Mini-Circuits的HFCU-223+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为22.8至39 GHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了2.7 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1812陶瓷封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:High Pass Filters频率:39 GHz频率范围:22.8 GHz to 39 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C系列:HFCU封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:2.7 dB安装:Board Mount特性典型低插入损耗。2.7分贝阻带抑制，典型。50分贝典型通带回波损耗。19分贝1812表面安装占地面积功率处理：7 W应用测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统5G MIMO和回程无线电尺寸图
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2025/2/25 13:43:01
Mini-Circuits的ZABT-250W-63+是一种同轴偏置三通，为420至6000 MHz的非常宽的频率范围内的应用提供高功率处理和低插入损耗。它提供45 dB的典型DC-RF隔离，并在直流输入端处理高达4.5A的直流电流。该型号具有坚固的结构，带有N型/SMA连接器。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Bias Tees频率:6 GHz频率范围:420 MHz to 6 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:N-Type, SMA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:ZABT封装:Tray商标:Mini-Circuits介入损耗:0.3 dB安装:Connector特性宽带，420至6000 MHz高功率处理，250 W低插入损耗，典型值为0.1 dB尺寸图
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2025/2/25 13:38:02
Mini-Circuits的BPF-BY250+是一种集总LC滤波器，具有良好的插入损耗和高抑制能力。该带通滤波器覆盖150至350MHz。该滤波器具有高Q电容器和电感器，以实现低插入损耗。它在生产批次中具有可重复的性能。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Bandpass Filters频率:350 MHz频率范围:150 MHz to 350 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:BPF封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:1.5 dB安装:Board Mount特性低插入损耗，典型值1.5 dB回波损耗，典型值18 dB阻带抑制，典型值55 dB微型屏蔽封装应用测试与测量发射机/接收机谐波抑制尺寸图
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2025/2/25 13:32:06
Mini-Circuits的表面贴装薄膜滤波器通过氧化铝基板上的薄膜实现了低插入损耗和高抑制，使用溅射工艺可以保证增强的Q值和可重复的性能。低通、高通和带通表面贴装薄膜设计可以通过该技术以小尺寸实现高达40GHz的频率，帮助客户实现其SWaP目标。ALF-12000+滤波器规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Low Pass Filters频率:12 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C系列:ALF封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:0.5 dB安装:Board Mount特性典型值为0.5 dB的低通带插入损耗47 dB典型值的高抑制典型值为17 dB的良好回波损耗小尺寸，5.59 x 8.13 x 2.03毫米应用电信和宽带无线系统军事应用卫星通信调制解调器测试和测量尺寸图
