可编程逻辑器件是一类可以通过编程来实现特定逻辑功能的电子器件。根据其结构和功能的不同，可编程逻辑器件主要可以分为以下几类：按集成度分类：简单可编程逻辑器件（SPLD）：包括PROM、PLA、PAL和GAL等产品，这些器件通常包含较少的逻辑门数量，一般在几十个到一千个逻辑门之间，基于两级“与-或”门电路的基本结构，适用于对逻辑功能要求不高的应用。高密度可编程逻辑器件（HDPLD）：主要由CPLD和FPGA组成，这些器件具有更高的集成度和更大的逻辑容量，适用于需要复杂逻辑功能和高速处理的应用。按编程技术分类：反熔丝技术：通过击穿介质来实现电路的永久性改变，适用于需要高可靠性和长期稳定性的应用。熔丝编程技术：通过熔断或未熔断的状态来表示逻辑值，适用于可重复编程的应用。浮栅编程技术：利用浮栅存储电荷的方法来保存数据，支持非易失性和可重复擦除，适用于需要频繁更新逻辑功能的应用。SRAM编程技术：使用静态存储器来存储配置数据，适用于需要快速加载新配置数据的应用。结构复杂性分类：CPLD（复杂可编程逻辑器件）：由多个可编程逻辑单元组成，具有较大的逻辑资源和可编程互连资源，适用于复杂的逻辑电路设计。FPGA（现场可编程门阵列）：由大量的逻辑门和可编程互连资源组成，支持多个时钟域和复杂的逻辑功能实现，广泛应用于数字信号处理、图像处理等领域。可编程逻辑器件的主要分类包括PLA、PAL、CPLD和FPGA等，每种器件具有独特的功能、灵活性和应用场景。PLD的可编程性使其广泛应用于电子设计、嵌入式系统、数字信号处理等领域。
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2024/8/23 17:31:06
环形振荡器是一种基于正反馈原理的振荡器，通常由奇数个反相器（或门电路）组成。是由多个非门组成，每个非门的输出连接到下一个非门的输入，形成一个闭环。在这个闭环中，信号不断循环，形成振荡。例如，一个三级环形振荡器由三个非门组成，非门A的输出连接到非门B的输入，非门B的输出连接到非门C的输入，非门C的输出连接到非门A的输入。环形振荡器的起振条件包括以下几个方面：正反馈条件：振荡器必须具有正反馈回路，即输出信号反馈到输入端，并且反馈路径中至少有一个或多个放大器或反相器。正反馈回路中必须包含幅度补偿，即振荡器的增益必须大于1，这样输出信号被反馈到输入端后会增强，从而导致振荡器起振。相位条件：振荡器的相位延迟必须为360度（或2π弧度）或其整数倍。这是因为正反馈回路要满足相位条件才能在每个振荡周期内产生一个周期性的输出。频率选择条件：振荡器必须选择适当的频率以确保正反馈带来的增益大于1。这通常通过在反馈回路中引入频率选择元件（如LC振荡器中的电感和电容）来实现。稳定性条件：振荡器必须在起振后能够保持稳定振荡。这通常包括对振荡幅度、频率和相位等进行稳定控制，以避免不稳定振荡或过度衰减。
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2024/8/23 17:24:45
在线直流电阻测量法的实现基于功率分离法，该方法将变压器的铁芯损耗与绕组铜损耗分离开来，然后利用铜损和通过绕组的电流计算出直流电阻。通过实验，证明了变压器绕组直流电阻在线测量的可行性。在使用该方式针对集成电路进行测量时，可参考以下步骤。如果发现引脚电压有异常，可以先测试集成电路的外围元器件，以判定集成电路是否损坏。若是断电情况下测定阻值比较安全，而且可以在没有资料和数据，以及不必要了解其工作原理的情况下，对集成电路的外围电路进行在线检查。在相关的外围电路中，以快速的方法对外围元器件进行一次测量，以确定是否存在较明显的故障。可以使用万用表 Rx10欧姆 挡分别测量二极管和三极管的正反向电阻值。此时由于电阻挡位定得很低，外围电路对测量数据的影响较小，可很明显地看出二极管、三极管的正反向电阻值，尤其是 PN 结的正向电阻增大或短路更容易发现其次可对电感是否开路进行普测。正常时电感两端的在线直流电阻只有零点几欧姆，最多至几十欧姆，具体阻值要看电感的结构而定。如果测出两端阻值较大，那么即可断定电感开路。继而可以根据外围电路元器件参数的不同，采用不同的电阻挡位测量电容和电阻，检查是否有较为明显的短路和开路性故障，因此可以首先排除由于外围电路引起个别引脚的电压变化，再判定集成电路是否损坏。
