TA9110K是一种宽带GaN功率晶体管，能够在30 MHz至4.0 GHz频带内提供6 W CW。晶体管可以在较低的频率下使用，同时降低输出功率。输入和输出可以匹配，以获得所需频带的最佳功率和效率。TA9110K采用紧凑、低成本的四方扁平无引脚（QFN）3 x 3 x 0.75 mm、16引脚塑料封装。特性●1000 MHz时的小信号增益：17 dB●1000 MHz时的大信号增益：14 dB●1000 MHz时的PSAT：40 dBm●1000 MHz时PSAT的PAE:55%●28-32V典型操作●工作频率：30 MHz至4.0 GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全无线电●蜂窝基础设施●军用无线电
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2025/4/24 14:10:22
TSL8029N是一个单通道、集成射频、前端、多芯片模块，专为不同应用而设计。该设备的工作频率为2 GHz至5 GHz。TSL8029N配置有级联的两级GaAs LNA和GaN基SPDT开关。在高增益模式下，级联的两级LNA和开关在3.6 GHz下提供1.3 dB的低噪声系数和33 dB的高增益，在高增益状态下输出三阶截断点（OIP3）为33 dBm（典型值）。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路，在50mA的较低电流下提供14.5 dB的增益。在断电模式下，LNA关闭，设备汲取4 mA。在发射操作中，当RF输入连接到终端引脚（TX）时，开关在3.6GHz下提供0.5 dB的低插入损耗，并处理50 dBm的长期演进（LTE）平均功率（8 dB峰均比（标准杆数）），用于全寿命操作。该设备采用符合RoHS标准的紧凑型5毫米×5毫米32引脚QFN。特性两级LNA和GaN SPDT开关片上偏置和匹配单电源操作•3.6 GHz时的增益：33 dB[高增益模式]@3.6 GHz:14.5 dB[低增益模式]•3.6 GHz下的NF:1.4 dB[高增益模式]@3.6 GHz:1.3 dB[低增益模式]•3.6 GHz时的OP1dB:22 dBm[高增益模式]@3.6 GHz:12 dBm[低增益模式]•工作频率：2至5 GHz•3600 MHz时的插入损耗：0.5 dB[TX模式]•3.6 GHz下的开关隔离度：18 dB[RX HG模式]•3.6 GHz时的RX隔离度：53 dB[PD=BP=0 V]@3.6 GHz：42 dB[PD=BP=5 V]@3.6 GHz：38 dB[PD=0 V，BP=5 V]@3.6GHz:45dB[PD=5V&BP=0 V]•TCASE=105°C时的高功率处理全寿命•LTE平均功率[8 dB标准杆数]：50 dBm•...
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2025/4/24 14:01:59
TP0310K是一款功率低噪声放大器（LNA），可提供高增益和线性度。通过简单的输入和输出匹配，该LNA可以针对不同的频带进行调谐，目标是在0.03-3.8 GHz频带内实现低噪声、高功率和高线性。在1.85 GHz时，放大器通常提供16.5 dB增益、27.5 dBm OP1、+39 dBm OIP3和1.0 dB噪声系数，同时从+5 V电源汲取140-160 mA电流。TP0310K采用紧凑、低成本的双扁平无引线（QFN）3 x 3 x 0.8 mm、16针塑料封装。特性1850 MHz时的小信号增益：16.5 dBNF@1850MHz：1.0dBOP1dB@1850MHz：27.5 dBmOIP3dB@1850MHz：39dBm5V典型工作电压工作频率：0.03至3.8 GHz应用4G/5G基础设施无线电小细胞和细胞中继器L、S波段相控阵雷达军用/商用无线电SDARS天线
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2025/4/24 13:56:02
TL0302H是一款高增益、超低噪声放大器（LNA），可提供高增益和线性度。在上述频带内，该器件表现出1.4 dB的出色噪声系数和出色的增益平坦度。LNA在3.3V和15mA的典型偏置条件下运行。TL0302H在输入和输出端口内部匹配为50Ω。TL0302H采用紧凑、低成本的DFN 1.5 x 1.5 x 0.8 mm 6针塑料封装。特性●6.6 GHz时的小信号增益：13.6 dB●6.6 GHz时的噪声系数：1.4 dB●6.6 GHz时的IP1dB:0.5 dBm●3.3 V典型工作电压●工作频率：5.925至7.125 GHz应用●IEEE 802.11 b/g/a/n/ac Wi-Fi、WLAN●小型蜂窝和蜂窝中继器●4G基础设施无线电●相控阵雷达
