AN65004C对高边和低边MOSFET的过流保护机制有所不同。对于高边MOSFET，FAN65004C根据电流限制设置提供两级过载保护：过流保护（OCP）和短路保护（SCP）。当高边MOSFET的电流 isub 处于 100% × Isub ≤ isub 130% × Isub 范围时，触发OCP；当 isub ≥ 130% × Isub 时，触发SCP。FAN65004C持续监控MOSFET电流，并提供逐周期的峰值电流限制。一旦电流超过限制，高边MOSFET将被立即关闭。当电流限制被触发时，FAN65004C开始计数。如果连续发生1024次过流事件（无论FB电压如何），系统将进入打嗝模式（hiccup mode）。最严重的过流情况包括输出短路或电感饱和，此时电流超过设定限制的130%。在这种情况下，器件将立即启动短路保护并进入打嗝模式。对于低边MOSFET，FAN65004C也提供逐周期保护。如果在某个周期中低边MOSFET导通时，其电流超过限制值 Isub，则该MOSFET将立即关闭，并保持关闭状态直到下一个开关周期。此过程将持续重复，直到过流事件解除（即低边MOSFET电流低于 Isub）。低边MOSFET的过流保护不会影响高边MOSFET的开关行为——也就是说，只要高边MOSFET未发生过流事件，其开关操作将保持正常。如有型号采购及选型需求,可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/29 13:41:32
FAN65004C是一款高效率同步降压转换器，集成了控制器、驱动器和两个功率MOSFET。它可在4.5V至65V的输入电压范围内工作，并提供6A的负载电流。其内部基准电压在-40°C至125°C温度范围内为0.6V±1%。FAN65004C采用电压模式PWM控制方式，并具备输入电压前馈功能，以适应宽输入电压范围。高带宽误差放大器监控输出电压，并为脉宽调制模块生成控制信号。通过调整外部补偿网络，可根据应用参数优化系统性能。开关频率由外部电阻设定，并可同步至外部时钟信号。为提高轻载效率（低Io模式），当电感电流降至零时可关闭低边MOSFET，或在负载电流进一步降低时采用脉冲跳跃模式。采用高边MOSFET电流检测电路实现峰值电流限制功能，在电流限制条件下输出电压将被降低。其他保护功能包括过温关断和过压保护。在每个开关周期开始时，时钟信号启动PWM信号以打开高边MOSFET，同时斜坡信号开始上升。当斜坡信号与COMP信号相交时，比较器产生一个复位脉冲，该脉冲关闭高边MOSFET并打开低边MOSFET，直到下一个时钟周期到来。若达到电流限制，将产生峰值电流限制（PCL）信号以关闭高边MOSFET，直到下一个PWM信号到来。这是逐周期电流限制保护。当检测到特定故障条件时，器件将进入打嗝模式以进一步保护自身。如有型号采购及选型需求,可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/29 13:39:06
FAN65004C是一款宽VIN高效同步降压稳压器，集成了高侧和低侧功率MOSFET。该设备包含一个固定频率电压模式PWM控制器，支持4.5V至65V的宽电压范围，可以处理高达6A的连续电流。FAN65004C包括一个0.67%的精确参考电压，以实现严格的调节。开关频率可编程为100 kHz至1 MHz。这种单相降压调节器提供完整的保护功能，包括过电流保护、热关断、欠压锁定、过电压保护、欠电压保护和短路保护。该设备采用紧凑的6 x 6 mm PQFN封装。