NE5532是一款双高性能低噪声运算放大器。与大多数标准运算放大器（如1458）相比，它具有更好的噪声性能、更高的输出驱动能力以及更高的小信号和功率带宽。这使得该设备特别适合应用于高质量和专业的音频设备、仪器和控制电路以及电话信道放大器。运算放大器内部补偿等于1的增益。如果非常低的噪声至关重要，建议使用5532A版本，因为它具有保证的噪声电压规格。特性•小信号带宽：10 MHz•输出驱动能力：600Ω，10 VRMS•输入噪声电压：5.0 nV/（Hz）^0.5（典型）•直流电压增益：50000•交流电压增益：10 kHz时为2200•功率带宽：140 kHz•转换速率：9.0 V/µs•电源电压范围大：±3.0至±20 V•补偿团结增益
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2024/7/23 17:13:49
REF30xx 是德州仪器采用微型 3 引脚 SOT-23 封装的精密、低功耗、低压降电压基准产品系列。REF30xx 提供出色的温漂和初始精度，具有 42µA（典型值）的静态电流。低功耗和相对较高的精度使得 REF30xx 非常适合环路供电式工业 应用 ，如压力和温度变送器 应用中，低功耗是一个关键问题。REF30xx 非常便于用在本安和防爆 应用 中，因为它无需负载电容器即可实现稳定。REF30xx 的额定工业温度范围为 –40°C 至 +125°C。在零负载条件下，REF30xx 由 1mV 输出电压范围的电源供电。工程师们可在便携式和电池供电类应用中充分发挥 REF30xx 系列器件的低压降、小尺寸和低功耗特性 应用中，的需求。特性• 微型封装：SOT-23-3• 低压降：1mV• 高输出电流：25mA• 高精度：0.2%• 低 IQ：42µA（典型值）• 出色的额定温漂性能：• 0°C 至 70°C 范围内为 50ppm/°C（最大值）• –40°C 至 +125°C 范围内为 75ppm/°C（最大值）
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2024/7/23 17:10:57
TPS54302 器件是德州仪器一款输入电压范围为 4.5V 至 28V 的 3A 同步降压转换器。该器件包含两个集成式开关 FET 并且具备内部回路补偿和 5ms 内部软启动功能，可减少元件数量。通过集成 MOSFET 并采用 SOT-23 封装，TPS54302 器件可实现高功率密度，并且在印刷电路板 (PCB) 上的占用空间非常小。高级 Eco-mode 实现可尽可能提高轻负载效率并降低功率损耗。在 TPS54302 器件中，引入了展频频谱操作以降低 EMI。高侧 MOSFET 上的逐周期电流限制功能可在过载条件下保护转换器并通过防止电流失控的低侧 MOSFET 续流电流限制功能实现功能增强。当过流持续时间超出预设时间时，将触发断续模式保护功能。特性• 4.5V 至 28V 的宽输入电压范围• 集成 85mΩ 和 40mΩ MOSFET，持续输出电流为 3A• 关断电流低至 2µA，静态电流为 45µA• 内部 5ms 软启动• 400kHz 固定开关频率• 展频频谱可降低 EMI• 高级 Eco-mode™ 脉冲跳跃• 峰值电流模式控制• 内部环路补偿• 通过间断模式保护为两个 MOSFET 提供过流保护• 过压保护• 热关断• SOT-23 (6) 封装
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2024/7/23 16:52:36
