PC等终端产品需求缺乏，导致DRAM价格连续3个月下跌，跌幅扩大。因需求低迷，导致在智能手机、PC、数据中心服务器上用于暂时存储数据的DRAM价格继续下跌。11月份DDR4 8Gb批发价(大宗交易价格)为每个1.9美元左右，容量较小的4Gb价格为每个1.46美元左右，比上个月下跌4%，连续第3个月下跌，跌幅比9-10月的3%呈现扩大。DRAM需求中，约50%来自PC和服务器、约35%来自智能手机。库存下降，不过中国市场的终端产品销售放缓，持续为买方市场。存储厂商无法以强硬的姿态进行涨价谈判。AI用HBM供应追不上需求，然而HBM供应开始稳定，很难按照存储厂商预定的价格进行交易。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/31 9:40:28
F1792以最小的功耗提供最大的性能和灵活性。独特的专利可设置增益功能使其可用于各种各样的无线电卡应用，甚至允许动态调整增益以最大限度地提高运行性能。通过固定的BOM和所有内部匹配，实现了极宽的射频和中频带宽。该设备可以在低至-6dBm的LO功率下运行，并具有独立的信道关闭模式，便于集成到高阶TDD MIMO系统中。规格参数频率范围：400MHz~3.8GHz增益/损耗：11dB噪声系数：8.9dB电源电压：3.15V~3.45V供电电流：462mA工作温度：-40℃~+105℃点击购买：F1792NLGI8特性•射频范围：400 MHz至3800 MHz•LO范围：400 MHz至3600 MHz•中频范围：50 MHz至600 MHz•4个增益设置；11 dB、8 dB、5 dB、2 dB•2位增益步进控制•非常适合多载波系统•+35 dBm OIP3•通过IDT的FlatNoise™技术在任何增益设置下都具有低噪声系数•Z=200ΩIF平衡，50ΩRF，50ΩLO单端•所有内部匹配。所有RF、LO和IF频率的单一BOM•4毫米x4毫米，24针TQFN封装•独立路径待机模式•75纳秒用于增益调整•VCC=3.3 V，462 mW引脚图
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2024/12/30 14:16:02
MAX2870为超宽频带锁相环(PLL)，集成压控振荡器(VCO)，能够工作在整数和分数N分频模式。配合外部参考时钟振荡器和环路滤波器，MAX2870可构成高性能频率合成器，产生23.5MHz至6.0GHz频率范围的时钟，并可保持优异的相位噪声和杂散指标。内部覆盖3000MHz至6000MHz范围的多路集成VCO以及1-128输出分频器用于实现超宽频率范围的时钟输出。器件提供双通道差分输出驱动器，可分别设置提供-4dBm至+5dBm的输出功率，两路输出均可通过软件或硬件控制静音。 MAX2870由3线串口控制，兼容于1.8V控制逻辑。器件采用无铅、符合RoHS标准的5mm x 5mm、32引脚TQFN封装，工作在-40°C至+85°C扩展级温度范围。 规格参数电路数量:1 Circuit最大输入频率:200 MHz最小输入频率:10 MHz输出频率范围:23.5 MHz to 6 GHz电源电压-最大:3.6 V电源电压-最小:3 V技术:Si最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C开发套件:MAX2870EVKIT#工作电源电流:144 mA工作电源电压:3.3 V点击购买：MAX2870ETJ+T特性• 整数/分数N分频模式• 手动或自动选择VCO• 6000MHz基频VCO3000MHz至• 输出二进制缓冲器/驱动器，用于扩展频率范围• 1/2/4/8/16/32/64/128• 23.5MHz至6000MHz• 低相噪• RMS抖动：0.25psRMS(典型值)• EVM @ 2.1GHz：0.35%(典型值)• 高性能PFD• 整数N分频模式下，105MHz• 分数N分频模式下，50MHz• 高达200MHz的参考时钟频率• +3.0V至+3.6V供电• 两路可编程输出• -4dBm至+5dBm• 模拟和数字锁定...
