LEE-39+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在一个3X3mm的MCLP模制塑料包装中。在85°C的外壳温度下，预计MTBF为6000年。规格参数工作频率:0 Hz to 8 GHz工作电源电压:3.5 V工作电源电流:35 mA增益:10.5 dBNF—噪声系数:2.4 dBP1dB - 压缩点:10.1 dBmOIP3 - 三阶截点:23.4 dBm最小工作温度:- 45 C最大工作温度:+ 85 C输入返回损失:15.5 dB点击购买：LEE-39+特性•DC-8 GHz•输出功率，典型值为10.4 dBm。•内部匹配50欧姆•散热性能极佳，金属底部外露•输出功率平坦至10 GHz•可水洗•低附加相位噪声应用•蜂窝•个人电脑•通信接收器和发射器•卫星通信，军事引脚配置
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2024/11/25 11:56:38
PHA-202+（符合RoHS标准）是一款采用E-PHEMT技术制造的中等功率放大器，在宽频范围内提供极高的动态范围和低噪声系数。此外，PHA-202+在宽频范围具有良好的输入和输出回波损耗，无需外部匹配元件，并表现出卓越的可靠性。它具有可重复的性能，并且封装在5mm x 6mm的8引脚封装中，具有非常好的热性能。规格参数工作频率:30 MHz to 2.7 GHz工作电源电压:11 V工作电源电流:350 mA增益:12.7 dBNF—噪声系数:5.4 dBP1dB - 压缩点:25.7 dBmOIP3 - 三阶截点:39.4 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C输入返回损失:14.9 dB隔离分贝:23 dB通道数量:1 ChannelPd-功率耗散:5.8 W单位重量:715.250 mg点击购买：PHA-202+特性超高IP3，+46.1 dBm宽带高动态范围，无需外部匹配组件中等功率，1W超过15dB的出色回波损耗高IP3，典型值+46.1 dBm。1 GHz增益，典型值17.0 dB。1 GHz高POUT，典型值P1dB+30.4 dBm。1 GHz不需要外部匹配组件应用基站基础设施有线电视LTE外观尺寸图
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2024/11/25 11:44:53
2024年11月22日，中国——意法半导体推出了一款基于IO-Link的工业标准和设备报警执行器参考设计，最终交货形式是开箱即用的成品板卡及配套协议栈和应用软件。EVLIOL4LSV1板卡采用意法半导体的L6364Q双通道IO-Link收发器处理通信任务，通过IPS4260L智能低边功率开关控制指示灯。该板卡可直接连接到指示信号灯系统，例如，工厂自动化使用的智能警示灯、提示剩余量或紧急程度的料位报警器，以及其他系统警告装置。该板卡还为开发者测评IPS4260L和L6364Q集成电路提供了一个快捷的方式，并配备了IO-LINK主站连接器四针的M12接口和用于烧录代码的五针SWD连接器。STM32G071CB微控制器运行意法半导体独有的IO-Link演示用协议栈和应用软件，处理系统控制和诊断任务，并与收发器和低边开关连接通信。L6364Q收发器配备完整的保护功能，支持包括38.4kbit/s COM2和230.4kbit/s COM3在内的标准IO-Link通信速率。该收发器的工作模式支持单字节或多字节模式，还可以进入透传模式，通过简单的UART接口将IO-Link通信控制权交给微控制器。内置保护措施确保EMC抗扰度在无额外保护元件的情况下达到2.5kVpk耦合浪涌脉冲/500Ω阻抗。IPS4260L低边驱动器有四个输出端，用于驱动一端连接电源电压的负载，每个输出端由微控制器的数字输出信号独立控制。驱动器的电源电压范围是8V到50V，每个输出端的电流可以在0.5A到3.0A的范围内独立设置，每个通道都集成了独立的过载保护和过热保护功能，并提供开路、过载和过热诊断信号，以方便系统管理，提高系统可靠性。该参考设计还采用了意法半导体的SMBJ30CA TVS（瞬态电压抑制）二极管，可以在电源轨上承受2Ω输出阻抗条件下的耦合浪涌脉冲。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信...