特征•宽输入电压范围：4.5 V至65 V•支持多种应用•开关频率：100 kHz至1 MHz•允许在尺寸、效率和最大占空比之间进行优化•0.6 V参考电压，精度为0.67%•保持电压精度•适用于轻负载的可选CCM PWM模式或PFM模式•重载和轻载时效率最高•过电流保护、热关断、过电压保护、欠电压保护和短路保护•完全防止电压、电流和温度故障•双LDO用于单电源操作并减少功率损耗•通过减少功耗来提高效率•宽操作范围的外部补偿•可调软启动和预偏置启动•启用可调输入电压欠压锁定功能（UVLO）•电源良好指示灯如有型号采购及选型需求,可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/29 13:33:49
SK海力士宣布其第五代10纳米级（1b）工艺、32Gb单颗芯片构建的256GB DDR5 RDIMM高容量服务器内存模块，已成功应用于英特尔®至强®6处理器平台，并业界首次通过了严格的英特尔数据中心认证。这不仅标志着该高性能内存与顶级计算平台实现了深度兼容与优化，更确立了SK海力士在高密度、大容量服务器内存领域的技术领导地位，为下一代数据中心和AI服务器提供了核心硬件支撑。寄存双列直插式内存模块（RDIMM, Registered Dual In-line Memory Module）：在存储器模块的内存控制器与DRAM芯片之间增加可中继地址、命令信号的寄存器（Register）或时钟缓冲器（Buffer），适用于服务器和工作站的DRAM模块。此次认证在位于美国的英特尔数据中心开发实验室（Advanced Data Center Development Laboratory）完成。SK海力士经过数次的全方位评估，证实其产品与Xeon平台相结合时具备可靠的性能、兼容性和品质。公司此前已于今年1月获得了基于第四代10纳米级（1a）16Gb的256GB产品认证。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/12/29 13:21:58
针对智能电网对电源“国产化、抗干扰、宽适配、稳交付”的严苛需求，金升阳匠心打造，给出完美答案——全新推出LO-E-G系列电力专用开板AC/DC电源，全面覆盖15/30/50/75W功率。该系列采用100%国产元器件，从设计源头满足电力行业AQKK要求，深度契合电力行业的相关标准；搭载85-305VAC超宽电压输入、-40℃to+85℃宽温运行能力，从容应对电网波动与极端工况；更以电力四级EMS抗扰标准、5KV冲击电压耐受的硬核性能，搭配全功率段覆盖、兼容同类产品的灵活优势，直击智能输变电、继电保护等场景供电痛点，为电力行业国产化替代提供“成本稳、交期稳、运行稳”的三重保障。100%采用国产元器件，从设计到部件全面满足核查要求，完美契合电力行业AQKK安全自主可控标准，为智能电网、配电终端筑牢稳定防线。一、产品优势LO-E-G系列围绕电力场景需求，打造四大高价值特性：1.国产化保障100%采用国产元器件，从设计到部件全面满足国产I类要求，完美契合电力行业AQKK安全可控标准，从源头规避供应链风险，交期与成本双稳定，助力客户高效完成国产化替代，为智能电网、配电终端筑牢稳定防线。2.环境适配性85-305VAC超宽电压覆盖&-40℃to+85℃超宽温度区间，多安装方向满足70℃的5年使用寿命，适配电网电压波动、极端环境工况，保障设备持续稳定运行不宕机。3.强抗扰&高可靠满足EMI传导CLASSB、EMS电力四级标准A等级、可承受5KV冲击电压耐受、4000VAC高隔离耐压，在复杂电磁环境下设备数据不丢包、运行更可&靠，适配恶劣电力场景。4.应用灵活性15-75W全功率段适配不同电力设备，可兼容市场同类产品，大幅降低客户换型成本与适配风险,助力电力设备快速升级。二、产品应用LO15/30/50/75-E-G系列凭借高可靠性与场景适配性，广泛应用于电力质量恶劣...
