SCLF-4.7+是Mini-Circuits的一款低通滤波器芯片，中心或截止频率（fo/fc）为5.6MHz，符合ROHS标准，外壳YY161，8针。特性•截止频率选择广泛•出色的拒绝•提供定制型号常见应用•国防通信•接收器/发射器•VCO的谐波抑制外形尺寸图典型频率响应电气原理图点击购买：SCLF-4.7+
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2024/9/18 11:08:20
TDK株式会社推出爱普科斯 (EPCOS) B32377G系列新型三相交流滤波电容器。新系列元件采用三角形连接，填充物也不同于现有系列中的软聚氨酯树脂，而是不可燃的氮气。新电容器顺应了移动出行电气化和可再生能源发展的大趋势，可在逆变器的输入和/或输出端抑制谐波失真并减少无功功率，从而提高电能质量，并增强风能、太阳能和工业驱动等应用的可靠性。这些电容器的直径范围为75至136 mm，高度范围为218至351 mm，电容范围为3 x 15 µF至3 x 330 µF，额定RMS电压为330至1000 V。其在额定电压下的使用寿命预期长达250,000小时（热点温度为+70°C），远超油浸技术的100,000小时典型使用寿命。另外，新元件的最高热点温度（可达+90°C）也高于油浸技术的热点温度 (+85°C) 。电容器的绕组结构基于具有自愈性的金属化聚丙烯薄膜，具有低损耗（tan ẟ为0.7至1.2 ∙ 10-3）和高脉冲电流耐受能力（高达27.3 kA），并且最大RMS电流可达80 A以上（环境温度为+55°C）。该系列电容器配备三相过压断路器，可确保在过载情况下实现受控断开。接线端子则采用M4、M5或M6笼式弹簧连接技术。特性和应用主要应用逆变器系统的输入和输出滤波电源逆变器的谐波失真滤波主要特点和优势自愈性低损耗因子三角形连接，额定RMS电压为330至1000 V氮气填充，干式在热点温度为+70 °C和额定电压条件下的使用寿命长达250,000小时最高热点温度可达+90 °C免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/9/18 10:46:53
TDK株式会社宣布推出一款基于Tronics AXO®300加速度计平台的新锐产品。这也是Tronics继成功发布适用于航空电子的AXO315、用于陆地和海洋定位系统的AXO305，以及适合铁路和倾角测量应用的AXO301之后，再次扩展其产品组合，推出AXO314。后者是一款具有±14 g测量范围的高性能数字MEMS加速度计，专为具有高抗冲击性能和高抗振动性能要求的工业应用而设计。AXO314采用业内独有的闭环架构，具有优异的线性度和抗振动性能，是一种小尺寸、轻重量与低功耗 (SWaP)、数字化且具有成本效益的解决方案，可用于替代体积大且昂贵的战术级石英加速度计，并且优势明显。AXO314具有出色的一年复合偏置可重复性 (1mg) 和偏置稳定性 (4 µg)，是一款结构坚固、体积小巧、精度高的加速度传感器解决方案。其高稳定性和可靠性可满足恶劣工况中动态系统的应用要求。Tronics的高稳定性MEMS陀螺仪GYPRO®4300与AXO314共享同一SMD J引线陶瓷封装，具有优异的热稳定性，并且都采用24位SPI接口。因此结合GYPRO®4300，AXO314非常适用于海陆空测绘应用以及航空和地勤车辆的GNSS辅助定位系统中广泛用到的多轴战术级惯性测量单元 (IMU) 和惯性导航系统 (INS)。AXO314不属于双重用途出口管制类别，并符合REACH和RoHS标准。与TDK其他高性能MEMS惯性传感器产品组合中的所有产品一样，AXO314加速度计出厂时进行了校准，可在工作温度范围内提供高精度输出。同时，用户还可以选择原始数据输出，以便定制补偿策略。特性和应用主要应用航空和地勤车辆的GNSS辅助导航和定位系统中的IMU和INS航空测绘矿业仪器的测量和钻探引导用于轨道几何测量系统的IMU主要特点和优势测量范围为±14 ...
