LT4423是一款1.9V至28V的理想二极管和负载开关，集成了P沟道MOSFET。启用后，与肖特基二极管相比，15mV正向电压调节可最大限度地减少功耗，同时增加工作余量和效率。在二极管OR应用中使用两个LT4423可以在变化的输入电源条件下无缝传输到最高可用电压。未启用的LT4423在任何方向或极性上阻断高达28V的电压，同时抑制小于1μA（典型）的漏电流，比典型的肖特基二极管提高了几个数量级，从而延长了电池寿命。快速OUT到IN反向偏置检测最大限度地减少了反向电流，防止了输入电池的不必要充电。当LT4423处于关机、反向偏压或欠热保护时，开漏STATUS输出拉低。集成热检测通过关闭电源路径来防止过热情况。特征•内部200mΩ电源路径•宽工作电压范围：1.9V至28V•反向电流保护•负载切换能力•低10μA静态电流•对负载阶跃的快速3μs响应•低500nA关断电流•二极管或应用中的平滑切换•集成热保护•10导联（3mm x 2mm x 0.75mm）LDFN封装应用肖特基二极管的更换电池和壁式适配器二极管ORing备用蓄电池二极管ORing工业和消费类手持应用
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2025/6/30 14:34:57
ADP2442是恒定频率、采用电流模式控制的同步降压dc-dc稳压器，可驱动最高1 A的负载，并具有出色的线路和负载调节特性。它可在宽输入电压范围内（4.5 V至36 V）工作，是调整多种类型输入源功率的理想选择。另外，它还具有非常低的最短导通时间(50 ns)，因此适合那些需要非常高降压比的应用。输出电压可在0.6 V至0.9 × VIN之间调节。该器件同时针对高端和低端设备集成低电阻N沟道MOSFET，可实现高效率。开关频率可用外部电阻在300 kHz至1 MHz范围内调节。另外，ADP2442还有一个精确的电源良好(PGOOD)开漏输出信号。它提供灵活的外部时钟同步功能。开关频率可同步至施加于SYNC/MODE引脚上的外部时钟。ADP2442还可配置为工作在强制固定频率模式，以便降低EMI；或工作在节能模式，以便降低轻载时的开关损耗。ADP2442使用打嗝模式保护IC不受短路或输出端过流情况影响。内部软启动可限制多种负载电容启动时的浪涌电流。其它重要特性包括输入欠压闭锁(UVLO)、热关断(TSD)和精密使能(EN)，亦可用于逻辑电平关断输入。ADP2442采用3 mm × 3 mm、12引脚LFCSP封装，额定工作温度范围为−40°C至+125°C范围。特征• 可调节开关频率：300 kHz至1 MHz• 可调节输出：最低至0.6 V• 外部同步频率范围：300 kHz至1 MHz• 宽输入电压范围：4.5 V至36 V• 开漏电源良好指示• 最大负载电流：1 A应用负载点应用分布式电力系统工业控制用品标准轨道转换为24 V/12 V/5 V/3.3 V
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2025/6/30 14:31:22
ADP2450 集成了一个带功率检测的升压旁路控制器、一个高效降压稳压器、四个低失调、低功耗可编程增益放大器（PGA）、一个低失调运算放大器、一个快速模拟跳脱电路和一个执行器驱动器。ADP2450 适用于低压断路器，例如塑壳断路器（MCCB）和 CT 供电应用。升压输出电压最高可达 36 V，并集成了电源检测电路，可防止电路电源中断。功率检测阈值可通过电阻编程。降压调节器可在 4.5 V 至 36 V 的宽输入电压范围内工作，输出电压可调低至 0.6 V。降压调节器可提供高达 500 mA 的输出电流。降压调节器在脉冲宽度调制（PWM）模式下工作，具有固定的 1.2 MHz 开关频率，为系统提供低输出纹波电压。降压调节器的输出电压由监控电路监控。当输出电压低于监控阈值时，复位信号被拉低，并可用于复位微处理器。监控电路使系统更可靠。ADP2450 集成了四个低失调、低功耗放大器。ADP2450利用可编程增益功能，可在宽电流输入范围内提供精度测量。ADP2450 集成了一个低失调运算放大器，用于检测漏电流。ADP2450 还集成了模拟跳脱电路，可提供快速跳脱响应，并增强系统可靠性。特征• 升压分流控制器• 可调输出电压范围：4.5 V 至 36 V• 集成升压分流驱动器• 可编程功率检测阈值• 降压调节器• 输入电压范围：4.5 V 至 36 V• 连续输出电流：500 mA• 可调输出电压可低达 0.6 V。• 固定输出选项：3.3 V 和 5 V• 1.2 MHz 固定开关频率应用低压断路器CT电源
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2025/6/30 14:29:03