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2025/4/24 13:51:46
TL0301H是一款高增益、超低噪声放大器（LNA），可提供高增益和线性度。在上述频带内，该器件表现出1.0 dB（SMA-SMA）的出色噪声系数，具有出色的增益平坦度。LNA在3.3V和15mA的典型偏置条件下运行。TL0301H在输入和输出端口内部匹配为50Ω。TL0301H采用紧凑、低成本的DFN 1.5x1.5x0.8mm 6针塑料封装。特性●5.5 GHz时的小信号增益：17.8 dB●5.5 GHz时的EVB NF:1 dB●5.5 GHz时的IP1dB:-4.5 dBm●3.3 V典型工作电压●工作频率：4.9至6.0 GHz应用●IEEE 802.11 b/g/a/n/ac Wi-Fi、WLAN●小型蜂窝和蜂窝中继器●4G基础设施无线电●相控阵雷达
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2025/4/24 13:46:50
TL0375J是TL0374J的高频版本，它是一种宽带、超低噪声放大器（LNA）。通过简单的输入和输出匹配，该LNA可以针对LTE（小型蜂窝和基础设施）、雷达和任何其他需要低噪声、高增益和线性的应用进行不同频带的调谐。TL0375J采用紧凑、低成本的双扁平无引线（DFN）2x2x0.75mm、8针塑料封装。特性●3600MHz时的小信号增益：17.5dB●3600MHz时的噪声系数：0.4dB●3600MHz时的P1dB:19.5dBm●5V典型工作电压●工作频率：2.0至5.0GHz应用●4G/5G基础设施无线电●小型蜂窝和蜂窝中继器●相控阵雷达●SDARS
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2025/4/24 13:38:44
TL0374J是一款宽带超低噪声放大器（LNA），可提供高增益和线性度。通过简单的输入和输出匹配，该LNA可以针对针对LTE（小型蜂窝和基础设施）的不同频带以及需要低噪声、高增益和线性的任何其他应用进行调谐。对于3GHz的频带，可以考虑TL0375J。TL0374J采用紧凑、低成本的双扁平无引线（DFN）2x2x0.75mm、8针塑料封装。特性●1800MHz时的小信号增益：21.5dB●1800MHz时的噪声系数：0.35dB●1800兆赫时的P1dB:18.5dBm●5V典型工作电压●工作频率：0.4至3.0GHz应用●4G/5G基础设施无线电●小型蜂窝和蜂窝中继器●相控阵雷达●SDARS
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2025/4/24 13:31:57
用于汽车应用的100V新产品，在3225封装尺寸下具有10μF电容（实现大电容）有助于减少元件数量，实现成套设备小型化符合AEC-Q200标准产品的实际外观与图片不同。TDK标志没有印在实际产品上。TDK株式会社发布CGA系列汽车级积层陶瓷电容器（MLCC）新品，以3.2x2.5x2.5mm（3225）超小封装实现100V耐压与10µF容值组合，刷新同尺寸、同电压规格的全球最高电容纪录。该器件采用X7R二类电介质，可在-55℃至125℃温度范围内稳定工作，满足汽车电子严苛环境需求，计划于2025年4月量产，为电动汽车电驱系统、车载充电模块等高密度电路设计提供关键支撑。近年来，随着电子控制单元（ECU）功能日益复杂，功耗不断增加，大电流系统逐渐成为主流。与此同时，也要求车辆轻量化（线束更轻），并且48V电池系统的使用也越来越普遍。因此，对于大容量100V产品的需求不断增加，例如电源线中使用的平滑电容器和去耦电容器。通过优化材料和产品设计，CGA系列100V产品在相同封装尺寸下实现了两倍于传统产品的容量。这种新产品可以使MLCC的使用数量和安装面积减少一半，有助于减少元件数量并实现设备的小型化。今后，TDK将进一步扩大产品阵容，以满足客户需求。* 截至2025年4月, 根据 TDK术语平滑：大容量电容器的充放电可抑制整流电流中脉冲流的电压波动，使其更加平滑去耦：在集成电路电源线和接地线之间插入电容器，当负荷发生急剧变化时，通过临时提供电流来抑制电源线的电压波动AEC-Q200：汽车电子委员会的汽车无源元件标准主要应用各种汽车用48V产品的电源线路的平滑和去耦主要特点与优势由于产品在3225封装尺寸下可提供10μF高电容，因此可以减少元件数量并实现设备小型化符合AEC-Q200标准的高可靠性免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所...