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2025/2/25 13:27:01
TDK株式会社隆重推出爱普科斯 (EPCOS) B3291xH/J4系列X1电容器。该元件专为要求严格的汽车和工业场景中的电源线电磁干扰 (EMI) 滤波应用而设计，额定交流电压最高达480 V。新的X1电容器具有优异的抗环境干扰能力，能耐受高湿度，非常适用于光伏逆变器和电动汽车车载充电器 (OBC) 等暴露于恶劣环境条件的场合。该系列产品能持续承受1000 V的直流电压，是适合高压电动汽车平台中直流电磁兼容性 (EMC) 的针对性解决方案。该系列X1电容器通过了，温度+85 °C、相对湿度为85%，电压380 V (AC) 和1000 V (DC) 的条件的1000小时高温高湿试验 (THB)，且最高工作温度可达+110 °C。该系列电容器还具有自愈特性，覆盖15 nF到10.0 µF的电容值范围，结构紧凑，尺寸从18.0 x 10.5 x 5.0 mm到57.5 x 57 x 45 mm不等，具体视电容值而定。其引线间距在15 mm到52.5 mm之间，其中较大型号配备4个引脚来增强安装在PCB板上的机械稳定性。该系列元件通过ENEC、UL和CSA标准认证。特性和应用主要应用汽车和工业场景中的EMI抑制应用X1子类（符合IEC 60384-14）跨线应用（火线到零线）适用于恶劣工况高压直流电磁干扰抑制主要特点和优势高额定电压：480 V (AC)，1000 V (DC)THB IIB等级（参照IEC 60384-14:2013 AMD:2016）气候类别 (IEC 60068-1)：40/110/56最高工作温度：+110 °C尺寸小巧符合AEC-Q200 rev. E标准免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/2/25 13:19:36
ATMXT3072M1和ATMXT2496M1单芯片触摸屏控制器可为汽车显示屏（包括新兴 OLED 和 microLED 技术）带来可靠、安全的触摸检测功能随着汽车制造商通过集成大尺寸显示屏及OLED（有机发光二极管）、microLED等新兴技术打造智能座舱，寻求将功能性与品牌标识完美融合，如何在更薄堆叠结构与更多触控电极下实现可靠电容触控成为关键挑战。为此，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出ATMXT3072M1与ATMXT2496M1触摸屏控制器系列器件，为汽车人机接口（HMI）设计提供可靠解决方案。这两款单芯片触摸屏控制器具有多达 112 个可重新配置的触摸通道（或超宽模式下的 162 个等效触摸通道），可支持16:9格式下最大20英寸和7:1格式下最大34英寸的大尺寸、曲面及各种形状的触摸屏。大尺寸薄型显示屏，如On-cell OLED，嵌入的触摸电极具有更高的电容负载和更强的显示噪声耦合，从而增加了误触或漏触检测的风险。作为maXTouch®触摸屏控制器系列的一部分，新器件采用Microchip专有的Smart Mutual触摸采集方法和算法，与上一代产品相比，触摸信噪比 （SNR)）最多可提高15 dB。Microchip负责人机接口部的高级副总裁Patrick Johnson表示：“汽车驾驶舱显示屏的尺寸和外观会极大地影响买家对汽车技术的看法，但将可靠的触摸功能集成到显示器会带来巨大的挑战。我们的ATMXT3072M1和ATMXT2496M1触摸屏控制器通过创新的感应算法解决了这些难题，实现了快速可靠的触摸性能。这使汽车制造商能够设计出、视觉效果极佳和用户友好的界面，从而提升驾驶体验和车辆安全性。”ATMXT3072M1和ATMXT2496M1控制器的设计符合ASIL-A和B标准，基于Microchip的 ISO2...
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2025/2/25 13:16:13
三星在国际固态电路会议（ISSCC）上推出LPDDR5规范的又一次扩展，将数据传输速率提高到12700MT/s (12.7GT/s)。为了提高速度，三星必须在其DRAM芯片中添加四相自校准和交流耦合收发器均衡，并将其称为LPDDR5-Ultra-Pro DRAM。三星速度最快的LPDDR5X数据传输率为12700MT/s，是一款16Gb内存IC，采用该公司第五代10nm级DRAM工艺制造，行业标准电压为1.05V。LPDDR5规范于2019年推出，计划将数据传输速率扩展到6400MT/s。2021年，JEDEC发布该规范的扩展版本LPDDR5X，将速度提高到8533MT/s。但这对于至少部分LPDDR5X用户来说还不够，因此美光、三星和SK海力士在2023年将LPDDR5X的数据传输率进一步提高到9600MT/s，然后三星在2024年跟进10700MT/s（尚未出货）。现在，三星又迈出一步，推出数据传输率为12700MT/s的LPDDR5-Ultra-Pro内存。