美光推出适用于下一代人工智能（AI）GPU的量产版12层HBM3E芯片，内存堆栈容量高达36GB，速度超过9.2Gb/s。美光表示，目前正在将可供制造的（production-capable）12层第五代HBM（HBM3E）送交给AI产业链重要合作伙伴，以进行验证程序。美光9月9日正式宣布推出12层堆栈的HBM3E内存。新产品具有36GB容量，旨在用于AI和HPC（高性能计算）工作负载的前沿处理器，例如英伟达的H200和B100/B200 GPU。美光的12层HBM3E内存堆栈拥有36GB容量，比之前的8层版本（24GB）高出50%。容量增加使数据中心能够在单个处理器上运行更大的AI模型。此功能消除了频繁卸载CPU的需要，减少了GPU之间的通信延迟，加快了数据处理速度。在性能方面，美光的12层HBM3E堆栈可提供超过1.2TB/s的内存带宽，数据传输速率超过9.2Gb/s。据美光称，该公司的HBM3E不仅提供的内存容量比竞争对手高出50%，功耗也低于8层HBM3E堆栈。美光的12层HBM3E包含一个完全可编程的内存内置自检（MBIST）系统，以确保为客户提供更快的产品上市时间和可靠性。该技术可以全速模拟系统级流量，从而对新系统进行全面测试和更快的验证。美光的HBM3E内存设备与台积电的CoWoS封装技术兼容，该技术广泛用于英伟达的H100和H200等AI处理器封装中。据悉，美光已开始开发其下一代内存解决方案，包括HBM4和HBM4E。这些即将推出的内存类型将继续满足AI处理器（包括基于Blackwell和Rubin架构的英伟达GPU）对高级内存日益增长的需求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/9/12 16:10:24
PHA-13LN+（符合RoHS标准）是一款采用E-PHEMT技术制造的宽带放大器，在宽频率范围内提供极高的动态范围和低噪声系数。此外，PHA-13LN+在宽频范围内具有良好的输入和输出回波损耗。相对较低的电源电压使该型号在低功耗方面具有优势。PHA-13LN+封装在SOT-89封装中，具有非常好的热性能。特性超高IP3，标准+39dBm。电源电压低，3至5V出色的噪声系数，典型值为0.9dB应用基站基础设施有线电视Cellular甚高频/超高频简化原理图和引脚描述特性测试/推荐应用电路点击购买：PHA-13LN+
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2024/9/11 14:07:23
HMC8411LP2FE 是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带放大器，工作范围为 0.01 GHz 至 10 GHz。HMC8411LP2FE 提供 15.5 dB 的典型增益、1.7 dB 的典型噪声指数和 34 dBm 的典型输出三阶交调点 (OIP3)，只需要 55 mA 电流，5 V 电源电压。19.5 dBm 的典型饱和输出功率 (PSAT) 可以使低噪声放大器 (LNA) 用作 ADI公司众多平衡式同相/正交 (I/Q) 或镜像抑制混频器的本地振荡器 (LO) 驱动器。HMC8411LP2FE 还具有可在内部匹配至 50 Ω 的输入和输出，使得该器件非常适合基于表面贴装技术 (SMT) 的高容量微波无线电应用。HMC8411LP2FE 采用符合 RoHS 指令的 2 mm × 2 mm 6 引脚 LFCSP 封装。特性• 低噪声系数：1.7 dB（典型值）• 单正电源（自偏置）• 高增益：15.5 dB（典型值）• 高OIP3：34 dBm（典型值）• 6引脚、2 mm × 2 mm LFCSP应用• 测试仪器仪表• 军事通信功能框图引脚配置和功能描述点击购买：HMC8411LP2FE
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2024/9/11 14:00:09
AD9361是一款面向3G和4G基站应用的高性能、高集成度的射频(RF)Agile Transceiver™捷变收发器。该器件的可编程性和宽带能力使其成为多种收发器应用的理想选择。该器件集RF前端与灵活的混合信号基带部分为一体，集成频率合成器，为处理器提供可配置数字接口，从而简化设计导入。AD9361接收器LO工作频率范围为70 MHz至6.0 GHz，发射器LO工作频率范围为47 MHz至6.0 GHz，涵盖大部分特许执照和免执照频段，支持的通道带宽范围为200 kHz以下至56 MHz。两个独立的直接变频接收器拥有首屈一指的噪声系数和线性度。