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2024/11/25 11:29:31
针对5G/6G 新的应用场景需求，频岢近期推出系列化高性能基站滤波器，能满足高功率和小型化的双重需求。如图1移动通信基站示意图所示，蜂窝基站作为移动通信中的重要单元，是移动设备相互通讯的连接点，也是互联网的接口设备。PolarFire® FPGA 以太网传感器桥接器为NVIDIA边缘 AI 平台提供低功耗多传感器桥接功能为了帮助开发人员构建人工智能（AI）驱动的传感器处理系统，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）发布了支持NVIDIA Holoscan 传感器处理平台的PolarFire® FPGA 以太网传感器桥接器。PolarFire FPGA支持多协议，作为Microchip平台的重要组成部分，是首款兼容基于MIPI® CSI-2® 的传感器和MIPI D-PHY℠ 物理层的解决方案。后续解决方案将支持多种不同接口的传感器，包括SLVS-EC™ 2.0、12G SDI、CoaXPress® 2.0 和 JESD204B。该平台使设计人员能够充分利用NVIDIA Holoscan生态系统的强大功能，同时利用PolarFire FPGA的高能效技术、低延迟通信和多协议传感器支持。NVIDIA Holoscan可帮助简化边缘人工智能和高性能计算（HPC）应用的开发和部署，可实现实时洞察。它将低延迟传感器流和网络连接所需的硬件和软件系统整合到一个平台。该平台包括用于数据处理的优化库、用于启动人工智能推理管道开发的人工智能模型示例、用于促进快速原型开发的模板应用程序以及用于运行流媒体、成像和其他应用程序的核心微服务。PolarFire FPGA以太网传感器桥接器能够将实时传感器数据桥接到NVIDIA Holoscan以及NVIDIA IGX和NVIDIA Jetson平台，用于边缘人工智能和机器人技...
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2024/11/25 11:26:42
全新多路复用寄存时钟驱动器、多路复用数据缓冲器和PMIC，使下一代MRDIMM速度提升至高达每秒12,800兆次传输，满足AI和高性能计算应用需求全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量双列直插式内存模块（MRDIMM）的完整内存接口芯片组解决方案。人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和其它数据中心应用对内存带宽的要求不断提高，这就需要新的DDR5 MRDIMM。它们的运行速度高达每秒12,800兆次传输（MT/s）；与第一代解决方案相比内存带宽提高1.35倍。瑞萨与包括CPU和内存供应商在内的行业领导者以及终端客户合作，在新型MRDIMM的设计、开发与部署方面发挥了关键作用。瑞萨设计并推出三款全新关键组件：RRG50120第二代多路复用寄存时钟驱动器（MRCD）、RRG51020第二代多路复用数据缓冲器（MDB），和RRG53220第二代电源管理集成电路（PMIC）。此外，瑞萨还批量生产温度传感器（TS）和串行存在检测（SPD）集线器解决方案，并为包括行业标准下一代MRDIMM在内的各类服务器和客户端DIMM提供全面的芯片组解决方案。作为内存接口领域的卓越厂商，瑞萨致力于为用户提供高质量、高性能的产品和服务。Davin Lee, Senior Vice President and General Manager of Analog & Connectivity and Embedded Processing表示：“AI和HPC应用对更高性能系统的需求持续增长。瑞萨紧跟这一趋势，与行业领导者携手开发下一代技术及规范。这些公司依靠瑞萨提供的专业技术知识和生产能力来满足日益增长的需求。我们面向第二代DDR5 MRDIMM的最新芯片组解决方案，体现了瑞萨在这一市场领域的卓越地位。”瑞萨RRG50120第二代MRCD用于MRDIMM，缓冲主...
