nm以下物理极限。制程迭代上演“三线作战”根据最新技术蓝图，台积电正在构建覆盖多个技术代际的立体化制程布局：N3P制程：作为3nm家族的第三代成员，已于2024年Q4如期量产，主要服务于需要性能增强但保留3nm IP设计的数据中心与HPC客户。N3X制程：预计2026年登场，承诺在相同功耗下性能较N3P再提升5%，或在同频下功耗降低7%，专攻高性能计算领域极限需求。A16/A14制程：采用全新架构的A16制程锁定2026年底试产，而更具颠覆性的A14制程将在2028年落地，其晶体管密度与能效比将超越当前规划的2nm技术。值得关注的是，台积电首次将“埃米级制程”纳入官方路线图。尽管未透露具体技术细节，但业界推测A14可能采用CFET（互补式场效应晶体管）或2D材料等突破性技术，以应对1nm以下量子隧穿效应带来的物理挑战。3nm家族榨出最后性能红利在制程成本飙升的背景下，台积电正通过技术微创新深挖3nm潜力。N3P制程通过优化器件结构与引入新型高迁移率材料，使逻辑密度较初代N3E提升4%，同时维持设计兼容性。而即将推出的N3X通过后端金属堆叠优化，可将信号传输延迟降低15%，这对追求超高时钟频率的AI加速器芯片至关重要。“我们的3nm技术生命周期将超越行业预期。”台积电研发副总裁柯安迪在研讨会现场表示，“从N3E到N3P再到N3X，每个节点都带来可观的PPA（性能、功耗、面积）提升，这为客户提供了灵活的成本效益选择。”万亿美元野望背后的AI赌局面对半导体市场周期性波动，台积电展现出罕见激进姿态——2025年资本支出维持400亿美元高位，其中80...
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2025/4/27 13:17:34
HFCW-6010+是一款高通滤波器，通带范围为6400 MHz至20000 MHz，支持多种应用。由于战略性地构建了布局，该模型在宽带上提供了良好的插入损耗。该滤波器采用微小的0603陶瓷形状，带有环绕式端子，是密集PCB布局的理想选择，由于寄生效应导致的性能变化最小。规格参数产品: High Pass Filters 频率: 6.4 GHz to 20 GHz 阻抗: 50 Ohms 端接类型: SMD/SMT 封装 / 箱体: JC0603C 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 125 C 系列: HFCW 封装: Reel 封装: Cut Tape 商标: Mini-Circuits 介入损耗: 2 dB特性•很好的抑制，典型值为45 dB。•小尺寸0603（0.063英寸X 0.032英寸X 0.024英寸）•温度稳定•LTCC结构应用•测试和测量•军事应用•电信和宽带无线系统尺寸图
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2025/4/25 13:58:20
TS8728N是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS8728N可以覆盖500MHz至4.0GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。 TS8728N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm2 32引脚塑料封装。特性•切换时间：0.75s•低TX插入损耗：0.39dB@3550MHz•高隔离度：3550MHz时为38dB•400W 20%占空比2.0ms脉冲宽度•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：500MHz至4.0GHz应用●L波段雷达●S波段雷达
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2025/4/25 13:53:46
TS8029N是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS8029N可以覆盖700MHz至5.0GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS8029N是一款出色的开关，适用于在小封装尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的所有应用。TS8029N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性● 低TX插入损耗：0.20dB@800MHz● 高隔离度：800MHz时为51dB● 631W峰值功率处理● 多功能2.6-5.5V电源● 工作频率：700MHz至5.0GHz应用● 蜂窝基础设施● ADS-B、敌我识别系统● 低功率的无线接入节点● 宏单元
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2025/4/25 13:48:34
