ADMV7320 是一款完全集成的系统级封装 (SiP) 同相/正交 (I/Q) 升频器，可在直流至 2 GHz 的中频 (IF) 输入范围和 81 GHz 至 86 GHz 的射频 (RF) 输出范围之间工作。该套件使用由 6× 本地振荡器 (LO) 倍频器驱动的镜像抑制混频器。混频器输出后接可变增益放大器 (VGA) 和功率放大器 (PA)，提供 33 dB（典型值）的转换增益。提供差分 I 和 Q 混频器输入，并可通过适用于直接转换应用的差分 I 和 Q 基带波形进行驱动。或者，可以针对单端应用使用一个外部 90° 混合和两个外部 180 混合来驱动输入。ADMV7320 采用完全集成的表面安装 50 端子 16.00 mm × 14.00 mm 芯片阵列小外形无铅腔面 (LGA_CAV) 封装。ADMV7320 的工作温度范围为 −40°C 至 +85°C。特点• 最大转换增益：33 dB（典型值）• 增益调节范围：40 dB（最小值）• PSAT：增益 = 23.5 dB 和 19.5 dB 时为 26 dBm（典型值）• OIP3：增益 = 23.5 dB 且每个信号音的 POUT = 16.5 dBm 时为 31 dBm（典型值）• OP1dB：增益 = 23.5 dB 和 19.5 dB 时为 25 dBm（典型值）• 内置功率检波器• 用于 LO 调零的内置包络检波器• 完全集成的表面安装 50 端子 16.00 mm × 14.00 mm LGA_CAV 封装
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2024/4/2 17:20:24
HMC220B是一款超小型、双平衡混频器，采用带裸焊盘（MINI_SO_EP）的 8 引脚微型小型封装。此基本的单片微波集成电路混频器由砷化镓（GaAs）肖特基二极管和片内平面变压器巴伦组成。该设备可用作 5 GHz 至 12 GHz 的上变频器、下变频器、双相解调器或相位比较器。由于优化的巴伦结构，HMC220B 提供了出色的本地振荡器（LO）到射频（RF）以及 LO 到中频（IF）的隔离，并且在低至 7 dBm 下工作。符合 RoHS 指令的 HMC220B 消除了对线焊的需求，并与大批量表面贴装制造技术兼容。特点• 低转换损耗：9 dB• 无需直流偏置和外部匹配• 上转换和下转换的理想选择• 宽带中频范围：直流至 4 GHz• 超小型封装：8 引脚 MINI_SO_EP
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2024/4/2 17:02:18
ADMV7310 是一款完全集成的系统级封装 (SiP) 同相/正交 (I/Q) 升频器，可在直流至 2 GHz 的中频 (IF) 输入范围和 71 GHz 至 76 GHz 的射频 (RF) 输出范围之间工作。该套件使用由 6× 本地振荡器 (LO) 倍频器驱动的镜像抑制混频器。混频器输出后接可变增益放大器 (VGA) 和功率放大器 (PA)，提供 35 dB（典型值）的转换增益。提供差分 I 和 Q 混频器输入，并可通过适用于直接转换应用的差分 I 和 Q 基带波形进行驱动。或者，可以针对单端应用使用一个外部 90° 混合和两个外部 180° 混合来驱动输入。ADMV7310 采用完全集成的表面安装 50 端子 16.00 mm × 14.00 mm 芯片阵列小外形无铅腔面 (LGA_CAV) 封装。ADMV7310 的工作温度范围为 −40°C 至 +85°C。特点• 最大转换增益：35 dB（典型值）• 增益调节范围：40 dB（最小值）• PSAT：增益 = 23.5 dB 和 19.5 dB 时为 26 dBm（典型值）• OIP3：增益 = 23.5 dB 且每个信号音的 POUT = 16.5 dBm 时为 31 dBm（典型值）• OP1dB：增益 = 23.5 dB 和 19.5 dB 时为 25 dBm（典型值）• 内置功率检波器• 用于 LO 调零的内置包络检波器• 完全集成的表面安装 50 端子 16.00 mm × 14.00 mm LGA_CAV 封装
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2024/4/2 17:01:01
