实时计算密集型应用（如智能嵌入式视觉和机器学习）正在推动嵌入式处理需求的发展，要求在边缘实现更高的能效、硬件级安全性和高可靠性。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日发布PIC64系列产品，进一步扩大计算范围，满足当今嵌入式设计日益增长的需求。PIC64系列支持需要实时和应用级处理的广泛市场，使Microchip成为MPU领域的单一供应商解决方案提供商。PIC64GX MPU是即将发布的新产品系列中的首款产品，可支持工业、汽车、通信、物联网、航空航天和国防领域的智能边缘设计。Microchip首席执行官兼总裁Ganesh Moorthy表示：“Microchip是8 位、16位和32位嵌入式解决方案的领导者，随着市场发展，我们的产品线也必须随之发展。新增的64位MPU产品组合使我们能够提供低、中、高端计算处理解决方案。PIC64GX MPU 是多款64位 MPU中的首款产品，旨在支持智能边缘，满足所有细分市场的广泛性能需求。”智能边缘通常需要具有非对称处理功能的64位异构计算解决方案，以便在具有安全启动功能的单处理器集群中运行Linux®、实时操作系统和裸机。Microchip的PIC64GX 系列采用具有非对称多处理（AMP）和确定性延迟的64位RISC-V®四核处理器，可满足中端智能边缘计算需求。PIC64GX MPU是首款具有AMP功能的RISC-V®多核解决方案，适用于混合关键性系统。它采用四核设计，具有支持 Linux 的中央处理器（CPU）集群、第五微控制器级显示器和 2 MB 灵活的二级缓存，运行频率为625 MHz。PIC64GX系列引脚与Microchip的PolarFire® SoC FPGA器件兼容，为嵌入式解决方案开发提供了极大的灵活性。此外，该款产品可利用 Microchip ...
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2024/7/15 17:30:02
TDK株式会社宣布进一步扩大其用于汽车以太网通信 10BASE-T1S的 ACT1210E 系列（3.2 x 2.5 x 2.5 毫米 – 长x 宽x 高）共模滤波器产品阵容。该新款共模滤波器将于2024年7月开始量产。• 实现符合OPEN联盟共模滤波器EMC测试规范的IV级线间电容的产品• 通过将绕组线激光焊接到金属化端子上从而实现高可靠性• 符合 AEC-Q200 （D版）要求产品的实际外观与图片不同。TDK标志没有印在实际产品上。TDK株式会社（TSE：6762）宣布进一步扩大其用于汽车以太网通信 10BASE-T1S的 ACT1210E 系列（3.2 x 2.5 x 2.5 毫米 – 长x 宽x 高）共模滤波器产品阵容。该新款共模滤波器将于2024年7月开始量产。与传统产品相比，新款 ACT1210E-131-2P-TL00 滤波器将线间电容降低了约30%。在OPEN联盟共模扼流圈EMC测试规范中，该产品首开行业先河，以最低线间寄生电容达到了IV级水平。在100 kHz频率下的共模电感为130 µH，额定电流达70 mA。除共模滤波器外，10BASE-T1S 通信电路中还包括防物理层设备（PHY）和防静电（ESD）组件以及其它电子元件，而这些元件各有其电容。随着总电容量不断增加，信号波形湍流随之增强，进而导致正常通信中断。为解决这一问题，工程师需要选择适合低电容的元件。为实现高S参数，新产品采用了TDK专有的设计结构以及优化材料，以减少电容引起的信号失真的影响，并有效抑制共模噪声。不仅如此，TDK 的创新高精度自动绕线技术确保了品质稳定和高可靠性。TDK 提供阵容广泛的汽车用共模滤波器，不仅包括符合当前主流 CAN、CAN FD 和 Flex-Ray协议要求的滤波器，同时也包括符合以太网协议要求的滤波器，比如通信速率分别为100兆比特/秒和1000兆比特/...