每个接收(RX)子系统都拥有独立的自动增益控制(AGC)、直流失调校正、正交校正和数字滤波功能，从而消除了在数字基带中提供这些功能的必要性。The AD9361还拥有灵活的手动增益模式，支持外部控制。每个通道搭载两个高动态范围模数转换器(ADC)，先将收到的I信号和Q信号进行数字化处理，然后将其传过可配置抽取滤波器和128抽头有限脉冲响应(FIR)滤波器，结果以相应的采样率生成12位输出信号。发射器采用直接变频架构，可实现较高的调制精度和超低的噪声。这种发射器设计带来了行业较佳的TX误差矢量幅度(EVM)，数值不到−40 dB，可为外部功率放大器(PA)的选择留出可观的系统裕量。板载发射(TX)功率监控器可以用作功率检测器，从而实现高度精确的TX功率测量。特性• 集成12位DAC和ADC的RF 2 × 2收发器• TX频段：47 MHz至6.0 GHz• RX频段：70 MHz至6.0 GHz• 支持TDD和FDD操作• 可调谐通道带宽：• 实时监控和控制信号用于手动增益• 独立的自动增益控制• 双发射器：4路差分输出• 高线性度宽带发射器• TX EVM：≤−40 dB• TX噪声：≤−157 dBm/Hz本底噪声• T...
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2024/9/11 13:49:47
TCM1-83X+是Mini-Circuits的一款射频变压器芯片。其截至频率最小是10MHz，最大为8000MHz。并且需要在-40到85摄氏度之间进行作业。特性•超宽带10至8000 MHz•一个型号覆盖所有电信频段•扁平插入损耗•良好的回波损耗•可水洗应用•差分调制器/解调器和有源混频器•宽带推挽放大器•LTE、蜂窝、PCS、UMTS、WiFi、WiMAX产品标记外形尺寸图点击购买：TCM1-83X+
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2024/9/11 13:38:30
GP2S1+是Mini-Circuits的一款功分器芯片，其工作频率最小500MHz，最大2500MHz，并且具备最大1.8dB插入损耗，符合ROHS标准，外壳DQ1225，12针。特性•带宽非常宽，500至2500MHz•出色的隔离性能，典型值为20dB。•出色的振幅不平衡，典型值为0.02dB。•相位不平衡度极佳，典型值为0.9度。•尺寸小，0.118英寸x0.118英寸x0.035英寸•高ESD水平•可水洗应用•cellular•GPS•雷达•WCDMA•GSM•KoreaPCS产品标记外形尺寸图点击购买：GP2S1+
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2024/9/11 11:48:02
ADRF5720是一款硅、6位数字衰减器，以0.5dB步长提供31.5dB的衰减控制范围。该器件的工作频率范围为9kHz至40GHz，提供优于4.5dB的插入损耗和出色的衰减精度。在所有状态下，ADRF5720的ATTIN端口具有27dBm（平均值）和30dBm（峰值）的射频(RF)输入功率处理能力。ADRF5720需要+3.3V和−3.3V双电源电压供电。该器件具有串行外设接口(SPI)、并行模式控制和互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。ADRF5720与ADRF5730（快速切换版本）引脚兼容，工作频率范围为100MHz至40GHz。ADRF5720RF端口设计用于匹配50Ω的特征阻抗。对于宽带应用，RF传输线路上的阻抗匹配可以进一步优化高频插入损耗、回波损耗和衰减精度特性。ADRF5720采用符合RoHS标准的24引脚、4mm×4mm、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+105°C。特性•超宽带频率范围：9kHz至40GHz•衰减范围：0.5dB步进至31.5dB•具有阻抗匹配的低插入损耗•2.0dB，最高为18GHz•2.8dB，最高为26GHz•4.5dB，最高为40GHz•具有阻抗匹配的衰减精度•±(0.20+1.0%)的衰减状态，最高18GHz•±(0.20+1.5%)的衰减状态，最高26GHz•±(0.40+3.0%)的衰减状态，最高40GHz•具有阻抗匹配的典型步进误差•±0.25dB，最高为26GHz•±0.65dB，最高为40GHz应用•工业扫描仪•测试和仪器仪表•蜂窝基础设施：5G毫米波•军用无线电、雷达、电子对抗(ECM)•微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)功能框图引脚图点击购买：ADRF5720BC...