要实现如此极端的数据传输率，三星需要实现四相自校准环路和交流耦合收发器均衡。这两个功能未在LPDDR5X规范中定义，是供应商特定的电路级设计技术，用于满足或超过官方JEDEC LPDDR5X数据速率和功率要求。根据该公司测量，在最高速率12700MT/s下，三星的LPDDR5-Ultra-Pro DRAM内存芯片在1.05V下可靠运行。根据三星进行的测量，即使在10700MT/s下，它也能在0.9V以上保持稳定性。峰值速度下的读取和写入裕量分别为0.71和0.68个单位间隔，表明信号完整性强。这些值证实了三星校准和均衡技术的有效性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/2/25 13:13:18
Mini-Circuits的TPHKI-3002+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）50欧姆传输线，插入损耗低至1.3 dB，通常高达30 GHz。在没有相同外壳样式的LTCC滤波器NM3237的情况下，这可以用作系统板中的占位符。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Thru-Lines频率:30 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C系列:TPHKI封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:1.3 dB特性带集成插入板的LTCC直通线回波损耗，典型值≥8 dB至30 GHz小尺寸，4.95毫米x 3.65毫米屏蔽结构应用测试和测量设备航空航天和国防信号调节电子战、雷达和电子对抗防御系统5G MIMO和回程无线电卫星通信尺寸图
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2025/2/24 14:22:32
BFHKI-3142+是一款微型低温共烧陶瓷（LTCC）超高阻带抑制带通滤波器，通带为28至36 GHz，支持多种应用。当安装在共面波导布局上时，该模型实现了高达67 GHz的30 dB典型阻带抑制。该滤波器采用4.95毫米乘3.65毫米的小型陶瓷外形，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。BFHKI系列集成了插入板，可以使用自动化制造设备安装到PCB布局上。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了2.8 dB的典型插入损耗。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。规格参数品类型:Signal Conditioning产品:Bandpass Filters频率:36 GHz频率范围:28 GHz to 36 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C系列:BFHKI封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Mini-Circuits介入损耗:2.8 dB特性带集成插入板的LTCC带通滤波器典型宽阻带抑制。30 dB至67 GHz小尺寸，4.95毫米x 3.65毫米屏蔽结构应用测试和测量设备航空航天和国防信号调节尺寸图
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2025/2/24 14:13:00
Mini-Circuits的HFCN-3052+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为30.5至56.2 GHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了1.7 dB的典型插入损耗。该滤波器采用微小的1206陶瓷外形，非常适合密集的信号链PCB布局，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:High Pass Filters频率:56.2 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C系列:HFCN封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:2.5 dB安装:Board Mount特性通带，30.5至56.2 GHz典型低插入损耗。1.7分贝典型回波损耗。14.1分贝阻带抑制，典型。21.4分贝功率处理，1 W小尺寸，1206表面安装占地面积应用测试和测量设备卫星通信5G毫米波无线电系统尺寸图