REF30xx 是德州仪器采用微型 3 引脚 SOT-23 封装的精密、低功耗、低压降电压基准产品系列。REF30xx 提供出色的温漂和初始精度，具有 42µA（典型值）的静态电流。低功耗和相对较高的精度使得 REF30xx 非常适合环路供电式工业 应用 ，如压力和温度变送器 应用中，低功耗是一个关键问题。REF30xx 非常便于用在本安和防爆 应用 中，因为它无需负载电容器即可实现稳定。REF30xx 的额定工业温度范围为 –40°C 至 +125°C。在零负载条件下，REF30xx 由 1mV 输出电压范围的电源供电。工程师们可在便携式和电池供电类应用中充分发挥 REF30xx 系列器件的低压降、小尺寸和低功耗特性 应用中，的需求。特性• 微型封装：SOT-23-3• 低压降：1mV• 高输出电流：25mA• 高精度：0.2%• 低 IQ：42µA（典型值）• 出色的额定温漂性能：• 0°C 至 70°C 范围内为 50ppm/°C（最大值）• –40°C 至 +125°C 范围内为 75ppm/°C（最大值）
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2024/7/23 16:50:24
TPS563201 和 TPS563208 是德州仪器采用小外形尺寸晶体管 (SOT)-23 封装的简单易用型 3A 同步降压转换器。 两款器件均经过优化，最大限度地减少了运行所需的外部组件并且可以实现低待机电流。 这些开关模式电源 (SMPS) 器件采用 D-CAP2 模式控制，能够提供快速瞬态响应，并且在无需外部补偿组件的情况下支持诸如高分子聚合物等低等效串联电阻 (ESR) 输出电容以及超低 ESR 陶瓷电容器。 TPS563201 可在脉冲跳跃模式下运行，从而能在轻载运行期间保持高效率。TPS563201 和 TPS563208 采用 6 引脚 1.6mm × 2.9mm SOT (DDC) 封装，额定结温范围为 –40°C 至 125°C。特性• TPS563201 和 TPS563208 3A 转换器集成了 95mΩ 和 57mΩ 场效应晶体管 (FET)• D-CAP2模式控制，用于快速瞬态响应• 输入电压范围：4.5V 至 17V• 输出电压范围：0.76V 至 7V• 脉冲跳跃模式 (TPS563201) 或持续电流模式 (TPS563208)• 580kHz 开关频率• 低关断电流（小于 10µA）• 2% 反馈电压精度 (25°C)• 从预偏置输出电压中启动• 逐周期过流限制• 断续模式过流保护• 非锁存欠压保护 (UVP) 和热关断 (TSD) 保护• 固定软启动时间：1.0ms
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2024/7/23 16:48:35
OP07CDR德州仪器这些器件通过低噪声、无斩波、双极输入晶体管放大器电路提供低偏移和长期稳定性。对于大多数应用，偏移归零和频率补偿不需要外部组件。真正的差分输入具有宽输入电压范围和出色的共模抑制能力，在高噪声环境和非反相应用中提供了最大的灵活性和性能。在整个温度范围内保持低偏置电流和极高的输入阻抗。特性•低噪音•无需外部组件•以更低的成本更换斩波放大器•宽输入电压范围：0至±14 V（典型）•宽电源电压范围：±3 V至±18 V
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2024/7/23 16:43:52
TPS54202 是德州仪器一款输入电压范围为 4.5V 至 28V 的 2A 同步降压转换器。该器件包含两个集成式开关场效应晶体管 (FET) 并且具备内部回路补偿和 5ms 内部软启动功能，可降低组件数。通过集成 MOSFET 并采用 SOT-23 封装， TPS54202 获得了高功率密度，并且在印刷电路板 (PCB) 上的占用空间非常小。高级 Eco-mode 实现可最大限度地提高轻负载效率并降低功率损耗。引入了扩频频谱操作，可提高 EMI 性能。高侧 MOSFET 上的逐周期电流限制功能可在过载条件下保护转换器并通过防止电流失控的低侧 MOSFET 续流电流限制功能实现功能增强。