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2024/7/15 17:25:55
据中国台湾业界消息，台积电2nm（N2）制程芯片即将于下周在位于中国台湾北部新竹科学园区的宝山工厂试产，有望率先用于苹果iPhone 17 Pro和其它苹果产品。知情人士透露，台积电于2023年12月首次向苹果进行2nm制程相关示范，预计试产时间为2024年10月。业界认为，台积电2nm技术量产进度优于预期，此前市场预计最早将于第四季度量产。据台积电官方介绍，2nm制程节点相比3nm能效可提升10%~15%，功耗则最多降低30%。当试产良率达到一定标准时，便可以推进到量产阶段。台积电将从2nm工艺开始应用GAA（全环绕栅极）纳米片晶体管结构，这有助于提高性能。此外台积电还将基于2nm节点推出背面供电（BSPR）技术，进一步提升芯片密度和速度，预计2026年量产。得益于人工智能（AI）芯片的强劲需求，台积电现有3nm产能供不应求。业界最新消息称，“产能到年底前都排得很满”，此外有传言称台积电将提高3nm代工服务价格。有消息称苹果已经与台积电秘密达成独家协议，包下台积电2nm首批全部产能，这与此前苹果独占首批3nm产能的做法类似，A17 Pro为首款采用台积电3nm制程的量产芯片，拥有约190亿个晶体管。为应对AI芯片订单需求，台积电位于高雄的第二座2nm工厂也在加紧建设当中。根据外资报告，台积电2024年资本支出可能达到上限值320亿美元，2025年有望进一步升至370亿美元，原因是提前部署2nm工艺量产，采购设备。随着竞争对手三星同样发力2nm GAA工艺，并获得订单，台积电提前部署产能目的是为保持在晶圆代工领域的地位。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/15 17:24:27
LM1117是一款低压差稳压器，在800mA负载电流下的压降为1.2V。LM1117提供可调版本，仅需两个外部电阻器即可将输出电压设置为1.25至13.8 V。此外，它还有五种固定电压，1.8V、2.5V、3.3V和5V。LM1117提供限流和热关断功能。其电路包括一个齐纳微调带隙基准，以确保输出电压精度在±1%以内。输出端需要至少10µF的钽电容器，以提高瞬态响应和稳定性。特性·提供1.8V、2.5V、3.3V、5V和可调版本·节省空间的SOT-223和WSON封装·限流和热保护·输出电流800mA·线路调节0.2%（最大）·负载调节0.4%（最大）·温度范围·LM1117:0°C至125°C·LM1117I:40°C至125°C
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2024/7/11 16:09:21
REF19x系列精密带隙基准电压源采用温度漂移曲率校正专利电路，并对高稳定性薄膜电阻进行激光调整，从而实现极低的温度系数和高初始精度。 该系列由微功耗、低压差(LDV)器件组成，可利用仅比输出电压高出100 mV的电源提供稳定的输出电压，耗用的电源电流低于45 μA。通过对SLEEP 引脚施加低TTL或CMOS电平，可以使能休眠模式。在休眠模式下，输出关闭，电源电流进一步降至15 μA以下。REF19x系列基准电压源的额定温度范围为−40°C至+85°C工业温度范围，典型性能规格的温度范围为−40°C至+125°C，适合汽车等应用领域。 电气级产品均提供8引脚SOIC封装；仅最低电气级产品提供PDIP和TSSOP封装。特性• 初始精度：±2 mV（最大值）• 温度系数：5 ppm/°C（最大值）• 低电源电流：45 µA（最大值）• 休眠模式：15 µA（最大值）
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2024/7/11 16:06:44
