JMS-1LH+是Mini-Circuits的一款双平衡混频器芯片，其工作频率最小2MHz，最大500MHz，最大8dB转换损耗，符合ROHS标准，迷你型，外壳BH292，6针。下面就一块了解一下JMS-1LH+的参数及特征吧。规格参数射频:2 MHz to 500 MHz转换损失——最大:8 dBLO频率:2 MHz to 500 MHz中频:0 Hz to 500 MHz最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:7.11 mm x 7.87 mm商标:Mini-CircuitsOIP3 - 三阶截点:16 dBm封装:Reel封装:Cut Tape产品类型:RF Mixer特征•转换损耗低，典型值为5.75 dB。•微型表面贴装•J引线用于消除应力和出色的可焊性应用•接收器和发射器的上下变频器•甚高频/超高频
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2025/5/6 14:57:48
LHA-23LN+（符合RoHS标准）是一款采用E-PHEMT技术制造的宽带放大器，在宽频范围内提供极高的动态范围和低噪声系数。此外，LHA-23LN+在宽频范围具有良好的输入和输出回波损耗。LHA-23LN+封装在3mm x 3mm的12引线MCLP封装中，具有非常好的热性能。规格参数工作频率:30 MHz to 2 GHz工作电源电压:3 V to 5 V工作电源电流:146 mA增益:19.6 dBNF—噪声系数:1.5 dB类型:CATV Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MCLP-12技术:GaAs InGaPP1dB - 压缩点:23 dBmOIP3 - 三阶截点:34.6 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C系列:LHA封装:Reel封装:Cut Tape特征超高IP3，典型值+36.9 dBm增益，典型值21.2dB。1 GHz低噪声系数，1 GHz时为1.2 dB低电压，+5V和+3V应用基站基础设施有线电视蜂窝
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2025/5/6 14:54:22
GALI-51F+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。铅饰面为SnAgNi。它具有可重复的性能，并封装在SOT-89封装中。它使用专利的瞬态保护达林顿配置，并使用InGaP HBT技术制造。在85°C的外壳温度下，预计MTTF为15000年。GALI-51F+的设计坚固耐用，适用于ESD和电源开启瞬态。规格参数工作频率:0 Hz to 4 GHz工作电源电压:4.4 V工作电源电流:50 mA增益:13.3 dBNF—噪声系数:3.5 dB类型:Gain Block Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-89-4技术:InGaPP1dB - 压缩点:15.9 dBmOIP3 - 三阶截点:32 dBm最小工作温度:- 45 C最大工作温度:+ 85 C系列:GALI封装:Reel封装:Cut Tape特性•InGaP HBT微波放大器•微型SOT-89封装•内部匹配50欧姆•频率范围，直流至4 GHz•输出功率，典型值15.9 dBm。•散热性能极佳，金属底部外露•低热阻，可靠性高•可水洗应用•蜂窝•个人电脑•通信接收器和发射器
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2025/5/6 14:50:44
MDA4-752H+是一个多芯片模块，将混频器（InGap-HBT）、LO放大器（InGap HBT）和IF放大器（E-PHEMT）芯片集成在单个封装中。它在宽频率范围内具有平坦的转换增益，并且具有高IP3。此外，MDA4-752H+在宽频范围内具有良好的输入和输出回波损耗，无需外部匹配组件。它被包装在一个4x4毫米的微型MCLP包装中。规格参数工作频率:2.2 MHz to 7.5 MHz工作电源电压:5.5 V增益:9.7 dBNF—噪声系数:9.9 dB类型:General Purpose Amplifiers安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MCLP-24技术:InGaP最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:MDA4封装:Reel封装:Cut Tape特征•宽带2200至7500 MHz•高L-I隔离，典型值61 dB。4 GHz•低LO功率工作，0 dBm•小尺寸4毫米x 4毫米x 1毫米•可水洗应用•卫星下变频器•国防雷达和通信•VSAT•航空