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2024/8/23 17:11:20
使用万用表测出各引脚对地的直流工作电压值，然后与标称值相比较，依此来判断集成电路的好坏，但需要区别非故障性的电压误差。测量集成电路各引脚的直流工作电压时，如果遇到个别引脚的电压与原理图或维修技术资料中所标电压值不符，不要急于断定集成电路已损坏，应该先排除以下 4 个因素后再确定。1.判断原理图上标称电压是否有误 因为常有一些说明书、原理图等资料上所标的数值与实际电压值有较大差别，有时甚至是错误的。此时，应多找一些有关资料进行对照，必要时分析内部原理图与外围电路，对所标电压进行计算或估算来验证所标电压是否正确。2.确定电压性质标称电压的性质应区别开，即电压是静态工作电压还是动态工作电压。3.外围电路可变元器件可能引起引脚电压变化当测出电压与标称电压不符时，可能因为个别引脚或与该引脚相关的外围电路连接的是一个阻值可变的电位器这些电位器所处的位置不同，引脚电压会有明显不同，所以当出现某一引脚电压不符时，要考虑该此脚或与该引脚相关联的电位器的位置变化。4.使用万用表不同，测得数值有差别由于万用表表头内阻不同或不同直流电压挡会造成误差，一般原理图上所标的直流电压都是以测试仪表的内阻大于20kQ/V 进行测试的，当用内阻小于 20kQ/V 的万用表进行测试时，被测结果将会低于原来所标的电压。综上所述，在集成电路没有故障的情况下，也会由于某种原因而使所测结果与标称值不同。因此在进行集成电路直流电压或直流电阻测试时要规定一个测试条件，尤其是要作为实测经验数据记录时更要注意这一点。如果排除以上几个因素后，所测的个别引脚电压还是不符合标称值时，需进一步分析原因，但不外乎两种可能:一是集成电路本身故障引起，二是集成块外围电路故障造成。如何区分这两种故障源，是修理集成电路的关键。
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2024/8/23 17:05:21
三极管是一种具有电流放大作用的半导体器件，也被称为双极型晶体管或晶体三极管。它的主要功能是将微弱的电信号放大成幅度值较大的电信号，同时也被用作无触点开关。三极管的核心结构是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，这两个PN结将整块半导体分成三部分：基区、发射区和集电区。三极管的常见分类按制作材料分，可分为锗三极管、硅三极管等;按照极性不同，又可分为 NPN型三极管和 PNP 型三极管;按用途不同，又可分为大功率三极管、小功率三极管、高频三极管、低频三极管、光敏三极管;按用途的不同，则可以分为普通二极管、带阻三极管、带阻尼三极管、达林顿三极管、光敏三极管等;按照封装材料的不同，则可分为金属封装三极管、塑料封装三极管、玻璃壳封装(简称玻封)三极管、表面封装 (片状) 三极管和陶瓷封装三极管等。通常情况下，把最大集电极许耗散功率PCM在 1W 以下的三极管称为小功率三极管;把特征频率低于 3MHZ 的三极管称为低频三极管;把特征频率高于3MHz 而低于 30MHz 的三极管称为中频三极管;把特征频率大于 30MHz 的三极管称为高频三极管;把特征频率大于 300MHz 的三极管称为超高频三极管超高频三极管也称微波三极管，其频率特性一般高于 500MHZ，主要用于电视机、雷达、导航、通信等领域中处理微波段 (300MHz 以上的频率)的信号。高频中、大功率三极管一般用于视频放大电路、前置放大电路、互补驱动电路高压开关电路及行推动等电路。中、低频率小功率三极管主要用于工作频率较低、功率在1W 以下的低频放大和功率放大等电路中。中、低频大功率三极管一般用在电视机、音响等家用电器中作为电源调整管、开关管、场输出管、行输出管、功率输出管或用在汽车电子点火电路、逆变器、急电源 (UPS) 等系统电路中。
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2024/8/23 17:02:38