ADP2441是恒定频率、采用电流模式控制的同步降压dc-dc调节器，可驱动最高1 A的负载，并具有出色的线路和负载调节特性。它可在宽输入电压范围内（4.5 V至36 V）工作，是调整多种类型输入源功率的理想选择。另外，它还具有非常低的最短导通时间(50 ns)，因此适合那些需要非常高降压比的应用。输出电压可在0.6 V至0.9 V × VIN之间调节。该器件同时针对高端和低端设备集成低电阻N沟道MOSFET，可实现高效率。开关频率可用外部电阻在300 kHz至1 MHz范围内调节。另外，ADP2441还有一个精确的电源良好(PGOOD)开漏输出信号。在负载较低的情况下，调节器通过跳过脉冲并降低开关损耗工作在脉冲跳跃模式下，可提升能效。此外，在中负载至高负载情况下，调节器工作在固定频率脉宽调制(PWM)模式以降低电磁干扰(EMI)。ADP2441使用打嗝模式保护IC不受短路或输出端过流情况影响。外部可编程软启动可限制多种负载电容启动时的浪涌电流。其它重要特性包括跟踪、输入欠压闭锁(UVLO)、热关断(TSD)和精密使能(EN)，亦可用于逻辑电平关断输入。ADP2441采用3 mm × 3 mm、12引脚LFCSP封装，额定工作温度范围为−40°C至+125℃结温范围。特性• 宽输入电压范围：4.5 V至36 V• 最短导通时间：50 ns• 最大负载电流：1 A• 高效率：最高可达94%• 可调节输出：最低至0.6 V• 输出电压精度：±1%应用负载点应用分布式电力系统工业控制用品标准轨道转换为24V/12V/5V/3.3V
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2025/6/30 14:24:31
DAT-31R5A-SP+为50Ω 数字步进衰减器，以0.5dB的步长提供0至31.5dB的可调衰减。该控制器是一个6位串行接口，使用单个（正）电源电压运行。DAT-31R5A-SP+采用独特的硅基CMOS工艺生产，具有GaAs的性能和传统CMOS器件的优点。特征•对闭锁免疫•精度极高，典型值为0.1 dB•串行控制接口•低插入损耗•高IP3，+52 dBm典型值•直流功耗极低•出色的回波损耗，典型值为20 dB•小尺寸4.0 x 4.0毫米应用•基站基础设施•便携式无线•有线电视和数字广播•MMDS和无线局域网•无线本地环路•UNII和Hiper局域网•功率放大器失真消除回路引脚配置解析：
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2025/6/30 14:18:20
RBP-140+是一款采用SMT技术制造的小型屏蔽封装（尺寸为0.35“x 0.35”x.10“）中的窄带带通滤波器。RBP-140＋具有对称的带通和线性相位特性。此外，它在生产批次中具有可重复的性能，在温度范围内具有一致的性能。特征•高抑制，典型值为40dB•线性相位，在Fc±15MHz范围内通常高达±7度•良好的VSWR，通带内典型值为1.35:1•小尺寸0.35英寸x 0.35英寸x 0.1英寸•屏蔽外壳•可水洗应用•移动应用程序•空间研究•防御系统•卫星
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2025/6/30 14:13:14
2025年6月26日，行业消息传来，三星计划在2026年发布的Galaxy S26系列智能手机中，首次采用自家2nm制程代工的Exynos 2600处理器。与此同时，高通也计划为该系列提供新一代骁龙8系列旗舰芯片，型号或为Snapdragon 8 Elite Gen 2。值得注意的是，此次高通的Snapdragon 8 Elite Gen 2将打破以往由台积电独家代工的模式，部分订单将交由三星2nm制程代工，作为专为三星Galaxy旗舰系列供应的定制版本。高通芯片策略的重大调整过去几年，高通一直为三星Galaxy旗舰设备量身打造专属的“For Galaxy”版骁龙旗舰芯片，通常是在标准版的基础上进行小幅超频，以成为Galaxy系列手机的独家卖点。然而，这些定制版芯片的制造地点和底层设计与非Galaxy版本的骁龙芯片相同，均由台积电独家代工。因此，高通旗舰芯片在过去几年几乎完全依赖台积电的N3P制程。最新的报道显示，高通正在调整其下一代芯片的策略，计划为新一代骁龙旗舰手机芯片开发两个版本：1. 台积电3nm代工版本： 供应其他安卓手机制造商。2. 三星2nm代工版本： 专用于三星Galaxy旗舰设备。这一策略调整对高通和三星晶圆代工业务都具有重要意义：●对高通而言： 这是一种大胆的尝试，标志着其打破了长期独家依赖台积电的局面，开始尝试多元化的代工合作模式。●对三星而言： 这是一个重大突破，因为其晶圆代工部门一直因3nm良率问题而备受困扰，至今仍未获得其他头部芯片大厂的订单。如果高通将部分旗舰芯片订单交给三星2nm代工，不仅将为三星代工增加营收，更重要的是能够提升三星制程的声誉和可信度。三星2nm制程的良率挑战尽管三星2nm制程的测试仍在进行中，且良率逐步提升，但目前预计仅为约40%。这意味着三星在技术成熟度和生产效率上仍需进一步努力，以满足高通的要求。然而，距离Galaxy ...