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2025/5/6 14:46:12
EQY-9-453+是一种吸收式增益均衡器，采用高度重复的GaAs IPD MMIC工艺制造，包含具有负插入损耗斜率的电阻器、电容器和电感器。EQY-9-453+的标称衰减斜率为9.1 dB，采用2 x 2 mm的6引脚微型MCLPTM封装。规格参数安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MCLP-6产品:Equalizers最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 105 C系列:EQY封装:Reel封装:Cut Tape特征直流至45 GHz的9.1 dB斜率小包装2 x 2 mm MCLP出色的回波损耗，典型值为20dB应用蜂窝基础设施5G宽带通信测试仪器防守
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2025/5/6 14:40:40
EQY-8-453+是一种吸收式增益均衡器，采用高度重复的GaAs IPD MMIC工艺制造，包含具有负插入损耗斜率的电阻器、电容器和电感器。EQY-8-453+的标称衰减斜率为8.2 dB，采用2 x 2 mm的6引脚微型MCLPTM封装。规格参数安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:MCLP-6产品:Equalizers最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 105 C系列:EQY封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits产品类型:Equalizers特征从直流到45 GHz的8.2 dB斜率小包装2 x 2 mm MCLP出色的回波损耗，典型值为20dB应用蜂窝基础设施5G宽带通信测试仪器防御
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2025/5/6 14:35:40
SIM-153+是Mini-Circuits的一款双平衡混频器，其工作频率最小3400MHz，最大15000MHz，最大10.4dB转换损耗，符合ROHS标准，陶瓷，外壳HV1195，8针。下面就一起简单了解一下它的特征及应用吧。规格参数射频:3.4 GHz to 15 GHz转换损失——最大:10.4 dBLO频率:3.4 GHz to 15 GHz中频:DC to 4 GHz最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:HV1195-8商标:Mini-Circuits封装:Reel封装:Cut Tape产品类型:RF Mixer特征•宽带，3400至15000 MHz•转换损耗低，典型值为6.8 dB。•高L-R隔离，典型值为36 dB。•出色的中频带宽，直流至4000 MHz•LTCC双平衡混频器•尺寸小，轮廓低，0.08英寸•可用作上下变频器•可水洗应用•卫星上下变频器•国防雷达和通信•视线链接•联邦固定服务•无线网络•蓝牙•VSAT•ISM
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2025/5/6 14:25:26
ZX60-2510MA-S+是Mini-Circuits的一款宽带低功率放大器。下面就详细了解一下其参数、特征及应用吧！规格参数工作频率最大2500 MHz工作频率最低500 MHz工作温度最高85°C工作温度最低-40°C电源2.8/5VRF/微波器件类型宽带低功率特征•从2.8V到5V操作•宽带，500至2500 MHz•高有源方向性•输出功率，典型值为18 dBm。2 GHz和5V应用•缓冲放大器•混频器用LO放大器•蜂窝•PCN