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2024/11/25 11:16:21
英伟达推出2款新AI硬件，H200 NVL PCIe GPU和GB200 NVL4。英伟达表示约七成的企业机架仅可提供不到20kW的电力供应，并采用空气冷却，而PCIe AIC形态的H200 NVL就是为这些环境推出的相对低功耗风冷AI计算卡。英伟达推出2款新AI硬件，H200 NVL PCIe GPU和GB200 NVL4。英伟达表示约七成的企业机架仅可提供不到20kW的电力供应，并采用空气冷却，而PCIe AIC形态的H200 NVL就是为这些环境推出的相对低功耗风冷AI计算卡。H200 NVL为双槽厚度，最高TDP功耗从H200 SXM的700W降至600W，算力也有一定下降 （INT8 Tensor Core算力下滑约15.6% ），不过HBM内存容量和带宽是与H200 SXM相同的 141GB、4.8TB/s。H200 NVL PCIe GPU支持双路或四路的900GB/s每GPU的NVLink桥接器互联。H200 NVL内存容量是此前H100 NVL的1.5倍，带宽也达1.2倍，拥有1.7倍的AI推理性能，在HPC 应用中性能也高出30%。英伟达此次还推出了面向单服务器解决方案的GB200 NVL4超级芯片，聚合了2个Grace CPU和4个 Blackwell GPU，HBM内存池容量达1.3TB，相当于2组GB200 Grace Blackwell超级芯片，整体功耗5.4kw。相比于包含4个Grace CPU和4个Hopper GPU的上代GH200 NVL4系统，新的GB200 NVL4拥有 2.2倍的模拟性能、1.8倍的AI训练性能和1.8倍的AI推理性能。GB200 NVL4超级芯片2025年下半年上市。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/11/25 11:10:43
PMA3-83LP+是一款基于GaAs pHEMT的宽带低噪声MMIC放大器，具有低噪声系数、高OIP3和高输出功率的独特组合。这使其成为灵敏、高动态范围接收器应用的理想选择。PMA3-83LP+设计在+6V的单电源电压下运行，与50Ω的电压匹配良好，采用薄型封装（3x3mm 12-引线），可以适应密集的电路板布局。规格参数工作频率:400 MHz to 8 GHz工作电源电压:6 V工作电源电流:150 mA增益:21.3 dBNF—噪声系数:3.3 dBP1dB - 压缩点:25.7 dBmOIP3 - 三阶截点:41 dBm最小工作温度:- 45 C最大工作温度:+ 85 CPd-功率耗散:1.4 W点击购买：PMA3-83LP+特性输出P1dB，典型值+25dBm输出IP3，典型+34dBm典型低噪声系数。2.8分贝可调电源电流3x3mm 12引线QFN型封装应用Wi-Fi 65G MIMO无线电系统L、S和C波段雷达卫星通信功能图
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2024/11/22 14:27:19
MAAD-011048是一款宽带5位、1 dB步进MMIC数字衰减器，采用无铅3 mm、20引脚表面贴装层压封装。该设备非常适合在需要高精度、极低功耗和低互调产物的地方使用。该衰减器由SPI兼容串行接口或5位并行字控制。SEROUT是延迟6个时钟周期的SERIN，可用于菊花链操作。规格参数衰减:31 dB最大频率:55 GHz位数:5 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:1 dB介入损耗:3.1 dB最大工作温度:+ 105 C最小频率:DC最小工作温度:- 40 C工作电源电压:3.3 V特性•5位，1 dB LSB，31 dB范围•插入损耗：26.5 GHz时为2.0 dB50 GHz时为3.1 dB•P0.1 dB:40 GHz时为26 dBm•集成CMOS兼容驱动器•兼容1.8V CMOS逻辑•并行或串行（P/S）控制•低直流功耗•无铅3毫米20导联封装•符合RoHS标准应用•ISM•多市场引脚配置