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2025/6/30 14:05:08
2025年，人工智能技术的加速落地正持续重塑全球科技产业格局。据Loop Capital最新研报，英伟达作为AI算力核心供应商，其市值有望在未来几年内突破6万亿美元，较当前3.6万亿美元市值增长超65%。这一预测基于AI应用场景的全面爆发——从云计算到边缘计算，从自动驾驶到生成式AI，全球对高性能芯片的需求呈现指数级增长态势。Loop Capital分析师Ananda Baruah指出，英伟达正站在新一轮AI技术革命的潮头。随着企业加速布局AI基础设施，英伟达不仅巩固了在AI训练芯片市场的垄断地位，更通过持续迭代的产品线（如Blackwell架构）和定制化解决方案，深度绑定微软、Meta、谷歌等科技巨头。数据显示，2024年英伟达股价全年涨幅超170%，2023年至今累计涨幅已接近600%，其市值增长轨迹与全球AI投资热潮高度重合。市场分析认为，英伟达的估值支撑不仅源于短期业绩爆发，更在于其长期定价权与生态壁垒。尽管部分投资者担忧AI资本支出可持续性，但最新财报季显示，头部云服务商仍在大幅增加AI相关投入。Ananda Baruah预测，到2028年，全球AI计算支出规模将达2万亿美元，而英伟达凭借技术代际优势，有望持续收割行业红利。值得注意的是，英伟达与微软的市值争夺战已成为资本市场焦点。当前英伟达目标价被上调至华尔街最高250美元，较市场平均预期高出44%，隐含未来一年超17%的上涨空间。分析师强调，在AI算力军备竞赛中，英伟达的“技术垄断+供应链控制”双重护城河，使其具备穿越周期的成长确定性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/6/30 14:00:00
Mini-Circuits新型90°功率分配器，型号：QCS-312+，提供工作带宽和尺寸组合；在微型EIA-0805外形尺寸中支持近一个倍频程。出色的相位和幅度不平衡使该组件成为各种系统和子系统设计中使用的通用构建块。特征•低插入损耗，典型值为0.5 dB。•高隔离，典型值25 dB。•微型尺寸，0.079英寸x0.049英寸x0.033英寸•LTCC结构•高功率应用•平衡放大器•移相器•调制器•衰减器•DCS、PCS、UMTS•ISM•WiMAX
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2025/6/27 14:37:51
Mini-Circuits新型90°功率分配器，型号：QCS-592+，提供工作带宽和尺寸组合；在微型EIA-0805外形尺寸中支持近一个倍频程。出色的相位和幅度不平衡使该组件成为各种系统和子系统设计中使用的通用构建块。特征•插入损耗低，典型值为0.6 dB。•高隔离，典型值23dB。•微型尺寸，0.079英寸x0.049英寸x0.033英寸•LTCC结构•高功率应用•平衡放大器•移相器•调制器•衰减器•WiMax•WiFi•ISM
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2025/6/27 14:22:04
Mini-Circuits新型90°功率分配器，型号：QCS-152+，提供工作带宽和尺寸组合；在微型EIA-0805外形尺寸中支持近一个倍频程。出色的相位和幅度不平衡使该组件成为各种系统和子系统设计中使用的通用构建块。特征•低插入损耗，典型值为0.5 dB。•高隔离，典型值19dB。•微型尺寸，0.079英寸x0.049英寸x0.033英寸•LTCC结构•高功率应用•平衡放大器•移相器•调制器•衰减器•DCS、PCS、UMTS•点对点•WiMax•WiFi•ISM
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2025/6/27 14:17:25
