KSX2-442+是Mini-Circuits的一款倍频器芯片，其工作频率最小600MHz，最大2200MHz，并且具备最大14.5dB转换损耗，符合ROHS标准，外壳HV1195，8针。规格参数工作频率:1.2 GHz to 4.4 GHz封装:Reel封装:Cut Tape商标:Mini-Circuits最大输入频率:2.2 GHz最大工作温度:+ 85 C最小输入频率:600 MHz最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT产品类型:RF Wireless Misc特性•低转换损耗，典型值11.0 dB。•高基波和谐波抑制，F1，典型值24 dBc。；F3，典型值为30dBc。；F4，典型值为20 dBc。•LTCC设计•低调，0.085英寸•可水洗应用•合成器•本地振荡器尺寸图
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2025/3/10 14:03:17
SIM-762H+是Mini-Circuits的一款双平衡混频器，其工作频率最小2300MHz，最大7600MHz，最大8.9dB转换损耗，符合ROHS标准，陶瓷，外壳HV1195，8针。规格参数射频:2.3 GHz to 7.6 GHz转换损失——最大:8.9 dBLO频率:2.3 GHz to 7.6 GHz中频:DC to 3000 MHz最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:5.08 mm x 4.57 mm x 2.21 mm商标:Mini-CircuitsOIP3 - 三阶截点:25 dBm封装:Reel封装:Cut Tape特性•宽带，2300至7600 MHz•转换损耗低，典型值为6.0 dB。•出色的中频带宽，直流至3000 MHz•LTCC双平衡混频器•尺寸小，轮廓低，0.08英寸•可用作上下变频器•可水洗应用•卫星上下变频器•国防雷达和通信•视线链接•无线网络•蓝牙技术•VSAT•ISM尺寸图
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2025/3/10 13:59:28
全新 MF-USHT 系列产品扩大了保持电流范围，提高了最大电压，并将工作温度范围提升至最高 +125 °C美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，扩展其 Multifuse® MF-USHT 表贴式 PPTC 可复位保险丝系列，新增了九款产品。这些新型号符合 AEC-Q200 标准，保持电流 (Ihold) 范围扩大至 2.0 A，最大电压 (Vmax) 提升至 36 VDC，最高工作温度提高至 +125 °C，进一步满足高性能应用需求。全新 MF-USHT的新型保险丝采用了 Bourns 独创的 freeXpansion™ 技术，在更紧凑的封装中实现更高的保持电流、更高的电压以及更佳的电阻稳定性，显著提升了产品性能。这些特性使其特别适合用于需要在高温环境下运行的电子设备，提供可靠的过流与过温保护。全新九款 Bourns® MF-USHT 系列 聚合物 PTC 可复位保险丝产品现已上市，并符合 RoHS* 标准。同时，产品已通过 UL/CSA/TÜV 认证，满足严格的安全标准要求。TÜV 认证范围涵盖 IEC 62319-1、IEC 60738-1 以及 IEC 60730-1:2013 第 15 条、第 17 条和附录 J 的规范。所有产品均于 Bourns 通过 IATF 16949 认证的工厂中生产，确保卓越的质量与一致性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/10 13:40:12
高通技术公司持续树立连接新标杆，公司宣布推出高通® X85 5G调制解调器及射频，这是公司第八代5G调制解调器到天线的解决方案，也是公司第四代AI赋能的5G连接系统。高通X85专为新一代联网和AI赋能的应用而设计，能够提供更快的速率以支持无缝流传输、下载和上传，提高拥堵区域的网络可靠性，延长电池续航并增强定位精度，从而带来全面用户体验。高通X85面向Android旗舰智能手机、PC、固定无线接入和物联网扩大5G Advanced领导力和差异化优势 要点：高通X85 5G调制解调器及射频突破5G创新边界，集成高通5G AI处理器，处于5G创新前沿，为Android智能手机提供最快、最省电、最可靠的5G Advanced连接体验。高通X85旨在提供混合AI和智能体AI体验所需的高性能5G连接。中国电信、中国移动、中国联通、谷歌、KDDI、NTT DOCOMO、T-Mobile和Verizon认可高通X85为全球移动网络、Android旗舰手机和用户带来的独特优势。巴塞罗那，2025年3月3日——高通技术公司持续树立连接新标杆，公司宣布推出高通® X85 5G调制解调器及射频，这是公司第八代5G调制解调器到天线的解决方案，也是公司第四代AI赋能的5G连接系统。高通X85专为新一代联网和AI赋能的应用而设计，能够提供更快的速率以支持无缝流传输、下载和上传，提高拥堵区域的网络可靠性，延长电池续航并增强定位精度，从而带来全面用户体验。高通X85具备行业5G Advanced特性，将为Android智能手机带来连接方面的领先优势。高通X85还为多种其它类型终端带来5G Advanced功能，包括PC、固定无线接入点、汽车、XR等。高通技术公司高级副总裁兼技术规划和边缘解决方案业务总经理马德嘉表示：“高通X85是调制解调器到天线系统，旨在提供最佳的5G体验。对...