ADIS16470是一种微型MEMS惯性测量单元（IMU），包括三轴陀螺仪和三轴加速度计。ADIS16470中的每个惯性传感器都与优化动态性能的信号调节相结合。工厂校准表征了每个传感器的灵敏度、偏差、对准、线性加速度（陀螺仪偏差）和撞击点（加速计位置）。因此，每个传感器都有动态补偿公式，可以在广泛的条件下提供精确的传感器测量值。ADIS16470提供了一种简单、经济高效的方法，用于将精确的多轴惯性传感集成到工业系统中，特别是与离散设计相关的复杂性和投资相比。所有必要的运动测试和校准都是工厂生产过程的一部分，大大缩短了系统集成时间。紧密的正交对准简化了导航系统中的惯性系对准。串行外围接口（SPI）和寄存器结构为数据收集和配置控制提供了一个简单的接口。特性校准温度范围：-10°C至+75°CSPI兼容数据通信可编程操作和控制自动和手动偏差校正控制同步数据采集数据就绪指示器外部同步模式：直接、脉冲、缩放和输出惯性传感器的按需自检闪存的按需自检单电源操作（VDD）：3.0 V至3.6 V2000g机械冲击生存能力工作温度范围：-25°C至+85°C
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2024/7/11 15:57:01
TDK511xF系列是一个高功率ASK/FSK发射机系列，适用于311–317 MHz、433–435 MHz和868–870 MHz频带。IC提供了高度的集成，只需要几个外部组件。该设备包含一个完全集成的PLL合成器和一个高效功率放大器，用于驱动环形天线。使用特殊的电路设计和独特的功率放大器设计来节省电流消耗，从而节省电池寿命。实现了断电模式和分频时钟输出等附加功能。该IC可用于ASK和FSK调制特性·频率范围311-317兆赫/433-435兆赫/868-870兆赫·ASK和FSK调制·高效功率放大器通常为10dBm@3V·全集成频率合成器·无外部组件的VCO·全集成频率合成器·断电模式·μC分频时钟输出·外部组件数量低·集成FSK开关·低电源电流类型。3伏时为14毫安·电源电压范围2.1–4 V·温度范围-40°C-+125°C
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2024/7/11 15:54:02
ADRV9009是一款高集成度射频(RF)、捷变收发器，提供双通道发射器和接收器、集成式频率合成器以及数字信号处理功能。这款IC具备多样化的高性能和低功耗组合，以满足3G、4G和5G宏蜂窝时分双工(TDD)基站应用要求。接收路径由两个独立的宽带宽、直接变频接收器组成，具有一流的动态范围。该器件还支持用于TDD应用的宽带宽、时间共享观测路径接收器(ORx)。完整的接收子系统拥有自动和手动衰减控制、直流失调校正、正交误差校正(QEC)和数字滤波功能，从而消除了在数字基带中提供这些功能的必要性。还集成了多种辅助功能，比如模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)、用于功率放大器(PA)的通用输入/输出(GPIO)以及RF前端控制。除自动增益控制(AGC)之外，ADRV9009还具有灵活的外部增益控制模式，且在动态设置系统级增益方面具有极大的灵活性。接收信号通过具有固有抗混叠特性的一组四个高动态范围、连续时间Σ-Δ ADC实现数字化。相比传统的中频(IF)接收器时，直接变频架构组合不会出现带外镜像混频或缺少混叠，可降低对RF滤波器的要求。发射器采用创新的直接变频调制器，可实现高调制精度和极低的噪声。观测接收器路径由一个宽带宽、直接变频接收器组成，具有一流的动态范围。完全集成的锁相环(PLL)可同时针对发射器(Tx)和接收器(Rx)信号路径提供高性能、低功耗的小数N分频RF频率合成。额外的频率合成器可生成转换器、数字电路和串行接口所需的时钟。多芯片同步机制可同步RF本振(LO)相位和多个ADRV9009芯片之间的基带时钟。同时采取防范措施，以满足高性能基站应用的隔离要求。还集成了压控振荡器(VCO)和环路滤波器元件。高速JESD204B接口支持高达12.288 Gbps的通道速率，在最宽带宽模式下实现每发射器两个通道以及每接收器单个通道。该接口还支持针对更低带宽的交错模式，从而将高速...