Mini-Circuits的EP2K+是一款MMIC分路器/合路器，专为5至20 GHz的宽带操作而设计。该型号在微型设备封装（4x4x1 mm）中提供了出色的额定功率，具有高达2.5W的功率处理（作为分流器）和高达1.2A的直流电流处理。它采用GaAs IPD技术制造，提供高水平的ESD保护和出色的可靠性。特征超宽带，5至20 GHz高功率处理，2.5W作为分路器适用于5G应用的低成本分路器振幅不平衡性极佳，典型值为0.1 dB。相位不平衡良好，典型值为2至5°。ESD水平高尺寸小，4x4毫米可水洗直流通过应用WIMAXISM仪器雷达无线局域网卫星通信LTE
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2025/6/27 14:12:49
Mini-Circuits新型90°功率分配器，型号：QCS-83+，提供工作带宽和尺寸组合；在微型EIA-0805外形尺寸中支持近一个倍频程。出色的相位和幅度不平衡使该组件成为各种系统和子系统设计中使用的通用构建块。特征•插入损耗低，典型值为0.8 dB。•良好的隔离，典型值为14 dB。•微型尺寸，0.079英寸x0.049英寸x0.033英寸•LTCC结构•高功率应用•平衡放大器•移相器•调制器•衰减器•DCS、PCS、UMTS•点对点•WiMax•WiFi•ISM
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2025/6/27 14:07:07
Mini-Circuits新型90°功率分配器，型号：QCS-332+，提供工作带宽和尺寸组合；在微型EIA-0805外形尺寸中支持近一个倍频程。出色的相位和幅度不平衡使该组件成为各种系统和子系统设计中使用的通用构建块。特征•插入损耗低，典型值为0.6 dB。•高隔离，典型值23dB。•微型尺寸，0.079英寸x0.049英寸x0.033英寸•LTCC结构•高功率应用•平衡放大器•移相器•调制器•衰减器•DCS、PCS、UMTS•ISM•WiMAX
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2025/6/27 14:04:17
354148是ERNI品牌的一款板连接器，110触点，5排，母头，直角，0.079英寸间距，压装端子，插头。产品参数排数:6 Row位置数量:110 Position安装风格:Panel端接类型:Press Fit安装角:Right触点电镀:Gold类型:B22封装:Tray触点材料:Phosphor Bronze电流额定值:1 A可燃性等级:UL 94 V-0外壳材料:Polybutylene Terephthalate (PBT)绝缘电阻:10 GOhms最大工作温度:+ 125 C最小工作温度:- 55 C节距:2 mm商标名:ERmet单位重量:29.238 g简单结构示意图
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2025/6/27 13:53:38
ADF4368 是一款集成 VCO 的高性能、超低抖动、整数 N 分频和小数 N 分频锁相环 (PLL)，非常适合频率转换应用。高性能 PLL 具有 −239dBc/Hz、超低 −287dBc/Hz 归一化 1/f 噪声和高 PFD 频率，可实现超低带内噪声和集成抖动性能。无需内部倍频器，ADF4368 可生成 800MHz 至 12.8GHz 范围内的任意频率，因而无需子谐波滤波器。Σ-Δ 调制器包括支持赫兹频率分辨率的 25 位固定模数和额外的 17 位可变模数，该模数支持更高的分辨率，可实现灵活的频率规划。该套件在单端配置下具有 9dBm (12.8GHz) 输出功率和 16 步进功率调整特性，非常适合各种应用。对于相控阵雷达或大规模 MIMO 系统等多个频率转换应用，可通过使用 SYNC 输入或 EZSync™ 对齐多个 ADF4368 的输出。当难以将 SYNC 信号精确分配给所有套件时，将使用 EZSync 方法。对于需要确定性延迟或延迟调整功能的应用，提供分辨率 <1ps 的可编程输出延迟参考。保证在多个套件和温度范围内参考输出延迟，从而实现可预测和精确的多芯片对齐。在整数和小数模式下，简单的 ADF4368 结构框图通过简化的串行外围接口 (SPI) 寄存器映射、外部 SYNC 输入和可重复多芯片相位对齐功能，缩短了开发时间。特性• 输出频率范围：800MHz 至 12.8GHz• 抖动 < 30 fsRMS fOUT = 9.001GHz、fREF = fPFD = 250MHz，小数模式• 宽带本底噪声：12.8GHz 时为 −160dBc/Hz• PLL 规格• 归一化带内相位本底噪声• −239dBc/Hz：整数，−237dBc/Hz：小数模数• 归一化 1/f 相位噪声：• −287dBc/Hz：归一化为 1Hz• −147dBc/Hz...
