TS86236P是第二代对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为高功率开关应用而设计。TS86236P覆盖30MHz至1000MHz带宽，在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS86236P是一款200W-CW开关，适用于需要低插入损耗、高隔离和高线性度的应用。TS86236P封装在紧凑的四方扁平无引脚（QFN）7x7mm 48引脚塑料封装中。特性•低插入损耗：0.08dB@30 MHz•高隔离度：30 MHz时为70 dB，1 GHz时为38 dB•200W连续波功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30 MHz至1400 MHz应用•私人移动和军用无线电•公共安全手机•蜂窝基础设施•LTE中继和微蜂窝•卫星终端
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2025/4/17 14:14:59
TS86246P是第二代对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为高功率开关应用而设计。TS86246P覆盖1MHz至600MHz带宽，在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS86246P是一款200W-CW开关，适用于需要低插入损耗、高隔离和高线性度的应用。TS86246P封装在紧凑的四方扁平无引脚（QFN）7x7mm 48引脚塑料封装中。特性•低插入损耗：0.08dB@1 MHz•高隔离度：1 MHz时为58 dB，30 MHz时为49 dB•200W连续波功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：1 MHz至1000 MHz应用•私人移动和战术高频无线电•公共安全高频手机•火腿收音机•MRI机器•机械继电器更换•高频天线调谐
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2025/4/17 13:57:08
TS8043N是第二代对称反射单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS8043N可以覆盖30M至1.0GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS8043N是一款出色的开关，适用于在小封装尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的所有应用。TS8043N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性•低插入损耗：0.37dB@1GHz•高隔离度：400MHz时为45dB，1GHz时为36dB•100W CW，200W峰值功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30MHz至1.0GHz应用•私人移动和军用无线电•公共安全手机•蜂窝基础设施•Small cells•LTE中继和微蜂窝•卫星终端
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2025/4/17 13:54:00
TS8023N是第二代对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS8023N可以覆盖30M至3.5GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS8023N是一款出色的开关，适用于所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小封装应用。TS8023N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性•低插入损耗：0.5dB@4GHz•高隔离度：1.0GHz时为42dB，3.5GHz时为27dB•100W CW，200W峰值功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30MHz至3.5GHz应用•私人移动和军用无线电•公共安全手机•蜂窝基础设施•小细胞•LTE中继和微蜂窝•卫星终端
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2025/4/17 13:49:41
TS8541L是一种对称反射单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS8541L在30MHz至3.0GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。部分也可以在30MHz以下使用，同时降低功率处理。TS8541L采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）4x4mm 32引脚塑料封装。特性●低插入损耗：800MHz时为0.25dB●高隔离度：800MHz时45dB●高线性功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●多功能2.6-5.5V电源应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●Small cells
