安森美NCV8189高精度低压差 (LDO) 稳压器是0.5A器件，具有低噪声、低静态电流、下一代高PSRR和电源良好开路集电极输出。NCV8189稳压器可调节低至0.6V的输出电压和出色的负载/线路瞬态。NCV8189设计用于搭配4.7µFµ输入和输出陶瓷电容器使用。安森美NCV8189 LDO稳压器设计用于满足射频/敏感模拟电路要求，采用行业标准DFNW8 0.65P (3mm x 3mm) 和WDFNW6 0.65P (2mm x 2mm) 封装。特性工作输入电压范围：1.6V至5.5V0.6V至5.0V固定电压选项0.6V可调版本参考电压初始精度：±0.7%（+25°C时）整个负载和温度范围内的精度：±1%（高达+125°C）低静态电流：35µA（典型值）关断电流：0.1µA（典型值）极低压差：65mV（典型值，0.5A时，3.3V型号）高PSRR：85dB（典型值）（100mA，f=1kHz时）低噪声：10µVRMS（固定版本）可通过小型4.7µF陶瓷电容器稳定工作受控输出电压转换率：5mV/µs采用以下封装DFNW8：3mm × 3mm × 0.9mm外壳507ADWDFNW6：2mm x 2mm x 0.75mm外壳511DW无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令应用通信系统车载网络远程信息处理、信息娱乐和仪表板通用汽车典型应用示意图
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2024/10/21 13:13:50
安森美 (onsemi) NCV51752隔离式单通道栅极驱动器设计用于快速开关，以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET电源开关。NCV51752具有4.5A拉峰值电流/9A灌峰值电流和短/匹配传播延迟。为了提高可靠性、dV/dt抗扰度和更快关断，NCV51752产生负偏置电源轨。安森美 (onsemi) 驱动器提供其他必要的保护功能，例如两侧驱动器的独立欠压锁定。NCV51752符合AEC-Q100标准，采用4mm SOIC-8封装，支持高达3.75kVRMS 的隔离电压。特性选项： VCC UVLO以GND2为基准 GND2和VEE 引脚之间内置负偏置 可通过调整选择负偏置电平输入电源电压：3V 20V至输出电源电压范围为6.5V至30V，MOSFET为6V和8V，SiC阈值为12V和17V4.5 A峰值拉电流、9 A峰值灌电流输出能力最小CMTI：200V/ns dV/dt输入引脚具有负5V处理能力36 ns典型传播延迟，5 ns最大延迟匹配符合汽车应用要求的AEC-Q100标准隔离和安全 3.75kVRMS 隔离，持续1分钟（符合UL1577要求）（规划中） 通过GB4943.1-2011 CQC认证（规划中） 符合IEC 62386-1标准的SGS FIMO认证（规划中）应用板载充电器xEV 直流-直流转换器牵引逆变器充电站典型应用电路简化框图
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2024/10/21 13:08:59
安森美半导体RSL10多协议Bluetooth 5系统级封装 (SiP) 是一款完整的解决方案，可轻松将低功耗蓝牙低功耗技术集成到无线应用中。RSL10 SiP在单一封装中集成了RSL10 SoC、板载天线及所有必要的无源元件，有助于最大限度地减小系统整体尺寸。RSL10 SiP完全符合FCC、CE和其他法规标准，无需额外的天线设计考虑或射频认证。