LFCN-900+是Mini-Circuits的一款陶瓷LPF滤波器芯片，最小7节，最大7节，其中心或截止频率（fo/fc）为1075MHz，符合ROHS标准，陶瓷，外壳FV1206，4针。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Low Pass Filters频率:DC to 850 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:1206 (3216 metric)最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C系列:LFCN封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:1.3 dB单位重量:324.450 mg特性出色的功率处理能力，10W尺寸小7节温度稳定LTCC结构阻带抑制，典型值45-50dB应用谐波抑制VHF/UHF发射机/接收机实验室使用尺寸图
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2025/3/21 13:58:34
BFCN-1855+LTCC带通滤波器由12层构成，以实现微型尺寸和高性能重复性。环绕式端子可最大限度地减少寄生效应引起的性能变化。这些单元覆盖1855 MHz±65 MHz，具有低插入损耗和良好的抑制性能。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Bandpass Filters频率:1.855 GHz带宽:130 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:FV1206最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C系列:BFCN封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits介入损耗:3 dB特性•体积小•温度稳定•密封•LTCC结构应用•谐波抑制•发射器/接收器尺寸图
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2025/3/21 13:53:22
Mini-Circuits的M3SWA2-34DR+是一款GaAs MMIC SPDT吸收开关，其内部驱动器专为直流至30 GHz的宽带操作而设计。该开关能够在宽频率范围内实现快速、纳秒级的切换，同时将栅极滞后效应降至最低。该型号具有出色的隔离性、高线性度，能够承受+27 dBm的射频输入功率。它采用3x3 mm QFN风格的小型封装，便于集成到紧凑的组件中。规格参数开关配置:SPDT最大频率:30 GHz介入损耗:2.2 dB最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-16系列:M3SWA2封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits高控制电压:1.8 V to 3.6 V开关数量:Dual工作电源电流:2.7 mAPd-功率耗散:430 mW特性宽带，直流至30 GHz典型低插入损耗。1.0分贝高隔离，典型。65分贝高输入IP3，典型+48 dBm快速上升/下降时间，典型值。6.9纳秒/7.1纳秒3x3 mm，16引脚QFN型封装应用雷达、电子战和电子对抗防御系统通信基础设施测试和测量尺寸配置
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2025/3/21 13:47:10
PSA-8A+是一款基于HBT的宽带低噪声MMIC放大器，具有高增益和低电流特性。该设计在单个5V电源上运行，与50欧姆匹配良好，采用SOT-363封装，可适应密集的电路板布局。规格参数工作频率:0 Hz to 4 GHz工作电源电压:5 V工作电源电流:36 mA增益:11.2 dBNF—噪声系数:4.8 dB类型:Low Noise Amplifiers安装风格:SMD/SMT技术:SiP1dB - 压缩点:3.1 dBmOIP3 - 三阶截点:11.3 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:PSA封装:Reel封装:Cut Tape单位重量:1.628 g特性宽带，直流至4 GHz高增益，典型值31dB。0.1GHz典型低NF 3.0 dB。0.1GHz低电流，典型值36mA应用蜂窝PCS通信接收器和发射器卫星通信军事尺寸图
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2025/3/21 13:41:04
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司扩展旗下XDP™ 数字保护产品系列，推出 XDP711-001。这是一款拥有 48 V 宽输入电压范围的数字热插拔控制器，具备可编程安全操作区域（SOA）控制且专为高功率 AI 服务器设计。该控制器拥有出色的输入及输出电压监控与报告功能，精度达 ≤0.4%，还有系统输入电流监控与报告功能，在全 ADC 范围内精度达≤0.75% ，可提升系统的故障检测和报告准确性。XDP711-001热插拔控制器采用脉冲 SOA 电流控制技术，即使在未采用最佳场效晶体管（FET）的系统中也能实现更安全的开启，从而降低系统物料（BOM）成本。这一XDP™产品系列的新成员专为驱动多个并联 MOSFET而设计，支持高功率设计这一AI服务器的关键需求。XDP711-001 采用三区块架构，该架构结合用于监控和故障检测的高精度遥测技术、针对功率MOSFET优化的数位 SOA 控制，以及能够驱动最多8个N型功率 MOSFET的高电流整合式驱动器，支持4 kW、6 kW和8 kW电力传输板（PDB）设计。这款新型热插拔控制器可在 7 V 至 80 V宽输入电压范围内运行，并能承受高达100 V的瞬时电压长达500毫秒，提供 ≤1.15% 精度的输入功率监控和报告。它具备兼容高速 PMBus™的主动监控功能，可提升系统可靠性。在严重过电流（SOC）情况下，可编程栅极关闭功能可于短短1微秒内迅速且确实地执行关闭操作。其他功能包括 IMON、PMON 以及突波抗扰能力，能进一步提高系统可用性。此外，全数字操作模式能大幅减少外部组件需求，实现紧凑的解决方案，使其成为空间受限的设计中兼具成本效益的理想选择。通过外部FET选择和一次性可编程（OTP）选项，XDP711-001可针对各种使用模式，灵活进行故障和警告侦测，以及去抖动（de-glicth）定时器的程序...