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2025/3/10 13:35:14
TDK株式会社宣布推出全新 FS160* 系列 microPOL（μPOL）电源模块。 FS160* 系列 μPOL 直流-直流转换器全部配备全遥测技术，具有更高的性能、最小的尺寸以及不同于一般的功率密度等优点。该系列产品现已开始量产。经过优化的架构得以在尺寸极小的模块中实现不同于一般的高功率密度新推出的 FS1606 系列产品的尺寸仅为 3.3 毫米 x 3.3 毫米 x 1.35 毫米，可在 -40℃ 到 125℃的宽温度范围内运行，是6A 级别的最小解决方案，并通过 I2C 接口实现全遥测易于实现全遥测（电压、电流和温度）易于应用于由 ASIC、系统级芯片（SoC）及 FPGA 等复杂芯片组锚定的设计将在 APEC 会议-高级电源管理，预测性维护使用案例中展示 FS1606 产品。产品的实际外观与图片不同。TDK标志没有印在实际产品上。TDK株式会社（TSE：6762）宣布推出全新 FS160* 系列 microPOL（μPOL）电源模块。 FS160* 系列 μPOL 直流-直流转换器全部配备全遥测技术，具有更高的性能、最小的尺寸以及不同于一般的功率密度等优点。该系列产品现已开始量产。FS160* 系列 microPOL 模块产品的尺寸仅为 3.3 毫米 x 3.3 毫米 x 1.35 毫米（宽x深x高）。 由于其尺寸小且功率密度高，该系列的每个模块都能轻松集成至锚定于 ASIC、系统级芯片（SoC）以及最受欢迎的 FPGA 等复杂芯片组的设计中。 通过 I2C 接口，轻松实现全遥测（电压、电流和温度）。 该系列模块可在 -40℃ 到 125℃ 的宽结温范围内运行。3-A 零件（FS1603 系列）、 4-A 零件（FS1604 系列）和 6-A 零件（FS1606 系列）均提供多个不同版本。FS 系列还包括 12A（FS1412）和 25A（FS1525）产品。 ...
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2025/3/10 13:29:25
由于市场对于音频设备的紧凑、轻便、高集成度和节能的需求越来越高，音频设备制造商在不断提高音质的同时，也在努力满足这一需求。另外，他们还必须实现无缝连接、保证成本效益，并提供对用户友好的功能，这使得音频产品的开发变得更加复杂。为了解决这些难题，SounDigital在其全新1500 W D类放大器中集成了英飞凌科技股份公司的 CoolGaN™晶体管，支持800 kHz开关频率和五个通道，借助英飞凌氮化镓（GaN）技术，将其能效提升了 5%，能量损耗降低了 60%。SounDigital首席执行官Juliano Anflor表示：“很高兴采用英飞凌GaN功率半导体来提升我们音频放大器的性能，通过向全世界传播音乐，激发人们的灵感并带来欢乐。GaN晶体管不仅极大提高了整体系统性能，还在更大程度上降低了系统成本，提高了易用性。”英飞凌GaN业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：“GaN技术正凭借效率和性能深入改变音频放大器行业。英飞凌GaN解决方案能够带来卓越的音质、更高的功率密度和更低的能耗，将SounDigital音响系统的保真度和性能提升到一个新的水平。”SounDigital 1500 W D 类放大器使用英飞凌100 V常关断E模式晶体管，包括采用 PQFN-3x5封装的IGC033S101 和采用 PQFN-3x3封装的IGB110S101 。这两款晶体管的导通电阻低，适用于要求严苛的大电流应用，能够显著提升SounDigital放大器的音质和效率。基于GaN的放大器在提供高性能的同时，可以减少75 W的功率耗散，使散热器体积缩小 50%。此外，在不影响性能的前提下，整个系统的体积缩小了40%。CoolGaN™晶体管进一步提高了音频质量，使总谐波失真（THD）降低70%，实现了更加精准、细腻的声音体验，并通过减少40%的待机电流大幅提升了能效。免责声明：...
