IPP-5014 是一种单端阻抗变压器，主要用于连接不同阻抗的输电线路，其工作频率范围为 30 – 1000 MHz（0.03 至 1 GHz），平均功率为 100 瓦。IPP-5014将阻抗从J1的50欧姆转换为J2的12.5欧姆。其插入损耗在30至50 MHz范围内小于0.75 dB，在50至1000 MHz范围内小于0.60 dB。它的VSWR低于1.43：1。它的常见应用主要为天线驱动器、业余无线电、商业和军用应用。规格信息：动力:100VSWR Max:1.43:1插入损耗:30-50 MHz < 0.75,50-1000 MHz < 0.60 dB阻抗 J1，J2:J1：50，J2：12.5包装尺寸:1.00 x 0.55包装风格:SMD出口分类:EAR99
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2026/5/22 9:40:14
IPP-5027 是一种单端阻抗变压器，其工作频率范围为 30 至 1000 MHz（0.03 至 1 GHz），变换比为 4：1，平均功率额定为 25 瓦。IPP-5027将阻抗从J1的50欧姆转换为J2的12.5欧姆。插入损耗从30-50 MHz小于0.75 dB，从50-1000 MHz到0.60 dB。其主线VSWR低于1.45：1。常见应用于天线驱动器、业余无线电、商业和军用应用中，主要用于连接不同阻抗的输电线路。IPP-5027规格参数频率（MHz）:30-1000动力:25VSWR Max:1.45:1插入损耗:30-50 MHz < 0.75,50-1000 MHz < 0.60 dB阻抗 J1，J2:J1：50，J2：12.5包装尺寸:0.57 x 0.51出口分类:EAR99包装风格:SMD
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2026/5/22 9:39:05
IPP的表面贴装单端阻抗变压器系列专为商业、工业和军事应用设计。这些是离散元件，为空间有限、阻抗匹配难度设计提供了小型、可选择放置的解决方案。单端变压器用于连接不同阻抗的输电线路。频率范围主要为20-2500 MHz。其中，IPP-5021 是一款单端阻抗变压器，工作频率范围为 20 – 1000 MHz（0.02 到 1 GHz），平均功率为 100 瓦。IPP-5021将阻抗从J1的50欧姆转换为J2的12.5欧姆。其插入损耗在20至30 MHz频段小于0.95 dB，30至50 MHz频段小于0.80 dB，50至1000 MHz频段小于0.65 dB。它的VSWR低于1.43：1。规格参数动力:100VSWR Max:1.43:1插入损耗:50 – 1000 MHz 为 0.65 dB，30 – 50 MHz 为 0.80 dB，20 – 30 MHz 为 0.95 dB阻抗 J1，J2:J1：50，J2：12.5包装尺寸:1.00 x 0.55包装风格:SMD出口分类:EAR99
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2026/5/21 14:11:04
IPP-5020 是一款单端阻抗变压器，工作频率范围为 20 – 1000 MHz（0.02 至 1 GHz），平均功率为 25 瓦。IPP-5020将阻抗从J1的50欧姆转换为J2的25欧姆。其插入损耗小于0.50 dB。它的VSWR低于1.4：1。单端变压器用于连接不同阻抗的输电线路。IPP为天线驱动器、业余无线电、商业和军用应用提供单端阻抗变压器，频率范围为20-2500 MHz。数据详情信息：动力:25VSWR Max:1.40:1插入损耗:0.5阻抗 J1，J2:J1：50，J2：25包装尺寸:1.25 x 0.6包装风格:SMD出口分类:EAR99
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2026/5/21 14:05:49