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2024/12/30 14:07:46
BQ40Z50-R2 器件采用已获专利的 Impedance Track™ 技术，是一个全集成、单芯片、基于电池组的解决方案，可为 1 节、2 节、3 节和 4 节串联锂离子和锂聚合物电池组提供电量监测、保护和认证等各种特性。BQ40Z50-R2 电子元器件利用其集成的高性能模拟外设，测量锂离子或锂聚合物电池的可用容量、电压、电流、温度和其他关键参数，保留准确的数据记录，并通过 SMBus v1.1 兼容接口将这些信息报告给系统主机控制器。规格参数输出电压:26 V输出电流:20 mA工作电源电压:2.2 V to 26 V容量:100 mAh to 29 Ah开发套件:BQ40Z50EVM-561最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C工作电源电流:336 uA单位重量:34 mg特性• 完全集成的 1 节、2 节、3 节和 4 节串联锂离子或锂聚合物电池组管理器和保护• 获得专利的新一代 Impedance Track™ 技术可准确测量锂离子和锂聚合物电池中的可用电量• 高侧 N 沟道保护 FET 驱动器• 充电或者静止状态时具有集成的电池平衡功能• 适合于 100mAh 和 29Ah 之间的电池• 全面的可编程保护功能• 电压• 电流• 温度• 充电终止时间• CHG/DSG FET• 模拟前端 (AFE)• 精密的充电算法• JEITA• 增强型充电• 自适应充电• 电池均衡• 支持涡轮模式 2.0• 支持电池跳闸点 (BTP)• 诊断使用寿命数据监控器和黑盒记录器• LED 显示屏• 支持双线制 SMBus v1.1 接口• 安全散列算法 (SHA-1) 认证• IATA 支持• 紧凑型封装：32 引线 QFN (RSM)应用• 平板电脑• 无人机• UPS/电池备用系统• 医疗设备• 手持式真空吸尘器和扫地机器人引脚图
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2024/12/30 14:01:13
AOZ1360是一种高压侧负载开关电子元器件，适用于需要电路保护的应用。该设备在5.5V至28V的电源电压下运行。内部限流电路保护输入电源电压免受大电流负载的影响。电流限制可以用外部电阻器设置。AOZ1360提供热保护功能，限制过度功耗。该设备采用内部软启动电路来控制与热插拔事件相关的高电容性负载引起的涌入电流。它具有220μA的低静态电流，关机时电源电流降至1uA以下。AOZ1360提供SO-8或DFN-10 4 mm x4 mm封装，可在a-40C至+85 C的温度范围内运行。特性35mΩ最大导通电阻可编程电流限制5.5V至28V工作输入电压低静态电流欠压锁定热关断保护2.5kV ESD额定值提供SO-8或DFN-10封装应用笔记本电脑热插拔电源引脚图
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2024/12/30 13:56:46
AD9656是一款4通道、16位、125 MSPS模数转换器(ADC)电子元器件，内置片内采样保持电路，专门针对低成本、低功耗、小尺寸和易用性而设计。该产品的转换速率最高可达125 MSPS，具有杰出的动态性能与低功耗特性，适合比较重视小封装尺寸的应用。 该ADC要求采用1.8 V单电源供电以及LVPECL/CMOS/LVDS兼容型采样速率时钟信号，以便充分发挥其工作性能。无需外部基准电压源或驱动器件即可满足许多应用需求。它还支持独立关断各通道；禁用所有通道时，典型功耗低于2 mW。该ADC内置多种功能特性，可使器件的灵活性达到较佳、系统成本较低，例如可编程输出时钟与数据对准、生成数字测试码等。可获得的数字测试码包括内置固定码和伪随机码，以及通过串行端口接口(SPI)输入的用户自定义测试码。AD9656采用符合RoHS标准的56引脚LFCSP封装。规格参数分辨率:16 bit通道数量:4 Channel接口类型:SPI采样比:125 MS/s模拟电源电压:1.8 V数字电源电压:1.8 VSNR – 信噪比:80.1 dBFS最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C工作电源电压:1.8 V产品类型:ADCs - Analog to Digital Converters参考类型:Internal参考电压:1.4 V电源电压-最大:1.8 V电源电压-最小:1.8 V单位重量:226.645 g点击购买：AD9656BCPZ-125特性• 信噪比(SNR)：79.9 dBFS（16 MHz，VREF = 1.4 V）• 信噪比(SNR)：78.1 dBFS（64 MHz，VREF = 1.4 V）• 无杂散动态范围(SFDR)：86 dBc（至奈奎斯特频率，VREF= 1.4 V）• JESD204B Subclass 1编码串行数字输出• 灵活的模拟输入范围：2....