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2025/5/6 14:19:49
SIM-14LH+是Mini-Circuits的一款双平衡混频器，其工作频率最小3700MHz，最大10000MHz，最大8.9dB转换损耗，符合ROHS标准，陶瓷，外壳HV1195，8针。规格参数射频:3.7 GHz to 10 GHz转换损失——最大:8.9 dBLO频率:3.7 GHz to 10 GHz中频:DC to 4000 MHz最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm商标:Mini-CircuitsOIP3 - 三阶截点:12 dBm封装:Reel封装:Cut Tape产品类型:RF Mixer特征•宽带，3700至10000 MHz•低转换损耗，典型值为6.7 dB。•高L-R隔离，典型值为38 dB。•出色的中频带宽，直流至4000 MHz•LTCC双平衡混频器•尺寸小，轮廓低，0.08英寸•可用作上下变频器•可水洗应用•卫星上下变频器•国防雷达和通信•视线链接•联邦固定服务•无线网络•蓝牙•VSAT•ISM
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2025/5/6 14:15:22
国际半导体产业协会（SEMI）最新数据显示，2024年全球半导体材料市场营收规模攀升至675亿美元，较上一年度增长3.8%。这一增长主要得益于全球半导体市场的整体复苏，以及高性能计算（HPC）和高带宽内存（HBM）等制程对高端材料需求的持续攀升。从细分领域来看，晶圆制造材料与封装材料均呈现出不同程度的增长。其中，晶圆制造材料营收达到429亿美元，同比增长3.3%；封装材料营收则为246亿美元，同比增长4.7%。这一增长趋势反映出半导体产业链上下游的协同发展，以及市场对封装技术的日益重视。值得注意的是，随着制程技术的不断推进，如DRAM、3D NAND Flash及逻辑IC等复杂制程的广泛应用，化学机械平坦化（CMP）材料和光阻剂等关键材料的需求实现了两位数的强劲增长。这些材料在半导体制造过程中发挥着至关重要的作用，其需求的增长直接反映了制程技术的快速发展和市场对高性能芯片的迫切需求。然而，并非所有半导体材料都呈现出增长态势。受产业链持续去库存的影响，尤其是成熟制程领域，硅晶圆的需求依然疲软。2024年，硅晶圆营收同比下降7.1%，成为半导体材料市场中为数不多的下滑品类。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/5/6 13:50:57
在半导体存储领域，三星电子与SK海力士的竞争从未停歇。近日，三星宣布了一项雄心勃勃的计划，旨在通过量产垂直通道晶体管（VCT）DRAM，重新夺回在DRAM市场的地位。然而，三星方面回应称，具体的DRAM产品蓝图尚未确定，这为市场增添了几分悬念。据三星内部人士透露，公司原计划在2026年第四季度量产基于4F2VCT创新结构的0a纳米级内存，但这一计划已被推迟至2028年。若VCT DRAM最终实现商业化，相关的新技术和设备投入将至少延续到2029年。这一变动无疑给市场带来了新的期待与猜测，也反映了三星在技术研发上的谨慎态度。VCT DRAM技术通过垂直排列晶体管，实现了更高的存储密度和容量，被视为存储技术的“游戏规则改变者”。然而，该技术的开发难度极大，不仅需要突破传统DRAM制程的限制，还需采用过去未曾使用过的先进封装技术。三星电子在决定下一代DRAM工艺方向时，曾在1e nm和VCT DRAM两种方案之间犹豫不决，最终选择了后者这一被认为具有“颠覆性”潜力的技术路径。这一选择，无疑彰显了三星在技术创新上的决心和勇气。与此同时，三星电子在DRAM市场的竞争对手SK海力士也在积极规划其未来技术路径。据透露，SK海力士的大致规划是从1d nm技术过渡到0a nm技术，并最终实现其所谓的VG DRAM（即3D DRAM）的商业化。这一规划显示出SK海力士在DRAM技术领域的持续创新和进取，也预示着未来DRAM市场的竞争将更加激烈。当前，三星电子正面临来自SK海力士在HBM市场的巨大压力。SK海力士已成功实现HBM3E产品的快速市场供应，并借此取得了亮眼的业绩。与之形成鲜明对比的是，三星电子的HBM3E产品却迟迟未能在市场上实现销售。此外，三星电子在DRAM市场的份额也已被SK海力士超越，这对其市场地位构成了严重威胁。为了重拾市场领导者地位，三星电子正加速将产能向HBM与DDR5产...