TS8028N是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS8028N可以覆盖700MHz至5.0GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS8028N是一款出色的开关，适用于在小封装尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的所有应用。 TS8028N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性● 低TX插入损耗：800MHz时为0.21dB● 高隔离度：800MHz时为52dB● 500W峰值功率处理● 多功能2.6-5.5V电源● 工作频率：700MHz至5.0GHz应用●蜂窝基础设施●无线接入节点●可编程逻辑宏单元●ADS-B、敌我识别系统
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2025/4/25 13:44:06
TS8329K是一种非对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS8329K在500MHz至8.5GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。TS8329K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性● 低插入损耗（TX/RX）：0.4/0.5dB@3000MHz● 高隔离度（RX路径）：3000MHz时38dB● 高峰值功率处理能力● 射频线路上没有外部隔直电容器● 所有射频端口均处于关闭状态● 多功能2.6-5.5V电源● 工作频率：500MHz至8.5GHz应用● 4G、 5G系统● RX保护● 蜂窝基础设施● 小细胞● LTE中继和微蜂窝● Radar
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2025/4/25 13:39:54
TS72421K是一款基于尖端GaN技术的对称反射单极四掷（SP4T）开关，专为宽带和高功率开关应用而设计。TS72421K在700MHz至3.8GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。4条控制线可以独立选择多达16个可能的位置。TS72421K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.45dB@800MHz●高线性功率处理●射频线路上没有外部隔直电容器●40dBm CW热切换功能●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：700MHz至3.8GHz应用●ADS-B系统●蜂窝基础设施●小细胞●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/25 13:34:13
TS72461K是一款基于尖端GaN技术的对称反射单极四掷（SP4T）开关，专为宽带和高功率开关应用而设计。TS72461K在400MHz至3.8GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。4条控制线可以独立选择多达16个可能的位置。 TS72461K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性● 低插入损耗：0.40dB@800MHz● 高线性功率处理● 射频线路上没有外部隔直电容器● 40dBm CW热切换功能● 多功能2.6-5.5V电源● 工作频率：400MHz至3.8GHz应用● 蜂窝基础设施● 小细胞● LTE中继和微蜂窝● 卫星终端
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2025/4/25 13:31:13
TS72420K是一款对称反射式单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS72420K在10MHz至3GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。此部件禁用了内部电荷泵，以消除电荷泵杂散。Vcp引脚上需要-17V电源。 TS72420K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性● 低插入损耗：0.45dB@800MHz● 高隔离度：40dB@800MHz● 高线性功率处理能力● 射频线路上没有外部隔直电容器● 40dBm CW热切换能力● 多功能2.6-5.5V电源● 工作频率：10MHz至3GHz应用● 私人移动无线电手机● 公共安全手机● 蜂窝基础设施● 小细胞● LTE中继和微蜂窝● 卫星终端
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2025/4/25 13:27:40