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2024/11/22 14:17:45
PMA3-10203+是一款基于pHEMT的宽带、超低噪声MMIC放大器，具有高IP3、平坦增益和压控关断能力。该放大器的工作频率为12.5至20 GHz，具有高动态范围，典型的噪声系数为1.5 dB，增益为21 dB，P1dB为+16 dBm，OIP3为+24 dBm。这种特性组合使其成为灵敏、高动态范围接收器应用的理想选择。该设备内部直流阻断，射频输入和输出端口存在直流接地路径，用于ESD保护。PMA3-10203+在单个+5 V电源上运行，与50Ω很好地匹配，并采用小型、低剖面的3x3 mm QFN式封装，便于集成到密集的电路板布局中。规格参数工作频率:12.5 GHz to 20 GHz工作电源电压:5 V工作电源电流:56 mA增益:22.2 dBNF—噪声系数:2.1 dB最小工作温度:- 45 C最大工作温度:+ 105 CPd-功率耗散:700 mW点击购买：PMA3-10203+特性典型低噪声系数。1.5分贝高OIP3，典型+24 dBm典型高P1dB+16 dBm关机功能单+5V电源电压 3x3 mm，16引脚QFN型封装应用测试和测量设备回程无线电系统卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统功能图
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2024/11/22 14:06:05
PMA3-5153+是一款基于pHEMT的宽带超低噪声MMIC放大器，具有高IP3、平坦增益和压控关断能力。该放大器的工作频率为5.5至15.5 GHz，具有高动态范围，典型噪声系数为1.2 dB，增益为21.5 dB，P1dB为+17 dBm，OIP3为+28.4 dBm。这种特性组合使其成为灵敏、高动态范围接收器应用的理想选择。该设备内部直流阻断，射频输入和输出端口存在直流接地路径，用于ESD保护。PMA3-5153+在单个+5 V电源上运行，与50Ω很好地匹配，并采用小型、低剖面的3x3 mm QFN式封装，便于集成到密集的电路板布局中。规格参数工作频率:5.5 GHz to 15.5 GHz工作电源电压:5 V工作电源电流:64 mA增益:21.7 dBNF—噪声系数:1.5 dBP1dB - 压缩点:18.3 dBmOIP3 - 三阶截点:29.1 dBm最小工作温度:- 45 C最大工作温度:+ 105 C输入返回损失:19 dB隔离分贝:50 dB特性典型低噪声系数。1.2分贝高OIP3，典型+28.4 dBm典型高P1dB+17 dBm关机功能单电源电压，+5V和64mA 3x3 mm，16引脚QFN型封装应用测试和测量设备回程无线电系统卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统功能图
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2024/11/22 13:49:31
HMC902LP3E是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)，通过可选偏置控制实现自偏置，以降低IDQ。HMC902LP3E采用无引脚3 mm × 3 mm塑料表贴封装。该放大器的工作频率范围为5 GHz至11 GHz，提供19.5 dB的小信号增益，1.8 dB的噪声系数，28 dBm的输出IP3，采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。16 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC902LP3E还具有隔直输入/输出，内部匹配50 Ω，因而非常适合高容量微波无线电和C频段甚小孔径终端(VSAT)应用。