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2025/3/21 13:24:36
为满足风电轨交、精密制造等可靠性要求严苛、性能优异的应用环境，金升阳推出了高端M系列导轨——LIMF120/240/480-23Bxx系列，该系列设计参考防爆认证，60℃可满载工作，提供5年质保，且兼具防盐雾、5G抗震、三防漆保护等优势，可适应各类应用工况，为客户系统提供稳定可靠的能量支持。一、产品优势如下 1）宽输入输出电压 ① 全球通用输入电压范围：85 - 277VAC/120 - 390VDC，支持305VAC/2H输入，可交直流两用； ② 输出可调范围宽，可有效解决长距离供电的线损问题。2）性能强大 ① 产品效率高达93%，高效环保，减少发热的同时提升了电源可靠性和使用寿命； ② 工作温度范围：-40℃ to +85℃，60℃可满载工作，适用于机房高温环境； ③ 满足1.5倍（3s）瞬态峰值功率，可与直流电机或其他大容性负载搭配使用； ④ 带PFC功能，DC OK，输出短路、过流、过压、过温保护。3）稳定可靠 ① 真空电镀外壳，基板双面三防漆、通过48h防盐雾测试，符合ANSI/ISA71.04-2013 G3等级防腐测试，可用于高污染环境； ② 通过双85验证测试，恶劣应用环境下可正常使用； ③ 符合5G振动测试标准，可有效避免振动环境导致的结构/焊接失效问题； ...
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2025/3/21 13:20:18
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布推出针对电动自行车、吸尘器、机器人和无人机等多种采用锂电池供电的消费产品推出锂电池组一站式管理解决方案——R-BMS F。得益于所提供的预验证固件，R-BMS F（具备固定固件的即用型电池管理系统）将显著缩短开发者的学习周期，助力其快速设计出安全、高效的电池管理系统。R-BMS F解决方案专为2-4节和3-10节串联（S）的锂离子电芯设计，包括瑞萨业界卓越的电量计IC（FGIC）、集成微控制器（MCU）和模拟电池前端、预编程固件、软件、开发工具及完整文档——所有这些都以完整的评估套件形式提供，现已准备发货。瑞萨于3月16日至20日，在美国佐治亚州亚特兰大举行的国际电力电子应用展览会（APEC）期间，在其展台（展位号#2021）上现场展示该全新电池管理系统（BMS）解决方案。预编程固件简化开发过程固件在电池管理系统中的作用至关重要，其负责监控电池的充电状态（SoC）、健康状态（SoH）、电流和温度，并主动平衡每个电芯的电压以及检测故障。然而在某些情况下，消费电子产品开发商可能因缺乏所需的高度专业化的知识，而难以开发出能够确保电池在安全温度范围内工作，并在多次充放电循环中保持足够使用寿命的控制算法。瑞萨的R-BMS F解决方案包括内置的预测试固件，可与FGIC的集成MCU配合使用。固件包含关键的预编程功能，可最大限度地延长电池寿命并确保安全运行：这些功能囊括电芯平衡、电流控制，以及电压和温度监控等。为进一步提升灵活性，电池管理系统允许开发者通过图形用户界面（GUI）设置众多参数，以满足特定要求，并针对不同的电芯化学成分调整解决方案，而无需全套的集成开发环境（IDE）。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/21 13:16:49
CMD182C4是一款紧凑型I/Q混频器，采用无引线表面贴装封装，可用作图像抑制混频器或单边带上变频器。CMD182C4采用两个双平衡混频器单元和一个90度混合单元。需要一个外部中频混合单元来完成镜像抑制。CMD182C4是高成本混合图像抑制混频器和单边带上变频器组件的一种更小的替代品。规格参数射频:6 GHz to 10 GHz转换损失——最大:9 dBLO频率:6 GHz to 10 GHz中频:DC to 3.5 GHz最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-24商标:Qorvo增益:- 6 dB封装:Reel封装:Cut Tape产品类型:RF Mixer特性•转换损耗低•高隔离度•图像抑制：30 dB•宽中频带宽•符合无铅RoHs标准的4x4mm SMT封装引脚配置