有些半导体(如硫化锅等)在黑暗的环境下，其电阻值是很高的。当受到光照时，光子能量将激发出电子，其导电性能增强，阻值降低。照射的光线越强，阻值也变得越低。这种由于光线照射强弱而导致半导体电阻值变化的现象称为光导效应。光敏电阻是利用半导体光导效应制成的一种特殊电阻，是一种能够将光信号转变为电信号的元件。用光敏电阻制成的元件又叫做光导管，是一种受光照射导电能力增加的光敏转换元件。光敏电阻可以分为多晶光敏电阻和单晶光敏电阻。根据光敏电阻的光谱特性，又可分为紫外光光敏电阻、可见光光敏电阻和红外光光敏电阻。紫外光光敏电阻对紫外线十分灵敏，可用于探测紫外线，比较常见的有硫化辐和硒化铜光敏电阻。可见光光敏电阻有硒、硫化镐、硫硒化镐和确化镐、确化家、硅、锗、硫化锌光敏电阻等，可用于各种光电自动控制系统、照度计、电子照相机、光报警等装置中。红外光光敏电阻有硫化铅、确化铅、硒化铅、锦化钢、硫锡铅、锗掺汞、锗掺金等光敏电阻。它广泛地应用于导弹制导、卫星监测、天文探测、非接触测量、气体分析和无损探伤等领域。光敏电阻部分参数特征光敏电阻的参数特征主要包括暗电阻、亮电阻、光电流和灵敏度。暗电阻和暗电流：光敏电阻在不受光照射时的阻值称为暗电阻，此时流过的电流称为暗电流。亮电阻和光电流：光敏电阻在受到光照射时的电阻称为亮电阻，此时流过的电流称为亮电流。亮电流与暗电流之差称为光电流，它反映了光敏电阻对光的响应能力。灵敏度：灵敏度是指光敏电阻不受光照射时的电阻值（暗电阻）与受光照射时的电阻值（亮电阻）的相对变化值。灵敏度越高，光敏电阻对光的响应越敏感。
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2024/8/23 16:58:47
石英晶振是利用石英材料的压电特性制成的石英晶体谐振器和石英晶体时钟振荡器,是一种电子谐振元器件。结构从石英晶体上按一定方位角切下薄片 (即晶片)，晶片的两个表面上涂敷银层作为电极。在每个电极上各焊一根引线接到引脚上，装入封装外壳就构成了石英晶体谐振，简称为石英晶体或晶振、晶体。一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。工作原理石英晶体本身并非振荡器，它需要借助有源激励和无源电抗网络方可产生振荡。在晶片的两侧施加机械压力，晶片在相应方向上将产生电场，这种现象称为压电效应;如果在晶片的两极上加交变电压，晶片就会产生机械振动，这种现象称为逆压电效应;晶片的机械振动又会产生交变电场。晶片机械振动的振幅和交变电场的强度一般都非常微小，但当外加电压的频率等于晶体的固定频率时，就会发生压电谐振，导致机械变形的振幅明显加大。谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。常见应用石英晶振被广泛应用于各种电子设备中，包括卫星电子系统，为CPU、DSP等处理器以及A/D、D/A转换器提供时钟频率信号。其稳定性对于确保电子设备的准确运行至关重要。
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2024/8/23 16:45:50
TDK株式会社（TSE：6762）宣布推出TCM06U系列小型薄膜共模滤波器，用于高速差分传输的降噪（0.65 x 0.5 x 0.3 毫米 – 长 x 宽 x 高）。新款共模滤波器将于2024年8月开始量产。随着笔记本电脑、平板电脑、游戏机及其它数码设备的便捷可扩展性、显示分辨率和功能性的不断提高，其传输信号的速度和容量也逐年增加。与此同时，设备造成的电磁干扰（EMI）的频率和振幅也有所增强。因此，必需采取行动，以控制对其它设备的影响以及传输信号质量的恶化。为了应对电磁干扰，TDK 推出了面向高频率高速差分传输应用的共模滤波器，为电子设备的小型化、纤薄化和轻量化提供支持。该产品可在20 GHz或更高的截止频率下支持20 Gbps高速信号。10 GHz下的共模衰减达30 dB或以上，可有效控制高频噪声。从85到90 Ω范围内的阻抗匹配可控制高速USB线路的反射。内部线圈导体图案采用TDK专有的精细图案排列设计，使用了薄膜生产法并应用了TDK磁头研发过程所中积累的技术。为了控制未来差分传输线路中预期将大幅增加的辐射和外生电磁干扰，TDK将继续开发小型薄膜共模滤波器，并提供有助于提高传输信号质量的服务。术语截止频率：滤波器电路中通频和过渡区之间的边界频率主要应用笔记本电脑、平板电脑、智能手机、STB、AR/VR/MR、游戏机等设备的 USB 接口主要特点和效益业内首款*实现在10 GHz下的共模衰减为30 dB的产品实现20 GHz或更高的截止频率，且支持高速信号优化设计，大幅提升USB 3.2 和 USB 4接口的噪声控制能力免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/8/23 16:17:27