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2025/4/24 13:19:30
Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出革命性电源管理IC MCP16701，专攻AI加速卡与边缘服务器供电痛点。该PMIC集成8路1.5A可并联降压转换器（效率＞95%）、4路300mA LDO及智能MOSFET驱动控制器，可在-40℃~125℃工业温域实现±1%电压精度，为Xilinx Versal等FPGA提供全链路电源解决方案。这款高集成度器件可使电路板面积减少48%，元件数量较分立方案降低60%以上。MCP16701采用8 × 8 mm小尺寸VQFN封装，为空间受限应用提供紧凑灵活的电源管理解决方案。MCP16701通过可配置的功能集可满足各种电源需求，并支持 Microchip 的 PIC64-GX MPU 和 PolarFire® FPGA。Microchip 负责模拟电源和接口业务部的副总裁Rudy Jaramillo表示：“随着 MCP16701 的推出，Microchip 通过提供前所未有的集成度和灵活性，为 电源管理IC 技术树立了新标准。这款电源管理IC专为高性能应用而设计，旨在帮助客户简化设计流程。”MCP16701 具有 I2C 通信接口，可简化电源管理IC 与其他系统元件之间的通信并提高通信效率。该器件工作温度范围为TJ -40°C至+105°C，可在各类复杂环境条件下实现可靠的性能。MCP16701的主要特点是支持所有转换器以12.5 mV/25 mV步进动态调节输出电压。这种最大限度的灵活性使设计人员能够精准调整功率输出，以满足特定应用要求，帮助提高整体系统效率和性能。MCP16701 加入了 Microchip 电源管理IC产品系列，这个系统中已包括 MCP16502、MCP16501 等产品，用于为高性能 MPU 应用（包括工业计算、数据中心、物...
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2025/4/24 13:17:18
TS74230L是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。其从1MHz到3GHz的宽带性能使TS74230L成为所有在小封装TS74230L尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的应用的优秀开关。此部件禁用了内部电荷泵，以消除电荷泵杂散。VCP引脚上需要-17至-18V的电源。TS74230L采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）4x4mm 32引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.40dB@800MHz●高隔离度：800MHz时为43dB●高线性功率处理能力●多功能2.6-5.5V Vdd电源●-18V的Vcp电源●43dBm热切换能力应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝
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2025/4/23 10:54:46
TS72250K是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS72250K在10MHz至6GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。此部件禁用了内部电荷泵，以消除电荷泵杂散。VCP引脚上需要-17V电源。TS72250K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.35dB@800MHz●高隔离度：800MHz时45dB●高峰值功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●40dBm CW热切换能力●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：10MHz至6GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/23 10:51:40
TS80430N是第二代对称反射单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS80430N可以覆盖30M至1.0GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS80430N是一款出色的开关，适用于在小封装尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的所有应用。此部件禁用了内部电荷泵，以消除电荷泵杂散。VCP引脚上需要-18V电源。TS80430N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性•低插入损耗：0.37dB@1GHz•高隔离度：400MHz时为45dB，1GHz时为36dB•100W CW，200W峰值功率•射频线路上没有外部隔直电容器•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30MHz至1.0GHz，匹配30MHz至2.5GHz应用•私人移动和军用无线电•公共安全手机•蜂窝基础设施•低功率的无线接入节点•LTE中继和微蜂窝•卫星终端
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2025/4/23 10:46:59
TS85410L是一款对称反射式单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS85410L在30MHz至3.0GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。部分也可以在30MHz以下使用，同时降低功率处理。此部件禁用了内部电荷泵，以消除电荷泵杂散。VCP引脚上需要-18V电源。TS85410L采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）4x4mm 32引脚塑料封装。特性●低插入损耗：800MHz时为0.25dB●高隔离度：800MHz时45dB●高线性功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●多功能2.6-5.5V电源●低噪音应用禁用内部电荷泵应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点