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2024/9/11 11:45:31
LFCN-80+是一款陶瓷滤波器，最小7段，最大7段，中心或截止频率(fo/fc)为145MHz，符合ROHS标准，陶瓷，外壳FV1206，4针。特性出色的功率处理能力，8.5W尺寸小7节温度稳定LTCC结构应用谐波抑制VHF/UHF发射机/接收机典型频率响应功能示意图外观尺寸图点击购买：LFCN-80+
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2024/9/11 11:38:25
Mini-CircuitsEP2C+是一款MMIC分路器/合路器，设计用于1800至12500MHz的宽带工作。该型号在微型设备封装（4x4x1mm）中提供了出色的额定功率，具有高达1.85W的功率处理（作为分流器）和高达0.4A的直流电流处理。它采用GaAsIPD技术制造，提供高水平的ESD保护和出色的可靠性。特性•宽带，1800至12500MHz•出色的振幅不平衡，典型值为0.2dB。•相位不平衡良好，典型值为6度。•尺寸小，4x4毫米•高ESD水平*•可水洗•直流通电应用•WIMAX•ISM•仪器仪表•雷达•无线局域网•卫星通信•LTE外观尺寸图简化电气原理图点击购买：EP2C+
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2024/9/11 11:27:09
RLM-63-2W+是一款限制器芯片，其工作频率最小30MHz，最大6000MHz，符合ROHS标准，TT1224，6针。特性•宽带，30至6000 MHz•低插入损耗，典型值为0.3 dB。•恢复时间快，典型值为10nsec。•出色的驻波比1.2:1。•低输出功率，典型值为11.5 dBm。应用•军事、高可靠性应用•稳定发电机输出•减少振幅变化•保护低噪声放大器和其他设备免受ESD或输入电源损坏外形图及尺寸电气规格表点击购买：RLM-63-2W+
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2024/9/11 11:12:40
PMA3-83LN+是一款基于PHEMT的宽带低噪声MMIC放大器，具有低噪声、高IP3和宽带平坦增益的独特组合，使其成为灵敏、高动态范围接收器应用的理想选择。该设计在单个+5V或+6V电源上运行，与50Ω非常匹配，采用小巧、低剖面的封装（3 x 3 x 0.89mm），可适应密集的电路板布局。特性宽带增益平坦低噪声系数，2 GHz时为1.3 dB高IP3，2 GHz时为+35 dBm高功率，P1dB 20.7 dBm，2 GHz和+6V适用于低相位噪声应用应用无线网络无线局域网UMTSLTEWiMAXS波段雷达C波段卫星通信简化原理图和焊盘描述推荐应用和特性测试电路点击购买：PMA3-83LN+
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2024/9/11 10:57:46