当过流持续时间超出预设时间时，将触发打嗝模式保护功能。特性• 4.5V 至 28V 的宽输入电压范围• 集成 148mΩ 和 78mΩ MOSFET，持续输出电流为 2A• 关断电流低至 2µA，静态电流为 45µA• 内部 5ms 软启动• 500kHz 固定开关频率• 扩频频谱可降低 EMI• 高级 Eco-mode™ 脉冲跳跃• 峰值电流模式控制• 内部环路补偿• 通过间断模式保护为两个 MOSFET 提供过流保护• 过压保护• 热关断• SOT-23 (6) 封装
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2024/7/23 16:42:26
这款 8 位非反向转换器使用两个独立的可配置电源轨。A 端口跟踪 VCCA 引脚的电源电压。VCCA 引脚可接受 1.2V 到 3.6V 范围内的任意电源电压。B 端口跟踪 VCCB 引脚的电源电压。VCCB 引脚可接受 1.65V 到 5.5V 范围内的任意电源电压。这两个输入电源引脚可实现 1.2V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5V 电压节点之间的任意低压双向转换。输出使能 (OE) 输入为低电平时，所有输出均将置于高阻抗 (Hi-Z) 状态。为确保输出在上电或断电期间处于 Hi-Z 状态，需通过一个下拉电阻将 OE 接至 GND。该电阻的最小值取决于驱动器的拉电流能力。特性• 无需方向控制信号• 最大数据速率• 110Mbps（推挽）• 1.2Mbps（开漏）• A 端口 1.2V 至 3.6V；B 端口 1.65V 至 5.5V (VCCA ≤ VCCB)• 无需电源定序 - VCCA 或 VCCB 均可优先斜升• 锁断性能超过 100mA，符合 JESD 78 II 类规范的要求• 静电放电 (ESD) 保护性能超过 JESD 22 规范的要求（A 端口）• 2000V 人体放电模型 (A114-B)• 150V 机器模型 (A115-A)• 1000V 充电器件模型 (C101)• IEC 61000-4-2 ESD（B 端口）• ±8kV 接触放电• ±6kV 气隙放电
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2024/7/23 16:36:55
ADS1113、ADS1114 和 ADS1115 器件 (ADS111x) 是兼容 I2C 的 16 位高精度低功耗模数转换器 (ADC)，采用超小型无引线 X2QFN-10 封装和 VSSOP-10 封装。ADS111x 器件采用了低漂移电压基准和振荡器。ADS1114 和 ADS1115 还采用可编程增益放大器 (PGA) 和数字比较器。这些 特性加以较宽的工作电源电压范围使得 ADS111xADS111x 非常适合功率受限和空间受限的传感器测量 应用中经常遇到的特定频率下 OPAx189 的 EMIRR +IN 值。ADS111x 可在数据速率高达每秒 860 个样本 (SPS) 的情况下执行转换。PGA 可提供从 ±256mV 到 ±6.144V 的输入范围，从而实现精准的大小信号测量。ADS1115 具有 一个输入多路复用器 (MUX)，可实现两次差动输入测量或四次单端输入测量。在 ADS1114 和 ADS1115 中可使用数字比较器进行欠压和过压检测。ADS111xADS111x 既可在连续转换模式下工作，也可在单冲模式下工作。在单冲模式下，这些器件可在一次转换后自动断电；因此显著降低了空闲期间的功耗。特性• 超小型 X2QFN 封装： 2mm × 1.5mm × 0.4mm• 宽电源电压：2.0V 至 5.5V• 低流耗：150µA（连续转换模式）• 可编程数据传输速率：8SPS 至 860SPS• 单周期稳定• 内部低漂移电压基准• 内部振荡器• I2C 接口：四个引脚可选地址• 四个单端输入或两个差分输入 (ADS1115)• 可编程比较器（ADS1114 和 ADS1115）• 工作温度范围：-40°C 至 +125°C