HMC521ALC4是一款紧凑型、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、同相正交(I/Q)混频器，采用符合RoHS标准的24引脚陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器使用两个标准、双平衡混频器单元和一个90°混合耦合器，均采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺。低频正交混合器件用于产生100 MHz中频(IF)输出。该器件为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。HMC521ALC4无需线焊，可以使用表贴制造技术。特点• 下变频器，8.5 GHz至13.5 GHz• 转换损耗：9 dB（典型值）• 镜像抑制：27.5 dBc（典型值）• LO至RF隔离：39 dB（典型值）• 输入IP3：16 dBm（典型值）• 宽IF带宽：DC至3.5 GHz• 3.9 mm × 3.9 mm、24引脚LCC封装：16 mm²特点• 微波和甚小孔径终端(VSAT)无线电• 测试设备• 军事电子战(EW)、电子对抗(ECM)、以及指挥、控制、通信和情报(C3I)
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2024/4/2 16:58:07
ADRF6650是一款高度集成的下变频器，集成了双混频器、双数字交换衰减器、双数字可变增益放大器、锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO)。此外，ADRF6650还集成了两个射频(RF)巴伦、串行增益控制(SGC)控制器和快速启用输入以实现分时双工(TDD)运行。片内RF巴伦可使ADRF6650支持50 Ω 端接RF输入。集成式无源混频器可为200 MHz滑动中频(IF)窗口提供高度线性下变频。ADRF6650使用宽带方波限制本振器(LO)放大器实现450 MHz至2700 MHz的RF带宽。与传统窄带正弦波LO放大器解决方案不同，此放大器允许在极宽的带宽范围内在高于或低于RF输入的条件下应用LO。ADRF6650提供两种生成差分LO输入信号的方法：通过具有低相位噪声VCO的片内小数N分频频率合成器在内部生成，或通过低相位噪声LO信号在外部生成。集成PLL/VCO的连续LO覆盖范围为450 MHz至2900 MHz。PLL基准输入支持很宽的频率范围，并且在相位频率检测器(PFD)之前有一个集成的基准分频器。ADRF6650通过高级硅锗(SiGe)双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)工艺制成。它采用符合RoHS标准的56引脚8 mm × 8 mm引脚架构芯片级封装(LFCSP)，带有裸露焊盘。性能规定在 −40°C至 +105°C最高焊盘温度范围内。特点• 配备集成小数 N PLL/VCO 的双路下变频器• RF：450 MHz 至 2700 MHz（连续）• LO 频率：450 MHz 至 2900 MHz，高端或低端注入• 43 dB 增益控制范围• 升频/降频和 SPI 增益控制• 集成式 RF 平衡不平衡转换器适用于单端 50 Ω 输入• 电源：3.3 和 5 V• 8 mm × 8 mm 56 引脚 LFCSP 封装
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2024/4/2 16:31:57
HMC977LP4E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益、2.7 dB的噪声系数和21 dBc的镜像抑制性能。 HMC977LP4E采用LNA，后接由有源x2倍频器驱动的镜像抑制混频器。 该镜像抑制混频器使得LNA之后无需使用滤波器，并可消除镜像频率下的热噪声。 它具有I和Q混频器输出，所需外部90°混合型器件用于选择所需边带。 HMC977LP4E是混合型镜像抑制混频器下变频器组件的小型替代器件，兼容表贴制造技术。特点• 转换增益：14 dB（典型值）• 镜像抑制：典型值21 dBc（20 GHz至26.5 GHz时）• 2× LO至RF隔离：45 dB（典型值，20 GHz至26.5 GHz时）• 噪声系数：2.5 dB（典型值，20 GHz至26.5 GHz时）• 输入IP3：1 dBm（典型值，20 GHz至26.5 GHz时）• LO驱动范围：2 dBm至6 dBm• 24引脚4 mm x 4 mm LFCSP封装
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2024/4/2 16:25:43