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2025/12/29 13:18:38
通过在非转换期间将 AD7940 置于掉电模式，可随吞吐速率降低而减小 ADC 的平均功耗。图 19 显示：吞吐速率越低，器件处于关断状态的时间越长，随时间平均的功耗相应下降。举例：连续采样模式下，吞吐速率 10 kSPS，SCLK 2.5 MHz (VDD = 3.6 V)，并在两次转换之间进入掉电模式，则功耗计算如下：正常工作时最大功耗 6.84 mW (VDD = 3.6 V)从掉电状态唤醒需 1 µs，剩余转换时间 6.4 µs（16 个 SCLK 传输）→ 每个转换周期内，AD7940 仅在 7.4 µs 内耗散 6.84 mW10 kSPS 对应的周期为 100 µs，剩余 92.6 µs 器件处于掉电模式，此期间仅耗散 1.08 µW。因此，每周期平均功耗为：(7.4/100) × 6.84 mW + (92.6/100) × 1.08 µW ≈ 0.51 mW图 19 给出了在 3.6 V 供电、SCLK = 2.5 MHz 条件下，使用掉电模式时芯片功耗随吞吐速率变化的曲线。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/26 13:27:16
AD1954 内置 26 bit DSP（双精度模式下 48 bit），用于插值与音频处理；包含三路过采样多位 Δ-Σ 调制器及模拟输出驱动电路。芯片还集成参数 RAM，采用“安全上传”机制，可在不中断音频的情况下同时更新滤波器系数与数字去加重滤波器。输入选择器最多可切换三路串行数据源及主时钟，特别适合 2.1 声道系统（两颗卫星箱 + 一只低音炮）。默认程序可对卫星箱与低音炮输出分别进行均衡、压缩/限幅处理。AD1954 内部含程序 RAM，上电时由片内引导 ROM 自动加载；信号处理参数存放于 256 单元的参数 RAM，同样由上电引导 ROM 初始化。新参数通过 SPI 端口写入参数 RAM，可实时控制 IIR 均衡滤波器、双段压缩/限幅器、延时值以及立体声展宽算法的各项设置。AD1954 的 SPI 接口功能完备，支持程序 RAM 与参数 RAM 的全读写操作；另设两个控制寄存器，用于配置串行模式及其它可选功能，并自带握手协议，方便批量上传/下载。芯片内置 4 路独立数据捕获电路，可在 DSP 算法链任意节点截取信号；捕获结果既可通过独立串行输出引脚送至外部 DAC 或 DSP，也可通过 SPI 寄存器直接读取，从而轻松扩展系统功能。AD1954 的处理器内核专为复杂压缩/限幅算法设计，含两路独立压缩/限幅器，均具备 RMS 幅度检测、起控/保持/释放时间控制，以及用户自定义压缩曲线。压缩器还支持“前瞻”功能，可提前抑制过冲，确保输出平稳。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/26 13:19:48
LTC3128 会实时监测串联输出电容中每一颗电容的电压。如果某颗电容的电压超过了设定的最大允许值，芯片将停止对整个电容组充电，并启动两颗电容之间的主动平衡。若平衡失败且故障状态持续，充电将被中止，直到电容自行放电至故障条件解除。这种情况通常出现在某颗输出电容短路或损坏时。最大电容电压通过一颗连接在 MAXV 引脚与地之间的电阻设定。该电阻应尽量靠近 MAXV 引脚放置，以减小引脚寄生电容。典型电阻值可用下面公式估算： RMAXV (kΩ) = 50 × VMAXV (V)其中 VMAXV 为单颗电容允许的最高电压。按此公式选定的 RMAXV 对应的实际 VMAXV 可能有 ±6 % 的偏差。只有当 VOUT 高于约 1.5 V 后，最大电容电压比较器才会启用。若仅需给单颗电容充电且无需平衡，可将 MAXV 引脚直接接地，此时最大电容电压比较器和主动电荷平衡功能均被关闭。单电容应用时，应改用 FB 引脚设定最高电压，电压环路会防止电容过压，同时 MID 引脚必须接地。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/26 11:54:06
