HMC526是一款紧凑型I/Q MMIC混频器电子元器件，可用作图像抑制混频器或单边带上变频器。该芯片采用两个标准的Hittite双平衡混频器单元和一个在GaAs MESFET工艺中制造的90度混频器。下面显示的所有数据都是在芯片安装在50欧姆测试夹具中时获得的，包括每个端口上直径为1密耳x长度为20密耳的键合线的影响。使用低频正交混合器产生100 MHz USB IF输出。该产品是混合式图像拒绝混合器和单侧带上变频器组件的较小替代品。规格参数射频:6 GHz to 10 GHz转换损失——最大:10 dB最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 55 CPd-功率耗散:507 mW产品类型:RF Mixer特性宽中频带宽：DC-3.5 GHz图像抑制：40 dBLO到RF隔离：50 dB高输入IP3:+28 dBm模具尺寸：1.49 x 1.14 x 0.1毫米应用•点对点和点对多点无线电•VSAT•军事最终用途引脚图
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2024/12/26 13:44:03
AD9244是一款单芯片、14位、65 MSPS模数转换器（ADC）电子元器件，采用5 V单电源供电，内置一个片内高性能采样保持放大器和基准电压源。它采用多级差分流水线架构，内置输出纠错逻辑，在65 MSPS数据速率时可提供14位精度，并保证在整个工作温度范围内无失码。AD9244具有一个片上可编程基准电压源。也可以选用外部基准电压，以满足应用的直流精度与温度漂移要求。采用一个差分时钟输入来控制所有内部转换周期。数字输出数据格式为标准二进制或二进制补码。超量程（OTR）信号表示溢出状况，可由最高有效位来确定是下溢还是上溢。AD9244采用的CMOS工艺制造，提供48引脚表面贴装塑料封装（48-LQFP），额定温度范围为-40°C至+85°C工业温度范围。规格参数分辨率:14 bit通道数量:1 Channel采样比:65 MS/s输入类型:Differential结构:Pipeline模拟电源电压:5 V数字电源电压:2.7 V to 5.25 VSNR – 信噪比:74.8 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 CDNL - 微分非线性:+/- 1 LSB增益误差:+/- 2 %FSR高度:1.4 mmINL - 积分非线性:+/- 4 LSB输入电压:1 Vp-p/2 Vp-p长度:7 mmADC 输入端数量:1 Input转换器数量:1 Converter工作电源电压:5 VPd-功率耗散:640 mW电源电压-最大:5 V电源电压-最小:5 V宽度:7 mm单位重量:181.700 mg特性• 低功耗：- 590 mW（65 MSPS，Fin至Nyquist频率）- 340 mW（40 MSPS，Fin至Nyquist频率）• 片内基准电压源和采样保持• 750 MHz模拟输入带宽• 信噪比（SNR）：73 dBc（至Nyquis...
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2024/12/26 13:39:01
ADM485是一款差分线路收发器电子元器件，适用于多点总线传输线路的高速双向数据通信。它针对平衡数据传输而设计，符合EIA标准RS-485和RS-422。该器件内置一个差分线路驱动器和一个差分线路接收器，驱动器和接收器均可独立使能。禁用时，输出处于三态。 ADM485采用+5 V单电源供电。热关断电路可防止总线竞争或输出短路导致功耗过大。故障条件下，如果检测到内部驱动器电路的温度显著升高，此特性将强制驱动器输出进入高阻抗状态。一条总线上最多可以同时连接32个收发器，但任一时间只能使能一个驱动器。因此，其余禁用的驱动器不能向总线提供负载。为此，ADM485驱动器在禁用和关断时处于高输出阻抗状态。当收发器不用时，这可以使负载效应降至低点。在-7 V至+12 V的整个共模电压范围内，驱动器均可保持高阻抗输出。如果输入未连接（浮地），接收器所具有的故障安全特性将使输出保持逻辑高状态。ADM485采用BiCMOS工艺制造，这是一种将低功耗CMOS与快速开关双极性技术相结合的先进混合工艺技术。所有输入和输出均提供ESD保护；所有驱动器输出均有较高的源电流和吸电流能力。一个外延层用来防止闩锁。ADM485的开关速度极快。驱动器传播延迟极小，数据传输速率最高可达5 Mb/s，而低偏斜则使电磁辐射(EMI)降至低点。该器件的额定温度范围为商用和工业温度范围，提供8引脚DIL/SOIC封装。规格参数激励器数量:1 Driver接收机数量:1 Receiver数据速率:5 Mb/s电源电压-最大:5 V电源电压-最小:5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C高度:3.43 mm长度:9.27 mm输入/输出端数量:1输入线路数量:10 at RS-422, 32 at RS-485输出线路数量:1工作电源电流:2.2 mA工作电源电压:5 V宽度:7.24 mm单位重量:1 g...