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2024/9/18 10:44:29
在此前iPhone 16系列的发布会上，苹果公司发布了新一代的A18系列处理器，其中A18 Pro则是苹果目前最强的移动处理器。根据苹果在发布会上的描述，其A18 Pro相比上一代的A17 Pro的CPU性能提升了15%，功耗低了20%，GPU性能也提升了20%。当时芯智讯就表示，A18系列性能的提升主要还是依赖于制程工艺带来的提升。从最新曝光的Geekbench 6 测试信息来看，也印证了我们的判断。首先我们来对比下苹果官方公布及Geekbench 6 检测的A18 Pro和A17 Pro配置信息：A18 Pro采用的是台积电第二代3nm制程（N3E），拥有6个CPU核心（2个性能核＋4个能效核），主频4.04GHz，4MB二级缓存，6核心GPU，16核神经网络引擎（35TOPS）。Geekbench 6 的单核跑分成绩为3409，多核成绩为8492。A17 Pro是基于台积电第一代的3nm制程（N3B），拥有6个CPU核心（2个性能核＋4个能效核），主频3.77GHz，4MB二级缓存，6核心GPU，16核神经网络引擎（35TOPS）。Geekbench 6 的单核跑分成绩为2914，多核成绩为7199。从上面的对比可以看到，A18 Pro和A17 Pro在CPU、GPU、NPU核心数量（包括NPU算力）上都保持了一致。最大的不同在于A18 Pro的CPU主频（4.04GHz）相比A17 Pro的主频（3.77GHz）提升了约7.2%。而这也主要得益于A18 Pro采用了更优秀的台积电N3E制程工艺，根据台积电的说法，其N3E制程相比N3B在相同功耗下可以带来5%左右的性能提升。从具体的Geekbench 6 测试成绩对比来看，A18 Pro的单核成绩相比A17 Pro约17%，多核成绩则提升了约15.2%。如果排除掉主频提升带来的影响，实际上CPU性能仅提升了约10%左...
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2024/9/18 10:29:54
LFCV-2202+是一款微型低温共烧陶瓷（LTCC）低通滤波器，具有DC至22GHz的通带，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了1.7 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1210陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性阻带抑制，典型值40 dB。坚固的陶瓷结构阻带抑制，典型值35dB。小尺寸，1210应用通信、雷达、电子战和电子对抗防御系统典型频率响应功能示意图外观尺寸图点击购买：LFCV-2202+
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2024/9/14 14:08:42
SXBP-300+是一款采用SMT技术制造的窄带带通滤波器。带通滤波器覆盖290-310MHz，在通带内提供良好的匹配和高抑制。该滤波器使用微型高Q电容器和焊线电感器，具有高可靠性。此外，它在不同生产批次中具有可重复的性能，在不同温度下具有一致的性能。特征•良好的驻波比，典型值为1.3:1•高抑制，典型值为65 dB•屏蔽外壳应用•测试和测量•固定和移动通信•发射器/接收器功能示意图典型频率响应外形尺寸图
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2024/9/14 14:02:28
LEE-49+（符合RoHS标准）是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在一个3X3mm的MCLP模制塑料包装中。特性•DC-5 GHz•输出功率，典型值15.8 dBm。•内部匹配50欧姆•散热性能极佳，金属底部外露•输出功率平坦至10 GHz•可水洗典型应用•蜂窝•个人电脑•通信接收器和发射器•卫星通信，军事简化原理图和引脚描述产品标记推荐应用电路点击购买：LEE-49+
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2024/9/14 13:50:38
Mini-Circuits的ZB3PD-63+是一款3路0˚高功率分路器/合路器，作为分路器提供高达30W的功率处理（作为合路器为0.9W），在整个150至6000 MHz的频率范围内具有低插入损耗。其出色的高功率处理和低损耗组合最大限度地减少了功耗，并提供了从输入到输出的出色信号功率传输。ZB3PD-63+采用坚固的铝合金外壳，尺寸为4.5 x 6.00 x 0.88英寸，可选择SMA或N型连接器。特征•宽带，150至6000 MHz•插入损耗低，典型值为1dB。•良好的隔离，典型值为20dB。•振幅不平衡良好，典型值为0.5 dB。•功率处理高达30W应用•蜂窝•PCN•仪器仪表外形尺寸图电气原理图25°C时的电气规格
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2024/9/14 13:39:41