特性完全符合全球监管标准Bluetooth 5QDID声明IDFCC、CE、IC、MIC、KC超低功耗：峰值接收电流：5.6mA (1.25V VBAT)峰值接收电流：3.0mA (3V VBAT)峰值发射电流 (0dBm)：8.9mA (1.25V VBAT)峰值发射电流 (0dBm)：4.6mA (3V VBAT)深度休眠电流消耗 (1.25V VBAT)：深度休眠、IO唤醒：50nA深度休眠、8KB RAM（用于保留数据）：300nA电流消耗 (3V VBAT)：深度休眠、IO唤醒：25nA深度休眠、8KB RAM（用于保留数据）：100nAEEMBC ULPMark内核概览 (3.0V)：1090EEMBC ULPMark内核概览 (2.1V)：1360完整的解决方案RSL10无线电SoC全集成天线所有无源元件先进的多协议无线功能支持蓝牙低功耗和2.4GHz专有/定制协议接收灵敏度：-94dBM发射功率：−17dBm至+6dBm支持无线固件 (FOTA)内置电源管理先进的双核架构1.1V至3.3V电源范围384kB闪存、76kB程序存储器、88kB数据存储器IP保护功能，闪存内容可配置的模拟和数字传感器接口（GPIO、LSAD、I2C、SPI、PCM）应用物联网边缘节点应用蓝牙低功耗技术能量采集可穿戴设备健身追踪器健康监控器智能手表智能锁家用电器 照明应用
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2024/10/21 11:41:45
安森美 (onsemi) NCD57000和NCD57001大电流IGBT驱动器是内置电流隔离功能的单通道IGBT栅极驱动器，设计用于为大功率应用实现高系统效率和可靠性。NCD57000和NCD57001 IGBT驱动器具有互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确UVLO、DESAT保护以及DESAT软关断特性。另外，NCD57000 IGBT驱动器还可提供独立的高侧和低侧（OUTH和OUTL）驱动器输出，以实现较高的系统设计灵活性和便利性。NCD57000和NCD57001均可在输入侧提供5.0V和3.3V信号，在驱动器侧提供较宽的偏置电压范围，包括负电压能力。这些器件具有5kVrms（符合UL1577标准）和1200Viorm（工作电压）功能。NCD57000和NCD57001 IGBT栅极驱动器采用宽体SOIC-16封装，输入和输出之间的爬电距离保证为8mm，以满足增强的安全绝缘要求。这些器件无铅、无卤，符合RoHS指令。特性在IGBT米勒平坦电压下具有大电流输出 (+4A/-6A)低输出阻抗，用于增强型IGBT驱动传播延迟时间短，具有精确匹配有源米勒钳位，防止杂散栅极导通DESAT保护，带可编程延迟独立的高侧和低侧（OUTH和OUTL）驱动器输出（仅限NCD57000）针对DESAT的负电压（低至-9V）能力IGBT短路期间的软关断短路期间的IGBT栅极钳位IGBT栅极有源下拉UVLO阈值小，实现偏置灵活性宽偏置电压范围，包括负VEE2输入电源电压：3.3V至5.0V设计用于符合AEC-Q100标准5000V电流隔离（以满足UL1577要求）1200V工作电压（符合VDE0884-11要求）高瞬态抗扰度高电磁抗扰度封装：SOIC-16 WB无铅、无卤，符合RoHS指令应用太阳能逆变器电机控制焊接不间断电源 (UPS)工业电源简化应用电路
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2024/10/21 11:39:19
安森美 (onsemi) NVVR26A120M1WSB碳化硅 (SiC) 模块是VE-Trac™ B2 SiC高度集成功率模块系列的一部分，用于EV和HEV牵引逆变器应用。此SiC模块在半桥配置中集成了1200V漏极-源极电压，以及用于裸芯连接的烧结技术，可提高可靠性和散热性能。NVVR26A120M1WSB模块具有超低RDS(on) 、氮化铝隔离器和7.1nH超低杂散电感。此SiC模块的工作温度范围为-40°C至175°C，采用AHPM-15封装。NVVR26A120M1WSB模块符合汽车级AQG324标准，达到UL 94 V-0可燃性等级。特性超低RDS(on)氮化铝隔离器超低杂散电感：7.1nH汽车级SiC MOSFET芯片技术烧结裸芯技术，实现高可靠性能1200 V漏源电压栅极-源极电压：+25V/-10V工作温度范围：-40°C至175°CAHPM15 封装符合汽车模块AQG324标准支持PPAPUL 94 V-0可燃性等级应用汽车电动汽车 (EV)混合 (HEV) 牵引逆变器引脚配置尺寸图