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2024/12/26 13:31:39
美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，推出全新高效能、超紧凑型气体放电管 (GDT) 系列。Bourns® GDT21 系列为双电极组件，专为设计于节省空间的表贴式封装，可实现卓越的脉冲电压限制。此全新系列专为空间受限应用的需求而打造，并针对雷击和交流开关负载产生的感应电压提供更高效保护解决方案。Bourns® GDT21 系列采用紧凑的 EIA 1206 封装，具备业界领先的浪涌保护能力，确保在严苛环境中提供稳定可靠的性能。该系列的电压限制功能和快速响应时间，有助于在快速上升的瞬变事件中减少对下游组件的应力。此外，GDT21 系列拥有广泛的工作温度范围 (-40 °C 至 +105 °C) 和电压范围 (150 V 至 600 V)。低电容特性可最大限度降低插入损耗，非常适合在通讯系统中维护信号完整性。同时，该系列可用于工业控制、机顶盒、HVAC 系统、天线等多种设计需求。Bourns 气体放电管与浪涌保护产品线经理 David Chavarría 表示：「全新推出的 GDT21 系列充分展现了我们在微型化高效能电路保护产品领域的不懈努力。透过与客户的紧密合作，Bourns 持续响应应用需求的不断变化，提供卓越的浪涌处理能力、高可靠性和空间高效的解决方案。我很高兴地宣布，Bourns 全新 GDT21 系列成功满足了这些严苛要求。」免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/12/26 13:22:32
近期英伟达GB200AI服务器出货递延杂音四起，英伟达CEO接受外媒专访时辟谣，表示「GB200正满载生产、进展顺利」，并大赞最新Blackwell平台服务器在推理过程中兼顾高效和节能之余，效能更大增30倍。英伟达CEO直言，「愈来愈多公司争相建置AI能量，三个月的时间差可能就会改变游戏规则。」 业内指出，英伟达出面辟谣，并对Blackwell平台服务器「超强效能」信心喊话，有稳定军心味道，也为鸿海、广达、纬创、英业达等GB200 AI服务器代工厂出货提供信心。鸿海、广达等首批出货GB200 AI服务器的代工厂先前均透露，将于年底前小量出货，明年第1季放量。如今英伟达出面稳军心，代工厂大量认列GB200 AI服务器机柜出货实质营收贡献，可望如先前预期推进。广达指出，高频、高算力服务器产品在验证过程中，从前段芯片组良率到后段装机测试等，一定会出现各式各样问题，供应链势必会一层一层解决，确保量产良率。英伟达Blackwell平台AI芯片正陆续交付，「最强AI芯片」GB200服务器出货放量在即，市场对出货进度关注节节升温。研调机构集邦科技（TrendForce）示警，由于高速互通介面、热设计功耗（TDP）等关键零组件设计规格明显高于主流，供应链需要更多时间调校优化，AI服务器机柜放量出货时程恐递延至明年第2季甚至第3季，比业界预期晚一季到半年。英伟达CEO受访透露Blackwell平台AI芯片出货进展顺利，也点出其超强效能。黄仁勋表示，过去通常需花费数月处理训练模型所需数据，接着再训练模型，透过Blackwell可提升训练模型效率，将时间压缩至原先三分之一到四分之一，假如原先需要六个月，现在仅需耗时一个半月左右。谈及Blackwell推理能力，英伟达指出，推理过程遵循的不是零样本学习或单样本学习，而是长期思考模式，本质上是AI先在脑海中构思各种不同解法，再用更多算力，提...