LTC3128 是一款高效率的升降压型 DC/DC 超级电容充电器。无论输入电压高于、低于或等于输出电压，它都能高效运行。LTC3128 集成了可编程平均输入电流限制、主动电荷平衡以及可编程最大电容电压等功能。这些特性使其非常适合在备用电源系统中安全地为大容量电容充电并提供保护。输入电流限制和最大电容电压均可通过单颗电阻设定。平均输入电流可在 0.5 A 至 3 A 范围内精确编程，而单颗电容的最大电压可设定在 1.8 V 至 3.0 V 之间。其他特性包括：Burst 模式下 VOUT 静态电流 2 µA、精确的电源良好（Power-Good）与电源故障指示、以及热过载保护。LTC3128 提供低厚度、热增强型 20 引脚 4 mm × 5 mm × 0.75 mm QFN 封装和 24 引脚 TSSOP 封装。主要特性±2 % 精度的平均输入电流限制，最高可编程至 3 A可编程最大电容电压限制主动电荷平衡，支持不匹配电容的快速充电可给单颗或串联电容充电输入电压范围：1.73 V 至 5.5 V输出电压范围：1.8 V 至 5.5 V充电完成后 VOUT 静态电流 2 µA关断时输出断开，关断电流 1 µA内置电源良好比较器电源故障指示热增强 20 引脚 QFN（4 mm × 5 mm × 0.75 mm）与 24 引脚 TSSOP 封装典型应用基于超级电容的备用电源存储器备份服务器、RAID、射频系统工业、通信、计算设备如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/26 11:49:09
LT1715 在单 5 V 供电时，规定的共模范围为 -100 mV 至 3.8 V。更通用的描述是：共模范围从 VEE 以下 100 mV 到 VCC 以下 1.2 V。该共模限制的判定标准是：输出仍能对小差分输入信号做出正确响应。若其中一个输入位于共模范围内，另一输入即使超出共模限制（但未超过绝对最大额定值），输出极性仍保持正确。当任一输入信号低于负共模限制时，与衬底形成的内部 PN 结可能导通，导致芯片内出现较大电流。在输入端与负电源之间外接一只肖特基钳位二极管，可防止衬底二极管导通，从而加快从负向过驱状态的恢复。当两个输入信号均低于负共模限制时，内部的相位反转保护电路可防止输出出现错误翻转，至少可保护到 -400 mV 共模电压。然而，在此区域内，失调电压与迟滞电压都会显著增大，最高可达 15 mV；输入偏置电流也会上升。当某一输入信号高于共模上限，但未超过输入电源轨一个二极管压降时，输入级仍保持偏置，比较器输出极性正确。若再升高，输入级电流源将完全饱和，ESD 保护二极管正向导通。一旦异常输入回到共模范围内，比较器将在不到 10 ns 内重新对有效输入信号做出正确响应。当两个输入信号均高于正共模限制时，输入级将失去偏置，输出极性随机；但内部迟滞仍会保持输出为有效逻辑电平。当至少一个输入回到共模范围内时，从该状态恢复所需时间最长可达 1 µs。在大差分电压驱动下，传播延迟不会显著增加；但在低过驱电平且源阻抗较大时，由于 2 pF 典型输入电容带来的 RC 延迟，可能观察到明显的“延迟增大”现象。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/26 11:45:28