ADP5300是一款高效、超低静态电流降压稳压器，仅消耗180 nA静态电流来调节输出。其降压调节器操作模式如下所示：PWM模式在PWM模式下，ADP5300中的降压调节器以由内部振荡器设置的固定频率运行。在每个振荡器周期开始时，高侧MOSFET开关接通，并在电感器两端发送正电压。电感器电流增加，直到电流感测信号超过峰值电感器电流阈值，从而关断高侧MOSFET开关。该阈值由误差放大器输出设置。在高侧MOSFET关断时间期间，电感器电流通过低侧MOSFET减小，直到下一个振荡器时钟脉冲开始新的周期。滞后模式在滞后模式下，ADP5300中的降压调节器通过调节恒定的峰值电感器电流，用PWM脉冲对略高于其标称输出电压的输出电压进行充电。当输出电压增加直到输出感测信号超过滞后上限阈值时，调节器进入待机模式。在待机模式下，高侧和低侧MOSFET以及大部分电路被禁用，以实现低静态电流和高效率性能。在待机模式下，输出电容器向负载提供能量，输出电压降低，直到低于磁滞比较器的下限阈值。降压调节器唤醒并产生PWM脉冲以再次对输出充电。由于输出电压偶尔会进入待机模式然后恢复，因此滞后模式下的输出电压纹波大于PWM模式下的纹波。模式选择ADP5300包括SYNC/MODE引脚，允许在滞后模式或PWM模式下进行灵活配置。当SYNC/MODE引脚被施加逻辑高电平时，降压调节器被迫在PWM模式下运行。在PWM模式下，调节器可以提供高达500mA的输出电流。该稳压器可以在PWM模式下提供较低的输出纹波和输出噪声，这对噪声敏感的应用非常有用。当SYNC/MODE引脚被施加逻辑低电平时，降压调节器被迫在滞后模式下运行。在滞后模式下，调节器仅消耗180nA的静态电流，这是在零负载下调节输出的典型电流，这使得调节器可以在电池供电系统中充当保活电源。在滞后模式下，调节器提供高达50mA的输出电流，与PWM模式相比，输...
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2026/5/21 13:52:42
ADP5300是一款高效、超低静态电流降压稳压器，仅消耗180 nA静态电流来调节输出。ADP5300的输入电源电压范围为2.15 V至6.50 V，允许使用多种碱性或镍氢电池、锂离子电池或其他电源。输出电压可通过外部VID电阻器和工厂保险丝在0.8 V至5.0 V之间选择。整个解决方案只需要四个微小的外部组件。ADP5300可以通过SYNC/mode引脚在滞后模式和脉宽调制（PWM）模式之间运行。滞后模式下的调节器在小于1mW的功率下实现了出色的效率，并提供高达50mA的输出电流。PWM模式下的调节器产生较低的输出纹波，并提供高达500mA的输出电流。设备运行期间的灵活配置能力实现了非常高效的电源管理，以满足最长的电池寿命和低系统噪声要求。ADP5300包含一个VOUTOK标志，该标志监测输出电压，并在PWM模式下以2 MHz的开关频率运行。SYNC/MODE可以与1.5 MHz至2.5 MHz的外部时钟同步。ADP5300包括一个STOP引脚，可以暂时禁用调节器开关，这样可以实现安静的系统环境，从而有利于噪声敏感电路，如数据转换、RF数据传输和模拟感测。ADP5300的其他关键功能包括单独的启用、QOD和安全功能，如过电流保护（OCP）、热关断（TSD）和输入欠压锁定（UVLO）。ADP5300提供10引脚、3 mm×3 mm LFCSP，额定工作温度范围为-40°C至+125°C。特性输入电源电压范围：2.15 V至6.50 V工作电压低至2.00 V超低180 nA静态电流可选输出电压为0.8 V至5.0 VPWM模式下全温度范围内输出精度为±1.5%可选择磁滞模式或PWM操作模式输出电流滞后模式下高达50mAPWM模式下高达500mAVOUTOK标志监测输出电压超快停止切换控制100%占空比运行模式PWM模式下的典型开关频率...