Mini-Circuits的XLF-172H+三段无反射滤波器采用了一种新型的滤波器拓扑结构，该拓扑结构在内部吸收和终止阻带信号，而不是将其反射回源。这种新功能使滤波器电路的应用超越了传统方法。传统滤波器在阻带中是反射性的，以100%的功率电平将信号发送回源。这些反射与相邻组件相互作用，通常会导致互调和其他干扰。无反射滤波器消除了阻带反射，使其能够与敏感设备配对，并用于需要隔离放大器或衰减器等电路的应用。规格参数产品:Low Pass Filters频率:DC to 2000 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-24最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 105 C系列:XLF封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:1.7 dB安装:Board Mount特性匹配50Ω 在阻带中，消除了不希望的反射可级联出色的阻带抑制，典型值为47dB。温度稳定，最高可达+105°C尺寸小，4 x 4毫米应用蜂窝，PCS全球定位系统射电天文学遥测
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2025/4/25 13:20:58
Bourns最新推出CW2012A系列AEC-Q200车规级片状电感，采用2012封装（2.0×1.2mm），在10MHz频率下Q值突破85，自谐振频率达3.5GHz，DCR低至0.05Ω。该电感通过优化铁氧体材料配方与绕线工艺，使ADAS系统EMI滤波效率提升70%，同时支持-55℃~150℃宽温工作，为车载雷达、5G V2X通信模块及射频功放提供毫米级解决方案。这些新型片状电感采用陶瓷核心的绕线结构，具有有助于减少功率损耗、提升电路效率和功能性的特点。其高Q值可达80，电感范围从2至1000纳亨利（nH），DCR范围从30至2600毫欧，最大额定电流可达800毫安，工作温度范围为-55°C至+125°C。Bourns® CW2012A系列片状电感器现已上市，全系列均符合 RoHS* 标准。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/4/25 13:17:13
Vishay最新推出的27款标准型与TMBS®整流器，以行业最小的DFN33A封装（3.3mm x 3.3mm）实现突破性性能：标准整流器支持600V高压与6A电流，TMBS®系列更在60V-200V区间达成9A超高载流能力。独创的侧边焊盘设计提升焊接良率30%，全系通过AEC-Q101车规认证，为车载电源模块、工业变频器及5G基站设备提供高可靠性解决方案。DFN33A是Vishay Power DFN系列的最新封装尺寸，具有3.3 mm x 3.3 mm的紧凑尺寸，典型厚度低至0.88 mm，因此，日前发布的Vishay General Semiconductor整流器能够更有效地利用PCB空间。与传统SMB（DO-214AA）和eSMP®系列SMPA（DO-220AA）相比，封装尺寸分别减小44 %和20 %。此外，器件厚度比SMB（DO-214AA）和SMC薄2.6倍，比SMPA（DO-220AA）薄7 %。同时，整流器优化的铜质设计和芯片贴装技术保证了卓越的散热性能，可在更高的额定电流下工作。这些器件适用于低压、高频逆变器、DC/DC转换器、续流二极管、基带天线热插拔电路中的极性保护和轨到轨保护，以及交换机、路由器和光网设备的以太网供电（PoE）。对于这些应用，整流器可在高达+175 °C的高温下工作，同时，器件超低的正向压降和低漏电流提高了设计效率。DFN33A封装具有易于吸附焊锡的侧边焊盘，可进行自动光学检测（AOI），而无需进行X射线检测。 这些整流器非常适合自动贴装，根据J-STD-020标准，其湿度灵敏度（MSL）为1级，最高回流峰值温度达260 °C。这些器件符合RoHS规范，无卤素，其哑光镀锡引脚符合JESD 201 第二类晶须测试要求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，...
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2025/4/25 13:14:03
TA9210D是一款宽带12.5W GaN功率晶体管，覆盖30 MHz至2.7 GHz频带，单次匹配。TA9210D的可用频率高达4 GHz。输入和输出可以匹配，以获得所需频带的最佳功率和效率。TA9210D采用紧凑、低成本的四方扁平无引脚（QFN）3 x 6 x 0.75 mm、32引脚塑料封装。特性●800 MHz时的小信号增益：18 dB●800 MHz时的大信号增益：13.5 dB● PSAT@800MHz：41.5dBm● PAE@PSAT@800MHz：55%●28–32V典型操作●工作频率：30 MHz至4.0 GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全无线电●蜂窝基础设施●军用无线电引脚配置图
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2025/4/24 14:13:00
TA9110K是一种宽带GaN功率晶体管，能够在30 MHz至4.0 GHz频带内提供6 W CW。晶体管可以在较低的频率下使用，同时降低输出功率。输入和输出可以匹配，以获得所需频带的最佳功率和效率。TA9110K采用紧凑、低成本的四方扁平无引脚（QFN）3 x 3 x 0.75 mm、16引脚塑料封装。特性●1000 MHz时的小信号增益：17 dB●1000 MHz时的大信号增益：14 dB●1000 MHz时的PSAT：40 dBm●1000 MHz时PSAT的PAE:55%●28-32V典型操作●工作频率：30 MHz至4.0 GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全无线电●蜂窝基础设施●军用无线电