LT1715 是一款 UltraFast™ 超高速双路比较器，专为低电压应用优化设计。其独立的电源引脚允许模拟输入范围与输出逻辑电平独立设置，且不会降低性能。输入电压范围从负电源轨（VEE）下方 100 mV 到正电源轨（VCC）下方 1.2 V。内部迟滞功能使 LT1715 即使面对缓慢变化的输入信号也易于使用。轨到轨输出可直接与 TTL 和 CMOS 接口。对称的输出驱动能力带来相近的上升和下降时间，可用于模拟应用，或轻松转换为其他单电源逻辑电平。LT1715 提供 10 引脚 MSOP 封装，其引脚布局通过将最敏感的输入端远离输出端，并由电源轨屏蔽，从而最大限度地降低寄生效应。具备的特征超高速：20 mV 过驱动时仅 4 ns150 MHz 切换频率独立的输入与输出电源低功耗：每路比较器在 3 V 下仅 4.6 mA引脚布局针对高速应用优化输出针对 3 V 与 5 V 电源优化TTL/CMOS 兼容的轨到轨输出输入电压范围可延伸至负电源轨以下 100 mV内置迟滞，且规格明确工作温度范围：-40 °C 至 +125 °C提供 10 引脚 MSOP 封装典型应用高速差分线路接收器电平转换器窗口比较器晶体振荡电路阈值检测/鉴别器高速采样电路延迟线如有型号及采购需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/26 11:36:06
电机控制三相电机控制AD8418A 非常适合用于三相电机应用中的电流监测。其典型带宽为 250 kHz，可实现瞬时电流监测。此外，典型输入失调漂移仅为 0.1 μV/°C，意味着在不同温度下，两个电机相位之间的测量误差极小。AD8418A 可抑制范围为 -2 V 至 +70 V（在 5 V 供电条件下）的 PWM 输入共模电压。通过监测电机相电流，可在任意时刻采样电流，并提供诊断信息，例如对地短路或对电池短路。请参考图 36，了解使用 AD8418A 进行典型相电流测量的配置方式。H 桥电机控制AD8418A 的另一个典型应用是作为 H 桥电机控制环路的一部分。在此类应用中，将分流电阻置于 H 桥的中点，可通过电机端的分流电阻准确测量双向电流（见图 35）。在此位置使用放大器和分流电阻，比使用接地参考运算放大器更为优越，因为在此类应用中，地通常不是一个稳定的参考电压。地参考的不稳定会导致使用简单接地参考运放时产生测量误差。AD8418A 可在 H 桥切换、电机改变方向时，测量双向电流。其输出配置为外部参考的双向模式。放大器，因为在此类应用中，地通常不是一个稳定的参考电压。地参考的不稳定会导致使用简单接地参考运放时产生测量误差。AD8418A 可在 H 桥切换、电机改变方向时，测量双向电流。其输出配置为外部参考的双向模式。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/26 11:31:56
AD8418A 是一款单电源、零漂移差分放大器，采用独特的架构，能够在共模电压快速变化的情况下，准确放大微小的差分电流分流电压。在典型应用中，AD8418A 通过放大连接在其输入端的电流分流电阻上的电压来测量电流，增益为 20 V/V（见图 29）。AD8418A 的设计提供了出色的共模抑制能力，即使面对 PWM 共模输入信号（变化速率可达 1 V/ns）也能有效工作。AD8418A 采用专有技术，消除了这种快速变化的外部共模干扰带来的负面影响。AD8418A 的输入失调漂移小于 400 nV/°C。该性能通过一种新颖的零漂移架构实现，且不会牺牲带宽，其典型带宽为 250 kHz。参考输入端 Vref1 和 Vref2 通过 100 kΩ 电阻连接到主放大器的正输入端，从而允许在输出工作范围内任意调整输出失调电压。当参考引脚并联使用时，从参考引脚到输出的增益为 1 V/V；当这些引脚用于分压电源时，增益为 0.5 V/V。AD8418A 在不牺牲电磁阀或电机控制等典型应用所需的鲁棒性的前提下，实现了突破性的性能。其抑制 PWM 输入共模电压的能力，以及零漂移架构带来的低失调和低漂移特性，使 AD8418A 能够满足这些高要求应用对整体精度的需求。
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2025/12/26 11:26:59