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2025/3/10 13:25:39
业界消息称，三星电子正在为下一代HBM研究包括无焊剂在内的多种键合技术。三星电子自今年初起，已与海外主要合作伙伴启动了对无焊剂键合技术的初步评估工作。该技术将应用于 HBM4（第六代），目标是在今年年底前完成评估。目前三星电子采用 NCF（非导电性粘接薄膜）作为HBM制造的后工序技术。HBM是一种通过垂直堆叠多个DRAM来提高数据处理性能的存储器半导体。它通过 TSV（硅通孔）在每个DRAM上钻出微小的孔，并以电气方式连接这些孔。为了连接各个DRAM，使用了微小突起形状的微凸点。三星电子一直采用的是TC键合工艺，即在堆叠的每个DRAM之间插入NCF，并从上方进行热压。NCF在高温下熔化，起到连接凸块与凸块、固定芯片间的作用。无焊剂技术主要应用于 MR-MUF（Mass Reflow-Molded Underfill）。MR-MUF 不使用薄膜，而是利用液态的EMC（环氧树脂与无机二氧化硅混合而成的模塑材料）。MR-MUF在每堆叠一个DRAM 时，会先进行临时热压接合，待完全堆叠后，再通过加热（回流焊）完成接合过程。随后，在各芯片之间无间隙地注入EMC。EMC起到支撑各芯片的“底部填充（Underfill）”以及防止外部污染等作用。在现有的MR-MUF工艺中，为了去除残留在凸点上的氧化膜，会先涂覆一种称为助焊剂（flux）的物质，然后再清洗掉。然而，随着HBM的输入输出端子（I/O）数量在HBM4中相比之前翻倍至2024个，以及DRAM堆叠层数的增加，凸点之间的间距也会随之缩小。这种情况下，助焊剂可能无法被彻底清洗干净，从而可能损害芯片的可靠性。对此，半导体行业提出了无焊剂焊接方案。尽管设备厂商在无焊剂技术上的方法各异，但核心在于不使用焊剂而去除焊球周围的氧化层。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问...
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2025/3/10 13:23:35
近日，SK海力士将CIS事业部转为面向AI的存储器领域，以增强核心竞争力。SK海力士表示，CIS事业部自2007年成立以来，克服了各种困难，进入移动端市场取得了预期的成果。由此公司具备了仅靠存储器事业体验不到的逻辑半导体技术和定制（Custom）业务力量。SK海力士强调，随着AI时代的到来，公司在面向AI的存储器领域取得了巨大成果，同时为了成为AI产业的核心企业迎来了大转换期。 CIS事业部拥有的技术和经验是公司在增强面向AI的存储器竞争力所必需的，为聚集全公司的力量做出了此次决定。据悉，市场对于AI半导体存储器需求强劲，SK海力士凭借业界领先的HBM技术实力和以盈利为主的经营活动，在2024年实现了历史最高业绩，该公司2024财年营业收入为66.1930万亿韩元，营业利润为23.4673万亿韩元（营业利润率为35%），净利润为19.7969万亿韩元（净利润率为30%）。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/10 13:20:02
Mini-Circuits新型2路90°功率分配器，QCH-451+，能够处理高达250W的功率，幅度不平衡典型值为±0.25dB，相位不平衡标准值为±1.4度。在225至450 MHz的频率范围内工作，出色的相位和幅度不平衡使该组件成为各种系统和子系统设计的通用构建块，从平衡放大器和天线馈电到军事应用等等。分流器采用层压PCB工艺（1.26 x 0.5 x 0.088英寸）制造，包括环绕式端子，具有良好的可焊性和易于目视检查。规格参数产品类型:Signal Conditioning产品:Splitters/Combiners频率:450 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:32 mm x 12.7 mm x 2.39 mm最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 105 C系列:QCH封装:Reel商标:Mini-Circuits安装:Board Mount特性高功率处理，高达250W宽带振幅不平衡度极佳，±0.25dB应用平衡放大器I&Q调制器国防和军事尺寸图
