LT®8582 是一款具有一个电源良好引脚和内置故障保护功能的独立双通道 PWM DC/DC 转换器，可帮助提供针对输入过压和过热状况的保护作用。每个通道包括一个 42V 主开关和一个可连接在一起的 42V 从开关，以提供一个 3A 的总电流限值。LT8582 是众多局部电源设计的理想选择。每个通道可以容易地通过配置而成为升压、SEPIC、负输出或反激式结构。两个通道总共能够从一个 5V 输入产生一个 12V 和一个 -12V 输出以及 14.4W 的组合输出功率。此外，LT8582 的从开关还允许将该器件配置成高电压、高功率充电泵拓扑结构，相比于传统型电路，这种拓扑结构的效率更高、所需的组件更少。LT8582 还具有创新的 SHDN 引脚电路，因而可接受缓慢变化的输入信号，并提供了一种可调的欠压闭锁功能。另外，这款器件还集成了诸如输出短路保护、频率折返和软起动等附加功能。LT8582 采用 24 引脚 7mm x 4mm DFN 封装。特性• 双通道 42V、3A 组合式电源开关• 主 / 从 (1.7A / 1.3A) 开关设计• 宽输入范围：工作时为 2.5V 至 22V，最大瞬态电源为 40V• 电源良好引脚用于实现基于事件的排序• 开关频率高达 2.5MHz• 每个通道可以容易地配置成一个升压、SEPIC 、负输出或反激式转换器• 低 VCESAT 开关：在 2.75A 时为 270mV (典型值)• 可同步至一个外部时钟• 输出短路保护• 高增益 SHDN 引脚可接受缓慢变化的输入信号• 24 引脚 7mm x 4mm DFN 封装
浏览次数：
5
2024/6/18 13:40:49
HMC476MP86是一种SiGe异质结双极晶体管（HBT）增益块MMIC SMT放大器，可将DC放大到6 GHz。这种Micro-P封装放大器可以用作级联的50欧姆RF/IF增益级以及输出功率高达+13 dBm的LO或PA驱动器。HMC476MP86在850 MHz下提供20 dB的增益和+25 dBm的输出IP3，同时只需要来自单个正极电源的35 mA。所使用的达林顿反馈对降低了对正常工艺变化的灵敏度，并在温度下具有优异的增益稳定性，同时需要最少数量的外部偏置组件。HMC476MP86是理想的RF/IF增益块和LO或PA驱动器，用于：•蜂窝/PCS/3G•固定无线和无线局域网•有线电视、有线调制解调器和DBS•微波无线电和测试设备
浏览次数：
6
2024/6/18 11:58:04
AD8610（单通道）和AD8620（双通道）均为精度极高的JFET输入放大器，具有超低失调电压和漂移、极低输入电压和电流噪声、极低输入偏置电流和宽带宽等特性。与其它许多JFET放大器不同，AD8610的输入偏置电流在整个工作温度范围内都很低。AD8610能够以同相单位增益稳定驱动1000 pF以上的容性负载，在更高噪声增益时则可以轻松驱动更大的容性负载。即使具有1 kΩ负载，AD8610的摆幅也能达到电源电压的1.2 V范围内，从而在有限的电源电压下也能获得最大的动态范围。在反相或同相增益配置中，输出压摆率均为50 V/µs，达到0.01%精度的建立时间不到600 ns。AD8610还拥有高输入阻抗、出色的精度和极高的输出驱动能力，从而成为驱动高性能模数转换器输入及缓冲数模转换器输出的理想放大器。AD8610和AD8620的具体应用包括：电子仪器仪表；ATE放大、缓冲和积分器电路；CAT/MRI/超声医疗仪器仪表；仪器级光电二极管放大；快速精密滤波器（包括PLL滤波器）；以及高质量音频。AD8610的额定温度范围为-40ºC至+125ºC扩展工业温度范围。AD8610提供8引脚窄体SOIC和小型MSOP8表面贴装两种封装。AD8620提供8引脚窄体SOIC封装。MSOP8封装器件仅提供卷带和卷盘形式。特性• 低噪声：6 nV/√Hz• 低失调电压：100 µV（最大值）• 低输入偏置电流：10 pA（最大值）• 0.01%快速建立时间：600 ns• 低失真• 单位增益稳定• 无反相• 双电源供电：±5 V至±13 V
浏览次数：
10
2024/6/18 11:51:19