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2024/10/21 11:33:24
STM32 开发人员可以在 STM32C0微控制器(MCU)上获得更多存储空间和更多功能，在资源有限和成本敏感的嵌入式应用中实现的功能。STM32C071 MCU配备高达128KB的闪存和 24KB 的 RAM，还新增不需要外部晶振的USB从设备，支持TouchGFX图形软件。片上 USB控制器让设计人员轻松节省至少一个外部时钟和四个去耦电容，降低物料清单成本，简化 PCB元器件布局。此外，新产品只有一对电源线，这有助于简化 PCB 设计。新产品设计可以变得更薄、更整洁、更具竞争力。STM32C0 MCU采用 Arm® Cortex®-M0+ 内核，可取代家用电器、简单工业控制器、电动工具和物联网设备等产品设备中的传统 8 位或 16 位 MCU。作为32 位MCU中的经济型产品，STM32C0具有更高的处理性能、更大的存储容量、更高的外设集成度（适合用户界面控制等功能），以及其他基本控制、定时、计算和通信功能。此外，开发者可以借助强大的 STM32 生态系统加快STM32C0 MCU应用开发。STM32生态系统统提供各种开发工具、软件包和评估板。当然，开发者还可以加入STM32 用户社区，分享交流经验心得。可扩展性是新产品的另一个亮点，STM32C0系列与性能更高的STM32G0 MCU有很多共性，包括 Cortex-M0+ 内核、外设 IP内核和紧凑的引脚排列及优化的I/O比。意法半导体通用 MCU子产品部总经理 Patrick Aidoune 表示：“我们将 STM32C0系列设定为 32 位嵌入式计算应用的经济型入门产品。STM32C071系列具有更大的片上存储容量和 USB从设备控制器，现在为开发者升级现有应用和开发新产品提供了更高的设计灵活性。此外， 新MCU全面支持TouchGFX GUI 软件，图形、动画、颜色和触摸等功能更容易提升用户体...
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2024/10/21 11:27:38
TDK株式会社隆重推出一款适用于乘用车、商用车、非公路车辆及机械工具的标准模块化直流支撑电容器设计——xEVCap。通常，这类电容器设计是完全定制的，开发过程耗时且仅适合大批量订单生产。而且，一旦客户在开发期间更改需求，时间线还可能进一步延长。凭借可扩展和模块化的xEVCap，TDK能小批量、高性价比地满足广大逆变器设计师的不同电容和电流规格要求，同时节省宝贵的时间。而且，标准化的电容器模块还能减少所需的元件库存种类，从而降低相应成本。必要时还可将多个xEVCap轻松并联以满足不同的电容和电流需求。整个电容范围满足汽车标准AEC-Q200（修订版E）和IEC TS 63337:2024的要求。xEVCap提供两种连接方式：其中B25654A001型为引线式，可焊接至汇流条或PCB板；B25654A002型则配备扁平端子，可焊接或螺纹连接至汇流条。这两种型号还分别具有三种不同的机械尺寸和四种电压等级可供选择，其中可选结构尺寸（长x宽x高）为85 x 47 x 40.5 mm、97.5 x 35.5 x 42.5 mm和109 x 47 x 40.5 mm；可选额定电压为500 V、650 V、850 V和920 V；覆盖电压范围为60 µF至270 µF，具体视额定电压而定。所有xEVCap均纳入到TDK的CLARA（电容器使用寿命和额定参数查询 APP）工具中，后者可模拟元件在不同工作条件下的电气和热性能。此外，TDK还为这些元件提供了SPICE模型。这些元件还能在一定时间内耐受超过额定电压的电压，比如850-V型号可在+105 °C下承受890 V电压达100小时，并且可耐受最高1200 V的冲击电压。新元件的额定电流范围为35 A至60 A (@10 kHz)，等效串联电感 (ESL) 为14 nH或17 nH (@1 MHz)，工作温度范...