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2025/3/7 14:32:14
LTC®4065 是一款用于单节锂离子电池的完整恒定电流/恒定电压线性充电器。其 2mm x 2mm DFN 封装和很少的外部组件数目使得 LTC4065 尤其适合便携式应用。而且，LTC4065 是专门为在 USB 电源规范内工作而设计的。当充电电流降至其设定值的 10% (C/10) 时，CHRG 引脚将发出指示信号。一个内部定时器根据电池制造商提供的产品规格来终止充电操作。由于采用了内部 MOSFET 架构，因此无需使用外部检测电阻器或隔离二极管。热反馈功能可调节充电电流，以便在大功率工作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。当输入电压 (交流适配器或 USB 电源) 被拿掉时，LTC4065 自动进入一个低电流状态，并将电池漏电流降至 1µA 以下。可在施加电源的情况下将 LTC4065 置于停机模式，从而将电源电流降至 20µA 以下。功能齐全的 LTC4065 还包括自动再充电、低电池电量充电调节 (涓流充电)、软起动 (用于限制涌入电流) 和一个用于指示合适输入电压接入的漏极开路状态引脚 (仅 LTC4065A)。LTC4065采用纤巧的6引脚、扁平 (高度仅 0.75mm) 2mm x 2mm DFN 封装。规格参数电池类型:Lithium-ion, Lithium Polymer输出电压:4.2 V输出电流:750 mA工作电源电压:5.5 V封装 / 箱体:DFN-6安装风格:SMD/SMT系列:LTC4065封装:Reel封装:Cut Tape商标:Analog Devices开发套件:DC763A单位重量:150 mg特性• 采用 2mm x 2mm DFN 封装的完整线性充电器• C/10 充电电流检测输出• 定时器终止• 高达 750mA 且准确度为 5% 的可设置充电电流• 无需外部 MOSFET、检测电阻器或隔离...
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2025/3/7 14:17:40
LTC®2944 可测量便携式产品应用中的电池充电状态、电池电压、电池电流及其自身温度。该器件具有宽输入电压范围，因而可与高达 60V 的多节电池配合使用。一个精准的库仑计量器负责对流经位于电池正端子和负载或充电器之间的一个检测电阻器的电流进行积分运算。电池电压、电流和温度利用一个内部 14 位无延迟增量累加 (No Latency ΔΣ™) ADC 来测量。测量结果被存储于可通过内置 I2C / SMBus 接口进行存取的内部寄存器中。LTC2944 具有针对所有 4 种测量物理量的可编程高门限和低门限。如果超过了某个编程门限，则该器件将采用 SMBus 警报协议或通过在内部状态寄存器中设定一个标记来传送一个警报信号。LTC2944 仅需采用单个低阻值检测电阻器以设定测量电流范围。规格参数电池类型:Lithium-ion输出电压:400 mV输出电流:1 A工作电源电压:3.6 V to 60 V封装 / 箱体:DFN-8安装风格:SMD/SMT系列:LTC2944封装:Tube商标:Analog Devices最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C工作电源电流:850 uA单位重量:2.027 g特性• 可测量累积的电池充电和放电电量• 3.6V 至 60V 工作范围可适合多节电池• 14 位 ADC 负责测量电池电压、电流和温度• 1% 电压、电流和充电准确度• ±50mV 检测电压范围• 高压侧检测• I2C 接口 / SMBus接口• 适合任何电池化学组成和容量的通用测量• 可配置警报输出 / 充电完成输入• 静态电流小于 150μA• 小外形 8 引线 3mm x 3mm DFN 封装应用电动和混合动力汽车电动工具电动自行车、摩托车、踏板车大功率便携式设备光电备用电池系统引脚图