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2025/4/17 13:44:59
TS8022L是第二代对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS8022L可以覆盖30M至6GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS8022L是一款出色的开关，适用于所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小封装应用。TS8022L采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）4x4mm 32引脚塑料封装。特性低插入损耗：0.5dB@4GHz高隔离度：0.8GHz时为42dB，4GHz时为20dB50W CW，125W峰值功率射频线路上没有外部隔直电容器所有射频端口均处于关闭状态多功能2.6-5.25V电源工作频率：30MHz至6GHz应用私人移动和军用无线电公共安全手机蜂窝基础设施小细胞LTE中继和微型蜂窝卫星终端
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2025/4/17 13:41:46
TS8021N是第二代对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS8021N可以覆盖30M至4GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS8021N是一款出色的开关，适用于所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小封装应用。TS8021N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性•低插入损耗：0.5dB@4GHz•高隔离度：0.8GHz时为42dB，4GHz时为20dB•50W CW，125W峰值功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30MHz至4GHz应用•私人移动和军用无线电•公共安全手机•蜂窝基础设施•小细胞•LTE中继和微蜂窝•卫星终端
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2025/4/17 13:36:53
TS8441L是一种对称反射单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS8441L在30MHz至4.0GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离和小封装尺寸内高线性的应用的优秀开关。TS8441L采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）4x4mm 32引脚塑料封装。特性•低插入损耗：800MHz时为0.2dB•高隔离度：800MHz时38dB•30W CW功率处理能力•射频线路上没有外部隔直电容器•工作频率：30MHz至4.0GHz•多功能2.6-5.25V电源应用•私人移动无线电手机•公共安全手机•蜂窝基础设施•小细胞•LTE中继和微蜂窝•卫星终端
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2025/4/17 13:32:33
TS8423K是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS8423K在30MHz至5.0GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离和小封装尺寸内高线性的应用的优秀开关。TS8423K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性•低插入损耗：800MHz时为0.2dB•高隔离度：800MHz时45dB•高CW功率处理能力20 W•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30MHz至5.0GHz应用•私人移动无线电手机•公共安全手机•蜂窝基础设施•小电池（3×3mm QFN封装）•LTE中继和微蜂窝•卫星终端
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2025/4/17 13:29:21
TS8242FK是一种对称反射单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS8242FK在30 MHz至5.0 GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离和小封装尺寸内高线性的应用的优秀开关。TS8242FK封装在紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装中。特性•低插入损耗：0.2@800MHz•低插入损耗：0.3@2700MHz•高隔离度：40@800MHz•高隔离度：25@2700MHz•40dBm CW，45dBm峰值功率•射频线路上没有外部隔直电容器•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30 MHz至5.0 GHz应用私人移动无线电手机公共安全手机蜂窝基础设施小细胞LTE中继和微蜂窝卫星终端
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2025/4/17 13:26:51