SXHP-76+是一款采用SMT技术制造的50Ω高通滤波器。该高通滤波器覆盖81-1000MHz。该滤波器采用高Q电容器和绕线电感器构建，性能卓越。它在不同批次中具有可重复的性能，在不同温度下具有一致的性能。特性•插入损耗低•高拒绝率•微型屏蔽封装应用•卫星通信•宽带光纤网络•有线电视•无线电通信•接收器/发射器功能示意图典型频率响应外观尺寸图点击购买：SXHP-76+
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2024/9/14 11:38:57
ZJL-7G-S+ 是Mini-Circuits的一款宽带低功率放大器芯片，其工作频率最大7000，最小20.需要在-40摄氏度到75摄氏度之间进行作业。特性•超宽带，20至7000 MHz•紧凑型坚固外壳，1.07“x0.61”（包括安装背板）应用•通信系统•雷达•仪器仪表•实验室使用外形图放大器电气规格
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2024/9/14 11:37:31
ZHL-3A-S+是Mini-Circuits的一款宽带中功率放大器，其工作频率最小0.4MHz，最大150MHz，符合ROHS标准，外壳S32。特征中高功率，最小+29.5 dBm。高IP3，典型值+38 dBm。应用高频/甚高频仪器通信系统电气规范外形尺寸图点击购买：ZHL-3A-S+
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2024/9/14 11:19:31
Mini-Circuits的SPHSA-152+是一款表面贴装电压可变移相器，提供800至1500 MHz的精确360英寸相位控制，支持许多流行的蜂窝和通信应用频段。该型号实现了2.8 dB的低插入损耗和1.2:1的良好VSWR。它的控制带宽为DC至50kHz，控制电压范围为0至+15V。该装置采用屏蔽的12导联封装，带有环绕式端子，尺寸仅为0.44 x 0.74 x 0.19英寸，为更大的连接器移相器提供了一种节省空间、低成本的替代方案。特征•插入损耗低，典型值为2.8 dB。•电压驻波比良好，典型值为1.2:1。•宽相移，360°•可水洗应用•蜂窝•通讯外形尺寸图25°C时的电气规格电气原理图点击购买：SPHSA-152+
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2024/9/14 11:09:13
SK-2+是Mini-Circuits的一款倍频器，其工作频率最小2MHz，最大1000MHz，具有最大16dB转换损耗，符合ROHS标准，外壳B02，4针。特征•宽带，2至1000 MHz•转换损耗低，典型值为13.5 dB应用•合成器•本地振荡器外形图电气规格点击购买：SK-2+倍频器
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2024/9/14 11:06:39
ZX05-42MH-S+是一款双平衡混频器，其工作频率最小5MHz，最大4200MHz，并且最大具备11.8dB转换损耗，符合ROHS标准，外壳FL905。特征•结构坚固•体积小•转换损耗低•高L-R隔离应用•蜂窝•个人电脑•仪器仪表•卫星通信外形图电气原理图电气规格（TAMB=25°C）点击购买：ZX05-42MH-S+
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2024/9/14 10:51:00
AD9988 是一款高度集成的套件，具有四个 16 位、12 GSPS 最大采样率、RF 数模转换器 (DAC) 内核，以及四个 12 位、4 GSPS 速率、RF 模数转换器 (ADC) 内核。该套件通过 4T4R 配置，支持 4 个变送器通道和 4 个接收器通道。该产品非常适合四天线 TDD 变送器应用，在该应用中，接收器路径可以在接收器和观察模式之间共享。可以配置和切换 GPIO 引脚，以支持不同的用户模式，同时保持相位一致性。在 4T4R 配置中，支持的最大射频通道带宽为 1.2 GHz，采样分辨率为 16 位。AD9988具有一个 16 通道 24.75 Gbps JESD204C 或 15.5 Gbps JESD204B 串行数据端口，其中每个变送/接收链路最多可支持八个通道，还有一个片内时钟乘法器，并具有针对直接面向 RF 射频应用的多频带的数字信号处理能力。特性• 灵活的可重新配置无线电通用平台设计• 变送器/接收器通道带宽高达 1.2 GHz (4T4R)• RF DAC/RF ADC 射频频率范围高达 7.5 GHz• 具有多芯片同步功能的片内 PLL• 外部 RF 时钟输入选项• 多种数字特性• 可选的插值和抽取滤波器• 可配置的 DDC 和 DUC• 8 个细调复数 DUC (FDUC) 和 4 个粗调复数 DUC (CDUC)• 8 个细调复数 DDC (FDDC) 和 4 个粗调复数 DDC (CDDC)• FDUC 和 FDDC 是可完全置于旁路的• 每个 DUC 或 DDC 都有 2 个独立的 48 位 NCO• 可编程 192 抽头 PFIR 滤波器，用于接收均衡• 支持通过 GPIO 加载的 4 种不同的配置文件设置• 接收 AGC 支持• 用于快速 AGC 控制，具有低延迟的快速检测应用• 无线通信基础设施• W-CDMA、LTE、LT...