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2025/3/7 14:07:07
LTC4020 是一款高电压电源管理器，其可在很宽的电压范围内实现 PowerPath™ 即时接通型操作和高效率电池充电。一个内置降压-升压型 DC/DC 控制器可在电池和 / 或系统电压高于、低于或等于输入电压的情况下运作。LTC4020 能针对负载变化、电池充电要求和输入电源限制条件无缝地管理电池和转换器输出之间的功率分配。LTC4020 电池充电器可提供一种恒定电流 / 恒定电压充电算法 (CC/CV)、恒定电流充电 (CC)、或者运用一种经过优化的 4 步、3 级铅酸电池充电模式进行充电。最大转换器和电池充电电流可由电阻器进行设置。即使在采用一个完全放电电池的情况下，该 IC 的即时接通型操作亦能确保系统负载电源。其他安全特性包括严重放电电池的预查验以及一个用于提供充电终止和保护功能的集成型定时器。规格参数输出电压:55 V工作电源电压:4.5 V to 55 V封装 / 箱体:QFN-38安装风格:SMD/SMT系列:LTC4020封装:Tube商标:Analog Devices单位重量:89 mg特性• 宽电压范围：4.5V 至 55V 输入，高达 55V 输出 (60V 绝对最大值)• 同步降压-升压型 DC/DC 控制器• 锂离子电池和铅酸电池充电算法• ±0.5% 浮动电压准确度• ±5% 充电电流准确度• 采用严重放电电池时可实现即时接通• 理想二极管控制器可在输入功率受限时提供低损耗电源通路 (PowerPath)应用• 便携式工业和医疗设备• 太阳能供电型系统• 军用通信设备• 12V 至 24V 嵌入式汽车系统引脚图
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2025/3/7 13:59:31
LTC®6804是亚德诺第三代多电池堆监测器，可测量多达12个串联的电池单元，总测量误差小于1.2mV。电池测量范围为0V至5V，使LTC6804适用于大多数电池化学物质。所有12个电池电压都可以在290µs内捕获，并且可以选择较低的数据采集速率以实现高降噪。多个LTC6804设备可以串联连接，允许同时监测长高压电池串。每个LTC6804都有一个isoSPI接口，用于高速、射频免疫、局域通信。使用LTC6804-1，多个设备以菊花链连接，所有设备都有一个主机处理器连接。使用LTC6804-2，多个设备并行连接到主处理器，每个设备单独寻址。其他功能包括每个电池的无源平衡、板载5V稳压器和5条通用I/O线。在睡眠模式下，电流消耗降低到4µA。LTC6804可以直接由电池供电，也可以由隔离电源供电。规格参数电池类型:Multiple Cell输出电压:5.6 V输出电流:4 mA工作电源电压:11 V to 55 V封装 / 箱体:SSOP-48安装风格:SMD/SMT系列:LTC6804封装:Tube商标:Analog Devices高度:1.85 mm最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C湿度敏感性:Yes工作电源电流:550 uA单位重量:5.851 g特性最多可测量12个串联电池单元可堆叠架构支持100个单元内置isoSPI™接口：1Mbps隔离串行通信使用单双绞线，高达100米的低EMI敏感性和发射最大总测量误差1.2mV290µs用于测量系统中的所有电池同步电压和电流测量带频率可编程三阶噪声滤波器的16位Delta-Sigma ADC专为符合ISO26262标准的系统而设计带可编程定时器的无源单元平衡5个通用数字I/O或模拟输入：温度或其他传感器输入可配置为I2C或SPI主控4μA睡眠模式电源电流48导联SSOP封...