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2025/3/20 14:18:22
Qorvo TGA2524-SM是一款Ku波段GaAs功率放大器。TGA2524-SM的工作频率为11.3-16 GHz，采用Qorvo的功率pHEMT生产工艺设计。TGA2524-SM的典型增益为23dB，可以提供26.5 dBm的饱和输出功率和P1dB的26dBm。它是一个高线性部分，在每个音调输出8dBm时，输出TOI为37dBm。TGA2524-SM采用低成本、表面贴装16引脚3x3 QFN包覆成型封装，非常适合点对点无线电应用。规格参数工作频率:11.3 GHz to 16 GHz工作电源电压:5 V增益:23 dBNF—噪声系数:7 dB类型:Driver Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-16技术:GaAsP1dB - 压缩点:26 dBmOIP3 - 三阶截点:37 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 150 C系列:TGA2524封装:Reel封装:Cut Tape单位重量:57.100 mg特性•频率范围：11.3-16 GHz•峰值：26.5 dBm•P1dB:26 dBm•增益：23dB，具有良好的调节增益平坦度•OTOI:37 dBm，8 dBm磅/音•噪声系数：7 dB•偏压：Vd=5 V，Idq=320 mA，Vg=-0.52 V典型值•包装尺寸：3.0 x 3.0 x 0.85毫米应用•点对点无线电•Ku波段卫星通信引脚配置
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2025/3/20 14:09:41
QPA0363A是一款高性能SiGe HBT MMIC放大器。达林顿配置提供了高FT和优异的热性能。异质结增加了击穿电压，并最大限度地减少了结之间的漏电流。发射极结非线性的消除导致对互调产物的更高抑制。QPA0363A可以通过使用降压电阻器在各种电源电压下工作。两个隔直电容器、旁路电容器和一个可选的射频扼流圈完成了这个内部匹配的50欧姆设备运行所需的电路。QPA0363A采用符合行业标准的SOT-363封装组装，无铅且符合RoHS标准。规格参数工作频率:0 Hz to 5 GHz工作电源电压:2.5 V工作电源电流:11 mA增益:15.7 dBNF—噪声系数:2.85 dB类型:Gain Block Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-363-6技术:SiGeP1dB - 压缩点:1.7 dBmOIP3 - 三阶截点:16.5 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C系列:QPA0363封装:Reel封装:Cut Tape特性直流至5000 MHz运行单正电压电源低电流消耗：+5 V电源时为11 mA输出IP3:1950 MHz时典型值为+20 dBm噪声系数：1950 MHz时的典型值为2.85 dB坚固的1000V 1C级HBM ESD额定值无铅/RoHS兼容SOT-363封装应用蜂窝、PCS、GSM、UMTSPA驱动放大器中频/射频缓冲放大器无线数据、卫星引脚配置
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2025/3/20 14:05:25
RFSW6222是一种双极双掷（DPDT）开关，专为通用开关应用而设计。低插入损耗和出色的线性性能使RFSW6222成为滤波器或放大器旁路开关的理想选择。工作电源电压为2.4V至3.5V。控制逻辑与1.3V和2.7V系统兼容。2.0mm x 2.0mm尺寸的标准12针QFN封装是一种紧凑、易于使用的开关元件，可快速集成到多模式、多频带系统中。规格参数开关配置:DPDT最小频率:50 MHz最大频率:3.7 GHz介入损耗:0.29 dB关闭隔离—典型值:30 dB最小工作温度:- 30 C最大工作温度:+ 90 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-12技术:Si系列:RFSW6222封装:Reel封装:Cut Tape商标:Qorvo开发套件:RFSW6222PCK-410高控制电压:1.3 V to 2.7 V开关数量:Dual工作电源电流:90 uA特性•50–3700 MHz操作•低插入损耗：2700MHz时典型值为0.29dB•高端口间隔离度：2700MHz时为29dB•功率处理≤+35dBm•电流消耗极低•兼容1.3V至2.7V GPIO应用•过滤器切换•LNA旁路切换•天线切换•双单端配置•差分对配置引脚配置