HMC553ACHIPS 是一款通用型双平衡单片微波集成电路 (MMIC) 混频器，可用作频率介于 6 GHz 和 14 GHz 之间的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓 (GaAs) 金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制成，不需要外部组件或匹配电路。凭借经优化的平衡/不平衡转换器结构，HMC553ACHIPS 可提供高本地振荡器 (LO) 到 RF 和 LO 到中频 (IF) 抑制（分别低至 32 dB 和 28 dB）。此混频器可在 9 dBm 至 15 dBm 的 LO 驱动电平下工作。特点• 无源：不需要直流偏置• 转换损耗：10 dB（最大值）• 高达 21 dBm（典型值）的输入 IP3• LO 到 RF 隔离：37 dB（典型值）• 宽 IF 带宽：直流至 5 GHz• 符合 RoHS 标准的 7 焊盘 0.950 mm × 0.750 mm 裸片应用• 微波和甚小孔径终端 (VSAT) 射频• 测试设备• 点对点无线电• 军事电子战 (EW)、电子对抗 (ECM) 以及指挥、控制、通信和情报 (C3I)
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2024/4/2 16:20:23
ADAR2004是一款4通道接收器IC，针对毫米波人体扫描应用进行了优化。ADAR2004接受10 GHz至40 GHz的差分输入信号，提供高达800 MHz的低中频(IF)输出。每个接收通道还具有独立的增益控制。混频器本机振荡器(LO)路径包括一个4×倍频器，该倍频器要求施加的LO频率在2.4 GHz到10.1 GHz之间。4×倍频器模块包括一个可编程滤波器，可在到达混频器前帮助降低谐波。包括两个可编程状态机，便于简化配置，并控制和快速切换倍频器、滤波器和接收器部分。这些时序控制器通过串行外围设备接口(SPI)编程，然后由脉冲输入（复位和推进）操控。ADAR2004仅需一个2.5 V电源，在打开一个通道的情况下功耗为910 mW。ADAR2004采用7 × 7 mm、48引脚LGA封装，工作温度范围为-40°C至+85°C。特点• 四通道 LNA， 混频器，IF VGA• 4x LO 乘法器（带可编程谐波滤波器）• RF 输入频率范围：10 GHz 至 40 GHz• IF 输出频率范围：0 MHz 至 800 MHz• LO 输入频率范围：2.4 GHz 至 10.1 GHz• 增益范围：21 dB 至 41 dB• 输入 P1dB：−20 dBm 典型值（最小增益时）• 噪声指数：9 dB 典型值（最大增益时）• 3 线或 4 线 SPI 控制• 通过片内可编程状态机实现快速乘法器/滤波器和接收器的切换和控制• 片内温度传感器和 ADC• 直流功率：910 mW（2.5 V 电源）• 48 端子 7 mm × 7 mm LGA 封装
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2024/4/2 16:18:39
HMC560A 芯片是砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、双平衡混频器，可以在较小的芯片面积内用作 24 GHz至38 GHz 的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。HMC560采用经过优化的巴伦结构，提供出色的本振(LO)至RF及 LO至中频(IF)抑制性能，分别为40 dB和44 dB。混频器的LO幅度为9 dBm至15 dBm。特点下变频器• 转换损耗• 24 GHz 至 29 GHz 时为 9 dB（典型值）• 29 GHz 至 38 GHz 时为 11 dB（典型值）• LO 到 RF 隔离• 24 GHz 至 29 GHz 时为 40 dB（典型值）• 29 GHz 至 38 GHz 时为 38 dB（典型值）• LO 到 IF 隔离• 24 GHz 至 29 GHz 时为 27 dB（典型值）• 29 GHz 至 38 GHz 时为 44 dB（典型值）• RF 到 IF 隔离• 24 GHz 至 29 GHz 时为 20 dB（典型值）• 29 GHz 至 38 GHz 时为 28 dB（典型值）• 输入 IP3• 24 GHz 至 29 GHz 时为 18 dBm（典型值）• 29 GHz 至 38 GHz 时为 19 dBm（典型值）• IF 带宽：直流至 18 GHz• 无源，不需要直流偏置
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2024/4/2 16:13:12