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2024/12/30 13:44:40
HMC1031MS8E、外部环路滤波器和VCXO形成完整的时钟发生器解决方案，适用于低频抖动清除器和参考时钟产生应用。HMC1031MS8E集成了支持1/5/10分频比的低功率整数N分频器，它通过外部硬件引脚控制，无需串行端口。集成鉴相器和电荷泵的工作频率高达140 MHz，最大VCXO输入为500 MHz，确保符合各种系统时钟和VCXO频率要求。其它功能包括专用硬件引脚上集成锁定检测指示器及内置省电模式。HMC1031MS8E采用8引脚MS8E SMT封装。规格参数输出端数量:1 Output最大输出频率:500 MHz最大输入频率:500 MHz封装 / 箱体:MSOP-8占空比 - 最大:60 %工作电源电流:1.95 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C工作电源电压:3.3 V输出类型:CMOS单位重量:140 mg点击购买：HMC1031MS8E特性• 低功耗： 195 mA（典型值）• 高鉴频鉴相器速率： 140 MHz• 硬件引脚可编程时钟倍频系数： x1/ x5/ x10• 锁定检测指示器• 省电模式：0.8 µA（典型值）• 8引脚MSOP封装： 4.9 mm × 3.0 mm应用• 低抖动时钟发生• 低带宽抖动衰减• 低频PLL• 频率转换• OCXO频率乘法器• 10MHz设备锁相、干净高频参考引脚图
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2024/12/30 13:37:30
HMC838LP6CE是一款全功能小数N分频锁相环(PLL)频率合成器，集成压控振荡器(VCO)。 频率合成器由带有三频段输出的集成式低噪声VCO、用于低压VCO调谐的自动校准子系统、极低噪声数字相位检波器(PD)、精密控制电荷泵、低噪声参考路径分频器和小数分频器组成。小数分频频率合成器采用高级Σ-Δ型调制器设计，支持超精细步长和低杂散产物。 相位检波器(PD)采用防周跳(CSP)技术，具有更快的跳频时间。 超低近载波相位噪声和低杂散特性还实现了更宽的环路带宽，从而具有更快的跳频和低微音特性。规格参数电路数量:1 Circuit最大输入频率:3.78 GHz最小输入频率:795 MHz电源电压-最大:5.2 V电源电压-最小:3 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C工作电源电流:88 mA工作电源电压:3.3 V, 5 V单位重量:117.300 mg特性• RF带宽： 795 – 945，1590 – 1890，3180 - 3780 MHz• 小数或整数模式• 19位预分频器• 超低相位噪声：-111 dBc/Hz（带内典型值）• 品质因数(FOM)：-230 dBc（整数）• 24位步长，3 Hz分辨率（典型值）• 200 MHz、14位参考路径输入• 防周跳• 40引脚6x6mm SMT封装： 36mm²应用• 蜂窝/4G基础设施• 中继器和毫微微蜂窝• 通信测试设备• 有线电视设备• 相控阵应用• 替代DDS• 极高数据速率无线电引脚图
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2024/12/30 13:32:22
艾诺半导体的ezSiP(System in Package)降压电源模块EZ8828和EZ8836，该系列产品支持单颗最高42V(EZ8836)的输入电压，最大16A(EZ8828)输出电流，同时也可采用多颗EZ8828/EZ8836并联来提升功率等级。适用于测试机、医疗设备、通信基站等领域中使用24V总线供电的较大功率工业应用场景，同时也标志着艾诺半导体对工业、医疗等领域应用的持续拓展和深耕。选择合适的艾诺电源模块可以有效满足有设计时间和空间限制难题的工程师需求，为他们提供高效、可靠的电源管理解决方案。01 EZ8828/EZ8836产品特点· 输入电压范围：4.5 to 32V(EZ8828) 4.5 to 42V(EZ8836)· 输出电压范围：0.6 to 14V(EZ8828) 0.6 to 18V (EZ8836)· 输出电流：双路6A单路并联12A(EZ8836) 双路8A单路并联16A(EZ8828) · 支持I²C数字通信· ±1.2%最大总直流输出精度· 支持差分远端采样· 支持多相均流· 频率可调250kHz~750 kHz· 输出过流、过压保护· 输出过温保护· 额定工作温度范围：-40℃~125℃· 80-Lead 10mm×12.5mm×5.01mm BGA封装02 效率优秀，可靠性高凭借集成技术与卓越的封装工艺，艾诺半导体EZ8826和EZ8836的峰值效率能够达到 96%以上。同时，其特殊的封装材料与形式，一方面有效减小了整体方案的尺寸，另一方面还起到了均匀温升的作用，进而提高了整体的效率和可靠性。不同输入输出电压下的效率数据可参考下图2和...