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2024/10/21 11:25:34
Mini-Circuits的LFHK-2250+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）低通滤波器，具有直流至2250 MHz的通带，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了1.5 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性低插入损耗，典型值1.5 dB。通带回波损耗，典型值18 dB。阻带抑制，典型值72 dB。1008表面安装占地面积功率处理：7.5 W应用测试和测量设备谐波抑制VHF/UHF发射机/接收机实验室使用功能图+25°C时的典型频率响应外观尺寸图
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2024/10/18 13:43:17
HMC424ALP3E是一款宽带、6位、砷化镓(GaAs)、数字衰减器，采用低成本、无引脚表贴封装，以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。HMC424ALP3E在0.1 GHz至13.0 GHz的指定频率范围内具有出色的衰减精度（±0.2 dB + 4%的衰减状态）和高输入线性度，典型插入损耗小于4 dB。衰减器位值为0.5 dB (LSB)、1 dB、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB，总衰减为31.5 dB，典型步长误差为±0.5 dB。该器件允许用户通过在0 V至VEE之间切换的六个并行控制输入对衰减状态进行编程设定。HMC424ALP3E采用−3 V至−5 V单个负电源供电，需要外部电平转换器以便连接CMOS/晶体管对晶体管逻辑(TTL)接口。HMC424ALP3E采用符合RoHS标准的紧凑型、3 mm × 3 mm、16引脚引脚架构芯片级封装(LFCSP)。特性• 衰减范围：0.5 dB (LSB)步进至31.5 dB• 步长误差：±0.5 dB（典型值）• 低插入损耗：2.8 dB（4 GHz时）• VEE = −3 V 时具有高线性度• 输入P0.1dB：22 dBm（典型值）• 输入IP3：45 dBm（典型值）• 高RF输入功率处理：25 dBm（最大值）• 低相对相位：30°（典型值，6.0 GHz）• 单电源供电：−3 V至−5 V• 16引脚、3 mm × 3 mm LFCSP封装应用• 基站基础设施• 光纤和宽带通信• 微波和VSAT无线电• 军事和太空• 测试仪器仪表引脚图
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2024/10/18 13:31:50
ADP151是一款超低噪声、低压差(LDO)线性稳压器，采用2.2 V至5.5 V电源供电，最大输出电流为200 mA。在200 mA负载下压差仅为135 mV，不仅可提高效率，而且能使器件在很宽的输入电压范围内工作。ADP151采用新颖的电路拓扑结构，实现了超低噪声性能，而无需旁路电容，使该器件非常适合对噪声敏感的模拟和RF应用。ADP151在提供超低噪声性能的同时，并不影响其电源电压抑制比(PSRR)或线路与负载瞬态响应性能。200 mA负载时工作电源电流低至265 μA，因此ADP151适合电池供电的便携式设备。ADP151的EN输入引脚还内置一个下拉电阻。ADP151经过专门设计，利用1 μF、±30%小型陶瓷输入和输出电容便可稳定工作，适合高性能、空间受限应用的要求。可提供1.1 V至3.3 V范围内的16种固定输出电压选项。短路和热过载保护电路可以防止器件在不利条件下受损。ADP151提供5引脚TSOT、6引脚LFCSP和4引脚、0.4 mm间距、无卤素WLCSP三种小型封装，是适合各种便携式供电应用要求的业界小尺寸解决方案。特性• 超低噪声：9 μV rms• 无需噪声旁路电容器• 在使用 1 μF 陶瓷输入和输出电容的情况下稳定工作• 最大输出电流：200 mA• 输入电压范围：2.2 V 至 5.5 V• 低静态电流• IGND = 10 μA，IOUT = 0 μA• IGND = 265 μA，IOUT = 200 mA• 低关断电流：• 低电压差：IOUT = 200 mA 时为 135 mV• 初始精度：±1%• 线路、负载和温度的精度：±2.5%• 16 个固定输出电压选项：1.1 V 至 3.3 V• 10 kHz 时的 PSRR 性能为 70 dB• 限流和过热过载保护• 逻辑控制使能• EN 输入上的内部下拉电...