HMC525ACHIPS是一款紧凑型砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)同相/正交(I/Q)混频器，符合RoHS标准。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器使用两个标准双平衡混频器单元和一个90°混合器件，均采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺。HMC525ACHIPS是混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。HMC525ACHIPS无需线焊，可以使用表贴制造技术。特点• 无源：不需要直流偏置• 转换损耗：最大 11 dB（下变频器）• 输入 IP3：最小 17 dB（下变频器）• LO 到 RF 隔离：43 dB（最小值）• IF 焊盘频率范围：直流至 3.5 GHz• 符合 RoHS 标准的 12 焊盘裸片 (CHIP)
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2024/4/2 16:09:39
ADMV1139A是一款硅绝缘体（SOI）、微波、上变频器和下变频器，专为在37 GHz至50 GHz频率范围内工作的5G无线电设计而优化。上变频器和下变频器都提供两种频率转换模式。一种模式是从复杂中频（IF）信号转换和/或转换为复杂中频信号，然后通过可选的片上90°IF混合，称为IF模式。另一种模式是从差分基带同相/正交（I/Q）输入和输出的直接转换，称为基带模式。I/Q基带输出共模电压可在0.7 V和1.5 V之间编程。当该设备被用作图像抑制下变频器时，在校准之前，不需要的图像项通常被抑制到26dBc。ADMV1139A提供平方律功率检测器，以允许监测下变频器的混频器输入处的功率电平。射频接收输入、射频发射输出和本振（LO）接口均为单端，匹配50Ω。片上射频开关提供了将发射和接收射频端口组合在一起的选项，用于时分双工（TDD）应用。串行端口接口（SPI）提供LO链I/Q相位的调整，以实现最佳边带抑制。此外，SPI允许在不需要载波馈通优化时关闭输出包络检测器以降低功耗。ADMV1139A上变频器和下变频器安装在一个紧凑的、热增强的、6毫米×6.5毫米的球栅阵列（BGA）封装中。这种BGA封装能够使ADMV1139A从封装的顶部散热，以实现最有效的散热。ADMV1139A在−40°C至+95°C TC范围内工作。特点•将上变频器（发射机）、下变频器（接收机）和LO链与4×乘法器集成在一个芯片中•射频频率范围：37 GHz至50 GHz•发射器和接收器之间的可选片上射频开关端口•LO输入频率范围：7.25 GHz至12.05 GHz•上变频器和下变频器的两种操作模式•差分基带I/Q的直接转换（基带模式）•复杂的中频操作，可选片上混合（中频模式）•可编程基带输出共模电压，在接收模式下为0.7 V至1.5 V，通过SPI或物理引脚...
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2024/4/2 16:06:42
ADMV1530是一款通用的双平衡混频器，采用无障碍、符合RoHS标准的表面贴装技术（SMT）封装，可用作5 GHz至30 GHz之间的上变频器或下变频器。中频（IF）端口具有从0 GHz到10 GHz的宽带宽，可实现灵活的频率规划，避免产生杂散产品。该混频器采用砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC）工艺制造，不需要外部组件或匹配电路。由于优化了巴伦结构，ADMV1530提供了极好的本地振荡器（LO）到RF和LO到IF抑制。混频器以19dBm的典型LO幅度工作。RoHS-compliantADMV1530消除了引线接合的需要，允许使用表面安装制造技术。ADMV1530采用紧凑型4毫米×4毫米18端接地栅格阵列（LGA）封装，可在−40°Cto+85°C的温度范围内工作。特点•转换损耗（下变频器）：15 GHz至30 GHz时的典型损耗为7 dB•输入IP3（下变频器）：27 dBm，典型频率为15 GHz至30 GHz•输入IP2（上变频器）：50 dBm，典型频率为15 GHz至30 GHz•输入1 dB压缩点（下变频器）：典型值为17 dBm•LO至RF隔离：典型值为40 dB•LO到IF隔离：在15 GHz到30 GHz时典型为50 dB•射频到中频隔离：在15 GHz到30 GHz时典型为25 dB•18端子，符合RoHS标准，4 mm×4 mm LGA封装
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2024/4/2 16:04:58