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2025/3/20 13:53:40
QPC6014是一种绝缘体上硅（SOI）单极单掷（SPST）吸收开关，设计用于蜂窝、3G、LTE和其他高性能通信系统。它提供了高隔离度、出色的线性度和功率处理能力。射频端口上不需要隔直电容器。该设计是非反射性的，使得RF2端口在关闭状态下端接至50欧姆。QPC6014与+1.8 V正逻辑兼容。规格参数开关配置:SPST最小频率:5 MHz最大频率:6 GHz介入损耗:1.05 dB关闭隔离—典型值:43 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DFN-8技术:Si系列:QPC6014封装:Reel封装:Cut Tape商标:Qorvo单位重量:275 mg特性•5 MHz至6000 MHz操作•非反射性（RF2）•除非射频线上有电压，否则不需要阻断电容器•高隔离度：2 GHz时为53 dB•高输入IP3:+58 dBm•2 kV ESD•+1.8 V逻辑兼容应用•蜂窝、3G、LTE基础设施•高性能通信系统•测试设备引脚配置
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2025/3/20 13:46:38
QPA9122M是一款宽带、高增益和高线性度的驱动放大器。它在2.6GHz时提供36.5dB增益，峰值功率为27dBm P3dB。该放大器可以为高达200 MHz宽的5G NR信号的宽带信号提供良好的DPD线性性能，使其非常适合m-MIMO应用。QPA9122M在2.3-5.0 GHz的整个工作频带内与50Ω内部匹配，并通过VPD引脚具有关闭功能。QPA9122M还具有用于线性优化的外部偏置控制能力。QPA9122M采用16针3X3mm SMT封装，占用空间和引脚与QPA9120、QPA9121和QPA9122兼容。规格参数工作频率:2.3 GHz to 5 GHz工作电源电压:5 V工作电源电流:120 mA增益:36.5 dB安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LGA-16OIP3 - 三阶截点:27 dBm系列:QPA9122封装:Reel封装:Cut Tape商标:Qorvo特性•2.3–5.0 GHz工作频率•50Ω匹配射频输入和输出•+27 dBm P3dB•2.6 GHz时增益为36.5 dB•+5 V单电源，ICQ可调•直流电源关闭功能应用•5G m-MIMO•移动基础设施•通用无线•TDD/FDD系统引脚配置
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2025/3/20 13:42:00
CMD311P34是宽带GaAs MMIC分布式放大器，采用无引线3x4mm塑料表面贴装封装。放大器的工作范围为直流至20 GHz，在10 GHz时提供大于12 dB的增益，相应的输出1 dB压缩点为+11 dBm，噪声系数为2.5 dB。CMD311P34采用50欧姆匹配设计，无需进行射频端口匹配。规格参数工作频率:0 Hz to 20 GHz工作电源电压:5 V工作电源电流:40 mA增益:12 dBNF—噪声系数:2.5 dB类型:Driver Amplifiers安装风格:SMD/SMT技术:GaAsP1dB - 压缩点:11 dBmOIP3 - 三阶截点:22 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:CMD311封装:Reel封装:Cut Tape特性•宽带性能•低噪音系数•高线性•低电流消耗•无铅RoHs兼容3x4 QFN封装引脚配置
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2025/3/20 13:37:34