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2025/3/7 13:52:43
LTC®1733 是一独立的恒流/恒压线性充电器，内含功率 MOSFET，适用于锂离子电池。内部的热反馈可调整充电电流，以便在大功率工作或环境温度高的条件下限制硅片温度。该功能使用户可设定一个大充电电流，而不会有损害 LTC1733 或手持产品的危险。由于采用了内部 MOSFET 的结构，因此无需外部电流检测电阻和隔离二极管。充电电流和充电时间可在外部分别利用一个电阻和一个电容来设置。当输入电源 (交流适配器) 被拿掉时，LTC1733 自动进入一低电流睡眠模式，将电池漏电流降至 5µA 以下。LTC1733 还包括 NTC 温度检测、C/10 检测电路、AC 适配器接入的逻辑信号、4.1V/4.2V 引脚选择功能以及电池低压充电条件 (涓流充电)。LTC1733 采用 10 引脚热增强型 MSOP 封装。规格参数产品:Charge Management电池类型:Lithium-ion, Lithium Polymer输出电压:4.1 V, 4.2 V输出电流:1.5 A工作电源电压:6.5 V封装 / 箱体:MSOP-10安装风格:SMD/SMT系列:LTC1733封装:Reel封装:Cut Tape商标:Analog Devices开发套件:DC454A单位重量:26.671 mg特性• 适用单节锂离子电池的完整线性充电器• 热调整功能使充电速率最大化并且无过热风险*• 无需外部 MOSFET、检测电阻或隔离二极管• 最高 1.5A 充电电流• 1% 精度的预设充电电压• 7% 精度的可编程充电电流• 可编程充电终止定时器• 小巧的热增强型 10 引脚 MSOP 封装• 充电电流监视器有助于电池电量检测*• C/10 充电电流检测输出• 自动再充电• 热敏电阻输入以实现适宜温度充电• AC 适配器接入的逻辑输出• 4.1V/4.2V 引脚可选输出电压...
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2025/3/7 13:45:37
LTC4013 是一款高电压电池充电器控制器，其支持浮动、吸收和均衡铅酸电池以及恒定电流 / 恒定电压锂离子电池充电算法。该器件特别适合为多种铅酸电池充电，包括开口型和密封型。另外，LTC4013 还支持锂离子 / 锂聚合物、磷酸铁锂 (LiFePO4)、镍氢 (NiMH)、镍隔 (NiCd) 和其他电池类型。充电利用一个采用外部 N 沟道 MOSFET 的高效率同步降压型转换器来完成。开关频率用一个电阻器进行设置，或与一个外部时钟实现同步以在多相应用中使用。充电电流利用一个外部检测电阻器设定。该器件拥有用于太阳能电池板等有限功率输入的最大功率点跟踪输入电压调节功能。其他特点包括用户可编程吸收和均衡时间、温度调整型调节电压和一个外部 NFET 隔离二极管。规格参数输出电压:0 V to 60 V输出电流:5 A工作电源电压:4.5 V to 60 V封装 / 箱体:QFN-28安装风格:SMD/SMT系列:LTC4013封装:Tube商标:Analog Devices开发套件:DC2374A最大工作温度:+ 125 C最小工作温度:- 40 C单位重量:50.827 mg特性• 宽输入电压范围：4.5V 至 60V• 宽电池电压范围：0V 至 60V• 内置针对铅酸电池和锂离子电池的充电算法• ±0.5% 浮动电压准确度• ±5% 充电电流准确度应用• 用于照明、UPS 系统、安保摄像机、计算机控制面板的电池后备• 便携式医疗设备• 太阳能供电型系统• 工业电池充电引脚图
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2025/3/7 13:40:10
2025年3月6日，中国 —— 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST) 推出Teseo VI系列全球导航卫星系统 (GNSS) 接收器芯片，目标应用锁定大规模采用高精度定位技术的多种行业。在汽车行业，Teseo VI芯片和模块将成为高级驾驶辅助系统 (ADAS)、智能车载系统、自动驾驶等安全关键应用的核心组件。在工业应用中，Teseo VI芯片可提升多种工业自动化设备的定位能力，包括资产追踪器、家用送货机器人、智能农业机械管理与作物监测、基站等定时系统，以及其他应用。意法半导体数字音频与信号解决方案部门总经理Luca Celant表示："Teseo VI新系列接收器代表我们在定位引擎领域取得了实质性创新突破，因为它是市场首个单片集成多星座四频信号处理器；首个采用两个Arm®处理器内核架构的卫星接收器芯片，让汽车辅助/自动驾驶系统同时具有很高的性能和ASIL级安全性；集成ST专有的相变存储器（PCM）技术，是开发新型高精度定位解决方案的高集成度、高性价比、高可靠性硬件平台。ST 的新卫星导航接收器芯片将赋能汽车ADAS驾驶系统实现令人期待的高级功能，并为制造业正在开发的许多新型应用赋能。Teseo VI 是市场上首个单片集成厘米级定位所需的全部系统元件，支持同时接收处理多星座四频段卫星信号，创新设计简化了导航定位终端产品的开发过程，提高了信号接收可靠性，即使在高楼林立的城区以及其他的卫星信号不好的环境中，也能可靠地接收卫星信号，同时还能降低开发终端产品的物料清单成本。此外，这个单片接收器还可加快产品上市时间，缩小外观尺寸，降低重量。Teseo VI新系列高精度定位接收器芯片利用意法半导体数十年的研制经验，并集成公司的多项专有技术，包括高精度定位和嵌入式存储器。技术说明：意法半导体的新系列...