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2024/12/26 13:19:01
QPF4005是一款双通道多功能氮化镓MMIC前端模块电子元器件，适用于39GHz相控阵5G基站和终端。对于每个通道，多功能MMIC芯片结合了低噪声放大器、低插入损耗高隔离TR开关和高增益高效多级PA。QPF4005的工作频率范围为37 GHz至40.5 GHz。接收路径（LNA+T/R SW）被设计为提供15dB的增益和小于4.5dB的噪声系数。发射路径（PA+T/R SW）提供18dB的小信号增益和每个信道2W的饱和输出功率。紧凑的4.5 mm x 6.0 mm表面贴装封装配置旨在满足紧凑的晶格间距要求，并支持多通道/双极化相控阵应用。QPF4005是在Qorvo的0.15um GaN on SiC工艺上制造的。它被封装在一个内嵌铜散热片的气腔层压封装中。铜块与低热阻芯片连接工艺相结合，使QPF4005能够在相控阵应用所需的极端温度下运行。规格参数工作频率:37 GHz to 40.5 GHzNF—噪声系数:4.2 dB工作电源电压:20 V最大工作温度:+ 95 C增益:18 dB, 23 dB最小工作温度:- 40 C单位重量:4.675 g特性•频率范围：37-40.5 GHz•RX噪声系数：4.2dB•RX小信号增益：18dB•RX输出TOI:17 dBm•TX小信号增益：23dB•TX饱和功率：33dBm•TX线性度：4%EVM@24 dBm平均Pout•TX PAE:7%@24 dBm平均功率•包装尺寸：4.5 x 6.0 x 1.8毫米应用•5G无线基站和终端•点对点通信功能图
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2024/12/25 14:11:47
Qorvo的QPF1002Q是为C-V2X系统设计的集成前端模块（FEM）电子元器件。紧凑的外形和集成匹配最大限度地减少了应用程序中的布局面积。性能侧重于优化5V电源电压的PA，在保持最高线性输出功率和前沿吞吐量的同时节省功耗。接收路径被固定以实现灵活性，从而启用外部滤波或LNA。QPF1002Q将5 GHz功率放大器（PA）、TX/RX天线开关和可旁路低噪声放大器（LNA）集成到单个设备中。规格参数工作频率:5.77 GHz to 5.925 GHz工作电源电压:5 V特性•AEC-Q100 2级合格•针对+5V操作进行了优化+4.2 V可用•Pout=+28 dBm，10 MHz线性功率•28 dB Tx增益•Tx高功率和低功率模式•24 dB TX耦合器•2.6 dB RX噪声系数（包括开关）•13 dB Rx增益•-6.5 dB旁路LNA损耗•无需外部匹配应用•其C-V2X•汽车前端•汽车远程信息处理•汽车信息娱乐
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2024/12/25 14:08:57
Qorvo®QPF4239是为Wi-Fi 7（802.11be）系统设计的集成前端模块（FEM）电子元器件。紧凑的外形和集成匹配最大限度地减少了应用程序中的布局面积。性能侧重于优化3.3V电源电压的PA，以节省功耗，同时保持最高的线性输出功率和领先的吞吐量。包括用于二次和三次谐波的集成管芯级滤波以及用于DBDC操作的5 GHz抑制。提供了一个具有RF输出的耦合器以及一个宽范围、恒定斜率电压对数功率检测器，用于应用反馈。QPF4239将2.4 GHz功率放大器（PA）、单极双掷开关（SP2T）和可旁路低噪声放大器（LNA）集成到一个设备中。规格参数工作频率:2.41 GHz to 2.48 GHzNF—噪声系数:1.7 dB工作电源电压:3.3 V工作电源电流:185 mA最大工作温度:+ 85 C增益:30 dB最小工作温度:- 40 CP1dB - 压缩点:- 5 dBm特性•POUT=+14 dBm MCS13 EHT20-47 dB动态EVM•POUT=+16 dBm MCS11 HE20-43 dB动态EVM•POUT=+18 dBm MCS9 VHT20-35 dB动态EVM•POUT=+19 dBm MCS7 HT20/40-30 dB动态EVM•Pout=+20.5dBm MCS0 HE20频谱掩模符合3dB裕度•针对+3.3 V操作进行了优化•30 dB Tx增益•1.7 dB噪声系数•15.5 dB Rx增益和7 dB旁路损耗•Rx路径上的18 dB 5 GHz抑制•集成直流和射频功率耦合器应用•接入点•无线路由器•客户设备•客户驻地设备•物联网功能图
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2024/12/25 14:05:17