QPC8013Q是一款低损耗、高隔离度的SP4T开关，其性能针对LTE和分集应用进行了优化。QPC8013Q采用超紧凑的1.1mm x 1.9mm x 0.44mm、13针模块封装，可实现最小的解决方案尺寸，无需外部隔直电容器（当设备端口没有外部直流电时）。规格参数开关配置:SP4T最小频率:617 MHz最大频率:6 GHz介入损耗:0.55 dB关闭隔离—典型值:34 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT资格:AEC-Q100系列:QPC8013Q封装:Reel封装:Cut Tape商标:Qorvo特性符合AEC-Q100 3级标准•出色的插入损耗和隔离性能0.55dB典型IL，频带734dB典型隔离，频带7•617MHz至6GHz的多频带操作•兼容RFFE 2.0•紧凑型1.1mm x 1.9mm x 0.44mm，模块化封装•典型应用中不需要隔直电容器应用•汽车远程信息处理模块LTE和多样性应用引脚配置
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2025/3/20 13:31:28
CMD315C4是一款GaAs MMIC驱动放大器，采用无引线表面安装封装。CMD315C4非常适合需要小尺寸和高线性度的复杂通信系统。该设备在8 GHz时提供19.5 dB的增益，相应的输出1 dB压缩点为21 dBm，输出IP3为33 dBm。CMD315C4采用50欧姆匹配设计，无需外部直流模块和射频端口匹配。规格参数工作频率:4 GHz to 10 GHz工作电源电压:3 V to 5.5 V工作电源电流:143 mA增益:19.5 dBNF—噪声系数:5.5 dB类型:Driver Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-24技术:GaAsP1dB - 压缩点:21 dBmOIP3 - 三阶截点:33 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:CMD315封装:Reel封装:Cut Tape特性•高输出功率•高线性•单一正偏差•低电流消耗•符合无铅RoHs标准的4x4 Mm SMT封装引脚配置
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2025/3/20 13:27:38
美光科技在迎来台积电前董事长刘德音加入董事会后，近期与存储封测领域的领军企业力成达成了深度合作，大幅扩大了DRAM的委外封测订单。据悉，此次订单量激增了五成，直接推动了力成产能利用率的显著提升。力成对未来的市场前景持乐观态度，并预计存储市场在第二季度将迎来复苏。力成董事长蔡笃恭表示，公司将持续增加在AI相关技术和HBM封测领域的投入，以扩大订单量。美光科技在台湾的投资已满30周年，据统计，截至2024年，美光在台湾的投资额已累计超过1.1万亿元新台币，成为台湾最大的外商投资企业。美光与供应链伙伴建立了紧密的合作关系，并积极发展HBM技术，与SK海力士、三星等巨头共同抢占市场商机。有消息称，为了满足庞大的市场需求，美光计划在台中厂区进一步扩大HBM产能，并将部分封测产能转用于HBM封测，这使得DRAM封测产能受到挤压并出现缺口，从而促使美光扩大了委外封测的合作范围。力成预计采用堆叠式封装（PoP）技术，并有望从第二季度开始进入量产阶段。据初步估算，PoP制程的产量将实现季度增长五成，产能利用率也将大幅提升。业界分析指出，美光与力成已携手合作近十年，双方建立了深厚的默契与信任。从力成西安工厂至今，力成一直是美光DRAM和NAND Flash委外封测的重要合作伙伴。此次深度合作不仅将进一步巩固双方的合作关系，还将共同开拓AI和HBM领域的新蓝海。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/20 13:18:43
DVGA3-122+是一个多芯片模块，由低噪声放大器、6位串行控制的电压控制衰减器和低通无反射滤波器组成。它使用单个5v电源，与50Ω匹配良好。它采用小巧、薄型的封装（5x5x0.89mm），可适应密集的电路板布局。特性•31.5 dB增益控制0.5dB步长•增益，典型值为20 dB。1 GHz•串行控制接口•小尺寸5.0 x 5.0毫米应用•无线电定位•固定卫星•空间研究尺寸图
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2025/3/19 13:33:31