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2024/7/23 16:27:02
LMV321、LMV358和LMV324器件是单路、双路和四路低压（2.7 V至5.5 V）运算放大器，具有轨到轨输出摆幅。对于需要低压运行、节省空间和低成本的应用，这些设备是最具成本效益的解决方案。这些放大器专为低压（2.7 V至5 V）操作而设计，其性能规格达到或超过了工作电压为5 V至30 V的LM358和LM324器件。这些器件的封装尺寸低至DBV（SOT-23）封装尺寸的一半，可用于各种应用。特性LMV358A和LMV324A•2.7V和5V性能•-40°C至+125°C运行•无交叉失真•电源电流低–LMV321:130μA（典型值）–LMV358:210μA（典型值）–LMV324:410μA（典型值）•轨对轨输出摆动•ESD保护超过JESD 22–2000V人体模型–1000V充电设备型号
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2024/7/23 16:19:21
TPS54331器件是德州仪器一个28V、3-a非同步降压转换器，集成了低RDS（on）高侧MOSFET。为了提高轻载时的效率，会自动激活跳过脉冲的Eco模式功能。此外，1-µA的关机电源电流使该设备可用于电池供电的应用。具有内部斜率补偿的电流模式控制简化了外部补偿计算，减少了元件数量，同时允许使用陶瓷输出电容器。电阻分压器对输入欠压锁定的滞后进行编程。过电压瞬态保护电路限制了启动和瞬态条件下的电压过冲。在过载情况下，逐周期电流限制方案、频率回退和热关机保护设备和负载。TPS54331器件采用8引脚SOIC封装和8引脚SO PowerPAD封装，经过内部优化，可提高热性能。特性•3.5至28V输入电压范围•输出电压可调，低至0.8 V•集成80-mΩ高侧MOSFET支持高达3-A的连续输出电流•具有脉冲跳过节能模式™的轻载高效率•固定570 kHz开关频率•典型的1-µA关断静态电流•可调慢启动限制涌入电流•可编程UVLO阈值•过电压瞬态保护•逐周期电流限制、频率折返和热关断保护•提供易于使用的SOIC8封装或热增强型SOIC8 PowerPAD™封装•使用WEBENCH工具创建自定义设计
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2024/7/23 16:15:23
ULx200xA器件是高电压大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由7个NPN达林顿对组成，这些达林顿对具有高压输出，带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。单个达林顿对的集电极电流额定值为500mA。将达林顿对并联可以提供更高的电流。应用包括继电器驱动器、电锤驱动器、灯驱动器、显示驱动器（LED和气体放电）、线路驱动器和逻辑缓冲器。ULN2002A器件专门设计用于14V至25VPMOS器件。该器件的每个输入端都有一个串联的齐纳二极管和电阻，以将输入电流控制在安全范围内。ULx2003A器件的每个达林顿对都具有一个2.7kΩ的串联基极电阻，可直接与TTL或5VCMOS器件一起工作。ULx2004A器件具有一个10.5kΩ串联基极电阻，允许直接从使用6V至15V电源电压的CMOS器件进行操作。ULx2004A器件所需的输入电流低于ULx2003A器件的输入电流，所需电压小于ULN2002A器件的所需电压。特性•500mA额定集电极电流（单输出）•高电压输出：50V•钳位二极管输出•可兼容各类逻辑的输入•继电器驱动器应用