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2025/6/27 13:49:48
6月25日，三星电子正式发布2025款智能显示器系列，首次将OLED面板引入桌面显示设备领域。此次推出的M9（32英寸）、M8（32英寸）、M7（43/32英寸）三款机型，通过“L型移动支架”“AI画质引擎”等创新设计，精准切入便携办公与家庭娱乐交叉场景，标志着智能显示器正式迈入“高画质移动终端”新纪元。一、产品亮点：OLED与AI技术深度融合1. M9：专业级色彩表现与电竞级响应● OLED面板加持：经Pantone权威认证，覆盖2000种专业色彩标准及110种肤色还原，ΔE值＜1.5，满足平面设计、影视调色等专业需求。● 防烧屏技术升级：搭载Samsung OLED SafeGuard+，通过像素位移与亮度均衡算法，使静态图像残留风险降低80%。● 性能参数：165Hz刷新率、0.03ms GTG响应时间，适配《黑神话：悟空》等次世代游戏需求。2. 智能交互再进化● AI画质优化2.0：自动识别电影/游戏/办公场景，动态调整对比度与色彩饱和度。例如，在观看HDR影片时，峰值亮度可提升至600nits。● Active Voice Pro：通过4麦克风阵列实现声源定位，结合AI降噪算法，使语音通话清晰度提升40%，即使在空调噪音达50dB的环境中仍可精准识别人声。二、设计创新：L型支架重构使用场景● 移动办公新方案：配套Moving Stand Standard支架，支持360°旋转与120mm高度调节，单手即可完成屏幕角度切换，适配站立办公、会议分享等多场景。● 空间效率革命：L型结构使屏幕底部离桌面仅45mm，为键盘、手写笔等配件留出充足空间，桌面占用面积减少30%。三、技术规格与型号对比差异化定位：● M9面向专业设计师与硬核玩家，M8主打创意工作者，M7则以43英寸大屏抢占家庭娱乐市场。四、行业影响与用户价值1. 供应链本土化加速：三星显示部门透露，M9...
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2025/6/27 13:43:54
Qorvo的QPA1022是一款封装的高性能功率放大器，采用Qorvo生产的0.15 um GaN on SiC工艺（QGaN15）制造。QPA1022覆盖8.5-11.0 GHz，提供>4 W的饱和输出功率和24.5 dB的大信号增益，同时实现45%的功率附加效率。QPA1022采用4 x 4 mm的小型塑料包覆成型QFN包装，与50Ω 在射频输出端和直流接地输入端口集成了隔直电容器。它还有一个内置的功率检测器，用于系统射频功率检查。凭借紧凑的尺寸，它可以支持相控阵雷达应用的紧密晶格间距要求。它也是支持测试仪器和商业通信系统的理想组件。特征•频率范围：8.5-11 GHz•功率：36.5 dBm•市盈率：45%•大信号功率增益（PIN=12 dBm）：24.5 dB•小信号增益：32 dB•偏压：VD=22 V，IDQ=180 mA，VG=-2.5 V（典型值）•包装尺寸：4 x 4 x 0.85毫米应用•雷达•电子战•通讯
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2025/6/26 14:19:02