规格参数工作频率:5 GHz to 10 GHz工作电源电压:3.5 V工作电源电流:80 mA增益:19.5 dBNF—噪声系数:1.8 dBP1dB - 压缩点:16 dBmOIP3 - 三阶截点:28 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 CPd-功率耗散:450 mW单位重量:57.100 mg点击购买：HMC902LP3ETR特性• 低噪声系数：1.8 dB（典型值）• 高增益：19.5 dB• 高P1dB输出功率：16 dBm（典型值）• 单电源：3.5 V (80 mA)• 输出IP3：28 dBm• 50 Ω匹配输入/输出• 通过可选偏置控制实现自偏置，以降低静态漏极控制(IDQ)。• 3 mm × 3 mm、16引脚芯片级(LFCSP)封装：9 mm²应用点对点无线电点对多点无线电军事与太空测试仪器引脚配置
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2024/11/22 13:43:25
AD746是一款双通道运算放大器，单芯片上内置两个AD744 BiFET运算放大器。这些精密单芯片运算放大器具有出色的直流特性、快速建立时间、高压摆率和充裕的带宽。此外，AD746还提供共用同一芯片的放大器本身所具有的高度匹配交流和直流特性。AD746的单极点响应特性可提供快速建立时间：0.01%建立时间为500 ns。该特性及高直流精度，使这款器件适合用作12或14位DAC/ADC的缓冲放大器。此外，0.0001%的低总谐波失真(THD)和高度匹配的交流特性，也使该器件成为许多要求苛刻的音频应用的理想放大器。AD746实行内部补偿，可作为单位增益反相器或增益为2及以上的同相放大器稳定工作。它按性能分为四级。AD746J的额定温度范围为0 °C至+70 °C商用温度范围。AD746A和AD746B的额定温度范围为-40°C至+85°C工业温度范围。AD746S按照MIL-STD-883B Rev. C标准加工，额定温度范围为-55°C至+125°C军用温度范围。AD746提供三种8引脚封装：小型塑封DIP、密封Cerdip和表贴(SOIC)。规格参数通道数量:2 ChannelGBP-增益带宽产品:10 MHzVos - 输入偏置电压 :300 uVIb - 输入偏流:250 pA电源电压-最大:36 V电源电压-最小:9.6 V工作电源电流:8 mACMRR - 共模抑制比:88 dB最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 C单位重量:540 mg特性• 交流性能0.01%建立时间：500 ns（10 V步进）压摆率：75 V/µs总谐波失真(THD)：0.0001%增益带宽：13 MHz对于+2或更高的增益实行内部补偿• 单通道版本：AD744• 直流性能失调电压：0.5 mV（最大值，A...
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2024/11/22 13:39:17
HMC602LP4(E)对数检波器/控制器可在输入端将RF信号转换为输出端成比例的直流电压。 HMC602LP4(E)采用逐次压缩拓扑，在宽输入频率范围内具有极高的动态范围和转换精度。 随着输入功率增加，连续放大器逐渐进入饱和，从而生成对数函数近似值。对一系列平方律检波器输出求和，转换至电压域并缓冲，以驱动LOGOUT输出。 在检测模式下，LOGOUT引脚短路至VSET输入，并提供-25mV/dB标称对数斜率以及18 dBm截点（ƒ ≥ 5.8 GHz时为23 dBm）。 HMC602LP4(E)还可用于控制器模式，在该模式下外部电压施加到VSET引脚，构成AGC或APC反馈环路。规格参数频率范围:1 MHz to 8 GHz动态范围 dB:70 dB工作电源电压:5 V最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 CPd-功率耗散:1.55 W单位重量:1 g特性• 宽动态范围：最高70 dB• 高精度：±1 dB（60 dB，范围达6 GHz）• 快速：10ns输出响应时间• 电源电压：+5V• 关断模式• 出色的温度稳定性• 缓冲温度传感器输出• 4x4mm无引脚SMT封装应用• 蜂窝/PCS/3G• WiMAX、WiBro、WLAN、固定无线与雷达• 电源监测与控制电路• 接收器信号强度指示(RSSI)• 自动增益与电源控制引脚配置