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2024/7/23 16:07:59
美光宣布推出全新的MRDIMM DDR5，目前已经出样，可为AI、HPC应用提供超大容量、超高带宽、超低延迟。2024年下半年开始批量出货。后续几代MRDIMM将继续提供比同代RDIMM高达45%的每通道内存带宽提升。值得注意的是，MRDIMM的JEDEC标准尚未正式发布。MRDIMM的全称为“Multiplexed Rank DIMM”，最初由AMD联合JEDEC组织提供提出，就是将两个DDR5 DIMM合二为一，从而提供双倍的数据传输率，而且可以同时访问两个Rank。两个DDR5-4800组合在一起，就得到了DDR5-9600，规划目标是达到DDR5-17600。Intel也在准备类似的设计，叫做MCRDIMM(Multiplexer Combined Ranks DIMM)，主要与SK海力士合作。美光MRDIMM DDR5容量分别是32GB、64GB、96GB、128GB、256GB，频率最高8800MT/s。适用于高性能1U和2U服务器。对比传统的RDIMM DDR5，它的有效带宽提升最多39％，总线效率提升超过15％，延迟降低最多40％。256GB TFF（薄型） MRDIMM对比类似容量的TSV RDIMM，性能可以领先35％。美光MRDIMM目前仅支持Intel新发布的至强6平台，或许后续也会支持AMD第五代Turin EPYC。三星还在开发8800MT/s MRDIMM，已进入样品阶段。DDR5 MRDIMM模块有望通过提高数据处理速度和效率，对AI和HPC领域产生重大影响。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/23 16:02:07
中新经纬7月23日电 当地时间22日，在科技股反弹的带动下，美股三大指数集体收涨，纳指涨1.58%，标普500指数涨1.08%，道指涨0.32%。《华尔街日报》分析，最近几个交易日，投资者一直在抛售高速发展的科技股，转而购买规模较小的公司股票，部分原因是押注如果美联储在未来几个月开始降息，这些企业将受益更多。不过，周一这种轮动暂停了，交易员们重新回到了他们最喜欢的科技公司。而路透社指出，拜登的退选可能会促使投资者平仓，因为他们押注特朗普的胜利将增加美国的财政和通胀压力。但一些分析师表示，下一届政府领导下的美国政府分裂的可能性增加，市场可能会受益。盘面上，大型科技股多数上涨，苹果跌0.16%，亚马逊跌0.33%，奈飞涨2.29%，谷歌涨2.24%，脸书涨2.23%，微软涨1.33%。银行股涨跌不一，摩根大通涨0.25%，高盛涨0.47%，花旗跌1.03%，摩根士丹利涨0.37%，美国银行跌1.39%，富国银行跌0.09%。能源股全线走低，埃克森美孚跌0.69%，雪佛龙跌1.34%，康菲石油跌1.76%，斯伦贝谢跌0.46%，西方石油跌3%。芯片股表现强劲，应用材料涨6.28%，恩智浦半导体涨5.39%，阿斯麦涨5.13%，微芯科技涨4.9%，英伟达涨4.76%，高通涨4.7%，博通涨2.36%，台积电涨2.17%，英特尔涨1.18%。热门中概股普涨，小鹏汽车涨超6%，蔚来涨超5%，理想汽车涨超4%，微博涨超3%，网易、京东、百度、哔哩哔哩涨超2%，阿里巴巴、唯品会涨超1%，拼多多、富途控股等小幅上涨。欧洲三大股指同样全线上涨，德国DAX指数涨1.29%报18407.07点，法国CAC40指数涨1.16%报7622.02点，英国富时100指数涨0.53%报8198.78点。国际油价小幅下跌，WTI 8月原油期货收跌0.35美元，跌幅约0.44%，报79.78美元/桶；布伦特9月...