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2024/7/11 15:48:13
MAX3483E系列器件是具有±15kV ESD保护的+3.3V、低功耗收发器，适用于RS-485和RS-422通信。每个器件包含一个驱动器和一个接收器。MAX3483E和MAX3488E具有限摆率驱动器，可充分降低EMI并减少因电缆端接不当引起的反射，从而实现数据速率高达250kbps的无误差数据传输。部分限摆率的MAX3486E支持高达2.5Mbps的传输速率。MAX3485E、MAX3490E和MAX3491E的传输速率高达12Mbps。所有器件均具有增强型静电放电(ESD)保护。所有发射器输出和接收器输入均使用IEC 1000-4-2气隙放电受到±15kV的保护，使用IEC 1000-4-2接触放电受到±8kV的保护，并使用人体模型受到±15kV的保护。驱动器具有短路限流功能，并且通过热关断电路将驱动器输出置于高阻抗状态，以防止功耗过大。接收器输入具有故障安全特性，可在两个输入均开路时确保输出保持逻辑高电平。特点• 采用+3.3V单电源供电——无需电荷泵• 与+5V逻辑兼容• 支持12Mbps数据速率(MAX3485E/MAX3490E/MAX3491E)• 摆率限制实现无误差数据传输(MAX3483E/MAX3488E)• 2nA低电流关断模式(MAX3483E/MAX3485E/MAX3486E/MAX3491E)• 共模输入电压范围：-7V至+12V• 提供全双工和半双工版本• 行业标准75176引脚排列• 用于驱动器过载保护的限流和热关断功能
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2024/7/11 15:44:27
TPS61291 是引脚输出电压可选且支持集成旁路模式的升压转换器。 进行旁路操作时，该器件可提供从输入到系统的直接路径，并允许低功耗微控制器 (MCU)（如 MSP430）直接由单节 3V 锂锰电池或两节碱性电池供电运行。 在旁路模式下，用于升压模式操作的集成分压器网络将从输出端断开，并且静态电流消耗会降至仅为 15nA（典型值）。在升压模式下，该器件可提供的最小输出电流为 200mA（VOUT = 3.3V，VIN = 1.8V）。 升压模式用于需要稳定的电源电压并且无法通过输入源直接操作的系统组件。 升压转换器基于使用同步整流的电流模式控制器，可实现最大效率，所消耗的输出电流典型值为 5.7uA。 升压转换器启动期间，将读取 VSEL 引脚并且集成反馈网络会将输出电压设为 2.5V、3V 或 3.3V。旁路模式或升压模式操作都由系统通过 EN/BYP 引脚进行控制。该器件集成有增强型旁路模式控制功能，可防止升压模式操作期间存储在输出电容中的电荷倒流至输入端并给电池充电。此器件采用小型 6 引脚 2.0mm × 2.0mm x 0.75mm SON 封装 (DRV)。特性• 输入电压范围 0.9V 至 5V• 启动电压 1.5V（20mA 负载时）• 引脚可选输出电压：3.3V、3V、2.5V• 旁路模式静态电流典型值 15nA• 升压模式静态电流典型值 5.7μA• 旁路开关从 VIN 到 VOUT• VOUT = 3.3V、VIN = 1.8V 时 IOUT > 200mA• 内部反馈分压器断开连接（旁路模式）• 受控旁路转换功能可防止反向电流流入电池• 轻负载状态下的省电模式• 过热保护• 冗余过压保护• 小型 2mm x 2mm 小外形尺寸无引线 (SON) 6 引脚封装
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2024/7/11 15:41:55