QPF4006是一款多功能氮化镓MMIC前端模块电子元器件，适用于39GHz相控阵5G基站和终端。该器件结合了低噪声高线性LNA、低插入损耗高隔离TR开关和高增益高效多级PA。QPF4006的工作频率范围为37 GHz至40.5 GHz。接收路径（LNA+TR SW）被设计为提供18dB的增益和小于4.2dB的噪声系数。发射路径（PA+SW）提供23dB的小信号增益和2W的饱和输出功率。紧凑的4.5 mm x 4.0 mm表面安装封装配置旨在满足相控阵应用的紧密晶格间距要求。QPF4006是在Qorvo的0.15um GaN on SiC工艺上制造的。它被封装在一个内嵌铜散热片的气腔层压封装中。铜块与低热阻芯片连接工艺相结合，使QPF4006能够在相控阵应用所需的极端温度下运行。规格参数工作频率:37 GHz to 40.5 GHzNF—噪声系数:4.2 dB工作电源电压:20 V最大工作温度:+ 95 C安装风格:SMD/SMT增益:18 dB, 23 dB最小工作温度:- 40 C单位重量:2.580 g特性•频率范围：37-40.5 GHz•RX噪声系数：4.2dB•RX小信号增益：18dB•RX饱和功率：17dBm•RX输出TOI:20 dBm@-5 dBm PIN/音调•TX小信号增益：23dB•TX饱和功率：33dBm•TX线性度：4%EVM@24 dBm平均Pout•TX PAE:7%@24 dBm磅•包装尺寸：4.5 x 4.0 x 1.8毫米应用•5G无线基站和终端•点对点通信引脚图
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2024/12/25 13:59:37
Qorvo QPF4207是为Wi-Fi 7（802.11be）系统设计的集成前端模块（FEM）电子元器件。小尺寸和集成匹配最大限度地减少了应用程序中的布局面积。性能侧重于优化5V电源电压下的PA，以最大限度地降低功耗，使使用数字预失真的系统能够实现RF链的最高线性输出功率和前沿吞吐量。集成了一个具有RF输出的耦合器，用于DPD反馈训练。反馈的替代路由选项包括低损耗。为了功率控制，提供了一个宽范围、恒斜率电压对数功率检测器用于应用反馈。该模块包括一个打开和关闭的状态，这可以减少物料清单或提供减少电流消耗的选项。QPF4207将2.4 GHz功率放大器（PA）、单极双掷开关（SP2T）和可旁路低噪声放大器（LNA）集成到单个设备中。规格参数工作频率:2.412 GHz to 2.484 GHzNF—噪声系数:1.9 dB工作电源电压:5 V增益:33 dB特性•PSAT=+32 dBm•纠正了DEVM1•POUT=+20 dBm MCS13 EHT20-47 dB动态EVM•POUT=+22 dBm MCS11 HE20-43 dB动态EVM•POUT=+25 dBm MCS8 VHT20-35 dB动态EVM•POUT=+26 dBm MCS7 HT20-30 dB动态EVM•POUT=+28 dBm MCS0 HT20频谱掩模合规性•直流功率=1.75 W，+27 dBm•33 dB Tx增益•1.9/3 dB噪声系数•Rx路径上15 dB 5-7 GHz抑制•集成射频耦合器和直流对数功率检测器应用•接入点•无线路由器•住宅网关•客户驻地设备•物联网引脚图
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2024/12/25 13:55:07
Qorvo QPF4202是为Wi-Fi 7（802.11be）系统设计的集成前端模块（FEM）电子元器件。小尺寸和集成匹配最大限度地减少了应用程序中的布局面积。性能侧重于优化5V电源电压下的PA，以最大限度地降低功耗，使使用数字预失真的系统能够实现RF链的最高线性输出功率和前沿吞吐量。集成了一个具有RF输出的耦合器，用于DPD反馈训练。反馈的替代路由选项包括低损耗。为了功率控制，提供了一个宽范围、恒斜率电压对数功率检测器用于应用反馈。该模块包括一个打开和关闭的状态，这可以减少物料清单或提供减少电流消耗的选项。QPF4202将2.4 GHz功率放大器（PA）、单极双掷开关（SP2T）和可旁路低噪声放大器（LNA）集成到单个设备中。规格参数工作频率:2 GHzNF—噪声系数:1.6 dB工作电源电压:5 V工作电源电流:210 mA安装风格:SMD/SMT增益:31 dB特性•PSAT=+30 dBm•纠正了DEVM1•POUT=+19 dBm MCS13 EHT20-47 dB动态EVM•POUT=+20.5 dBm MCS11 HE20-43 dB动态EVM•POUT=+23 dBm MCS8 VHT20-35 dB动态EVM•POUT=+24 dBm MCS7 HT20-30 dB动态EVM•POUT=+24.5 dBm MCS0 HT20频谱掩模合规性•直流功率=1.1 W，+24.5 dBm•31 dB Tx增益•1.6/3.2 dB噪声系数•Rx路径上15 dB 5-7 GHz抑制•集成射频耦合器和直流对数功率检测器应用•接入点•无线路由器•住宅网关•客户驻地设备•物联网