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2024/7/23 15:45:56
理解电子元器件的批次信息对于追溯元器件的生产时间、质量控制和售后服务非常重要。以下是一些常见的方法来帮助您看懂电子元器件的批次信息：日期码：某些电子元器件在其丝印或标签上会有特定的日期码，可以表示元器件的生产日期。日期码的格式可能因制造商而异，通常是年-月-日的组合或特定的编码方式。批次码：元器件的批次信息可能以特定的批次码形式出现在丝印或标签上。批次码通常由一串数字或字母组成，用于区分不同生产批次的元器件。标识符号：有些制造商会在元器件上使用特定的符号或标识符表示批次信息。这些符号可能是一些特定的图形、字母组合或标志，需要参考制造商的说明文档来解释含义。批次跟踪号：一些元器件可能会包含批次跟踪号码，可用于追溯元器件的产地、生产批次等信息。通过批次跟踪号，您可以联系制造商获取更详细的批次信息。请注意，每个制造商的批次信息标识方式可能有所不同，因此要准确解读电子元器件的批次信息，最好参考制造商提供的说明文档或直接联系制造商获取帮助。
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2024/7/19 16:43:19
电子元器件上的丝印通常包含了各种信息，如制造商标识、元器件型号、批次信息等。这些信息对于识别、跟踪和验证元器件非常重要。以下是一些常见的电子元器件丝印含义的解析：制造商标识：通常是元器件制造商的缩写、商标或标识符号，用于表示元器件的来源。比如，“TI”代表德州仪器（Texas Instruments），“ST”代表意法半导体（STMicroelectronics）等。元器件型号：这是元器件的唯一型号或编号，用于区分不同型号的元器件。通过型号，可以查找到元器件的规格书、技术参数等详细信息。批次信息：批次信息通常体现为日期或批次代码，用于标识生产批次或日期。这对于追溯元器件的生产时间、质量控制和售后服务非常重要。引脚标记：对于集成电路和某些器件，丝印上可能包含引脚编号、功能标识等信息，以帮助正确连接元器件。封装尺寸：某些元器件的丝印上可能包含封装的尺寸、形状等信息，以指导元器件的安装和焊接。警告标记：有些元器件在丝印上可能会包含警告信息，比如禁止反向安装、注意静电等，以确保正确使用元器件并避免损坏。品质等级：元器件的质量等级信息可能会出现在丝印上，指示元器件的质量等级和相关标准符号。总的来说，电子元器件的丝印含义解析需要结合具体的元器件类型和制造商信息来理解，以确保正确识别和使用元器件。设计者在使用元器件时可以参考丝印提供的信息，以确保元器件的正确性、可靠性和合适性。
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2024/7/19 16:40:05
芯片的丝印（Silkscreen）是指在印刷电路板（PCB）上的标记，用于标识元件、连接点、方向、说明等信息。芯片的丝印通常由制造商在设计 PCB 布局时添加，并印刷在 PCB 表面的绿色焊盘上，以帮助组装、检测和维护芯片及其他元件。在芯片的丝印中，常见的定义包括：公司标识：制造商或设计公司的标识，用以表明芯片的来源和质量控制。元件标识：芯片类型、型号、批次等信息，以便识别和跟踪不同的芯片。引脚标记：每个引脚的编号和功能标识，用以指示芯片引脚的连接方式和功能。方向标记：芯片的朝向或安装方向，帮助组装人员正确安装芯片。警告标记：如禁止静电、最大工作温度等警告信息，以确保正确使用和维护芯片。位置标记：芯片的位置标记或尺寸标记，指示芯片在 PCB 上的摆放位置和尺寸。芯片的丝印旨在提供清晰、准确的信息，以方便组装、调试、维护和追溯芯片。设计者在设计 PCB 布局时需要注意合理安排丝印，以确保信息准确、易读、不会干扰电路板上其他元件的布局和焊接。
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2024/7/19 16:38:38
逻辑器件的发展历程可以分为4个阶段。这四个阶段分别是：电子管阶段：这是最早的阶段，电子管被用作逻辑元件，用于构建早期的电子计算机。晶体管阶段：随着晶体管的发明，逻辑器件进入了第二个阶段，晶体管比电子管更小、更可靠，且消耗更少的电力。集成电路阶段：集成电路的出现大大提高了逻辑电路的集成度，减少了电路板的物理尺寸，同时也提高了性能。处理器芯片阶段：这是最新的阶段，处理器芯片集成了大量的晶体管，使得计算机的性能大幅提升，同时也推动了微型化和便携式设备的发展。这些阶段的演变反映了技术进步如何推动计算机和相关逻辑器件的发展，每个阶段都为下一阶段的技术进步奠定了基础。
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2024/7/19 16:32:44