AD7739是一款高精度、高吞吐量模拟前端，可实现真16位峰－峰值分辨率及250 µs总转换时间（4 kHz通道切换），非常适合高分辨率多路复用应用。AD7739采用Σ-Δ架构，具有最高24位无失码性能。用户可通过简易数字接口对该器件进行配置，从而平衡噪声性能与数据吞吐量，实现最高15.4 kHz的转换速率。该模拟前端可配置为8个单端输入或4个全差分输入通道，输入范围包括单极性或双极性625 mV、1.25 V和2.5 V，以及从AGND+200 mV至AVDD-300 mV的共模输入电压。此款ADC支持按通道进行系统校准选项。数字串行接口可配置用于三线式操作，并且与微控制器和数字信号处理器兼容。所有接口输入均为施密特触发式。该器件的额定温度范围为扩展工业温度范围：–40°C至+105°C，采用24引脚TSSOP封装。特性• 高分辨率ADC：- 24位无失码- ±0.0015%非线性度• 优化快速通道开关：- 18位峰－峰值分辨率（21位有效位、500 Hz）- 16位峰－峰值分辨率（19位有效位、4 Hz）- 片内按通道系统校准• 可配置输入：8个单端输入或4个全差分输入应用PLC/DCS多路复用应用过程控制工业仪表
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2025/4/16 11:37:38
AD7940 是一款14位、快速、低功耗、逐次逼近型ADC，采用2.50 V至5.5 V 单电源供电，最高吞吐速率可达100 kSPS。该器件内置一个低噪声、宽带宽采样保持放大器，可处理7 MHz以上的输入频率。 转换过程和数据采集过程通过/CS和串行时钟进行控制，从而为器件与微处理器或DSP接口创造了条件。输入信号在 的下降沿进行采样，而转换同时在此处启动。该器件无流水线延迟。AD7940 采用先进的设计技术，可在高吞吐速率的情况下实现极低的功耗。该器件基准电压从 VDD获得，从而为ADC提供最宽的动态输入范围；因此，其模拟输入范围为 0V 至 VDD。转换速率取决于SCLK频率。 该器件具有一个标准逐次逼近型ADC，通过CS输入和一次性转换控制可实现对采样时间的精确控制。特性• 高吞吐速率：100 kSPS• 额定电压（V DD）：2.5 V至5.5V• 低功耗：- 4 mW（典型值，100 kSPS、3 V电源）- 17 mW（典型值，100 kSPS、5 V电源）• 宽输入带宽：信噪比81 dB（10 kHz输入频率）• 灵活的功耗/串行时钟速度管理应用电池供电系统个人数字助理医疗器械移动通信仪表和控制系统远程数据采集系统
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2025/4/16 11:31:17
uPFC IR1155功率因数校正IC基于IR专有的“单周期控制”（OCC）技术，提供高PF、低THD和出色的直流母线调节，同时与传统解决方案相比，可以大幅减少元件数量、PCB面积和设计时间。该IC设计用于在连续导通模式下运行Boost PFC转换器，在85-264VAC输入线电压范围内具有平均电流模式控制。根据具体应用要求，开关频率可编程为48kHz至200kHz之间的任何频率。此外，IR1155还提供了几种先进的系统启用和保护功能，如用于过压保护的专用引脚、逐周期峰值电流限制、开环保护、Vcc UVLO、软启动和IC电流消耗小于200μA的微电源启动/睡眠模式。通过将OVP/EN引脚拉低来调用睡眠模式，可以满足能源之星、绿色电力、蓝色天使等法规规定的待机电源要求。具备的优势:• PFC IC 具有 IR 专有“单周期控制”• 临界传导模式升压型 PFC• 可编程开关频率(50k-200kHz)• 平均电流模式控制• 输入过电压保护• 开路保护• 逐周期峰值电流限制• VCC 欠压锁定• 可编程软启动• 微功率启动• 用户发起式微功率“睡眠模式”• OVP/EN 引脚内部滤波，抗噪声能力更强• 1.5A 峰值栅极驱动• 锁定抗扰度和 ESD 保护常见的应用• PFC
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2025/4/16 11:12:55
ADA4571是一款各向异性磁阻(AMR)传感器，集成了信号调理放大器和ADC驱动器。 ADA4571产生两路模拟输出，指示周围磁场的角位置。ADA4571在一个封装内集成两个芯片，即一个AMR传感器和一个固定增益（标称值G = 40）仪表放大器。 ADA4571可提供有关旋转磁场角度的干净且经过放大的余弦和正弦输出信号。 输出电压范围与电源电压成比例。传感器含有两个互成45°角的惠斯登电桥。 x-y传感器平面的旋转磁场提供两路正弦输出去信号，且传感器与磁场方向的角度(α)频率翻倍。 在x-y平面的均质场内，输出信号与z方向（气隙）的物理位置无关。ADA4571采用8引脚SOIC封装。特性• 180°角度高精度• 最大角误差为0.5°• 模拟正弦和余弦输出• 比例输出电压• 热漂移与寿命漂移小• 可驱动SAR或Σ-Δ型模数转换器(ADC)• 磁阻(MR)电桥温度补偿模式应用• 绝对位置测量（线性和角度）• 无刷直流电机控制与定位• 执行器控制与定位• 非接触式角度测量与检测• 磁性角位置检测
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2025/4/16 11:09:54