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2024/12/25 13:51:36
AD8072(双路)为低成本、电流反馈型放大器，主要面向对成本敏感的大规模应用。除低成本外，这些放大器还能针对150Ω负载提供可靠的视频性能，同时每个放大器的电源电流仅为3.5 mA。该电子元器件采用+5 V至+12 V单电源供电。采用+5 V单电源时，每个放大器的输出摆幅可达到任一供电轨的1.3 V范围内，以便处理视频信号。AD8072具有100 MHz的高带宽、500 V/µs的压摆率以及25 ns的0.1%建立时间，因而可用于需要+5 V单电源的许多通用型高速应用。AD8072提供8引脚塑料DIP和SOIC封装。工作温度范围为0°C至+70°C商用温度范围。规格参数通道数量:2 ChannelGBP-增益带宽产品:100 MHz3dB带宽:100 MHzIb - 输入偏流:10 uAVos - 输入偏置电压 :4 mV电源电压-最大:6 V电源电压-最小:2.5 V工作电源电流:3.5 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 70 CCMRR - 共模抑制比:54 dB (Typ)双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V高度:0.85 mm长度:3 mm最大双重电源电压:+/- 6 V最小双重电源电压:+/- 2.5 V工作电源电压:+/- 2.5 V to +/- 6 VPd-功率耗散:600 mW电源类型:Single宽度:3 mm单位重量:540 mg特性• 极低成本• 良好的视频特性(RL = 150 Ω)0.1 dB增益平坦度：10 MHz差分增益误差：0.05%差分相位误差：0.1°• 低功耗电源电流：每个放大器3.5 mA采用5 V至12 V单电源供电• 高速-3 dB带宽：100 MHz (G = +2)压摆率：500 V/µs0.1%快速建立时间：25 ns• 易于使用输出电流：30 m...
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2024/12/25 13:31:14
OP200是一款提供OP77型精密性能的单芯片双通道运算放大器电子元器件。它采用工业标准8引脚排列配置，兼具精密性能及双通道放大器节省空间和成本的优势。 在整个军用温度范围内，OP200具有小于75 μV的极低输入失调电压，漂移小于0.5 μV/°C。开环增益超过500万（10 kΩ负载），输入偏置电流低于2 nA，共模抑制(CMR)高于120 dB，电源抑制比(PSRR)小于1.8 μV/V。OP200的极低输入失调电压通过片内齐纳击穿(Zener zap)调整而实现，无需进行失调牵引。OP200的功耗很低，每个放大器耗用的电源电流低于725 μA。该双通道OP200的总功耗不到单通道OP07的一半，而性能明显优于这款工业标准运算放大器。OP200的电压噪声密度在1 kHz时为11 nV/√Hz，仅为大多数竞争器件的一半。规格参数通道数量:2 ChannelGBP-增益带宽产品:500 kHzSR - 转换速率 :150 mV/usVos - 输入偏置电压 :80 uVIb - 输入偏流:10 nA电源电压-最大:18 V, +/- 20 V电源电压-最小:3 V, +/- 3 V工作电源电流:570 uA每个通道的输出电流:10 mACMRR - 共模抑制比:130 dBen - 输入电压噪声密度:22 nV/sqrt Hz封装 / 箱体:SOIC-16最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C双重电源电压:+/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V, +/- 18 V高度:2.35 mm (Max)输入电压范围—最大:13 V长度:10.5 mm (Max)最大双重电源电压:+/- 20 V最小双重电源电压:+/- 3 V电压增益 dB:133.97 dB宽度:7.6 mm (Max)单位重量:666 mg特性• 低输...