三星电子的DRAM和NAND闪存等存储半导体库存正在减少。据评估，内存的上升周期仍在持续，除了人工智能（AI）服务器的HBM之外，对通用DRAM的需求也在增加。预计下半年DRAM价格将上涨，盈利能力将进一步改善。三星电子半年报显示，库存资产估值损失准备金从去年上半年的7.3962万亿韩元减少至今年上半年的3.9995万亿韩元，减少约3.3967万亿韩元。预计库存资产的价值将会下降，并在会计中反映库存评估损失准备金。当内存价格下跌时，公司库存的价值就会下降，因此被视为一项支出。如果内存价格上涨，过去反映的库存估价损失准备金可以转换为利润。三星电子在去年半导体行业低迷时保守地反映了库存估值损失拨备，今年拨备规模有所下降。拨备减少意味着库存减少并已转化为利润。简单比较，库存资产的估值损失准备减少了33967亿韩元，因此很难判断这是全面逆转，但可以说库存水平有所改善。预计第二季度库存估值逆转的影响将在1万亿韩元左右。三星电子解释，DRAM和NAND的销量超过了产量，库存水平与上一季度（第一季度）相比进一步改善。由于市场价格上涨，DRAM的平均销售价格（ASP）将上涨10％，NAND的平均销售价格将上涨20％，预测第三季度将继续保持良好的业务状况。上半年三星电子的库存资产账面价值达555666亿韩元，比去年上半年的库存资产（516259亿韩元）增加了3.94万亿韩元。库存资产增加的原因是DRAM内存半导体的库存价格上涨，库存资产的价值也增加。预计DRAM价格将继续上涨。因此，预计下半年盈利能力也会有所改善。由于AI存储器的需求导致HBM销售比例增加，这将导致通用DRAM生产受到限制，从而导致DRAM价格上涨。 三星电子下半年的营业利润预计将达到2021年以来三年来的最高水平。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如...
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2024/8/23 16:14:11
DAC38RFxx 是一款高性能、双通道/单通道、14 位、9GSPS、射频采样数模转换器 (DAC)，能够合成 0GHz 至 4.5GHz 范围内的宽带信号。高动态范围允许 DAC38RFxx 系列为各种 应用 生成信号，包括用于无线基站和雷达的 3G/4G 信号。该器件具有一个低功耗 JESD204B 接口，其通道多达 8 条，最高位率为 12.5Gbps/通道，复合输入数据速率为 1.25GSPS/通道。DAC38RFxx 为每个通道提供两个数字上变频器，具有多种内插速率选项。具有频率灵活的独立 NCO 的数字正交调制器可用于支持多频段操作。可选的低抖动 PLL/VCO 通过允许使用频率较低的参考时钟来简化 DAC 采样时钟的生成。特性• 14 位分辨率• 最大 DAC 采样率：9GSPS• 主要规格：• 2.1GHz 时的射频满量程输出功率：• DAC38RF80/90/84：0dBm• DAC38RF83/93/85：3dBm（2:1 巴伦）• 频谱性能（片上 PLL，DIFF）：• fDAC = 5898.24MSPS，fOUT = 2.14GHz• WCDMA 邻载波泄漏比 (ACLR)：75dBc• WCDMA 备选 ACLR：77dBc• fDAC = 8847.36MSPS，fOUT = 3.7GHz• 20MHz LTE ACLR：63dBc• fDAC = 9GSPS，fOUT = 1.8GHz• IMD3 = 70dBc（–6dBFS，10MHz 音调间隔）• NSD = –157dBc/Hz• 每个 DAC 配有双频带数字上变频器• 6、8、10、12、16、18、20 或 24 倍插值运算• 分辨率为 48 位的 4 个独立 NCO• JESD204B 接口，子类 1• 支持多芯片同步• 最高通道速率：12.5Gbps• 具有集成巴伦的单端输出...