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2026/5/21 13:48:08
ADP7105是一款CMOS低压差（LDO）线性稳压器，工作电压为3.3V至20V，可提供高达500mA的输出电流。这种高输入电压LDO非常适合调节从1.22V到19V轨道运行的高性能模拟和混合信号电路。ADP7105采用专有架构，提供高电源抑制和低噪声，并实现了出色的线路和负载瞬态响应。限流和热过载保护ADP7105受到电流和热过载保护电路的保护，不会因过度功耗而损坏。ADP7105的设计目的是在输出负载达到775mA（典型值）时限制电流。当输出负载超过775mA时，输出电压降低以保持恒定的电流限制。随着输出电压的下降，电流被折回到大约50mA，以尽量减少LDO稳压器内部的热量产生。包括热过载保护，将结温限制在最高150°C（典型）。在极端条件下（即高环境温度和/或高功耗），当结温开始升至150°C以上时，输出关闭，输出电流降至零。当结温降至135°C以下时，输出再次打开，输出电流恢复到其工作值。考虑从VOUT到地发生硬短路的情况。起初，ADP7105限制了电流，因此只有775mA的电流被传导到短路中。如果结的自热足够大，导致其温度升高到150°C以上，则激活热关断，关闭输出并将输出电流降至零。当结温冷却并降至135°C以下时，输出打开并传导775mA至短路，再次导致结温升至150°C以上。135°C和150°C之间的这种热振荡会导致775 mA和0 mA之间的电流振荡，只要输出端仍然存在短路，这种振荡就会持续下去。电流限制和热限制保护旨在保护设备免受意外过载情况的影响。为了可靠运行，必须从外部限制器件功耗，使结温不超过125°C。
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2026/5/21 11:56:39
Vishay 推出了两款新型汽车级光耦合器，采用宽体封装，采用宽体封装，比较跟踪指数（CTI）为600。Vishay VOWA618A VOWA617A半导体设计用于电动汽车（EV）和太阳能逆变器实现高隔离信号，提供1500伏峰值V的VIORM，1060V有效方距的V外侧空间，以及≥11毫米的外部渐变和间隙距离。≥AEC-Q102认证设备在同级中提供了最高的爬行距离，安全裕度比典型8毫米解决方案高出38%，非常适合电网连接的车载充电器（OBC）、直流/直流转换器和电池管理系统（BMS）隔离级。在这些高压应用中，它们超越了增强绝缘的需求，将高V的IORM和VIOWM（分别比竞争对手提升6%和19%）结合，隔离电压为5300V RMS，V IOTM峰值为8000V。光耦合器每个由一个红外发射二极管组成，光耦合到宽体SMD-8封装中的硅平面光电晶体管探测器。标准方案通常提供175的CTI，而VOWA617A和VOWA618A的600 CTI则赋予其材料组1等级，即最高的绝缘组。此外，其80伏集电极-发射极电压额定提供了更多设计灵活性。与通常工作温度达到+85°C的消费级解决方案相比，光耦合器的工作温度范围更宽，范围从-40°C到+125°C，接点温度可达+145°C。符合RoHS标准、无卤素且采用Vishay Green标准，这些器件在VOWA617A端5毫安和VOWA618A端1毫安的低输入电流下，电流传输比（CTR）范围从50%到600%。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/21 11:44:39
CMPA1C1D080F是一款封装的90 W HPA功率放大器，采用高性能0.25 um GaN on SiC生产工艺。CMPA1C1D080F的工作频率范围为12.75-13.25 GHz，以卫星通信为目标，在20 W的总输出功率下提供-30 dBc的三阶互调性能。为了实现卓越的热管理，HPA采用螺栓固定法兰包装。特性•90 W典型PSAT•典型功率附加效率>21%•25 dB小信号增益•-30 dBc IM3时总输出功率为20 W•工作电压高达40V应用•卫星通信上行链路CMPA1C1D080F功率放大器引脚配置信息
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2026/5/20 11:34:21
MAAM-0072720-0CA515（A515）连接器化射频放大器是一种离散混合设计，它使用薄膜制造工艺来实现精确的性能和高可靠性。这种2级双极晶体管反馈放大器设计在宽带频率范围内显示出令人印象深刻的性能特征。有源直流偏置网络确保了温度稳定的性能。TO-8和表面安装封装都是密封的，并且可以进行MIL-STD-883环境屏蔽。具备的典型特征：高增益：27.5 dB（典型）低噪音：3.5 dB（典型）高输出功率：+22 dBm（典型）绝对最大额定值不同封装样式图