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2024/12/25 13:25:55
LT®6210是单通道电流反馈放大器，具有可在外部设置的电源电流和从10MHz (在每个放大器的电源电流为 300μA 时) 至 200MHz (在每个放大器的电源电流为 6mA 时) 的带宽。它们具有一个低失真轨至轨输出级、700V/μs 的转换速率和一个 75mA 的最小输出驱动电流。 LT6210可采用低至 3V 的单工作电源和高达 12V的工作电源。ISET 引脚允许针对特定的带宽、失真或转换速率要求来优化静态电流。每个放大器的电源电流可利用一个外部电阻器或电流源在仅 300μA 至 6mA 的范围内进行设置，这与电源电压无关。 LT6210 采用扁平 (高度仅 1mm) 6 引脚 SOT-23 封装。规格参数通道数量:2 ChannelSR - 转换速率 :700 V/usCMRR - 共模抑制比:50 dB电源电压-最大:13.2 V电源电压-最小:3 V工作电源电流:5.8 mAen - 输入电压噪声密度:6.5 nV/sqrt HzIn—输入噪声电流密度:4.5 pA/sqrt Hz特性• 可编程电源电流和带宽：• 10MHz (在每个放大器的电源电流为 300μA) 至高达 200MHz (在每个放大器的电源电流为 6mA)• 轨至轨输出：• 0.05V 至 2.85V (采用 3V 单电源)• 高转换速率：700V/μs• 高输出驱动：• ±75mA 最小输出电流• C-Load™ 运算放大器驱动全容性负载• 低失真：• -70dB HD2 (在 1MHz 2VP-P)• -75dB HD3 (在 1MHz 2VP-P)• 快速稳定：• 20ns 稳定至 0.1% (对于 2V 阶跃)• 可向 150Ω 负载提供卓越的视频性能：• 0.20% 的差分增益• 0.10° 的差分相位• 宽电源范围：• 3V 至 12V 单电源•...
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2024/12/25 13:18:37
LTC®1392 是一款微功率数据采集系统，专为测量温度、片内电源电压和一个差分电压而设计。差分输入具有轨至轨共模输入电压范围。LTC1392 包含一个温度传感器、一个具采样及保持电路的 10 位 A/D 转换器、一个高准确度带隙基准和一个三线式半双工串行接口。可通过编程使 LTC1392 电子元器件测量环境温度、电源电压和差分输入引脚上的一个外部电压，还可用于采用一个外部检测电阻器进行电流测量。当测量温度时，A/D 转换器的输出代码与温度 (°C) 成线性比例关系。生产微调在室温条件下实现了 ±2°C 的初始准确度，而在整个 –40°C 至 85°C 的温度范围内则实现了 ±4°C 的初始准确度。片内串行端口可通过 3 根或 4 根导线实现至多种 MPU 的高效数据传输。这与低功耗相结合，使得远程位置传感成为可能，并有利于穿越隔离势垒传输数据。规格参数电源电压-最大:6 V电源电压-最小:4.5 V工作电源电流:700 uA准确性:2 %最小工作温度:0 C最大工作温度:+ 70 C安装风格:SMD/SMT输入电压范围:4.5 V to 6 V单位重量:299 mg特性• 完整的内置环境温度传感器• 系统电源监视器• 10 位分辨率轨至轨共模差分电压输入• 采用 8 引脚 SO 封装和 PDIP 封装• 闲置时的电源电流为 0.2μA• 以最大速率采样时的电源电流为 700μA• 单电源电压：4.5V 至 6V• 三线式半双工串行 I/O• 可与大多数 MPU 串行端口和所有 MPU 并行 I/O 端口通信应用温度测量电源测量电流测量远程数据采集环境监测引脚图
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2024/12/25 13:14:02
ADG1611内置四个独立的单极(SPST)开关电子元器件。ADG1611开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0。当接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，等于电源电压的信号电平被阻止。这些开关具有超低导通电阻特性，对于低导通电阻、低失真性能至关重要的数据采集和增益开关应用堪称理想解决方案。导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保开关音频信号时拥有出色的线性度和低失真性能。CMOS结构确保功耗极低，因而这些开关非常适合便携式和电池供电仪表。规格参数通道数量:4 Channel配置:4 x SPST导通电阻—最大值:1.2 Ohms电源电压-最小:3.3 V电源电压-最大:16 V最小双重电源电压:+/- 3.3 V最大双重电源电压:+/- 8 V运行时间—最大值:212 ns空闲时间—最大值:137 ns最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C高度:1.05 mm (Max)长度:5 mmPd-功率耗散:5.8 mW电源电流—最大值:480 uA开关直流:175 mA宽度:4.4 mm单位重量:173 mg特性• 1 Ω典型导通电阻• 0.2 Ω导通电阻平坦度• ±3.3 V至±8 V双电源供电• 3.3 V至16 V单电源供电• 无需VL电源• 3 V逻辑兼容输入• 轨到轨工作• 每个通道的连续电流LFCSP封装：280 mATSSOP封装：175 mA• 16引脚TSSOP和16引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装应用• 通信系统• 医疗系统• 音频信号路由• 视频信号路由• 自动测试设备• 数据采集系统• 电池供电系统• 采样保持系统• 继电器替代方案引脚图