AD7731是一款适合过程控制应用的完整模拟前端，它拥有专有可编程增益前端，能够直接接收来自传感器的各种输入信号范围，包括低电平信号。该器件的Σ-Δ架构由模拟调制器和低通可编程数字滤波器组成，滤波器截止、输出速率和建立时间可通过编程进行调整。AD7731具有3个缓冲差分可编程增益模拟输入（也可以配置为5个伪差分输入）和1个差分基准电压输入，采用+5 V单电源供电，接受七种单极性模拟输入范围：0至+20 mV、+40 mV、+80 mV、+160 mV、+320 mV、+640 mV和+1.28 V，以及七种双极性输入：±20 mV、±40 mV、±80 mV、±160 mV、±320 mV、±640 mV和±1.28 V。输出速率为800 Hz时，该器件可实现直接16位峰－峰值分辨率。AD7731的通道间切换建立时间为1 ms，且峰－峰值分辨率可维持在13位。该器件上的串行接口可配置用于三线式操作，并且与微控制器和数字信号处理器兼容。AD7731包含自校准和系统校准选项，失调漂移小于5 nV/°C，增益漂移小于2 ppm/°C。该器件提供24引脚塑料DIP、24引脚SOIC和24引脚TSSOP三种封装。特性• 24位Σ-Δ型ADC• 16位峰－峰值分辨率（800 Hz输出速率）• 最高6.4 kHz的可编程输出速率• 可编程增益前端• 非线性度：±0.0015%• 缓冲差分输入• 可编程滤波器截止• FASTStep™通道序列化模式• 单电源工作
浏览次数：
7
2024/6/18 11:49:49
AD8240是一款LED驱动器/监控器，与外部晶体管结合使用可提供恒定的12 V电压，用于驱动LED灯。它可提供高性价比的LED灯监控和短路保护。当电源电压介于12.5 V与27 V之间时，输出稳定在12 V。可以利用CMOS兼容、电平相关的数字输入对LED亮度进行PWM控制。当PWM输入为高电平时，VO开启；当PWM输入为低电平时，VO关闭。AD8240的PWM设计工作频率最高可达500 Hz，典型PWM范围为5%至95%。LED开路检测通过测量LED开路所引起的LED灯电流变化来实现。测量时使用内部高端电流检测放大器，可放大外部分流电阻上的电压。分流电阻上的电压放大到微控制器模数转换器或比较器可以测量的程度。能够测量LED灯的电流变化是恒压LED灯驱动的主要优势。当电流达到预设电平时，输出电压会被锁定，从而限制输出电流。电流限制的设置方法如下：选择适当的外部分流值，使得当电流超过最大电平时，检测放大器的输出略微超过5 V基准电平。当检测放大器输出超过5 V时，便会触发内部比较器，导致驱动器锁定输出电压。在下一个PWM周期中，锁存会复位。也可以由微控制器或外部比较器，通过测量检测放大器输出来检测过流状况。特性• PWM 输入用于LED亮度控制• LED开路检测• 过流锁定保护• 恒压稳压输出• 稳压范围：12.5 V至27 V• 电源电压范围：9 V至27 V• 工作电流：300 µA• 关断电流：10 µA• 温度范围：-40°C至+125°C• 8引脚MSOP封装
浏览次数：
7
2024/6/18 11:48:38
ADCMP361是一款单路、低功耗、高精度比较器,内置一个400 mV基准电压源，采用5引脚SOT-23封装。400 mV内部基准电压源可监控低压电源。这款器件采用1.7 V至5.5 V电源供电，典型功耗仅6.5 µA，因此适合低功耗系统监控和便携式应用。比较器内置迟滞功能。该器件采用双路开漏输出，使比较器和基准电压源电路可以采用反相配置或同相配置。输出可以拉至最高5.5 V的任何电压。输出级保证在工作温度范围内吸电流能力大于5 mA。这款器件适合便携式、商业、工业和汽车电子应用。特性• 阈值：400 mV ±0.275%• 电源电压范围：1.7 V至5.5 V• 低静态电流：6.5 µA(典型值)• 输入范围包括地电位• 内部迟滞：9.3 mV(典型值)• 低输入偏置电流：±5 nA(最大值)• 双路开漏输出• 小型SOT-23封装
浏览次数：
8
2024/6/18 11:44:49