AD9363是一款高性能、高度集成的RF捷变收发器，设计用于3G和4G毫微微蜂窝应用。该器件的可编程性和宽带能力使其成为多种收发器应用的理想选择。该器件集RF前端与灵活的混合信号基带部分为一体，集成频率合成器，为处理器提供可配置数字接口，从而简化设计导入。AD9363工作频率范围为325 MHz至3.8 GHz，涵盖大部分特许执照和免执照频段。支持的通道带宽范围为200 kHz以下至20 MHz。两个独立的直接变频接收器拥有优良的噪声系数和线性度。每个Rx子系统都拥有独立的自动增益控制(AGC)、直流失调校正、正交校正和数字滤波功能，从而消除了在数字基带中提供这些功能的必要性。AD9363还拥有灵活的手动增益模式，支持外部控制。每个通道搭载两个高动态范围ADC，先将收到的I信号和Q信号进行数字化处理，然后将其传过可配置抽取滤波器和128抽头有限脉冲响应(FIR)滤波器，结果以相应的采样率生成12位输出信号。特性• 集成12位DAC和ADC的射频(RF) 2 × 2收发器• 宽带宽：325 MHz至3.8 GHz• 支持时分双工(TDD)和频分双工(FDD)工作模式• 可调谐通道带宽(BW)：最高20 MHz• 接收器：6路差分或12路单端输入• 出色的接收器灵敏度，噪声系数为3 dB• 接收(Rx)增益控制• 实时监控和控制信号用于手动增益• 独立的自动增益控制(AGC)• 双发射器：4路差分输出• 高线性度宽带发射器• 发射(Tx)误差矢量幅度(EVM)：-34 dB• Tx噪声：≤−157 dBm/Hz本底噪声• Tx监控器：66 dB动态范围，精度=1 dB• 集成式小数N分频频率合成器• 2.4 Hz本振(LO)步长• CMOS/LVDS数字接口
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2024/7/11 15:30:30
AD780是一种超高精度带隙基准电压源，可以利用4.0，V至36，V的输入提供2.5，V或3.0，V输出。它具有低初始误差、低温度漂移和低输出噪声特性，并能驱动任意大小的电容，因此AD780适合用于增强高分辨率模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)的性能，以及任何通用精密基准电压源应用。，独特的低裕量设计有助于利用5.0，V，±，10%输入提供3.0，V输出，从而使ADC的动态范围提升20%，其性能优于现有2.5，V基准电压源。AD780可以用来提供最高10，mA的源电流或吸电流，并且可以在串联或分流模式下工作，无需外部器件便可提供正或负输出电压，，因此适合绝大多数的高性能基准电压源应用。，与某些竞争产品不同，AD780没有“可能不稳定区域”。，当电源端使用一个1，µF旁路电容时，该器件可以在负载条件下保持稳定。AD780上的引脚提供的输出电压随温度呈线性变化，因此该部分可以配置为温度传感器，同时提供稳定的2.5，V或3.0，V输出。AD780上的引脚提供的输出电压随温度呈线性变化，因此该部分可以配置为温度传感器，同时提供稳定的2.5，V或3.0，V输出。AD780以PDIP和SOIC封装提供三个等级。，AD780AN、AD780AR、AD780BN、AD780BR和AD780CR的额定工作温度范围为-40°C至+85°C。特色AD780利用4，V到36，V输入提供引脚可编程2.5，V或3.0，V输出。，初始精度和温度系数均进行激光调整，因而在整个温度范围内的误差极低，且无需使用外部元件。，AD780BN从−40°C到+85°C的最大变化为0.9，mV。，对于需要更高精度的应用，还提供可选的精密调整连接。，AD780噪音特别低，通常为4，mV（峰峰值，0.1，Hz至10，Hz），高频时的宽带噪声谱密度通常为10...