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2024/8/22 16:41:17
TRF0206-SP是一款超高性能耐辐射射频(RF)放大器，专门针对RF应用进行了优化。在驱动高性能ADC12DJ3200QML-SP等模数转换器(ADC)时，交流耦合应用需要进行单端至差分转换，此款器件是这类应用的理想之选。片上匹配元件可对印刷电路板(PCB)实现方案进行简化，并在可用带宽内提供最高性能。此器件采用德州仪器(TI)互补BiCMOS工艺制造，并采用航天级LCCC封装。特性•已通过QMLV（QMLV级）MIL-PRF-38535认证，SMD5962R2122001VXC•耐辐射加固保障(RHA)能力高达100krad(Si)总电离剂量(TID)•单粒子锁定(SEL)对于LET的抗扰度=75MeV-cm2/mg•支持军用级温度范围（-55°C至125°C）•可用作ADC驱动器，具备出色的单端至差分转换性能•也可在差分至单端模式下运行，用作DAC缓冲器•6.5GHz，3dB带宽•4.8GHz，1dB增益平坦度•单端至差分的固定功率增益为12.5dB•OIP3性能：•2GHz时为38dBm•6GHz时为32dBm•P1dB性能：•2GHz时为12dBm•6GHz时为10dBm•噪声系数：•2GHz时为8dB•6GHz时为9dB•增益和相位不平衡：±0.4dB/±3度•关断特性•3.3V单电源运行•有效电流：130mA应用•射频采样或GSPSADC驱动器•航天和国防•高速数字转换器•雷达成像有效载荷•命令和数据处理系统•通信有效载荷TRF0206-SP引脚图
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2024/8/22 16:18:09
AWR294x 是一款单芯片毫米波传感器，由能够在 76GHz 至 81GHz 频段内工作的 FMCW 收发器、雷达数据处理元件和车载网络外围设备构成。 AWR294x 采用 TI 的低功耗 45nm RFCMOS 工艺制造，并且在小型封装中以超低 BOM 数量实现了出色的集成度。 AWR294x 是适用于汽车领域中低功耗、自监控、超精确雷达系统的理想解决方案。TI 的低功耗 45nm RFCMOS 工艺可实现具有集成 PLL、VCO、混频器和基带 ADC 的单片实施 3-4 TX、4 RX 系统。DSP 子系统 (DSS) 中集成了 TI 的高性能 C66x DSP，可用于处理雷达信号。该器件包含一个无线电处理器子系统 (RSS)，该子系统负责雷达前端配置、控制和校准。在主要子系统 (MSS) 中，该器件实现了一个用户可编程的 Arm Cortex-R5F 处理器，允许自定义控制和汽车接口应用。硬件加速器块 (HWA 2.0) 通过卸载通用雷达处理（例如 FFT、恒定误报率 (CFAR)、扩展和压缩）来对 DSS 和 MSS 进行补充。这会节省 DSS 和 MSS 上的 MIPS，为自定义应用和更高级别的算法腾出了资源。器件中还提供了硬件安全模块 (HSM)（仅适用于安全器件型号）。HSM 由可编程 Arm Cortex-M4 内核和必要的基础设施组成，用于在器件内提供安全的操作区域。简单编程模型更改可支持各种传感器实施（近距离、中距离和远距离），并且能够进行动态重新配置，从而实现多模式传感器。特性•目标功能安全合规•为功能安全应用而开发•文件将有助于ISO 26262功能安全系统设计•硬件完整性达到ASIL B目标•AEC-Q100合格•高级功能•嵌入式自我监控，无需外部处理器参与•嵌入式干扰检测能力•电源管理•用于增强PSRR的片上LDO网络•LVCMOS IO支持3...