MAX9031比较器专为采用+2.5V至+5.5V单电源供电的系统而优化设计，但也可工作于双电源下。这组比较器具有188ns的传输延迟，每路比较器耗电流35µA，工作温度范围为-40°C至+125°C。低功耗，可低至+2.5V单电源下工作及超小尺寸使这组器件极为适合便携式设备使用。MAX9030是一种低价位的，具有关断模式的单比较器。MAX9031、MAX9032和MAX9034是低价格比较器，没有关断模式。这组比较器有4mV内部滞回，使其具有抗噪声能力，输入慢信号时可防止输出振荡。共模输入范围从负电源电压到低于正电源电压值1.1V。特有的比较器输出级设计有效降低了输出转换期间的切换电流，从根本上消除了电源扰动。有关断模式的MAX9030单比较器提供6引脚SC70及SOT23封装。MAX9031单比较器提供5引脚SC70和SOT23封装，MAX9032双比较器提供8引脚SOT23封装及µMAX®封装。MAX9034四比较器提供14引脚TSSOP封装特性• 采用小尺寸SC70封装的廉价方案(MAX9030/MAX9031)• +2.5V至+5.5V单电源供电• 比较器可满摆幅输出• 内置4mV比较器滞回• 188ns传输延迟• 低至35µA的供电电流• 输入过驱动时不发生反相• 节省空间的封装。
浏览次数：
11
2024/6/18 11:37:57
MAX5440双通道、40kΩ对数调节音量控制器，提供去抖功能的加/减接口，可以与简单的旋转编码器配合使用而不需要使用微控制器(µC)。每个电位器都具备带缓冲输出的32个抽头，用于替代机械电位器。内部集成的偏置电路提供所需的((VDD + VSS) / 2)偏置电压，省去了单电源供电音频应用中的昂贵运算放大器。模式指示LED输出用于显示音量或平衡控制，内置5个LED驱动器可根据模式指示器状态显示音量等级和平衡设置。MAX5440提供去抖按钮输入，用于静音和模式选择控制。静音输入通过一个按钮选择音量控制或-90dB (典型值)静音状态，模式选择则用于音量和平衡控制切换，杂音抑制功能使滑动端变化时产生的可闻噪声降到最小。MAX5440具有极小的35ppm/°C端到端温度系数和5ppm/°C比例温度系数。MAX5440采用24引脚SSOP封装，工作在-40°C至+85°C工业级温度范围内。特性• 对数调节音量，步长为2dB (31级)• 低功耗滑动端缓冲器具有0.003%的THD• 工作于单电源+2.7V至+5.5V或双电源±2.7V• 关断时电源电流为0.5µA• 内置偏压发生器• 无杂音切换• 固定40kΩ端到端电阻• 静音抑制达-90dB (典型值)• 上电复位至-12dBFS滑动端位置
浏览次数：
8
2024/6/18 11:25:39
AD97441属于TxDAC系列高性能、低功耗CMOS数模转换器(DAC)的第三代14位分辨率宽带产品。TxDAC系列由引脚兼容的8、10、12、14位DAC组成，专门针对通信系统的发射信号路径进行了优化。所有器件都采用相同的接口选项、小型封装和引脚排列，因而可以根据性能、分辨率和成本，向上或向下选择适合的器件。AD9744提供出色的交流和直流性能，同时支持高达210 MSPS的更新速率。AD9744具有低功耗，非常适合便携式和低功耗应用。通过降低满量程电流输出，可以将功耗进一步降至仅60 mW，而性能只是略有下降。此外，在省电模式下，待机功耗可降至约15 mW。分段电流源架构与专有开关技术相结合，可减小杂散分量，并增强了动态性能。这些器件还集成边沿触发式输入锁存器和一个1.2 V温度补偿带隙基准电压源，可提供一个完整的单芯片DAC解决方案。数字输入支持3 V CMOS逻辑系列。产品特色AD9744属于引脚兼容型TxDAC系列14位产品，提供出色的INL和DNL性能。 数据输入支持二进制补码或标准二进制数据编码方式。 高速、单端CMOS时钟输入支持210 MSPS转换速率。 低功耗：完整的CMOS DAC功能，采用2.7 V至3.6 V单电源供电，功耗为135 mW。可以降低DAC满量程电流，从而以更低功耗工作，而且在低功耗空闲期间可以进入睡眠模式。 片内基准电压源：AD9744内置一个1.2 V温度补偿带隙基准电压源。 业界标准的28引脚SOIC、28引脚TSSOP和32引脚LFCSP封装。