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2024/12/30 13:21:19
美国柏恩 Bourns 全新扩展其产品线，推出符合 AEC-Q200 标准车规级 HVMA03F40C-ST10S 反激式变压器。该系列专为在紧凑尺寸中实现高功率密度与更高效率而设计，Bourns 持续推出具备更高能力的高隔离反激式及栅极驱动变压器系列产品，以因应当今汽车、工业以及能源储存设计对于功率密度的不断增长需求。Bourns® HVMA 型号变压器的多项特性使其成为电动车、晶体管栅极驱动、高压电池管理系统，以及混合动力车辆中跨电压系统隔离供电的理想解决方案。此外，该系列亦能有效支持宽带隙设计中使用的高频碳化硅 (SiC)、绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 和氮化镓 (GaN) 开关组件。Bourns 在开发微型化磁性结构方面具备成熟的设计技术。此款最新变压器符合 IEC 标准的隔离与高电气间隙/爬电距离要求，并采用尖端的机械与电气设计，有助于提升系统性能与安全性。Bourns® HVMA03F40C-ST10S 提供 10 毫米爬电距离的表贴式封装，设计人员可在现有平台上利用其支持高达 900 V 的工作电压，或简化新平台的设计。此外，此款 3 瓦反激式变压器支援 100 kHz 至 400 kHz 的开关频率范围，以及 -40 °C 至 +155 °C 的工作温度范围。全新 Bourns® HVMA03F4A-LP8S 系列反激式变压器现已上市，符合 RoHS* 标准和 REACH** 规范。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/30 13:18:47
12月26日，市调机构Counterpoint Research在报告中指出，自折叠屏智能手机市场诞生以来，中国市场经历了快速增长，但目前增速有所放缓。预计2024年中国折叠屏手机出货量将达到910万部，同比增长2%。Counterpoint Research表示，在折叠屏手机类别中，大折叠手机的表现优于小折叠手机，这主要得益于大折叠手机提供了更广泛的使用场景。受此趋势影响，OPPO和vivo今年相继停止了小折叠手机的生产。然而，与上面的趋势相反，小米在7月推出了其首款小折叠手机Mix Flip，市场反响热烈。Counterpoint Research认为，尽管中国的折叠屏手机市场增速放缓，但在饱和的智能手机市场中，折叠屏手机市场仍是一个亮点。为了吸引更多消费者并推动更广泛的普及，创新且更具吸引力的使用场景将变得至关重要。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/30 13:14:38
随着尖端代工厂2025年开始使用2nm工艺节点量产芯片，半导体领域正在上演一场激烈的竞争。这恰逢3nm量产的第三年。首批搭载3nm芯片的智能手机是苹果iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max，这两款手机都配备基于台积电第一代3nm节点（N3B）构建的A17 Pro应用处理（AP）。台积电第二代3nm节点（N3E）用于制造iPhone 16系列所用的A18和A18 Pro AP。尽管早前有传言称台积电将使用其2nm节点制造A19系列AP，但明年的iPhone 17系列芯片将采用台积电第三代3nm工艺（N3P）制造。苹果可能希望等到2026年的iPhone 18系列才使用2nm节点制造其A20和A20 Pro AP，以节省费用。使用新工艺节点制造芯片所用的硅片价格通常在该节点使用的第一年更高。全球最大的晶圆代工厂台积电已经在2nm上已有足够的客户。除了其最大客户苹果已全部签约2026年的2nm产能外，台积电的客户如HPC（高性能计算）制造商、人工智能（AI）、芯片制造商和移动芯片制造商也都参与其中。这使得台积电在2nm订单方面领先于英特尔和三星代工厂。除了苹果，其他表示希望搭上购买台积电2nm产能的知名公司包括AMD、英伟达、联发科和高通。过去几年，三星代工厂在4nm、3nm和2nm的良率方面一直存在问题。三星代工厂在为高通生产骁龙8 Gen1时，4nm良率非常糟糕，以至于后来高通放弃三星代工，转而选择台积电。台积电制造了骁龙8+ Gen 1 AP。最终，三星代工厂将4nm 良率提高到70%。然而，三星代工厂在3nm方面仍然存在良率问题，据报道，这导致3nm Exynos 2500 AP的生产延迟。因此，三星可能不得不支付额外的资金，为所有Galaxy S25系列手机配备更昂贵的骁龙8 Elite SoC，而不是其内部的Exynos 2500。低良率会增加...