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2024/10/18 13:20:55
LTC®5596 是一款高准确度 RMS 功率检波器，可提供从 100MHz 至高达 40GHz 的非常宽的 RF 输入带宽。这使得该器件适合众多的 RF 和微波应用，例如：点对点微波链路、仪表和功率控制应用。该检波器的 DC 输出电压是施加至 RF 输入端之信号平均功率的准确表示。响应是对数线性，在一个 35dB 动态范围内具有 29mV/dB 的对数斜率，准确度通常优于 ±1dB。这款检波器非常适合测量具高达 12dB 之波峰因数 (CF) 的波形，以及波峰因数在测量期间呈现显著变化的波形。为了实现较高的准确度和较低的输出纹波，可利用一个连接在 FLTR 和 OUT 引脚之间的电容器在外部进行平均带宽的调节。使能接口负责在主动测量模式和一种低功率停机模式之间切换器件。特性• 超宽的匹配输入频率范围：100MHz 至 40GHz• 35dB 线性动态范围 (• 29mV/dB 对数斜率• ±1dB 平坦响应 (从 200MHz 至 30GHz)• 高波峰因数 (高达 12dB) 调制波形的 RMS 功率准确测量• 低功率停机模式• 低电源电流：在 3.3V 时为 30mA (典型值)• 小外形 2mm x 2mm 塑料 DFN8 封装• I 级：额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C• H 级：额定工作温度范围为 –40°C 至 125°C• 具有保证的对数斜率和对数截距• ESD 额定值：3500V HBM，1500V CDM应用点对点微波链路仪器和测量设备军用无线电LTE、WiFi、WiMax无线网络RMS功率测量接收和发射增益控制射频功率放大器发射功率控制引脚配置点击购买：LTC5596IDC#TRMPBF
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2024/10/18 13:15:44
Mini-Circuits的LFHK-3800+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）低通滤波器，具有直流至3800 MHz的通带，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该模型在宽带上提供了1 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性插入损耗低，典型值为1dB。通带回波损耗，典型值13dB。阻带抑制，典型值74dB。1008表面安装占地面积功率处理：9.5 W应用测试和测量设备VHF/UHF发射机/接收机实验室使用谐波抑制功能图+25°C时的典型频率响应外观尺寸图
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2024/10/18 11:58:01
SMIQ-5143H+是一种使用GaAs HBT技术制造的无源宽带同相/正交（I/Q）混频器。该模型可用作传输应用的单边带上变频器或接收器应用的图像抑制混频器SMIQ-5143H+是需要固有抑制图像信号和杂散混频产物的宽带频率转换应用的理想选择。混频器覆盖了5至14 GHz的RF和LO频率范围以及DC至7 GHz的IF频率范围的宽带。作为无源混频器，SMIQ-5143H+的噪声系数低于有源混频器，为高性能应用提供了卓越的动态范围。该混频器采用紧凑的4x4 mm 24导联QFN封装，无需直流偏压即可运行。特性宽带射频和本振，5至14 GHz宽带中频，直流至7 GHz出色的图像抑制，典型。30分贝典型的高LO-RF隔离。41分贝高输入IP3，典型+27 dBm可用作图像拒绝混合器和SSB转换器4x4 mm，24引脚QFN型封装应用测试和测量设备回程收音机卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统功能图外观尺寸图
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2024/10/18 11:54:19