浏览次数：
7
2024/6/18 11:23:21
MAX5216PMB1外设模块提供必要的硬件电路，使得MAX5216 16位DAC可以连接到任何使用Pmod™兼容扩展端口配置SPI通信的系统。IC为单通道、低功耗、带输出缓冲的DAC。DAC的基准电压由2.5V输出的MAX6029电压基准源(0.15%初始精度，30ppm/°C)提供。在每个串行输入帧完成后，关断SPI输入缓冲，以降低数字噪声。特性• 高精度16位DAC，板载高精度电压基准• 低增益误差和低失调误差• 输出电压缓冲直接驱动10kΩ负载• 可选择外部电压基准(跳线可选)• 6引脚Pmod兼容连接器(SPI)• 可移植的C语言例程• 符合RoHS标准• 经过验证的PCB布局• 完全安装并经过测试
浏览次数：
9
2024/6/18 11:17:53
近日据外媒Wccftech报道，英伟达(NVIDIA) 2023年数据中心GPU出货量达400万片，吃掉市场98%供货量，完全主宰市场。报道称，早在2023年就预期NVIDIA数据中心和AI市场的“超级周期”即将开始。Hopper GPU和产品带来庞大需求，还有其他领域的AI应用，让大型科技公司数据中心GPU需求暴增。科技公司有足够运算能力不可或缺，NVIDIA成为最能充分利用市场需求的公司。TechInsights数据显示，NVIDIA 2023年成功出货约376万台数据中GPU，比2022年出货量增加近百万台，横扫整个2023年数据中心GPU市场，竞争对手几乎没有机会。数据还显示，NVIDIA以362亿美元拿下98%数据中心GPU市场营收，是2022年的三倍。市场没有足够的AI芯片满足暴增的需求，且大部分需求针对NVIDIA产品而来，竞争对手很难有长足进步。Blackwell产品进入供应链后，NVIDIA将获得更多的吸引力与利益。尽管AMD和英特尔等竞争对手方案越来越受欢迎，但要挑战NVIDIA还需更多努力。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
7
2024/6/18 11:02:05
2024年6月12日--智能电源和智能感知技术的企业安森美(onsemi)， 最新发布第 7 代 1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。该800 安培 (A) QDual3 模块基于新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术，带来业界能效表现，有助于降低系统成本并简化设计。应用于 150 千瓦的逆变器中时，QDual3 模块的损耗比同类最接近的竞品少 200 瓦（W），从而大大缩减散热器的尺寸。QDual3模块专为在恶劣条件下工作而设计，非常适合用于大功率变流器，例如太阳能发电站中央逆变器、储能系统 (ESS)、商用农业车辆（CAV）和工业电机驱动器。目前，根据不同的应用需求有两种产品可供选择——NXH800H120L7QDSG 和 SNXH800H120L7QDSG。随着可再生能源采用率不断提高，对于高峰需求管理和持续供电保障等相关解决方案的需求也随之日益增长。要想维持电网稳定性和降低成本，就必须要削减电力需求高峰时段的用电量，即采取削峰填谷。利用 QDual3 模块，制造商可以在相同系统尺寸下，设计出发电和蓄电能力更强的太阳能逆变器和储能系统，提高能源管理效率，增强储存能力，从而更平稳地将太阳能电力并网到电网中。此外，该模块还支持将多余的电力储存在储能系统中，能够有效缓解太阳能发电的间歇性问题，确保供电的可靠性和稳定性。对于大型系统应用，可以将这些模块通过并联来提升输出功率，达到数兆瓦级别。与传统的600A模块解决方案相比，800A的QDual3模块显著减少了所需模块的数量，极大地简化了设计复杂度并降低了系统成本。QDual3 IGBT 模块采用 800 A 半桥配置，集成了新的第 7 代沟槽场截止 IGBT 和二极管技术，采用安森美的封装技术，从而降低了开关损耗和导...