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2024/12/30 13:13:40
据Counterpoint研究团队表示，2023年第二季2024年第三季，全球智能型手机AP(Application Processor)/SoC芯片市场呈现多元变化，若依各主要芯片供货商今年第三季表现来看，联发科以36%的市场份额居第一，其第三季的整体芯片出货量小幅成长，其中5G芯片组出货量稳定，而LTE芯片组则微幅增长。数据显示，高通市场份额为26%，受季节性因素影响，第三季芯片出货量呈减少，但三星Galaxy Z Flip 6与Fold 6系列将成为Snapdragon 8 Gen 3出货的主要成长动力，且最新推出的Snapdragon 8 Elite芯片，已与多家手机品牌厂商达成设计合作。苹果市场份额为18%，其第三季推出A18芯片组，带动出货量季增，最新i16基础版标配A18芯片，Pro版则搭载A18 Pro芯片，强化高阶市场竞争力。此外，紫光展锐的UNISOC市场份额为11%，第三季出货量呈减少，但凭借强大的LTE产品组合，仍在低阶市场(99美元以下)保持稳定市占率。三星Exynos芯片第三季出货量略有成长，其主要受惠于Galaxy S24 FE搭载Exynos 2400芯片，而Galaxy A55与A35机型的热销，进一步推动Exynos 1480与Exynos 1380的出货表现。Counterpoint表示，随着智能型手机市场逐步复苏，各大芯片厂商正积极调整产品组合与市场策略，以满足不同价位带的市场需求。从高阶产品的技术创新到低阶市场的深度布局，全球智能型手机芯片市场的竞争态势依然激烈。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/27 17:09:05
MAPS-010166是一款GaAs pHEMT 6位数字移相器电子元器件，采用4mm PQFN塑料表面贴装封装，集成CMOS驱动器。步长为5.6°，以5.6°的步长提供从0到360°的相移。该设计已经过优化，以最大限度地减少相移范围内的衰减变化。MAPS-010166非常适合在需要高相位精度和相移范围内最小损耗变化的情况下使用。4mm PQFN封装提供了比通常用于具有内部驱动器的数字移相器更小的占地面积。典型应用包括通信天线和相控阵雷达。规格参数最大输入频率:12 GHz最小输入频率:8 GHz最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C技术:GaAs封装 / 箱体:PQFN-24商标:MACOM安装风格:SMD/SMT工作电源电压:3 V to 5.5 V电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:3 V特性6位数字移相器360°覆盖，LSB=5.6°集成CMOS驱动器串行或并行控制低直流功耗相移范围内衰减变化最小50Ω阻抗无铅4mm 24导联PQFN封装符合RoHS*标准功能图
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2024/12/26 14:35:27
MADRCC0007是一款四通道驱动器电子元器件，用于将TTL控制输入转换为GaAs FET微波开关和衰减器的栅极控制电压。高速模拟CMOS技术用于在中高速下实现低功耗，包括大多数微波开关应用。输出高电平可选为0至+2.0V（相对于GND），以优化控制设备在低频下的互调产物。规格参数封装 / 箱体:SOIC-16电源电压-最小:4.5 V电源电压-最大:5.5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Bulk商标:MACOM工作电源电流:1 mA工作电源电压:5 VPd-功率耗散:500 mW单位重量:666 mg特性·符合RoHS标准的SWD-119版本·260°C回流兼容·无卤素“绿色”模塑料·铜上镀100%哑光锡·低成本塑料SOIC-16包装·低功耗·正电压控制·高速CMOS技术·四通道应用·航空航天与国防·主义功能图
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2024/12/26 14:23:16
AD9914是一款带12 位DAC的直接数字频率合成器(DDS)。该电子元器件采用DDS技术，连同高速、高性能数模转换器，构成数字可编程的完整高频合成器，能够产生高达1.4 GHz的频率捷变模拟输出正弦波。Ad9914可实现快速跳频和精密调谐分辨率（64 位采用可编程模数模式）。这款器件还提供快速相位与幅度跳频功能。频率调谐和控制字通过串行或并行输入/输出端口载入AD9914。AD9914还支持用户定义的线性扫描工作模式，可生成频率、相位和幅度的线性扫描波形。它包含一个高速32位并行数据输入端口，支持极性调制方案的高数据率以及相位、频率和幅度调谐字的快速编程。规格参数分辨率:12 bit通道数量:1 Channel电源电压-最小:1.8 V电源电压-最大:3.3 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C高度:0.83 mm接口类型:Serial长度:12 mm转换器数量:1 ConverterDAC通道数量:1 DAC Channel宽度:12 mm单位重量:41.163 g特性• 3.5 GSPS内部时钟速度• 集成12位DAC• 频率调谐分辨率：190 pHz• 16位相位调谐分辨率• 12位幅度调整• 可编程模数• 自动线性和非线性频率扫描能力• 32位并行数据路径接口• 8种频率/相位偏移形式应用敏捷LO频率合成可编程时钟发生器用于雷达和扫描系统的调频啁啾源测试和测量设备声光设备驱动程序极化调制器快速跳频引脚图