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2025/4/30 13:25:56
Mini-Circuits的TCO2-532+是一种阻抗比为1:2的微型陶瓷RF平衡-不平衡变压器，适用于4600至5900 MHz的各种无线通信应用。该型号具有低插入损耗、低相位不平衡（相对于180°）、低振幅不平衡和高达2W的射频输入功率处理能力。该装置采用LTCC技术制造，采用小巧坚固的陶瓷封装，适用于恶劣的工作环境。特性•微型尺寸0402（0.039英寸[1.0毫米]x 0.020英寸[0.5毫米]x 0.015英寸[0.37毫米•LTCC结构•可水洗应用•WLAN/Wi-Fi•5G低于6 GHz
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2025/4/29 11:37:38
Mini-Circuits BLGE4-252R+是一款微型陶瓷RF平衡-不平衡变压器，阻抗比（次级/初级）为1:4。该型号覆盖2400至2500 MHz频段，并针对蓝牙、Zigbee和低频段Wi-Fi应用进行了性能优化。该型号提供低插入损耗、低幅度不平衡和高达2W的RF输入功率处理。它采用LTCC技术制造，采用微型封装（0.08 x 0.05 x 0.04英寸）。特性•低相位不平衡，4度，振幅不平衡，典型值为0.4 dB。•微型尺寸0805（2.0x1.2毫米）•LTCC结构•成本低•可水洗应用•ISM频段•WLAN/Wi-Fi•蓝牙•Zigbee
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2025/4/29 11:34:54
TX4-62HP+是一款高功率、表面安装的平衡传输线变压器，具有覆盖20至600 MHz频带的高阻抗比（4:1）。它实现了10W的功率处理，插入损耗低，相位和幅度不平衡良好（分别为4˚、0.7 dB）。该模型非常适合放大器阻抗匹配、推挽放大器等应用。该装置采用无引线底座上的芯线结构，镀金镍板端接，尺寸仅为0.31 x 0.25 x 0.20“，非常适合密集的电路板布局。特性•高功率/高直流电流•宽带20至600 MHz•高阻抗比4:1•无引线表面安装应用•放大器的阻抗匹配•推挽式放大器•VHF/UHF接收器/转换器
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2025/4/29 11:17:48
TC4-1WA+是Mini-Circuits的一款射频变压器，其工作频率最小3MHz，最大800MHz，符合ROHS标准。规格参数系列:TC4封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits产品类型:Audio & Signal Transformers特性•宽带，3-800MHz•良好的回波损耗•带引线的塑料底座•可水洗应用•阻抗匹配•推挽式放大器
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2025/4/29 11:05:46
TC1-6+是Mini-Circuits的一款射频变压器，其工作频率最小0.15MHz，最大350MHz，符合ROHS标准。规格参数产品:RF Transformers端接类型:SMD/SMT频率范围:150 kHz to 350 MHz初级线圈阻抗:50 Ohms次级线圈阻抗:50 Ohms最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C通道数量:Single封装 / 箱体:3.81 mm x 3.81 mm x 4.06 mm长度:3.81 mm宽度:3.81 mm高度:4.06 mm系列:TC1封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits最大直流电流:30 mA功率额定值:250 mW特性•良好的回波损耗•可用频率超过0.05-400 MHz•出色的振幅不平衡，典型值为0.1 dB。相位不平衡，典型值为2度。在1dB带宽内•带引线的塑料底座应用•平衡到不平衡的转变•推挽式放大器
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2025/4/29 10:59:57
MADL-011008是一种硅PIN限制器，具有较小的I区长度，专为中等信号应用而设计。该限制器采用无铅1.2 x 1.5 mm 6引脚PDFN封装。限制器的理想设计是在零偏压下提供低插入损耗，以及低平坦泄漏功率和快速的信号响应/恢复时间。MADL-011008 PIN限制器设计用于无源限制器控制电路，以保护低噪声放大器（LNA）、检测器和混频器等敏感接收器组件。特性低插入损耗和噪声系数符合RoHS标准260°C回流兼容无铅1.2 x 1.5毫米6引脚PDFN封装+16 dBm平坦泄漏+10 dBm P1dB压缩点+40 dBm峰值和+30 dBm CW功率应用航空航天与国防
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2025/4/29 10:58:31
Mini-Circuits的HFCU-1482+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为15.3至30GHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了2.1dB的典型插入损耗。该滤波器采用1812陶瓷封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性插入损耗，典型值2.1dB。阻带抑制，典型值52dB。通带回波损耗，典型值22dB。1812表面安装占地面积功率处理：7W应用测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗、防御系统5G MIMO和回程无线电
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2025/4/29 10:52:01