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2025/4/24 14:10:22
TSL8029N是一个单通道、集成射频、前端、多芯片模块，专为不同应用而设计。该设备的工作频率为2 GHz至5 GHz。TSL8029N配置有级联的两级GaAs LNA和GaN基SPDT开关。在高增益模式下，级联的两级LNA和开关在3.6 GHz下提供1.3 dB的低噪声系数和33 dB的高增益，在高增益状态下输出三阶截断点（OIP3）为33 dBm（典型值）。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路，在50mA的较低电流下提供14.5 dB的增益。在断电模式下，LNA关闭，设备汲取4 mA。在发射操作中，当RF输入连接到终端引脚（TX）时，开关在3.6GHz下提供0.5 dB的低插入损耗，并处理50 dBm的长期演进（LTE）平均功率（8 dB峰均比（标准杆数）），用于全寿命操作。该设备采用符合RoHS标准的紧凑型5毫米×5毫米32引脚QFN。特性两级LNA和GaN SPDT开关片上偏置和匹配单电源操作•3.6 GHz时的增益：33 dB[高增益模式]@3.6 GHz:14.5 dB[低增益模式]•3.6 GHz下的NF:1.4 dB[高增益模式]@3.6 GHz:1.3 dB[低增益模式]•3.6 GHz时的OP1dB:22 dBm[高增益模式]@3.6 GHz:12 dBm[低增益模式]•工作频率：2至5 GHz•3600 MHz时的插入损耗：0.5 dB[TX模式]•3.6 GHz下的开关隔离度：18 dB[RX HG模式]•3.6 GHz时的RX隔离度：53 dB[PD=BP=0 V]@3.6 GHz：42 dB[PD=BP=5 V]@3.6 GHz：38 dB[PD=0 V，BP=5 V]@3.6GHz:45dB[PD=5V&BP=0 V]•TCASE=105°C时的高功率处理全寿命•LTE平均功率[8 dB标准杆数]：50 dBm•...
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2025/4/24 14:01:59
TP0310K是一款功率低噪声放大器（LNA），可提供高增益和线性度。通过简单的输入和输出匹配，该LNA可以针对不同的频带进行调谐，目标是在0.03-3.8 GHz频带内实现低噪声、高功率和高线性。在1.85 GHz时，放大器通常提供16.5 dB增益、27.5 dBm OP1、+39 dBm OIP3和1.0 dB噪声系数，同时从+5 V电源汲取140-160 mA电流。TP0310K采用紧凑、低成本的双扁平无引线（QFN）3 x 3 x 0.8 mm、16针塑料封装。特性1850 MHz时的小信号增益：16.5 dBNF@1850MHz：1.0dBOP1dB@1850MHz：27.5 dBmOIP3dB@1850MHz：39dBm5V典型工作电压工作频率：0.03至3.8 GHz应用4G/5G基础设施无线电小细胞和细胞中继器L、S波段相控阵雷达军用/商用无线电SDARS天线
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2025/4/24 13:56:02
TL0302H是一款高增益、超低噪声放大器（LNA），可提供高增益和线性度。在上述频带内，该器件表现出1.4 dB的出色噪声系数和出色的增益平坦度。LNA在3.3V和15mA的典型偏置条件下运行。TL0302H在输入和输出端口内部匹配为50Ω。TL0302H采用紧凑、低成本的DFN 1.5 x 1.5 x 0.8 mm 6针塑料封装。特性●6.6 GHz时的小信号增益：13.6 dB●6.6 GHz时的噪声系数：1.4 dB●6.6 GHz时的IP1dB:0.5 dBm●3.3 V典型工作电压●工作频率：5.925至7.125 GHz应用●IEEE 802.11 b/g/a/n/ac Wi-Fi、WLAN●小型蜂窝和蜂窝中继器●4G基础设施无线电●相控阵雷达
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2025/4/24 13:51:46
TL0301H是一款高增益、超低噪声放大器（LNA），可提供高增益和线性度。在上述频带内，该器件表现出1.0 dB（SMA-SMA）的出色噪声系数，具有出色的增益平坦度。LNA在3.3V和15mA的典型偏置条件下运行。TL0301H在输入和输出端口内部匹配为50Ω。TL0301H采用紧凑、低成本的DFN 1.5x1.5x0.8mm 6针塑料封装。特性●5.5 GHz时的小信号增益：17.8 dB●5.5 GHz时的EVB NF:1 dB●5.5 GHz时的IP1dB:-4.5 dBm●3.3 V典型工作电压●工作频率：4.9至6.0 GHz应用●IEEE 802.11 b/g/a/n/ac Wi-Fi、WLAN●小型蜂窝和蜂窝中继器●4G基础设施无线电●相控阵雷达
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2025/4/24 13:46:50