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2025/3/7 13:34:40
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2025年3月5日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款全新Cyllene 2 IC，以升级消费品中红外（IR）遥控应用的VSOP383xx系列前置放大电路。这些增强型解决方案采用2mm x 2mm x 0.76mm的QFN封装，以即插即用方式替代该系列中现有的器件，同时提供2.0 V至5.5 V的更宽电源电压范围，高37 %的黑暗环境灵敏度，以及在强DC光和Wi-Fi噪声下的更优性能。Vishay VSOP383xx系列前置放大器电路采用紧凑型封装，在更宽的电压范围内实现低功耗，从而延长电池寿命，并节省移动设备的空间。通过使用Vishay最新的自有IC技术升级组件，可确保产品的长期供货，并缩短向客户交付产品的周期。作为现有解决方案的直接替代产品——没有机械差异且电气特性相似，这些器件不需要对PCB进行重新设计，有助于节省成本。 前置放大器电路的设计目的是与光电二极管配合使用，用于电视、音响、游戏机、机顶盒（STB）、音频设备等的红外遥控。针对这些产品中的遥控功能，器件增强了对不同种类的灯的抗干扰能力，并且对电源电压上的纹波噪声提供了很高的抗扰度。此外，该解决方案不易受2.4 GHz和5 GHz频率的电磁干扰（这些电磁干扰可能导致不必要的输出脉冲）影响，因此可以放置在Wi-Fi天线附近，以提高设计灵活性，同时，器件在明亮阳光下的稳定性使其适合户外使用。这些器件符合RoHS标准，无卤素，并满足Vishay绿色标准，载波频率有36 kHz（VSOP38336）和38 kHz（VSOP38338）两种。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/7 13:30:14
NAND Flash与DRAM市场供需正在改善，2025年NAND Flash合约价预计将于第二季底回升，并持续至年底。主要原因来自于原厂减产与供应紧缩。自2024年第四季起，三星及铠侠/西部数据已大幅下修投片，导致2025年NAND位元供给增幅仅13%，而需求则成长15%。这使得供给吃紧情势将延续至2026 年，进一步推动价格回升。企业级SSD需求扩张，PCIe 5.0 SSD渗透率将从2024年的9%提升至2026年的61%。随着AI推理与企业数据存储需求的提升，企业级SSD将加速取代传统HDD。2025年企业级SSD市场将年增15%，而PCIe 5.0 SSD的高效能需求将进一步推升产业成长。随着NAND Flash原厂持续控制供应，2025年合约价将于第二季底回升，并持续至年底，涨幅至少可延续数个季度。高层数NAND堆叠技术的变革，使原厂的资本支出扩张受限，导致市场供给成长缓慢。DRAM市场虽然供需逐渐平衡，但价格回升动能仍不明显。2025年第一季与第二季DRAM供需比仍高于100%，显示供应仍大于需求，预计到下半年供需才会趋于平衡。与此同时，AI PC市场的崛起，将带动DDR5与LPDDR5X的需求增长。存储市场供需改善，带动NAND Flash与DRAM相关供应链企业迎来成长机会。然而，市场仍需关注以下风险，若NAND Flash原厂提前扩产，可能影响价格回升幅。DRAM市场短期内仍供过于求，价格回升动能不足。全球经济与电子产业需求变数，可能影响整体存储市场的复苏速度。未来，市场将关注企业级SSD、AI PC 与工控应用的成长潜力，这些领域将成为存储市场的主要驱动力。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/3/7 13:23:58