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2026/5/20 11:29:31
GTRB384608FC是一款400 W（P3dB）GaN on SiC放大器，专为多标准蜂窝功率放大器应用而设计。它具有高效率和无凸缘的热增强封装。具备的特征：•GaN on SiC技术•典型脉冲连续波性能，3500 MHz，48 V，10µs脉冲宽度，10%占空比，组合输出-P3dB=400 W时的输出功率-P3dB时的效率=69%•人体模型1C级（根据ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）•符合无铅RoHS*标准常见应用：•蜂窝电源GTRB384608FC放大器引脚配置信息
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2026/5/20 11:23:33
MAAP-010169是一款专为宽带高功率应用设计的两级MMIC功率放大器。它既可以用作驱动器，也可以用作输出级放大器。该设备的输入和输出完全匹配到50Ω 这消除了任何敏感的外部RF调谐组件。该设备采用无铅10引脚法兰封装，用于大批量制造。MAAP-010169采用高可靠性pHEMT工艺制造，以实现良好的功率附加效率和增益。pHEMT工艺具有完全钝化的特点，可实现高性能和可靠性。特征+41 dBm饱和输出功率线性增益：18 dB功率附加效率：PSAT时为30%50 Ω 输入/输出匹配陶瓷法兰安装组件符合RoHS*标准，260°C回流兼容操作MAAP-010169MAAP-010169对静电敏感。请小心处理。要操作设备，请执行以下步骤。以相反的顺序下降或关闭（栅极偏压先打开，最后关闭）。所有VGG引脚应始终施加相同的电压。1.施加VGG（-1.5 V）。2.施加VDD（典型值为10V）。3.通过调整VGG设置IDQ。4.申请RFIN。静态灵敏度砷化镓集成电路对静电放电（ESD）很敏感，可能会被静电损坏。在处理这些设备时，应使用适当的ESD控制技术。引脚配置信息
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2026/5/20 11:11:18
MZ7407是一款双平衡混频器，专为军事、商业和测试设备应用而设计。该设计利用肖特基环形四元二极管和宽带软介质和铁氧体平衡-不平衡转换器来获得优异的性能。该混频器也可用作相位检测器和/或双相调制器，因为中频端口与二极管直流耦合。内部使用的高温焊料和焊接装配工艺使其非常适合手动、半自动装配。具备的特征：LO 3.5至18 GHz射频6至18 GHz中频直流至3 GHzLO驱动：+7 dBm（标称）微型包装宽带宽配备可现场更换的连接器MZ7407双平衡混频器不同封装的尺寸图
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2026/5/20 10:35:22
A6011射频放大器是一种离散混合设计，它使用薄膜制造工艺来实现精确的性能和高可靠性。这种单级GaAs FET反馈放大器设计在宽带频率范围内显示出令人印象深刻的性能特征。射频扼流圈用于直流电源去耦。TO-8和表面贴装封装都是密封的，并且可以根据MIL-STD-883进行环境屏蔽。特性低噪声系数：1.5 dB中等输出功率：+18dBm高效率：+5 VDC时为58 mApHEMT放大器详细型号及封装类型A6011射频放大器不同封装下的外形图
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2026/5/20 10:26:25
FDZ5013是一款无源桥式二极管倍频器，专为军事、商业和测试设备应用而设计。该设计利用肖特基桥四元二极管和宽带软电介质和/或铁氧体平衡-不平衡转换器来获得优异的性能。内部使用的高温焊料组装工艺使其成为手动和半自动组装的理想选择。具备的特征：•输入3至12 GHz•输出6至24 GHz•输入驱动电平+13dBm（标称）•密封包装外形图：SMA连接*
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2026/5/20 10:19:07