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2024/11/22 13:27:13
LT®1464 (双通道)是首批可为高达 10nF 的电容性负载提供微微安输入偏置电流 (典型值为 500fA) 和单位增益稳定性的微功率运放 (每个放大器的最大电源电流为 200μA)。输出能够将一个 10k 负载摆动至任一电源的 1.5V 之内，就像那些所需电源电流高出一个数量级的运放一样。这种独特的性能组合使 LT1464非常适合于很宽的输入和输出阻抗范围。 在 LT1464 的设计和测试中，重点特别放在了优化低成本 SO-8 (双通道) 和 14 引脚 SO (四通道) 封装中的性能上 (针对 ±15V 和 ±5V 电源)。输入共模范围包括正电源轨。摆率 (0.5V/μs 最小值) 和增益带宽乘积 (650kHz 最小值) 经过了 100% 的全面测试。另外，还提供了一组完整的匹配规格指标。规格参数产品种类: 运算放大器 - 运放GBP-增益带宽产品:1 MHzSR - 转换速率 :900 mV/usVos - 输入偏置电压 :600 uVIb - 输入偏流:400 fA电源电压-最大:40 V电源电压-最小:10 V工作电源电流:145 uA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C单位重量:1.895 g特性每个放大器的电源电流：最大200µA增益带宽乘积：1MHz典型值转换速率：典型值0.9V/µs输入共模范围包括正轨C-LoadTM的Unity增益稳定，可达10nF开环增益：100万典型值±5V、±15V电源的保证规格保证匹配规格标准引脚：SO-8、SO-14封装应用电池供电系统光电流放大器低频微功率有源滤波器低降轨道和保持电路引脚配置
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2024/11/22 13:20:27
AD8428是一款超低噪声仪表放大器，旨在精确测量微小的高速信号。它提供增益精度、噪声和带宽。AD8428的增益设置电阻均在该器件内部，并精确匹配。注意互连和对称性。这会带来出色的增益漂移，并在器件加电后，快速稳定在最终的增益值。AD8428的高CMRR可防止有害信号破坏采集。器件引出线的设计避免了可能会导致高频下的CMRR降低的寄生电容失配。AD8428是现有较快的仪表放大器之一。该电路架构设计用于高带宽、高增益：它在最初的200前置放大器增益级使用电流反馈拓扑，然后是在10差动放大器级使用电流反馈拓扑。结果在增益为2000时，带宽为3.5MHz，等效于7GHz的增益带宽产品。AD8428引脚排列容许对第一级和第二级之间的内部节点进行访问。此功能对于在两个放大级之间修改DC和AC参数很有用。AD8428的性能规定在−40°C至+85°C工业温度范围内。它采用8引脚塑料SOIC封装。规格参数通道数量:1 Channel3dB带宽:3.5 MHzSR - 转换速率 :50 V/usCMRR - 共模抑制比:130 dBIb - 输入偏流:200 nAVos - 输入偏置电压 :25 uV电源电压-最大:18 V电源电压-最小:4 V工作电源电流:6.5 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C特性• 固定增益为 2000• 可访问内部节点提供了灵活性• 低噪声：1.5 nV/√Hz 输入电压噪声• 高精度直流性能增益漂移：10 ppm/°C失调漂移1 μV/°C增益精度：0.2%CMRR:130 dB（最小值）• 出色的交流规格带宽：3.5 MHz压摆率：40 V/μs• 电源范围：±4 V 至 ±18 V• 8引脚SOIC封装• ESD 保护 5000 V (HBM)• 指定性能的温度范围：−40&...