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2025/2/24 14:07:21
ZLFV-K1552+是一款内置宽带连接器封装的50Ω低通滤波器。这些单元覆盖DC-15.5 GHz带宽，在通带内提供良好的匹配，在阻带内具有良好的抑制性能。ZLFV-K1552+具有低插入损耗和良好的功率处理能力。它可处理高达6.5W的射频输入功率，并提供-55°C至125°C的宽工作温度范围。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Low Pass Filters频率:15.5 GHz频率范围:0 Hz to 15.5 GHz带宽:DC to 15.5 GHz阻抗:50 Ohms端接类型:2.92 mm最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C系列:ZLFV封装:Tray商标:Mini-Circuits介入损耗:2 dB安装:Connector特性低插入损耗，典型值为1.4 dB。回波损耗，典型值15dB。阻带抑制，典型值45dB。宽带连接包。功率处理：6.5瓦。应用测试和测量设备。5G MIMO和回程无线电系统。电子战、雷达和电子对抗防御系统尺寸图
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2025/2/24 14:01:01
Mini-Circuits的ZTDAT系列多通道可编程衰减器系统非常适合各种信号电平控制应用，包括传输损耗模拟、信号衰落和MIMO测量。ZTDAT-4-18G63S的工作频率为100 MHz至18 GHz，4个双向衰减器通道之间的隔离度通常大于95 dB。每个通道都可以在0到63 dB的衰减范围内独立控制，分辨率为0.25 dB。该系统安装在一个紧凑的1U高19英寸机架式机箱中，前面板上有SMA母连接器，后面板上有电源和控制连接。该系统可以通过USB或以太网（支持HTTP和Telnet协议）进行控制。特性超宽的频率覆盖范围，高达18 GHz4个独立可编程通道每信道0-63 dB衰减，步长为0.25 dB配置自动扫描、跳频和衰落序列方便的机架式机箱以太网和USB控制应用台式和机架式自动化测试系统5G、FR1和FR3、WiFi 6E MIMO、UWB、蓝牙军用无线电、雷达和电子战微波无线电和蜂窝基础设施传输损耗、信号衰落和蜂窝切换测试尺寸图
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2025/2/24 13:53:25
Mini-Circuits面板安装结构可在复杂的大容量测试设置中对电缆线路和连接进行干净、有序的管理。多个连接器适配器、功率分配器、定向耦合器和其他重要的射频组件和测试配件可以有效地集成在测试系统中。可根据要求提供自定义配置。ZT-394是一种机架安装的16路分路器/合路器，只需要1U的机架空间。600-6000MHz的宽工作带宽覆盖了蜂窝和卫星通信信号频率的关键部分，具有低插入损耗和端口之间的高隔离度。SMA连接器的方向支持机架内的直通连接，前面板上的端口1-16和可从后部访问的总端口。特性机架式射频分路器/合路器面板1U机架空间内的16路分流器直列式连接器配置宽带宽应用生产测试设置卫星通信信号分配蜂窝测试应用5G FR1、蓝牙和WiFi信号分配尺寸图
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2025/2/24 13:48:37
Mini-Circuits的ZK-MSP2TA-18是一款超可靠的机电SPDT开关，工作在从直流到18 GHz的宽频带上，具有高隔离度和低插入损耗。该开关具有吸收性和故障安全性，在指定规格范围内使用时，具有先断后合的配置和500万次开关循环的寿命。所有射频连接（SMA母头）都方便地组合在开关的前部。通过TTL电压电平进行简单控制，可以与各种微控制器、嵌入式或定制系统集成，而无需从PC进行USB或以太网控制的额外复杂性。TTL控制输入和+24V DC电源连接通过开关后部的单个3针PCB接头连接器访问。包装后部还包括一个LED指示器，可以方便地直观地读取当前的开关状态。当开关集成到最终产品中时，LED光管连接器允许指示器布线到任何需要的地方。特性机械SPDT吸收开关TTL接口，用于简单的控制集成故障安全/冗余切换LED开关状态指示灯高度隔离低插入损耗应用射频信号路由/开关矩阵自动化测试和测量系统5G FR1、WiFi 6E、UWB、蓝牙军用无线电、雷达和电子战谐波测试尺寸图
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2025/2/24 13:42:23