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2024/8/22 16:13:54
AFE7953是一款高性能、宽带宽、多通道收发器，集成了 两个射频采样发送器链和 两个射频采样接收器链。此器件具有高达 12GHz 的工作频率，支持直接在 L、S、C 和 X 带频率范围内进行射频采样，无需额外的频率转换级。密度和灵活性的改进实现了对高通道数、多任务系统的支持。TX 信号路径支持插值和数字上变频选项，提供每 TX 通道高达 400MHz 的信号带宽。DUC 的输出驱动 12GSPS DAC（数模转换器），通过混合模式输出选项增强在第二 奈奎斯特区的运行。DAC 输出包括一个具有 40dB 范围以及 1dB 模拟和 0.125dB 数字步进的可变增益放大器 (TX DSA)。特性•双RF采样12-GSPS发射DAC•双RF采样3-GSPS接收ADC•最大射频信号带宽：400 MHz•射频频率范围：600 MHz-12 GHz•数字步进衰减器（DSA）：•TX：40 dB范围，0.125-dB步长•RX：25 dB范围，0.5dB步长•单频或双频DUC或DDC•每个TX或RX 16个NCO•可选的内部PLL或VCO，用于DAC或ADC时钟或DAC或ADC采样率的外部时钟•SerDes数据接口：•兼容JESD204B和JESD204C•8个SerDes收发器，最高29.5 Gbps•子类1多设备同步•封装：17毫米×17毫米FCBGA，间距0.8毫米常见应用• 雷达• 导引头前端• 国防无线电• 战术通信基础设施• 无线通信测试
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2024/8/22 16:11:36
IWRL1432 毫米波传感器器件是一款基于 FMCW 雷达技术的集成式单芯片毫米波传感器。该器件能够在 76GHz 至 81GHz 频段内运行，主要分为四个电源域： 射频/模拟子系统：该块包含发送和接收射频信号所需的所有射频和模拟元件。 前端控制器子系统 (FECSS)：FECSS 包含负责雷达前端配置、控制和校准的处理器。 应用子系统 (APPSS)：在 APPSS 中，该器件实现了一个用户可编程的 ARM Cortex M4，允许自定义控制和汽车接口应用。顶部子系统 (TOPSS) 是 APPSS 电源域的一部分，包含时钟和电源管理子块。 硬件加速器 (HWA)：HWA 块通过卸载通用雷达处理（例如 FFT、恒定误报率 (CFAR)、缩放和压缩）来对 APPSS 进行补充。IWRL1432 专为上述每个电源域配备单独的旋钮，可根据用例要求控制其状态（上电或断电）。该器件还具有运行各种低功耗状态（如睡眠和深度睡眠）的功能，其中低功耗睡眠模式是通过时钟门控和关闭器件的内部 IP 块来实现的。该器件还提供了保留器件某些内容的选项，例如在此类情况下保留的应用图像或射频配置文件。此外，该器件采用 TI 的低功耗 45nm RF CMOS 工艺制造，以超小的外形尺寸实现了出色的集成度。IWRL1432 专为工业（和个人电子产品）领域的低功耗、自监控、超精确雷达系统而设计，适用于楼宇/工厂自动化、商业/住宅安全、个人电子产品、存在/运动检测以及用于人机界面的手势检测/识别等应用。特性FMCW 收发器集成 PLL、发送器、接收器、基带和 ADC覆盖范围为 76GHz 至 81GHz，具有 5GHz 的连续带宽3 个接收通道和 2 个发送通道短距每个 Tx 的输出功率典型值为 11dBm14.5dB 典型噪声系数1MHz 时的典型相位噪声为 -89dBc/HzFMCW 运行5MHz I...