据市场调查机构Allied Market Research的《单晶硅晶圆市场》报告指出，2022年单晶硅晶圆市场价值为109亿美元，预计到2032年将达到201亿美元，2023年~2032年的复合年均增长率（CAGR）为6.4%。单晶硅片是一种薄而扁平的硅片，由单个硅晶体制成，具有一致的晶体结构。由于其高纯度和均匀的晶体结构，它经常用于制造半导体和太阳能电池，这使其成为导电和捕获阳光的出色材料。人们和企业希望减少碳足迹并转向更可持续的能源，市场对太阳能的需求正在迅速增长，这也是单晶硅片行业的重要驱动因素之一。不断增长的电子产品的需求也推动了单晶硅片市场的增长，因为单晶硅片广泛用于生产微芯片、LED和传感器等电子设备。单晶硅片因其高纯度、高均匀性和优异的电气性能而广泛用于电子设备的生产。此外，对电子产品日益增长的需求继续推动市场的增长，这得益于物联网（IoT）的发展、人工智能（AI）在各个行业的使用增加以及电动汽车的日益普及等因素。按类型细分的市场来看，2022年市场6英寸细分市场份额最高。不过，预计12英寸细分市场将成为预测期内增长最快的细分市场。6英寸单晶硅片的流行主要得益于其在集成电路（IC）和其他微型器件制造以及可再生能源行业太阳能电池板中的应用，这是单晶硅片市场的新趋势之一。从按销售渠道细分的市场来看，2022年市场以直接渠道细分市场为主。单晶硅片的直接渠道细分市场是该市场的重要组成部分，其驱动因素是节约成本和加强供应链控制的需求。从应用来看，半导体市场份额很高。不过，太阳能细分市场很可能是增长最快的细分市场。从地区来看，2022年市场以亚太地区为主。此外，预测期内，单晶硅片市场增长预计在亚太地区最高。亚太地区的一个主要优势是该地区有许多发展中国家，因此有许多快速增长的公司正在掌握先进技术。综合起来，这为购买和使用单晶硅片提供了重要机会。报告中介绍的单晶硅片市场参与...
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2024/9/11 10:48:14
美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，扩展 Riedon™ 工业分流电阻产品线，推出六款新型号。全新分流电阻具备卓越的电流处理能力，以满足高精度电流检测的需求。精准测量在多项应用中皆至关重要，包括电池管理系统 (BMS)、太阳能逆变器、焊接设备、热处理设备、电池充电器、电源供应器、阴极保护整流器以及船舶和移动配件等。Bourns 推出 Riedon™ RSN 和 RS 系列分流电阻为面板安装产品，新款工业分流电阻提供面板和总线安装选项。电流处理能力自 1 A 至 1200 A，阻值从 0.0417 毫欧到 100 毫欧，公差范围为 0.25% 至 1%。Bourns 推出的 Riedon™ RSH、RSI、RSJ 和 RSW 系列分流电阻则设计为可直接安装在总线上，电流处理能力自 5 A 至 6000 A，阻值从 0.025 毫欧到 10 毫欧，公差为 0.25%。Bourns 推出的所有 Riedon™ 工业分流电阻均为精密分流电阻，采用低电阻的 Manganin™ 作为其电阻材料。这些新型分流电阻还提供 -40 °C 到 +80 °C 的广泛工作温度范围，并具有紧凑的尺寸和中央安装的电压接点，以简化并优化系统实施。Bourns 全新六款 Riedon™ 工业分流电阻现已上市，符合 RoHS* 标准。*RoHS指令 2015/863 之 2015 年 3 月 31 日和附件。2023年4月，Bourns 子公司 BE Services Company, Inc. 收购了 Riedon, Inc. 的部分资产，包括其标志和商标，以及持续生产原 Riedon™ 产品的权利。「Riedon Logo」是 BE Services Company, Inc. 在美国注册的商标。「Riedon」是BE Services C...