PAT-3+是Mini-Circuits的一款固定衰减器，其工作频率最小0MHz，最大7000MHz，符合ROHS标准，微型，陶瓷，外壳AF320，4针。规格参数衰减:0.9 dB最大频率:7 GHz阻抗:50 Ohms通道数量:1 Channel最大 VSWR:1.4商标:Mini-Circuits最大工作温度:+ 100 C最小频率:DC最小工作温度:- 55 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape功率额定值:1 W点击购买：PAT-3+特性•宽带，直流至7000 MHz•在整个频带内具有出色的VSWR•微型尺寸•可水洗应用•功率均衡•阻抗匹配改善尺寸图
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2025/2/24 13:35:48
近日，纳芯微推出了集成聚磁片（IMC）的汽车角度传感器芯片MT652x系列。该系列芯片具备卓越的多平面角度位置与线性位移检测能力，并符合AEC-Q100 Grade-0车规等级及ISO26262 ASIL B功能安全标准，确保每一次位置变化的测量都精准无误。MT652x系列芯片为汽车油门踏板、方向盘转角、电子换挡器以及各类阀控系统等关键部件提供实时、可靠的位置信息，助力整车操控系统实现更为精细的调校，提升驾驶的安全性与舒适性。精准多维检测，提升多场景检测效率MT652x系列芯片突破传统2D位置传感器方案的局限，内置两对互成90°布局的水平霍尔阵列及聚磁片，可沿X、Y、Z三轴精准测量磁场分量。得益于灵活的型号配置，MT652x系列能够实现对XY、XZ以及YZ平面磁场变化的精准检测，从而精确测量线性位移和旋转位置。相比传统上需要多颗器件协同工作的方案，MT652x系列将多维检测功能高度集成于单一芯片，在显著提升系统集成度的同时，优化多场景检测效率，为汽车电子系统提供更简洁、高效的解决方案。高精度高可靠，满足严苛应用需求MT652x系列芯片以卓越的性能和可靠性，能够从容应对各种严苛应用环境的考验。其精心设计的宽工作电压范围（4.5～5.5V）、高耐压能力（-14V～20V）以及宽工作温度范围（-40～150℃），确保在多种严苛应用环境中的稳定运行，为系统可靠性保驾护航。同时，MT652x系列凭借优异的系统匹配度和成本控制优势，为用户提供高性价比的解决方案，满足汽车电子系统对高性能、高可靠性的严苛需求。MT652x系列芯片以卓越的测量精度，为系统提供可靠的位置信息保障。其出厂积分非线性误差严格控制在±1°以内，微分非线性误差更是低至±0.01°，角度噪声仅为0.03°rms。这些优异的性能指标确保MT652x系列在各种复杂...
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2025/2/24 13:27:49
随着DeepSeek在国内各类应用上的大规模使用，将直接刺激业界对于大容量DRAM芯片需求，尤其DeepSeek在AI领域的突破，不仅降低了技术门槛，亦可能间接助力国产DRAM竞争力提升。机构表示，随着中国政府在数据标记（Data Labeling）、设备投资及产业扶持政策上的全面支持，中国AI与半导体产业的竞争力将在未来两年内显著提升，以成本来看，2024年第1季韩国DRAM每Gb生产成本约0.23美元，中国DRAM厂商则可将成本压低至0.20美元。随着技术升级与量产规模的扩大，固定成本将进一步降低，使中国DRAM厂在全球市场中更具竞争力。同时，国内内存大厂正积极扩建产能，预计未来两年将显著提升市占率，并减少对进口技术的依赖。机构预期，2025至2026年将是中国半导体产业关键时期，设备供应仍是中国半导体发展最大的挑战。不过北方华创的低温蚀刻技术已成功应用于276层NAND闪存芯片，计划未来两年内扩大使用更多国产设备，降低对外部供应的依赖。随着AI应用需求的快速成长，从自动驾驶、智慧制造到生成式AI应用，中国的存储与半导体供应链将扮演更加关键的角色。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/2/24 13:25:28
近日，据报道三星电子的4nm制程良率已经提升至近80%，并已陆续接到来自中国企业的ASIC代工订单。报道指出，三星电子在制程连续遭遇商业困境后，新管理层对制程战略进行了调整，不再与台积电展开“纳米竞赛”，而是将重心转向以可靠良率赢得客户信任，确保从非最前沿节点获得稳定收益，以实现代工业务的经济可持续性。AI开发平台DeepSeek近期的火爆，提升了中国科技企业开发AI ASIC的热情，而三星电子制程的价格和产能优势，在这波行情下成为吸引下单的重要动力。业内人士预测，三星电子在吸取3nm节点的经验教训后，将在实现更高的良率水平后，再推动2nm制程的真正量产。三星电子一直在半导体制程技术方面与台积电竞争，但近年来在高端制程方面的竞争压力加大。此次三星电子4nm制程良率的提升，不仅有助于提高其在半导体市场的竞争力，也为其在未来2nm制程量产方面打下了的基础。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/2/24 13:23:43