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2024/12/24 15:09:54
AD8010是一款低功耗、高电流放大器电子元器件，能够提供最小175 mA的负载驱动电流。它可以驱动8个75 Ω后部端接的视频线路，同时保持良好的信号性能，例如差分增益和相位误差分别为0.02%和0.03°。这款电流反馈型放大器的增益平坦度为60 MHz，–3 dB (G = +1)信号带宽为230 MHz，采用±5 V电源供电时的典型功耗仅为15.5 mA。这些特性使AD8010非常适合视频分配放大器使用，或者用作高数据速率数字用户线路（VDSL和xDSL）系统中的驱动放大器。规格参数SR - 转换速率 :800 V/us电压增益 dB:114 dBCMRR - 共模抑制比:54 dB每个通道的输出电流:200 mAIb - 输入偏流:20 uAVos - 输入偏置电压 :5 mV电源电压-最大:12 V电源电压-最小:9 V工作电源电流:17 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C3dB带宽:230 MHzen - 输入电压噪声密度:2 nV/sqrt Hz高度:1.52 mm长度:10.92 mm最大双重电源电压:+/- 6 V最小双重电源电压:+/- 4.5 V工作电源电压:9 V to 12 VPSRR - 电源抑制比:66 dB稳定时间:25 ns宽度:7.11 mm单位重量:1 g特性• 输出电流：200 mA• 负载：9 Ω• 无杂散动态范围(SFDR)：-54 dBc (1 MHz)• 差分增益误差：0.04% (f = 4.43 MHz)• 差分相位误差：0.06° (f = 4.43 MHz)• 驱动8个并联75 Ω负载的同时可保持良好的视频特性• 差分增益：0.02%差分相位：0.03°0.1 dB增益平坦度：60 MHz• 总谐波失真(THD)：-72 dBc（1 MHz， RL = 18....
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2024/12/24 15:03:35
ADG1419是一款单芯片iCMOS® 器件电子元器件，内置一个单刀双掷(SPDT)开关。LFCSP封装器件提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。iCMOS （工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。通过这种工艺，可开发在33V高压下工作的高性能模拟IC，其体积性能比是其它高压器件所无法实现的。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电源电压，同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸。导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保切换音频信号时拥有出色的线性度和低失真性能。iCMOS 结构可确保功耗极低，因而这些器件非常适合便携式电池供电仪表。当接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电源电压的信号电平被阻止。ADG1419为先开后合式开关，适合多路复用器应用。规格参数通道数量:1 Channel配置:1 x SPDT导通电阻—最大值:2.4 Ohms电源电压-最小:5 V电源电压-最大:16.5 V最小双重电源电压:+/- 4.5 V最大双重电源电压:+/- 16.5 V运行时间—最大值:110 ns空闲时间—最大值:140 ns最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C高度:0.85 mm长度:3 mmPd-功率耗散:2 mW电源电流—最大值:95 uA开关直流:215 mA宽度:3 mm单位重量:140 mg特性• 最大导通电阻：2.1 Ω• 导通电阻平坦度(25°C)：0.5 Ω（最大值）• 连续电流最高达390 mA• 额定电源电压：+12 V、±15 V、±5 V应用自动测试设备数据采集系统电池供电系统继电器更换取样和保持系统音频信号路由视频信号路由通信...
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2024/12/24 14:57:29