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2024/8/22 16:05:54
AFE77xxD 是引脚兼容的高性能多通道收发器系列，集成了四条 (AFE7768D/AFE7769D) 或两条 (AFE7728D) 直接上变频发送器链、四条 (AFE7768D/AFE7769D) 或两条 (AFE7728D) 直接下变频接收器链、两条宽带射频采样数字化辅助链（反馈路径）和用于实现功率放大器 (PA) 线性化的低功耗数字预失真 (DPD) 引擎。发送器链和接收器链的高动态范围可使无线基站发送和接收 2G、3G、4G 和 5G 信号。集成式波峰因数抑制 (CFR) 单元有助于降低输入信号的峰均比 (PAR)，从而提高功率放大器的传输效率。集成式硬件加速 DPD 估算器和校正器为 PA 线性化提供了灵活高效的 DPD 解决方案。对于瞬时带宽高达 200MHz (AFE77x8D)/300MHz (AFE7769D) 以及 DPD 扩展带宽高达 650MHz (AFE77x8D)/730MHz (AFE7769D) 的信号，集成式 DPD 引擎可校正因 PA 非线性而导致的失真。专用 GaN 校正器可解决由于 GaN PA 电荷捕获所带来的长期非线性记忆效应。AFE77xxD 的低功率耗散和高密度通道集成特性能克服 4G 和 5G 基站的功率和尺寸限制。宽带和高动态范围反馈路径可以通过在各个拦截点进行智能数据采集来为发送器链中功率放大器的 DPD 提供支持。串行器/解串器 29.5Gbps 的速度有助于减少向器件传入和从器件传出数据时所需的通道数。AFE77xxD 的每个接收器链都具有一个 28dB 范围的数字阶跃衰减器 (DSA)，后跟一个宽带无源 IQ 解调器和一个基带放大器，此基带放大器具有集成式可编程带宽抗混叠低通滤波器，用于驱动连续时间 Σ-Δ ADC。RX 链可接收高达 200MHz (AFE77x8D)/300MHz (AFE7769D) 的瞬时...
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2024/8/22 16:02:55
CBP-1300A+是一种基于陶瓷同轴谐振器的带通滤波器，采用SMT技术制造，采用屏蔽封装。该滤波器具有出色的近端抑制、低插入损耗和高功率处理能力，适用于航空、军事和国防应用。特性•低插入损耗•高选择性•微型屏蔽封装•极佳的回波损耗应用•航空•国防•军用雷达点击购买：CBP-1300A+CBP-1300A+尺寸图
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2024/8/22 15:50:05
Mini-Circuits的CY3-453-D+是一款超宽带MMIC频率倍频器，可将6.66至15 GHz的输入频率转换为20至45 GHz的输出频率。其宽输出范围使该型号适用于宽带系统以及各种窄带应用。CY3-453-D+芯片采用GaAs HBT技术，适用于芯片和导线组装。特性超宽带，输出范围为20至45 GHz宽输入功率范围，+12至+17 dBm低转换损耗，典型值20dB。良好的基波和谐波抑制：F1+40 dBc；F2＞+25 dBc；F4+35 dBc。应用5G MIMO和回程无线电系统卫星通信测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统点击购买：CY3-453-D+CY3-453-D+尺寸图
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2024/8/22 15:43:00
047系列Hand-Flex“同轴电缆非常适合在狭小空间内互连同轴组件或子系统。外屏蔽层为镀锡铜编织层和浸锡层，可最大限度地减少信号泄漏，同时灵活易弯曲。047系列Hand-Flex”电缆采用镀金铍铜结构。047系列Hand-Flex”电缆有各种长度可供选择，以满足您的要求。特性宽带频率覆盖，DC至18 GHz低损耗，18 GHz时为1.65 dB出色的回波损耗，18 GHz时为20 dB几乎可以手工成型为任何定制形状，无需特殊的弯曲工具3.2mm弯曲半径，适用于紧密安装连接器接口，符合MIL-STD-348标准非常适合组装系统的互连应用替换定制弯曲的0.047英寸半刚性电缆通信接收器和发射器军事和航空航天系统环境和试验室实验室使用点击购买：047-12SMP+047-12SMP+尺寸图
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2024/8/22 15:35:49