ADMV1550是一款通用型双平衡混频器，采用无铅RoHS兼容型表贴技术(SMT)封装，可用作15 GHz至65 GHz范围内的上变频器或下变频器。中频(IF)端口上具有DC至20 GHz的宽带宽，可进行灵活的频率规划以免出现杂散产物。该混频器采用砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。ADMV1550采用经过优化的巴伦结构，提供出色的本振(LO)至射频(RF)及LO至IF抑制性能。该混频器采用15 dBm（典型值）的LO幅度运行。符合RoHS标准的ADMV1550无需线焊，可使用表贴制造技术。ADMV1550采用紧凑型4 mm × 4 mm、18引脚基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+85°C。特点• 转换损耗：8 dB（典型值，15 GHz至50 GHz时）• 输入IP3（下变频器）：20 dBm（典型值，15 GHz至50 GHz时）• 输入IP2（下变频器）：40 dBm（典型值，15 GHz至50 GHz时）• 输入P1dB（上变频器）：11 dBm（典型值）• LO至RF隔离：35 dB（典型值）• LO至IF隔离：35 dB（典型值）• RF至IF隔离：45 dB（典型值，15 GHz至50 GHz时）• 符合RoHS标准的18引脚、4 mm × 4 mm LGA封装应用• 微波和小型卫星地面站(VSAT)无线电• 测试设备• 军事电子战(EW)• 电子对抗(ECM)• 指挥、控制、通信和情报
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2024/4/2 16:00:07
ADMFM2000是一款双通道微波下变频器，封装系统（SiP）模块，输入射频和本地振荡器（LO）频率范围为5 GHz至32 GHz，输出中频（IF）频率范围从0.5 GHz至8GHz。一个公共LO输入信号被分割以馈送两个分离的缓冲放大器以驱动每个通道中的混频器。每个下变频路径由LNA、混频器、IF滤波器、数字步进衰减器（DSA）和IF放大器组成。ADMFM2000采用表面安装和裸模组件相结合的方式制造，具有精确的增益调节功能和低失真性能。ADMFM2000采用紧凑型屏蔽20.00 mm×14.00 mm、179球芯片级封装球栅阵列[CSP_BGA]，可在−40°C至+85°C的温度范围内工作。特点•双通道，0.5 GHz至32 GHz接收器•集成LNA•集成下变频混频器•混合器旁路集成开关•集成中频LPF:8 GHz带宽•集成DSA•衰减范围：31 dB，步长为1 dB•单个普通LO输入•50Ω匹配输入和输出•20.00 mm×14.00 mm，179球CSP_BGA
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2024/4/2 15:56:30
2024 年 3 月 26 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布率先在业内推出基于内部自研CPU内核构建的通用32位RISC-V微控制器（MCU）——R9A02G021。尽管多家MCU供应商最近加入了投资联盟以推动RISC-V产品的开发，但瑞萨已独立设计并测试了一款全新RISC-V内核——该内核现已在商用产品中实现应用，并可在全球范围内销售。全新的R9A02G021 MCU产品群为嵌入式系统设计人员提供了一条清晰的路径，让他们能够基于开源指令集架构（ISA）开发各种功耗敏感及成本敏感型应用。虽然当今的RISC-V解决方案大多针对特定应用，而R9A02G021产品群MCU则面向多个终端市场而设计，包括物联网、消费电子产品、医疗设备、小家电和工业系统等。与现有通用MCU类似，设计人员可以充分利用瑞萨及其广泛工具链合作伙伴网络为R9A02G021搭建的全面开发环境，从而使他们能够显著降低成本、节省工程资源，并缩短开发时间。Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing 1st Business Division at Renesas表示：“从我们的RISC-V专用ASSP到此款新型通用MCU，我们的目标是为客户提供商业上可行的产品，使其能够快速投入量产，同时展示RISC-V架构的优势。此外，客户经常面对复杂的设计挑战和权衡，如性能、功耗、内存或CPU架构的取舍。全新RISC-V MCU为希望采用开放式架构的客户，带来更多选择。”作为早期采用RISC-V的供应商，瑞萨拥有丰富的RISC-V特定应用产品，包括32位语音控制和电机控制ASSP产品，以及基于Andes Technology CPU内核的RZ/Five 64位通用微处理器（MPU）。R9A02G021产品群作为基于瑞萨自研RISC-V内核的第一代通...