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2025/4/23 10:42:32
TS80220L是第二代对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS80220L可以覆盖30M至6GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS80220L是一款出色的开关，适用于在小封装尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的所有应用。此部件禁用了内部电荷泵，以消除电荷泵杂散。VCP引脚上需要-18V电源。TS80220L采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）4x4mm 32引脚塑料封装。特性•低插入损耗：0.5dB@4GHz•高隔离度：0.8GHz时为42dB，4GHz时为20dB•50W CW，125W峰值功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30MHz至6GHz•低噪音应用禁用内部电荷泵应用•私人移动和军用无线电•公共安全手机•蜂窝基础设施•小细胞•LTE中继和微型蜂窝•卫星终端
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2025/4/23 10:38:11
TS80210N是第二代对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS80210N可以覆盖30M至4GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS80210N是一款出色的开关，适用于所有需要在小封装尺寸内实现低插入损耗、高隔离和高线性的应用。此部件禁用了内部电荷泵，以消除电荷泵杂散。VCP引脚上需要-18V电源TS80210N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性•低插入损耗：0.5dB@4GHz•高隔离度：0.8GHz时为42dB，4GHz时为20dB•50W CW，125W峰值功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30MHz至4GHz应用•私人移动和军用无线电•公共安全手机•蜂窝基础设施•小细胞•LTE中继和微蜂窝•卫星终端
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2025/4/23 10:34:44
TS84410L是一款对称反射式单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS84410L在30MHz至4.0GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离和小封装尺寸内高线性的应用的优秀开关。此部件禁用了内部电荷泵，以消除电荷泵杂散。VCP引脚上需要-17V电源TS84410L采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）4x4mm 32引脚塑料封装。特性•低插入损耗：800MHz时为0.2dB•高隔离度：800MHz时38dB•30W CW功率处理能力•射频线路上没有外部隔直电容器•工作频率：30MHz至4.0GHz•多功能2.6-5.25V电源应用•私人移动无线电手机•公共安全手机•蜂窝基础设施•小细胞•LTE中继和微蜂窝•卫星终端•低噪音仪器
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2025/4/23 10:31:04
TS84230K是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS84230K在30MHz至5.0GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离和小封装尺寸内高线性的应用的优秀开关。此部件禁用了内部电荷泵，以消除电荷泵杂散。VCP引脚上需要-18V电源。TS84230K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性低插入损耗：800MHz时为0.2dB高隔离度：800MHz时为45dB高CW功率处理能力20 W射频线路上没有外部隔直电容器所有射频端口均处于关闭状态多功能2.6-5.25V电源工作频率：30MHz至5.0GHz低噪音应用禁用内部电荷泵应用私人移动无线电手机公共安全手机蜂窝基础设施小电池（3×3mm QFN封装）LTE中继和微蜂窝卫星终端
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2025/4/23 10:02:04
TS82250K是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS82250K在30MHz至5.0GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。此部件禁用了内部电荷泵，以消除电荷泵杂散。VCP引脚上需要-17V电源。TS82250K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.2dB@800MHz●高隔离度：800MHz时45dB●高CW功率处理能力20 W●射频线路上没有外部隔直电容器●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.25V电源●工作频率：30MHz至5.0GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●小电池（3×3mm QFN封装）●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/23 9:55:47