瑞萨电子今日宣布推出两款面向快速增长的IO-Link市场的半导体解决方案：CCE4511四通道IO-Link主站IC和ZSSC3286——IO-Link就绪型双通道电阻式传感器信号调理IC。IO-Link是一种广泛应用于工业自动化领域的数字通信协议。作为一种标准化技术，它可以实现自动化系统中传感器、执行器和其它设备间的无缝通信。近年来，IO-Link因其提供实时数据和诊断信息的能力、易用性，以及与现有系统的兼容性而日益普及。此外，它还能调整并减少布线、提高数据可用性，并提供远程配置与监控功能。市场研究公司Infogence Global Research预计，IO-Link市场将以每年超过20%的速度增长，到2028年市场规模将超过340亿美元。作为工业自动化解决方案的佼佼者，瑞萨致力于为客户提供创新的IO-Link解决方案。CCE4511四通道IO-Link主站IC瑞萨新推出的CCE4511是业界首款针对IO-Link协议的四通道主站IC，每个通道具有500mA的驱动电流，相比双通道主站器件具有诸多优势。其节能、减小PCB尺寸，且所需外部组件少于同类竞品。CCE4511提供高压接口以及过压检测和过流保护功能。为提高应用性能，它集成的IO-Link帧处理器可自动执行大部分底层通信任务，由此显著减轻微控制器（MCU）的负载，从而让其它任务获得更多性能，并/或允许设计人员使用成本更低的MCU。CCE4511的工作温度高达125ºC，适用于恶劣的工业环境；它还支持检测来自IO-Link设备的就绪脉冲，这是满足新定义的IO-Link安全系统扩展的必要条件。ZSSC3286 IO-Link就绪型双通道电阻式传感器信号调节器ICZSSC3286作为一款双通道传感器信号调理IC（SSC），用于对传感器信号进行高精度放大、数字化和传感器特定校正。它支持IO-Link连接，并集成运...
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2024/10/18 11:25:45
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款采用易于吸附焊锡的侧边焊盘DFN1006-2B小型封装全新车规级双向单路ESD保护二极管---VETH100A1DD1。该器件节省空间，专门用于车载以太网，符合OPEN Alliance 100Base-T1和1000Base-T1规范，钳位电压、动态电阻和电容低，可保护高速数据线免受瞬态电压信号的影响。日前发布的器件占位面积和高度均小于其他标准封装器件。由于采用触发电压 100 V的回弹技术（snap-back），因此1 A下钳位电压极低，典型值仅为31 V。这款保护二极管典型动态电阻低至0.4 W，提高了ESD脉冲吸收性能和保护能力，其最大容值仅为2 pF，有助于提高信号完整性。VETH100A1DD1数据线瞬态保护达到ISO 10605和IEC 61000 4 2规定的 ± 15 kV（1000 x接触放电）。对于汽车应用，保护二极管提供AEC-Q101认证版器件，工作电压为 ± 24 V。器件最终应用包括工业自动化系统、计算机、消费娱乐设备、家用电器、固定通信基础设施和医疗仪器。保护二极管潮湿度敏感度等级（MSL）达到J-STD-020标准1级，耐火等级达到UL 94 V-0。器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，支持汽车系统自动光学检测（AOI）。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/10/18 11:21:49
在对更高带宽、先进功能、更强安全性和标准化需求的推动下，汽车原始设备制造商（OEM）正在向以太网解决方案过渡。汽车以太网通过集中控制、灵活配置和实时数据传输，为支持软件定义网络（Software-Defined Networking）提供了必要的基础设施。为了向OEM厂商提供全面的以太网解决方案，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日宣布推出全新LAN969x系列多千兆位以太网交换机和 VelocityDRIVE™ 软件平台（SP）。该平台是基于标准化 YANG模型的交钥匙以太网交换芯片软件解决方案和配置工具（CT）。LAN969x系列与VelocityDRIVE SP结合使用，是业界首次集成CORECONF YANG模型，提供了创新的行业标准网络配置解决方案。CORECONF YANG 标准旨在通过将软件开发与硬件网络层分离，为设计人员赋能。这降低了复杂性和成本，加快了产品上市时间。高性能LAN969x以太网交换芯片采用1 GHz单核Arm® Cortex®-A53 CPU，具有多千兆位功能，带宽可从46 Gbps扩展到102 Gbps。先进时间敏感网络（TSN）旨在满足高级驾驶员辅助系统（ADAS）等应用对精确授时和可靠性的要求。Microchip负责USB和网络事业部的副总裁Charlie Forni表示：“VelocityDRIVE软件平台的推出为我们的汽车客户提供了一个交钥匙软件交换解决方案和配置工具，可轻松管理车载以太网网络。它使用标准化YANG配置协议，可以独立开发软件，并在多厂商以太网交换芯片上重复使用。”LAN969x系列交换芯片支持ASIL B功能安全和AEC-Q100汽车认证标准，提供汽车应用的高可靠性和安全性。这些器件针对嵌入式存储器空间小的系统进行了优化，具有安全快速的启动功能，使用集成 ECC ...