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2024/4/2 10:57:48
这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷，兼备很低的能量损耗和优异的开关性能，同时，品质因数成为新的市场标杆。与上一代产品相比，意法半导体最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通和关断损耗更低。该系列提供各种通孔和表面贴装封装，帮助设计人员实现紧凑的外形尺寸、高功率密度和系统可靠性。TO-247 LL（长引线）是一种深受市场欢迎的通孔封装，可以简化器件在设计中的集成，并沿用成熟的封装工艺。在表面贴装封装中，H2PAK-2（2 引线）和 H2PAK-7（7 引线）适用于有散热基板的底部散热设计或有热通孔或其他增强散热功能的 PCB板。两款新产品还提供 HU3PAK和ACEPACK™ SMIT顶部散热表面贴装封装。STPOWER MDmesh DM9 AG系列的第一款产品STH60N099DM9-2AG，是一款采用H2PAK-2封装符合 AEC-Q101标准的 27A N沟道 600V 器件，典型导通电阻 RDS(on) 为 76mΩ。 意法半导体将扩大该产品系列，提供型号齐全的产品，涵盖更宽的额定电流范围和 23mΩ 到 150mΩ 的 导通电阻RDS(on)。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/4/2 10:55:59
全球半导体产业发展在2023年经历了较大波动。Omdia最新的行业报告显示，半导体行业的收入从2022年的5977亿美元下降到2023年的5448亿美元，下降9%。在经历了两年创纪录的增长之后，这一降幅突显出半导体市场的周期性。“先前半导体需求激增，导致市场短缺，但情况发生了逆转。由于宏观经济因素，需求有所减弱，而半导体元件供应有所增加，”Omdia高级研究分析师Cliff Leimbach评论道。2023年，尽管半导体行业整体低迷，人工智能却成为该行业的重要增长动力，专注于该领域的公司从中受益。英伟达是这一领域明显的赢家，其半导体收入从2022年增加了一倍多，到2023年达到490亿美元。英伟达的发展轨迹凸显了这一成就，因为2019年其半导体收入还不到100亿美元。值得注意的是，英伟达并不是唯一受益于这一趋势的公司。2023年，汽车领域在半导体市场的影响力更大，收入增长超过15%，超过750亿美元。电动汽车的增加以及汽车智能化的融合正在推动该领域对半导体的需求，约占整个半导体市场的14%。“英伟达半导体收入的快速增长使其在2023年成为收入第二大的半导体公司，仅次于英特尔。三星是2022年的行业领导者，但由于其内存收入比2021年下降了近一半，到2023年跌至第三位。”Leimbach补充道。经济低迷对主要内存制造商的影响尤为明显，按营收计算，这些制造商传统上都是排名前几位的半导体公司。此前，从2017年到2021年，三星电子、SK海力士、美光科技的销售额都排在前5位。但是，在存储器市场严峻的情况下，到2023年，三星电子排在第3位，SK海力士排在第6位，美光科技排在第12位。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/4/2 10:51:23
成均馆大学化学工程学院教授权锡俊在参加韩国投资信托管理公司主办的2024年ACE半导体新闻发布会时表示，「AI半导体一词被广泛用来指代用于各种用途的芯片，例如学习、推理、创建、终端、服务器和云使用。随着市场多元化，英伟达和HBM的垄断结构可能会被打破。」权锡俊教授预测，由于不可能有一种通用芯片能够满足人工智能的所有不同应用，因此对包括DRAM在内的各种产品的需求将会增加。他提到，「三星电子和Naver宣布的「Mach 1」人工智能芯片不采用 HBM，而是使用低功耗 LPDDR5内存。与 HBM相比，LPDDR5的带宽较低，但价格更便宜且功耗更低，随着此类模型的出现，这可能会导致AI芯片的多样化。」预计今年内存业务将有所改善，三星电子由于其早期投资，有望从DRAM中获得可观的收益。「随着兴趣从HBM转移，HBM和DRAM之间的价格差距从5-6倍缩小到2-3倍，生产稳定产量的DRAM可能会变得有利。三星电子作为HBM的后来者，也可能会与AMD等公司进行战略合作。」权锡俊教授补充道。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/4/2 10:50:49