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2024/9/14 10:44:39
9月11日，英飞凌科技股份公司（infineon）宣布，公司已成功开发出全球首款300毫米功率氮化镓（GaN）晶圆技术。英飞凌是世界上第一家在现有且可扩展的大批量制造环境中掌握这项突破性技术的公司。这一突破将有助于大幅推动基于 GaN 的功率半导体市场。与 200 mm 晶圆相比，300 mm 晶圆上的芯片生产在技术上更先进，效率更高，因为更大的晶圆直径每个晶圆可容纳 2.3 倍的芯片。目前基于氮化镓的功率半导体在工业、汽车和消费、计算和通信应用中得到快速采用，包括AI系统的电源供应器、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统。最先进的 GaN 制造工艺可以提高器件性能，从而为最终客户的应用带来好处，因为它可以实现效率性能、更小的尺寸、更轻的重量和更低的总成本。此外，300 毫米制造通过可扩展性确保了卓越的客户供应稳定性。英飞凌科技股份公司首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这一显著的成功是我们创新实力和全球团队专注工作的结果，旨在展示我们作为氮化镓和电源系统创新领导者的地位。这项技术突破将改变行业游戏规则，使我们能够释放氮化镓的全部潜力。在收购 GaN Systems 近一年后，我们再次证明我们决心成为快速增长的 GaN 市场的领导者。作为电源系统的领导者，英飞凌掌握了所有三种相关材料：硅、碳化硅和氮化镓。”据介绍，英飞凌在其位于奥地利菲拉赫的功率工厂现有的 300 mm 硅生产中，成功地在一条集成试验线上制造了 300 mm GaN 晶圆。该公司正在利用现有 300 mm 硅和 200 mm GaN 生产中的成熟能力。英飞凌将根据市场需求进一步扩大 GaN 产能。300 毫米 GaN 制造将使英飞凌能够塑造不断增长的 GaN 市场，预计到本十年末，该市场将达到数十亿美元。这一开创性的技术成功凸显了英飞凌作为电源系统和物联网领域全球半导体领导者的地位。英飞...
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2024/9/14 10:31:12
资策会产业情报研究所(MIC)发布台湾半导体趋势预测，预估到2025年整体产值将达到5.52万亿新台币，比今年大幅增长15.9％。其中，存储器价格回温与AI需求将为两大成长动能。回顾2024年半导体市场成长，超过八成为存储器产值所带动，AI需求约占一成多。到了2025年，存储器居五成左右，AI会进一步占到四成。预估2024年台湾半导体产业产值将达4.76万亿新台币，成长21.3％。展望2025年，先进芯片将持续引领台湾半导体产值成长，整体产值将成长15.9％，达到5.52万亿新台币。次产业如晶圆代工预估成长18％，IC设计、存储器／IDM、IC封测将分别增14％、15％、10％。从2023年起的Cloud AI发展，到2024下半年至2025年由AI PC与AI手机带动的边缘AI(Edge AI)影响扩大，都将为供应链带来商机。由半导体结合AI的发展方向，将推动全球科技生态系的变革与再造，催生产业价值链的创新变化。值得留意的是，随着AI更加落实甚至可代理决策，预期2026年之后半导体市场，将受到更多AI治理相关的政策性因素影响。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/9/14 10:29:07
三星电子宣布，已开始大规模生产其1太比特 (Tb) 四级单元 (QLC) 第9代垂直NAND (V-NAND)。继今年4月实现业界首个三级单元 (TLC) 第九代V-NAND量产后，三星又实现业界首个QLC第九代 V-NAND量产，巩固了在高容量、高性能NAND闪存市场的领导地位。 三星电子表示，在TLC版本推出仅四个月后，QLC第9代 V-NAND就成功量产，这使我们能够提供全系列先进的SSD解决方案，满足AI时代的需求。随着企业级SSD市场快速增长，对AI应用的需求不断增加，我们将继续通过QLC和TLC第9代V-NAND巩固领导地位。三星计划扩大QLC第9代V-NAND的应用范围，从品牌消费产品开始，并扩展到移动通用闪存 (UFS)、PC和服务器SSD，以满足包括云服务提供商在内的客户需求。 三星QLC第九代V-NAND汇集了多项创新，取得了技术突破。采用三星独有的通道孔蚀刻技术，以双层堆栈结构实现业界最高层数，并利用TLC第九代V-NAND 的技术专长，优化单元面积和外围电路，实现业界领先的位密度，比上一代QLC V-NAND高出约 86%。设计模具技术可调整操作单元的字线 (WL) 的间距，以确保跨层和层内单元特性的一致性和优化。随着V-NAND层数的增加，这些特性变得越来越重要。与以前的版本相比，采用设计模具可将数据保留性能提高约20%，从而提高产品可靠性。预测程序技术可预测并控制单元状态变化，以最大限度地减少不必要的操作。三星的QLC第9代V-NAND通过技术改进，写入性能提高了一倍，数据输入/输出速度提高了60%。通过使用低功耗设计，数据读取和写入功耗分别降低了约30％和50％。该方法通过仅感测必要的位线（BL）来降低驱动NAND单元的电压并最大限度地降低功耗。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所...
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2024/9/14 10:26:42