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2024/10/18 11:19:11
英伟达的DGX B200“Blackwell”AI服务器已由服务器解决方案提供商Broadberry在线列出，价格相当惊人。英伟达的下一代Blackwell AI架构引起了业界的关注，主要是因为据说该平台具有市场过去从未见过的性能。不仅英伟达CEO黄仁勋对Blackwell大加赞赏，而且它也被微软和Meta等主流科技巨头迅速采用，表明英伟达的新AI产品组合已准备好颠覆市场。有趣的是，Broadberry列出了Blackwell DGX B200 AI系统，起售价约50万美元，令人感到惊讶。英伟达打算销售多个Blackwell AI系统，但针对更广泛市场的产品是DGX B200。每台DGX B200采用8块B200 GPU，可提供高达1.4TB的GPU内存，HBM3E内存带宽高达64TB/s。根据英伟达提供的信息，DGX B200可提供高达72 petaFLOPS的训练性能和144 petaFLOPS的推理性能，与Hopper一代相比，这是巨大的升级。DGX B200系统全部规格包括：内置8个英伟达Blackwell GPU，GPU内存总计1440GB，64TB/s HBM3e带宽，72 petaFLOPS FP8训练性能和144 petaFLOPS FP4推理性能，英伟达网络，英伟达DGX BasePOD和英伟达DGX SuperPOD的基础，包括英伟达AI Enterprise和英伟达Base Command软件。Broadberry上的列表为Blackwell DGX B200 AI系统标价515410.43美元，还有配置选项，主要涉及售后服务。据说Blackwell最初将受到限制，大部分出货量定于明年第一季度。最近，英伟达向OpenAI交付了首批DGX B200 AI系统，表明两家公司之间存在独家合作关系。无论如何，英伟达的Blackwell将迎来“AI淘金热”的新时...
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2024/10/18 11:13:33
HFBR-0500Z 系列包括发射器、接收器、连接器和用于简易设计的光纤。这一系列的元件是解决电压隔离/绝缘、EMI/RFI 抗扰或数据安全问题的理想选择。光纤链路的设计因逻辑兼容接收器和各元件的齐全规格而得以简化。采用 HFBR-0500Z 系列配置的链路可在 0°C 至 70°C 之间充分保证主要的光电参数。特性·符合 RoHS 标准·低成本光纤元件·增强型数字链路：DC-5 MBd·40 kBd 时链路传输距离延长达 120 米·低电流链路：6mA 电源峰值电流·横向和纵向安装·互锁功能·噪声抗扰度高·易接式单工、双工和锁定连接器·阻燃·发射器内含便于观察的 660nm 红色 LED·兼容标准 TTL 电路应用降低雷电/电压瞬态敏感性电机控制器触发数据通信和局域网FCC、VDE和CSA等受监管系统的电磁兼容性（EMC）Tempest安全数据处理设备试验和测量仪器中的隔离工业和制造设备的无差错信号汽车通信和控制网络音视频设备中的抗噪声通信
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2024/10/17 15:36:29