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2024/11/22 13:15:01
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® SO-8S（QFN 6x5）封装的全新150 V TrenchFET® Gen V N沟道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工业和计算应用领域的效率和功率密度。与上一代采用PowerPAK SO-8封装的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的总导通电阻降低了68.3 %，导通电阻和栅极电荷乘积（功率转换应用中MOSFET的关键品质因数（FOM）降低了15.4 %，RthJC降低了62.5 %，而连续漏极电流增加了179 %。日前发布的器件具有业内导通电阻（10 V 时为 5.6 mW）以及导通电阻和栅极电荷乘积FOM（336 mW*nC），可最大限度降低传导造成的功率损耗。因此，设计人员能够提高效率，满足下一代电源的要求，例如6 kW AI服务器电源系统。此外，PowerPAK SO-8S封装具有超低的 0.45 °C/W RthJC，可实现高达144 A的持续漏极电流，从而提高功率密度，同时提供强大的SOA能力。SiRS5700DP非常适合同步整流、DC/DC转换、热插拔开关和OR-ing功能。典型应用包括服务器、边缘计算、超级计算机和数据存储；通信电源；太阳能逆变器；电机驱动和电动工具；以及电池管理系统。MOSFET符合RoHS标准且无卤素，经过100 % Rg和UIS测试，符合IPC-9701标准，可实现更加可靠的温度循环。器件的标准尺寸为6 mm × 5 mm，完全兼容PowerPAK SO-8封装。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/11/22 13:08:54
ADM803监控电路用于监控微处理器系统中的电源电压，可在上电、关断和掉电情况下提供复位输出。上电时，内部定时器使复位保持置位状态240 ms。这样，微处理器会保持复位状态，直到电源达到稳定状态。即使VCC 低至1V，复位输出仍然可以工作。ADM803可提供低电平有效复位信号RESET，还有一个开漏输出级，后者需要一个外部上拉电阻。共提供7种复位阈值选项。复位比较器具有内置干扰抑制特性，能够不受VCC上的快速瞬变影响。ADM803采用3引脚SC70封装，功耗仅17µA，适合低功耗便携式设备使用。规格参数阈值电压:3.08 V被监测输入数:1 Input重置延迟时间:240 ms电源电压-最大:5.5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C准确性:1.5 %芯片启用信号:No Chip Enable高度:1 mm (Max)长度:2 mm工作电源电流:35 uA过电压阈值:3.11 V芯片启用信号:No Chip Enable电源电压-最小:1 V欠电压阈值:3.04 V宽度:1.25 mm单位重量:6.200 mg特性• 整个温度范围内保证特性• 低功耗(17 μA)• 精密电压监控器：提供2.5 V、3 V、3.3 V、5 V选项应用微处理器系统计算机控制器智能仪器引脚配置
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2024/11/21 14:10:12
ADuM7701 是一款高性能二阶 Σ-Δ 调制器，具有基于 ADI 公司 iCoupleri 技术的片内数字隔离功能，可将模拟输入信号转换为高速一位数据流。该套件可使用 5 V (VDD1) 电源运行，并可接受 ±250 mV（±320 mV 满量程）的伪差分输入信号。伪差分输入适合在需要电气隔离的高电压应用中进行并联电压监控。模拟输入由高性能模拟调制器持续取样，并转换为数据速率高达 21 MHz 的 1 密度数字输出流。可以使用适当的数字滤波器重构原始信息以在 78. l kSPS 时实现 86 dB 的信噪比 (SNR)，使 ADuM7701 具有 20 MHz 的 MCLK。串行输入/输出使用 5 V 或 3.3 V 电源 (VDD2) 运行。规格参数分辨率:16 bit通道数量:1 Channel接口类型:Serial采样比:78.1 kS/s模拟电源电压:3 V to 5.5 V, 4.5 V to 5.5 V数字电源电压:3 V to 5.5 V, 4.5 V to 5.5 VSNR – 信噪比:86 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C增益误差:+/- 0.2 % FSRINL - 积分非线性:+/- 2 LSB湿度敏感性:Yes特性• 5 MHz 至 21 MHz 主时钟输入频率• 失调漂移与温度：±0.6 μV/°C（最大值）• SNR：86 dB（典型值）• 16 位，无失码• 满量程模拟输入电压范围：±320 mV• ENOB：14 位（典型值）• IDD1：10 mA（最大值）• 板载数字隔离器• 工作温度范围：−40°C 至 +125°C• 高共模瞬变抗扰度：150 kV/μs（最小值），VDD2 = 3.3 V• 宽体 SOIC• 16 引脚 SOIC_...
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2024/11/21 13:56:55