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2024/7/11 15:25:53
AEDR-9830是一款三通道反射式光学编码器，可配置为模拟或数字输出，采用反射技术进行运动控制。该编码器设计用于在-40°C至115°C的温度范围内工作，适用于商业、工业和汽车终端应用。可用的可选选项为两通道差分模拟，带有第三通道差分数字或模拟索引输出或三通道数字差分a、B和I输出。AEDR-9830在模拟编码器模式下，具有两通道差分模拟输出（Sin、/Sin、Cos、/Cos），可以直接与可用的外部插值器接口。编码器在单个封装中容纳红外LED光源和光电检测电路。4.00毫米（长）x4.00毫米（宽）x1.05毫米（高）的小尺寸使其能够用于各种小型商业应用，其中尺寸和空间是主要问题。特性•模拟输出选项：双通道差分模拟输出和差分数字或模拟索引输出•数字输出选项：三通道差分或TTL兼容；用于方向感测的两通道正交（AB）数字输出和第三通道索引数字输出•内置插值器，用于1x、2x、4x、8x和16x插值•表面安装式无引线封装：4.0毫米（长）x 4.0毫米（宽）x 1.05毫米（高）•3.3V和5.0V电源的工作电压•内置LED电流调节•工作温度范围广，从-40°C到115°C•高编码分辨率：318 LPI（行/英寸）或12.52 LPmm（行/毫米）
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2024/7/11 15:23:32
STM32F405xx和STM32F407xx系列基于高性能Arm®Cortex®-M4 32位RISC内核，工作频率高达168 MHz。Cortex-M4内核具有浮点单元（FPU）单精度，支持所有Arm单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一套完整的DSP指令和一个增强应用程序安全性的内存保护单元（MPU）。STM32F405xx和STM32F407xx系列包含高速嵌入式存储器（高达1M字节的闪存，高达192K字节的SRAM）、高达4K字节的备份SRAM，以及连接到两条APB总线、三条AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵的一系列增强型I/O和外围设备。所有设备都提供三个12位ADC、两个DAC、一个低功耗RTC、十二个通用16位定时器，包括两个用于电机控制的PWM定时器和两个通用32位定时器。真实随机数生成器（RNG）。它们还具有标准和通信接口。特点•高达1 MB的闪存•高达192+4 KB的SRAM，包括64 KB的CCM（核心耦合存储器）数据RAM•512字节OTP内存•支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器的灵活静态存储器控制器•LCD并行接口，8080/6800模式•时钟、重置和供应管理•1.8 V至3.6 V应用电源和I/O•POR、PDR、PVD和BOR•4至26 MHz晶体振荡器•内部16 MHz工厂微调RC（1%精度）•32 kHz振荡器，用于带校准的RTC•内部32 kHz RC，带校准•低功率运行•睡眠、停止和待机模式•用于RTC的VBAT电源，20×32位备份寄存器+可选的4 KB备份SRAM•3×12位，2.4 MSPS A/D转换器：最多24个通道，三重交错模式下7.2 MSPS
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2024/7/11 15:21:18
英飞凌科技股份公司近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压，进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和奥地利菲拉赫，这两个产品系列采用英飞凌自主研发的高性能 8 英寸晶圆工艺制造。英飞凌将据此扩大CoolGaNTM的优势和产能，确保其在GaN器件市场供应链的稳定性。据Yole Group预测，未来五年GaN器件市场的年复合增长率（CAGR）将达到46%。英飞凌科技电源与传感系统事业部总裁Adam White表示：“这两个系列的发布是建立在英飞凌去年收购GaN Systems的基础之上，它们将为我们的客户带来更高的效率和性能。英飞凌新一代高压和中压CoolGaNTM系列展示了我们的产品优势，并且完全采用8英寸工艺制造，证明了GaN在更大晶圆直径上的快速扩展能力。我们期待客户通过这些新一代GaN器件推出各种创新应用。”全新650 V G5系列适用于消费、数据中心、工业和太阳能领域的应用。该系列产品是英飞凌基于GIT的新一代高压产品。另一个采用8英寸工艺制造的全新系列是G3中压器件，覆盖了60 V、80 V、100 V和120 V的CoolGaNTM晶体管电压等级，以及40 V双向开关（BDS）器件。G3中压产品主要面向电机驱动、电信、数据中心、太阳能和消费应用。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/11 15:14:40