浏览次数：
9
2024/6/18 10:59:11
连接和电源解决方案供应商 Qorvo®今日宣布，率先在业界推出采用 TOLL 封装的 4mΩ 碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）——UJ4N075004L8S。该产品专为包括固态断路器在内的电路保护应用而设计，UJ4N075004L8S 所具有的低电阻、卓越的热性能、小巧的尺寸和高可靠性等优点在上述应用中至关重要。UJ4N075004L8S 的导通电阻 RDS(on) 低至 4mΩ，是业内采用标准分立封装的 650V 至 750V 等级功率器件中导通电阻最低的器件。较低的导通电阻使发热量显著降低，加之紧凑的 TOLL 封装，使解决方案的尺寸比 TO-263 封装的同类产品小 40%。新品可应对目前电磁式断路器对有限空间尺寸的所有要求，且无需复杂的冷却系统即可运行，加速从电磁式断路器向基于半导体的固态断路器（SSCB）的转型。“随着 UJ4N075004L8S 的推出，Qorvo 将继续领导 SiC 电源产品的创新，以超小型元件封装的超低导通电阻 FET 器件助力电路保护等应用的发展。”Qorvo SiC 电源产品业务产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示，“SSCB 市场正迅速增长，Qorvo 的最新产品是这一技术演进中的重要里程碑。”Qorvo 的 JFET 器件坚固耐用，能够在电路故障时承受极高的浪涌电流并实现关断，非常适合应对电路保护领域的挑战。其最新款 JFET 还能承受高瞬时结温而不发生性能劣化或参数漂移。JFET 的常开特性使其能无缝集成到默认导通状态的系统中，并在故障条件下转为关断状态。UJ4N075004L8S 现已提供样品，并将于 2024 年第四季度投入量产；届时，Qorvo 还将推出更多 JFET 产品，包括额定电压为 750V 的 5mΩ 产品和额定电压 1200V 的 8mΩ 产品，均采用 TO-247 封装。...
浏览次数：
5
2024/6/18 10:57:26
2024年6月14日，中国–意法半导体推出了一个包含50W发射端和接收端的Qi无线充电配套方案，以加快医疗仪器、工业设备、家用电器和计算机外围设备等高功率应用无线充电器的研发周期。通过采用意法半导体的新无线充电解决方案，开发者可以把无线充电的便利性和充电速度带到对输出功率和充电速度有更高要求的应用领域，包括无线吸尘器、无线电动工具、无人机等移动机器人、医疗药物输送设备、便携式超声系统、舞台灯光和移动照明、打印机和扫描仪。因为不再需要电缆、连接器和复杂的对接配置，这些产品的设计变得更简单，价格更便宜，工作更可靠。STEVAL-WBC2TX50电能发射板采用意法半导体超级充电(STSC)协议，最大输出功率高达50W。STSC是意法半导体独有的无线充电协议，充电速度高于智能手机和类似设备所用的标准无线充电协议，可以给更大的电池充电，而且充电速度更快。该板还支持Qi 1.3 5W Baseline Power Profile (BPP)和15W Extended Power Profile (EPP)两种充电模式。意法半导体的STWBC2-HP电能发射系统封装是板载主要芯片，整合了STM32G071 Arm®Cortex®-M0微控制器和射频专用前端。该前端提供信号调理和频率控制功能，驱动发射端的高分辨率PWM信号发生器，采用4.1V到24V直流电源，还包含MOSFET栅极驱动器和USB充电D+/D-接口。此外，STWBC2-HP系统封装SiP可以与意法半导体的STSAFE-A110安全单元配套，提供Qi兼容设备验证功能。STEVAL-WLC98RX电能接收板可处理高达50W的充电功率，安全可靠地支持STSC的全部功能及BPP和EPP充电模式。自适应整流器配置(ARC)将充电距离延长高达50%，为使用成本更低的线圈和更灵活的配置提供了可能。该接收板还...
浏览次数：
7
2024/6/18 10:55:20
在全球范围内，电动汽车的高昂售价仍然是影响潜在买家下单的最大障碍之一。电动汽车目前的制造成本高于传统燃油汽车的主要原因，是电池和电机技术所带来的昂贵成本。市面上近期的解决方案是通过车辆层面的节能，包括改进与电动汽车充电基础设施的整合，来提升现有电池技术的效率。如今，这些挑战都可以通过英特尔子公司Silicon Mobility发布的最新OLEA U310片上系统（SoC）来解决。这一下一代技术能够显著提升电动汽车的整体性能，简化设计和生产流程，并拓展SoC服务，确保可以在各种EV充电平台中无缝运作。这一全新SoC是Silicon Mobility在行业中率先推出的一款集硬件和软件于一体的完整解决方案。OLEA U310经过专门设计，可与分布式软件相结合，满足电气架构中动力系域控制的需求。