TMS3705 应答器基站 IC 用于驱动 TI-RFid 应答器系统的天线，以发送对天线信号调制的数据以及检测和解调应答器的响应。应答器的响应是一种移频键控 (FSK) 信号。高位和低位被编码到两个不同的高频率信号中（额定条件下，低位编码到 134.2kHz，高位编码到 123kHz）。应答器会根据内部存储的代码感应天线线圈中的这些信号。应答器发送数据时所需的能量存储在应答器的充电电容器中。天线场会在此前的充电阶段为此电容器充电。此 IC 有一个可连接外部微控制器的接口。共有两种适用于微控制器和基站 IC 的时钟供应配置：基站 IC 具有一个片上 PLL，此 PLL 只会为内部时钟供给产生 16MHz 的时钟频率。特性• 适用于 TI-RFid ™射频识别系统的基站 IC• 驱动天线• 向天线发送调制数据• 检测并解调应答器响应 (FSK)• 短路保护• 诊断• 睡眠模式电源电流：0.2mA• 旨在满足汽车要求• 16 引脚 SOIC (D) 封装应用• 汽车门禁• 汽车防盗• 楼宇门禁• 牲畜信息读取器
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2025/4/16 11:03:41
Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，宣布推出全新CWF1610A、CWF1612A 和 CWF2012A 系列车规级片式电感。这三款符合 AEC-Q200 标准的电感产品，具备高电感值、高电流处理能力及高自谐振频率，并采用小型化封装设计。凭借其优异的高频功率处理与滤波效能，这些新系列电感非常适合应用于射频讯号处理、谐振电路、去耦、噪声滤波，以及多种汽车、电源、音频与行动装置设计中的低电流 DC 电源线，为电源转换提供优质解决方案。Bourns® CWF1610A、CWF1612A 和 CWF2012A 系列均采用铁氧体磁芯绕线结构，实现低阻抗与优异的宽带噪声滤波效能。以 CWF1610A 系列为例，其饱和电流范围为 200 mA 至 1700 mA，额定电流则为 200 至 1400 mA，并具备 -55 至 +125 °C 的宽广工作温度范围，满足各种严苛应用环境的需求。Bourns® CWF1610A、CWF1612A 和 CWF2012A 系列片状电感器现已上市，全系列均符合 RoHS* 标准且为无卤产品**，现可透过业经 Bourns 授权的代理商伙伴订购。*RoHS 指令 2015/863 之 2015 年 3 月 31 日和附件。**Bourns 产品符合“无卤”要求前提 (a) 溴含量少于等于 900 ppm (b) 氯含量少于等于 900 ppm，并且 (c) 溴与氯的 含量总和少于等于 1500 ppm。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/4/16 10:58:30
MNA-3A+是一款基于PHEMT的宽带MMIC放大器，具有高有源指向性。MNA将整个匹配网络和封装内的大部分偏置电路集成在一起，减少了对复杂外部电路的需求。这种方法使MNA放大器的使用非常简单。该设计在单个2.8至5V电源上运行，与50Ω匹配良好，采用小巧、薄型的3x3mm 8引脚MCLP封装，可容纳密集的电路板布局。规格参数工作频率:500 MHz to 2.5 GHz工作电源电压:2.8 V to 5 V工作电源电流:34.3 mA增益:15.5 dBNF—噪声系数:4.1 dB类型:Gain Block Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MCLP-8技术:SiP1dB - 压缩点:9.5 dBmOIP3 - 三阶截点:21 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:MNA封装:Reel封装:Cut Tape输入返回损失:14.2 dB通道数量:1 ChannelPd-功率耗散:650 mW产品类型:RF Amplifier特性集成匹配、直流块和偏置电路高指向性，典型值为16-25dB。工作电压超过2.8-5V电源电压选择，2.8V至5V微型尺寸.120“X.120”射频输入和输出端的内部直流阻断输出功率，典型值高达+11.6dBm。可水洗应用缓冲放大器蜂窝PCN通信卫星防御尺寸图
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2025/4/15 14:20:40
MNA-6W+是一款基于PHEMT的宽带MMIC放大器，具有高有源指向性。MNA将整个匹配网络和封装内的大部分偏置电路集成在一起，减少了对复杂外部电路的需求。这种方法使MNA放大器的使用非常简单。该设计在单个2.8至5V电源上运行，与50Ω匹配良好，采用小巧、薄型的3x3mm 8引脚MCLP封装，可容纳密集的电路板布局。规格参数工作频率:500 MHz to 5.5 GHz工作电源电压:2.8 V to 5 V工作电源电流:99 mA增益:10.7 dBNF—噪声系数:4.4 dB类型:Low Noise Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MCLP-8技术:SiP1dB - 压缩点:15.4 dBmOIP3 - 三阶截点:27.6 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:MNA封装:Reel电源电压-最大:5 V电源电压-最小:2.8 V特性集成匹配、直流块和偏置电路高指向性，典型值13-22dB。出色的主动指向性工作电压超过2.8-5V电源电压选择，2.8V至5V微型尺寸.120“X.120”射频输入和输出端的内部直流阻断低噪声系数，典型值为2.7 dB。2 GHz输出功率，典型值高达+20 dBm。可水洗应用缓冲放大器蜂窝PCN通信卫星防御尺寸图
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2025/4/15 14:16:15