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2024/12/26 14:13:50
HMC1122是一款6位数字衰减器电子元器件，工作频率范围为0.1 GHz至6 GHz，以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。HMC1122采用硅工艺实现，提供超快速建立时间、低功耗和高ESD鲁棒性。该器件具有安全状态转换特性，并针对频率和温度范围内出色的步长精度和高线性度进行了优化。RF输入与输出为匹配元件。该设计为双向；因此，RF输入与输出可以互换。HMC1122采用3.3 V至5 V单电源供电，由于集成了片内稳压器，性能不会发生变化。该器件集成一个驱动器，支持对衰减器进行串行和并行控制。该器件还提供用户可选上电状态和串行输出端口，可级联其他串行控制元件。该器件采用符合RoHS标准的紧凑型4 mm × 4 mm LFCSP封装，与HMC624A引脚兼容。规格参数衰减:31.5 dB最大频率:6 GHz阻抗:50 Ohms位数:6 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:0.5 dB最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C单位重量:1.842 g特性• 衰减范围：0.5 dB LSB步进至31.5 dB• 低插入损耗• 1.1 dB（1 GHz时）• 1.3 dB（2 GHz时）• 典型步进误差：小于±0.1 dB• 出色的衰减精度• 安全状态转换• 高线性度• 输入0.1dB压缩(P0.1dB)：30 dBm（典型值）• 输出三阶交调截点(IP3)：55 dBm（典型值）• RF建立时间（0.05 dB最终RF输出）：250 ns• 低相移误差：6° (1 GHz)• 单电源供电：3.3 V至5 V• ESD额定值：2级(2 kV HBM)• 24引脚、4mm× 4mm LFCSP封装：16mm2• 与HMC624A引脚兼容应用蜂窝基础设施微波无线电和甚小口径终端测试设备和传感器中频和射频设计引脚图
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2024/12/26 14:09:35
LTC®1050 是一款高性能、低成本零漂移运算放大器电子元器件。LTC1050 的独特成就是实现了其他斩波放大器通常在外部需要的两个采样及保持电容器的片内集成。而且，与其他带或不带内部采样及保持电容器的斩波器稳定型放大器相比，LTC1050 还可提供更好的整体 DC 和 AC 性能组合。LTC1050 具有 0.5μV 的失调电压、0.01μV/°C 的漂移、1.6μVP-P 的 DC 至 10Hz 输入噪声电压、和 160dB 的典型电压增益。4V/μs 转换速率和 2.5MHz 增益带宽乘积的实现仅需使用 1mA 的电源电流。从正和负饱和状态的过载恢复时间分别为 1.5ms 和 3ms，比采用外部电容器的斩波放大器加快了约 100 倍。引脚 5 是任选的外部时钟输入，适用于同步目的。LTC1050 采用标准的 8 引脚金属罐、塑料和陶瓷双列直插式封装以及 SO-8 封装。LTC1050 可以作为大多数标准运放的改进型插入式替代产品。规格参数通道数量:1 ChannelGBP-增益带宽产品:2.5 MHzSR - 转换速率 :4 V/usVos - 输入偏置电压 :500 nVIb - 输入偏流:10 pA电源电压-最大:18 V电源电压-最小:4.75 V工作电源电流:1 mA每个通道的输出电流:6 mACMRR - 共模抑制比:140 dB高度:1.75 mmIn—输入噪声电流密度:0.0018 pA/sqrt HzIos - 输入偏置电流 :20 pAPSRR - 电源抑制比:140 dB单位重量:3.415 g特性• 无需外部组件• 噪声指标经过测试并得到保证• 低混叠误差• 最大失调电压：5μV• 最大失调电压漂移：0.05μV/°C• 低噪声：1.6μVP-P (0.1Hz 至 10Hz)• 最小电压增益：130dB• 最小 P...
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2024/12/26 13:50:32