基于独特的混合和异构架构，单个OLEA 310 FPCU可替代一个系统组合中的最多6个标准微控制器，来并行控制逆变器、电机、变速箱、DC-DC转换器以及车载充电。使用310 FPCU，OEM和Tier 1供应商能够同时实现对多个不同功率和能量功能的实时控制。除了物料清单（BoM）的减少，早期数据显示，与现在的电动汽车相比，在相同功率下，OLEA 310的使用可将能效提高5%，电机尺寸缩小25%，冷却需求减少35%，无源元件尺寸缩小30倍。Silicon Mobility全新解决方案的推出，让电动汽车厂商能够设计出性能卓越、续航里程更远、生产成本可能更低的软件定义电动汽车，因为需要集成的元件数量减少了。这一全新解决方案与英特尔汽车业已推出的AI增强型软件定义汽车（SDV）SoC系列相结合，将共同推动行业向全电动和软件定义的未来转型。 免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
5
2024/6/18 10:53:21
首先需要了解一下什么是特罗半导体？特罗半导体成立于2011年1月，是射频（RF）和电源管理应用硅上氮化镓（GaN-on-Si）半导体技术的先驱。先进的专有技术和设备以高昂的价格显著降低了系统解决方案的复杂性、尺寸、重量和功耗，与Silicon解决方案相比，功率转换性能显著提高。特罗半导体是一家无晶圆厂半导体公司总部位于美国芝加哥，在美国伊利诺伊州阿灵顿高地和印度加尔各答设有设计中心。特罗半导体的研发团队致力于开发利用宽带隙技术的颠覆性解决方案，帮助客户解决射频和电源设计挑战，并加快从5G蜂窝基础设施到消费者、汽车、国防和安全等广泛应用的上市时间。特罗半导体与领先的半导体铸造厂和组装厂合作，提供优质和久经考验的产品。主要产品：功率放大器；射频开关；GaN晶体管低噪放大器线性驱动器；增益模块；GaN功率晶体管。型号：TS8021N；TS8423K1；TS8728N；TS8729N；TS86436P。选型可直接联系在线客服！
浏览次数：
49
2024/6/13 16:26:47
肖特基二极管（Schottky Diode）是一种具有低噪声、高速度和低功率损耗等优点的二极管，主要用于快速开关、整流、混频等电路中。其主要作用包括：快速开关特性：肖特基二极管具有非常快的开关速度，可以快速导通和截止，适用于高频电路中需要快速开关的应用。低压降和低功耗：肖特基二极管具有较低的正向压降（约0.2V~0.5V），相比普通二极管，功耗更低。高温度特性：肖特基二极管有较好的高温工作性能，能够在高温环境下工作，不易受到热效应影响。识别方法：外观：肖特基二极管的外观类似于普通二极管，常见的封装有SOD-323、SOD-123、DO-214等，通过外观可以初步识别。符号标识：在电路图和封装上都会有标识，通常使用“S”表示肖特基二极管。比如1N5819就是一个肖特基二极管的型号。正向压降：肖特基二极管的主要特点是正向压降低，通常在0.2V~0.5V之间，可以通过测量正向压降来确认是否为肖特基二极管。反向漏电流：肖特基二极管的反向漏电流很小，比普通二极管小很多，通过反向漏电流的大小也可以初步判断是否为肖特基二极管。综上所述，通过外观、符号标识、正向压降和反向漏电流等方法，可以较为准确地识别肖特基二极管，并了解其特点和应用。
浏览次数：
10
2024/6/12 17:10:50
常见的SMD封装尺寸有很多种，以下是一些比较常见的SMD封装尺寸：SOIC (Small Outline Integrated Circuit)：常见尺寸有8、14、16、20、24、28引脚等，尺寸约为3.9mm x 4.9mm到7.7mm x 15.4mm不等。SSOP (Shrink Small Outline Package)：常见尺寸有20、24、28引脚等，尺寸约为3mm x 6.2mm到5.3mm x 10.2mm不等。QFN (Quad Flat No Leads)：常见尺寸有16、20、24、28引脚等，尺寸约为3mm x 3mm到9mm x 9mm不等。TQFP (Thin Quad Flat Package)：常见尺寸有32、44、64、100引脚等，尺寸约为7mm x 7mm到14mm x 14mm不等。BGA (Ball Grid Array)：常见尺寸有256、384、600、1156引脚等，尺寸约为10mm x 10mm到35mm x 35mm不等。SOT (Small Outline Transistor)：常见尺寸有23、23-3、23-5、23-6等，尺寸约为1.6mm x 2mm到4.3mm x 4.3mm不等。DFN (Dual Flat No Leads)：常见尺寸有6、8、10、12引脚等，尺寸约为1mm x 1mm到6mm x 6mm不等。以上仅列举了一些常见的SMD封装尺寸，实际上还有很多其他类型的SMD封装尺寸，不同的元器件会采用不同的封装尺寸，根据具体元器件的封装型号来选择适合的SMD封装尺寸。
浏览次数：
15
2024/6/12 17:06:00