TDK推出FS3303是其微型POL家族超紧凑、非隔离的直流直流功率模块重大扩展的首款产品，适用于AI边缘系统及其他空间受限设计中的光模块。尽管体积仅为2.5 x 2.5毫米，高度仅1.2毫米，FS3303仍能在环境温度最高+90°C（降低后可达+125°C）下提供3安培电流，峰值效率约为95%。超紧凑型微型POL模块FS3303在2.5×2.5毫米的占地内提供3安培，仅1.2毫米高，支持光模块和AI边缘系统的高密度功率在+90°C以下（降额时为+125°C）时，高效率可达95%，支持ASIC、SoC、DSP和AI芯片组的低压轨道，电压从0.4V到3.3V不等集成控制器、驱动单元、MOSFET和电感元件，集成在TDK 3D芯片嵌入式封装中，最大限度地减少外部元件并最大化板块空间节省FS3303及即将推出的高性能负载点（POL）变换器系列涵盖3A至80A输出，覆盖0.3V至3.3V的轨道。它们使下一代光网络和人工智能加速器平台能够在不牺牲板块空间的前提下提升性能。例如紧凑型光模块，其速率从10 Gbit/s扩展到1.6 Tbit/s。新产品线的高度轮廓介于1.2毫米至1.7毫米之间。FS3303专为低压轨道设计，支持输入电压范围为2.7伏至6伏，输出电压范围为0.4伏至3.3伏。这使得它成为ASIC、SoC、DSP以及新兴AI芯片组的多功能解决方案，适用于需要严格监管和高瞬态性能的新型芯片。FS3303 利用了 TDK 专有的三维芯片嵌入式封装技术，集成了控制器、驱动单元、MOSFET 和功率电感。该架构最大限度地减少外部元件，提供完整的直流直流解决方案，具有卓越的面积和高度节约——非常适合下一代光收发器和边缘AI模块。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、...
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2026/5/20 10:05:25
在2026年5月19日召开的董事会会议上，TDK公司已决定Amperex Technology（新加坡）私人有限公司。有限公司，作为公司从事可充电电池业务的子公司，将收购Linergy Power Sdn Bhd（以下简称“Linergy”）100%的普通股，并将Linergy成为全资子公司（以下简称“股份收购”）。收购股份的原因2024年5月，为进一步提升企业价值，公司制定了长期愿景“TDK转型”，作为公司未来十年的目标，体现了公司加速为社会转型做出贡献、持续转型，为实现可持续未来的承诺。此外，公司发布了中期计划，代表其三年行动计划（2025财年3月至2027财年3月），并一直按照该愿景推动业务发展。在核心能源解决方案业务中，公司通过中小容量电池的前沿技术开发不断推出高附加值新产品，赢得了多元客户群的信任。值得注意的是，在中容量电池业务中，公司利用积累的技术和专业知识开发并供应符合客户需求的产品，从而实现差异化并扩大业务。通过收购股份，公司将能够提供灵活的全球供应结构，以满足客户多样化的需求。这将进一步增强客户信任，推动业务进一步增长，加速“TDK转型”的实现。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/20 9:56:49
半导体制造商ROHM宣布，推出PMIC*1“BD968xx-C系列”和DrMOS*2“BD96340MFF-C”相结合的新电源解决方案，该方案非常适用于ADAS（高级驾驶辅助系统）、DMS（驾驶员监控系统）和感测摄像头等车载应用的SoC*3。该解决方案可根据SoC的应用场景和性能要求，灵活组合Main Configurable PMIC*4、Sub PMIC和DrMOS，从而能够支持从低端到高端的各类SoC，并可根据其处理性能和功能实现具备扩展性的电源配置，有助于减少机型扩展时的工时，并提升电源效率。另外，构成该解决方案的产品均符合车规级可靠性标准AEC-Q100，可确保高可靠性。Main PMIC具备车载SoC应用所需的输出电压范围和灵活的电源时序控制功能，能够灵活应对不同SoC制造商、乃至同一SoC的不同代次和不同等级对电源的差异化要求。同时，还内置了电压、电流和温度监控及保护功能，确保车载应用所需的高可靠性和安全性。Main PMIC“BD96803Qxx-C”和“BD96811Fxx-C”是适用于低端SoC的、预期以单体形式使用的产品。另一方面，Main PMIC“BD96805Qxx-C”和Sub PMIC“BD96806Qxx-C”通过与DrMOS“BD96340MFF-C”进行组合，能够应对SoC中更低电压和更大电流的需求，具备出色的扩展性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/5/20 9:53:19