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2024/9/11 10:46:28
TDK株式会社通过采用全新磁芯材料进一步扩展了爱普科斯 (EPCOS) ERU33系列大电流电感器，推出了适合更大电流应用的ERU33M元件。该新元件采用了全新的合金粉磁芯材料，相比之前的磁芯材料具有更柔和的饱和特性，迎合了汽车和工业应用中不断增加的功率密度和电流需求。此次扩展共有三种新型号可供选择，采用屏蔽设计，适用于通孔 (THT) 安装，在+100°C条件下的设计饱和电流为55A至120A，覆盖电感值范围1.4 µH至7.2 µH，直流电阻低至0.46 mΩ至1.2 mΩ。其采用扁平线绕组，尺寸非常紧凑，仅为33 x 33 mm，器件高度为11 mm或15.3 mm。通过强化扁平线圈与带有隔离涂层的合金粉磁芯的紧密接触，该设计可以配合客户端的散热垫片，实现元件的高效散热。除了标准型号，新元件还可以根据客户要求定制以提供其他电感值。新型号电感器符合RoHS标准并通过AEC-Q200认证，工作温度范围为-40°C至+150°C。在汽车领域，其典型应用包括DC-DC转换器的降压-升压扼流圈（例如用于48V车载电源或车载充电器输入滤波器中的差模扼流圈），以及中、大电流电池充电器和逆变器。在工业电子领域，它们可用作大电流电源、光伏系统的太阳能逆变器和负载点 (PoL) 转换器中的储能和输出扼流圈。为了方便用户了解新元件的性能，TDK提供了ERU33M扼流圈 (B82579X0033) 样品套件，其中包含了全部的三个型号，每个型号各提供四个样品。特性和应用主要应用汽车和工业应用中的DC-DC转换器，VRM模块，PoL转换器和逆变器的中的储能扼流圈主要特点和优势大饱和电流：55 A至120 A低直流电阻：0.46 mΩ或1.20 mΩ非常紧凑的尺寸：仅33 x 33 mm，高度为11 mm或15.3 mm可直接贴附散热片，有效提升散...
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2024/9/11 10:41:35
VHFG-1230+是一款50欧姆高通滤波器，采用坚固的一体式结构。这些单元覆盖1400-8000MHz带宽，在通带内具有良好的匹配性，在阻带内具有很好的抑制性。VHFG-1230+具有低插入损耗和出色的功率处理能力。它可处理高达2.5W的射频输入功率，并提供-55°C至125°C的宽工作温度范围。特性低插入损耗，0.7dB典型值。回波损耗，典型值12dB。阻带抑制，典型值44dB。坚固的一体式结构。功率处理：2.5瓦应用测试和测量设备通信、雷达、电子战和电子对抗防御系统5GMIMO和回程无线电系统5G6GHz以下无线网络6E功能图案例风格图
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2024/9/10 17:58:35
ZHFW-K5500+是一款内置于宽带连接器封装中的50欧姆高通滤波器。这些单元覆盖6100-20000MHz带宽，在通带内提供良好的匹配，在阻带内具有良好的抑制性能。ZHFW-K5500+具有低插入损耗和出色的功率处理能力。它可处理高达1.75W的射频输入功率，并提供从-55°C到125°C的宽工作温度范围。特性低插入损耗，典型值1.2dB。回波损耗，典型值12dB。阻带抑制，典型值45dB。宽带连接套餐。功率处理：1.75瓦。常见应用测试和测量设备。军事应用。电信和宽带无线系统功能图案例风格图
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2024/9/10 17:50:14
Mini-Circuits的HFCG-880+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）高通滤波器，通带为990至8000MHz，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该模型在宽带上提供了0.5dB的典型插入损耗。采用微小的0805陶瓷外形，非常适合密集的信号链PCB布局，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性插入损耗，典型值为0.5dB。阻带抑制，典型值47dB。通带回波损耗，典型值13dB。0805表面安装占地面积功率处理：3W常见应用测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统5GMIMO和回程无线电5G6GHz以下和WiFi6E+25°C时的典型频率响应案例风格图点击购买：HFCG-880+
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2024/9/10 17:41:44
AVA-183A+是一款表面贴装、微波放大器和高达18 GHz的完全集成增益块。它采用Mini-Circuits行业标准的3x3mm MCLP封装，具有出色的射频和热性能。AVA-183A+将整个匹配网络与封装内的大部分偏置电路集成在一起，减少了对复杂外部电路的需求。这种方法使AVA-183A+非常灵活，使用简单明了。特性•增益，典型值为13.8 dB平坦度，±1.2 dB•输出功率，典型值高达+19.0 dBm。•出色的隔离性能，典型值为36 dB。12 GHz•单正电源电压，5.0V•集成直流块、偏置T型和微波旁路电容器•无条件稳定•可水洗；3mm x 3mm SMT封装常见应用•军事电子战和雷达•数据库•宽带隔离放大器•微波点对点无线电•卫星系统简化原理图和焊盘描述25°C下的典型性能数据点击购买：AVA-183A+
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2024/9/10 17:13:45