东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）推出两款双极型晶体管“TTA2070和TTC5810”（采用SC-62封装：东芝别名PW-Mini ）。这两款产品适用于功率器件中的栅极驱动电路、消费设备和工业设备中的电流开关以及LED驱动电路。TTA2070的集电极-发射极额定电压和集电极额定电流（DC）为-50 V/-1 A；TTC5810的集电极-发射极额定电压和集电极额定电流为50 V/1 A。新产品TTA2070和TTC5810采用小型贴片式SC-62封装。与东芝采用相同封装方式的现有产品[1]相比，新产品的导线材料从金改为铜，树脂材料从含卤素升级为不含卤素，但额定值及电气特性与现有产品相当，因此有助于减少对环境影响。同时，其易于替代东芝的现有产品。东芝将继续扩展有助于减少对环境影响的产品线。注：[1]2SA2070，2SC5810应用消费设备和工业设备功率器件的栅极驱动电路电流开关LED驱动电路等特性使用铜导线材料和无卤素树脂材料，减少对环境影响大集电极额定电流（DC）：IC＝-1 A（TTA2070）IC＝1 A（TTC5810）小型贴片式SC-62封装：4.6 mm×4.2 mm（最大值），厚度＝1.6 mm（最大值）主要规格内部电路应用电路示例注：本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。特性曲线（参考）特性相当。（新产品TTC5810与东芝现有产品2SC5810的对比）免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/7/11 15:10:10
拆焊是指将贴片元器件从PCB板上移除的过程，通常是为了更换元件或修复焊接不良的问题。以下是贴片元器件拆焊的操作要点：准备工作：在进行拆焊之前，务必确认工作环境安全，佩戴适当的防护装备，例如安全眼镜和抗静电手套。准备工作具体包括拆焊工具（吸烟枪或热风枪）、助焊剂、吸烟网和适用于元器件和PCB的热敏胶带。加热区域：使用吸烟枪或热风枪加热拆卸区域周围，使焊点周围的焊锡融化。需要注意的是，加热应该均匀，避免过热导致元器件或PCB受损。施加助焊剂：在焊点周围涂抹助焊剂，助焊剂可以帮助焊锡更好地融化和流动，有助于顺利拆卸元器件。使用胶带固定元器件：在加热的过程中，使用热敏胶带将贴片元器件固定在PCB上，避免翘起或移动。拆卸元器件：在焊点周围焊锡融化时，使用吸烟枪轻松拆卸贴片元器件。在拆卸过程中要小心操作，避免损坏PCB或元器件。清洁和检查：在拆卸完成后，清理拆卸区域，确认焊点和PCB表面干净无残留。检查焊点和引脚是否受损或烧伤，需要修复的话，可以重新焊接或更换元器件。温度控制：在拆焊过程中要控制加热温度和时间，避免过热导致元器件失效。记录：记录拆焊的过程和结果，包括元器件型号、焊点状态等信息，便于后续工作和追溯。拆焊是一项比较精细的工作，需要小心谨慎操作，避免损伤元器件和PCB板。在实际操作中，需要根据具体情况选择合适的工具和方法，以确保操作顺利和焊接品质。
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2024/7/10 17:18:38
贴片元器件的焊点质量检查是确保电路板焊接质量和可靠性的重要环节。以下是贴片元器件焊点质量检查的一些要点：外观检查：首先应该进行外观检查，焊点应该均匀，光滑，无明显的裂纹、气泡或异物。焊点与引脚之间应该有明显的接触，并且焊料应该完全覆盖焊接区域。定位和间距：确认贴片元器件的焊点位置和间距是否正确，焊点应该与引脚对齐，并且焊点之间的间距应当均匀一致。连续性测试：使用测试仪器进行连通性测试，确保焊点的连接正常，没有短路或开路现象。焊接强度测试：对焊点施加一定的机械力，测试焊点的牢固程度。焊点应该能够抵抗适度的机械力，不易断裂。X射线检查：对于特别重要或高密度的贴片元器件焊接，可以使用X射线检查，检查焊点的内部结构和连接状态。焊料成分测试：有时候还需要进行焊料成分测试，确保选用的焊锡膏和焊料符合标准要求，不含有害物质。在贴片元器件焊点的质量检查过程中，需要使用适当的测试仪器和设备，确保检查结果准确可靠。同时，对于把控焊接质量也需要从生产过程、操作规范等方面全面考虑，以确保焊点的质量和可靠性。
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2024/7/10 17:12:17