芯佰微电子推出的8位双路超高速ADC——CBM08AD1500QP，以CMOS工艺为基石，实现对进口标杆型号的无缝替代，其在采样速率、精度、功耗控制及适配灵活性上的突破性表现，为高端ADC国产化提供了优选方案。CBM08AD1500QP 源于对工业级应用精准匹配的设计以及技术创新，各项性能指标均已实现工程化落地：超高速采样与灵活扩展：每通道标准采样率 1.5GSPS，通过时间交替双沿采样（DES）模式可提升至 3.0GSPS，时钟频率覆盖 200MHz1500MHz，能稳定捕获 500MHz 以下高频信号，满足射频直接采样、瞬态波形捕获等严苛需求。支持 SDR/DDR 双输出模式，配合 LVDS 差分输出（4001000mVpp 可调），适配不同后端数据接收链路。高精度与低功耗平衡：8 位分辨率下，微分非线性误差（ DNL）仅 ±0.4LSB，积分非线性误差（INL）典型值 ±0.6LSB，无缺失码，确保量化精度；信噪比（SNR）典型值 45dB，有效位（ENOB）达 7.2 位，信噪失真比（SINAD）44.5dB，动态性能优于同类产品。采用 1.9V±0.1V 单电源供电，典型功耗仅 2.0W，模拟电源电流 900mA、数字电源电流 220mA，在超高速采样场景中显著降低系统供电压力。在智能校正与灵活控制方面：产品内置增益、失调及通道间时钟匹配自动校正功能，既支持上电自动校正，也支持指令触发校正，当温度剧变时，重启校正便可恢复最优性能，进而大幅降低系统调试复杂度。该产品提供普通 / 扩展双控制模式：其中，普通模式可通过引脚快速配置满刻度范围、输出幅度等参数；扩展模式则通过 3 线串行接口访问 9 个寄存器，实现 512 步满刻度调节、512 步失调调节，从而适配复杂系统的精细化需求。无缝兼容与高可靠性：引脚排列、功能性能完全兼容 TI AD...
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2025/12/26 11:15:40
思瑞浦（3PEAK）推出的TPXT0506电平转换器，以完全兼容SD3.0规范为基础，创新集成自动方向控制与上拉电阻等核心功能，精准匹配主机与存储卡的宽电压适配需求，无需额外控制信号即可实现无缝通信。这款依托全国产化供应链的高集成度产品，不仅有效降低设计成本、缩减PCB占用空间，更以低延时与时钟反馈技术保障高速传输可靠性，为智能手机、平板电脑等终端设备的存储接口升级提供了国产化优选方案。TPXT0506产品优势国产供应链，高集成度TPXT0506采用封装WLCSP-16，其内部集成上拉电阻与自动方向控制功能，有效减少外围元件，降低了物料清单成本与PCB板面积占用，加速产品上市。其管脚定义与业界主流方案完全兼容，支持直接P2P替换。TPXT0506基于全国产化供应链，实现自主可控与稳定供应。宽电压范围与自动使能TPXT0506支持VCCA侧1.1V-1.95V、VCCB侧1.7V-3.6V的宽范围电压转换，兼容性强。内置自动使能功能，当VCCB电压高于阈值时自动开启，低于阈值时自动关闭SD卡侧驱动，提升了系统的电源管理便利性与可靠性。低延时与时钟反馈，保障高速传输针对SD3.0规范下的高速传输需求，TPXT0506提供了低至数纳秒的传播延迟，并专门设计了时钟反馈通道，以补偿电平转换和PCB走线引入的延迟，为SDR104等超高速模式下的数据读取提供了充足的时序裕量，确保数据传输的稳定与准确。TPXT0506产品特性全面支持SD3.0规范：SDR104, SDR50, DDR50, SDR25, SDR12, High-Speed, Default-Speed模式； 支持最高208MHz时钟速率；宽电压电平转换：VCCA (1.1V至1.95V) 与 VCCB (1.7V至3.6V) 之间；免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本...
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2025/12/26 11:11:34
在无线通信技术飞速迭代、车联网与物联网应用持续拓展的当下，对射频开关的可靠性、兼容性与性能提出了更高要求。Abracon顺势推出ASWD-S2系列新品ASWD-S2-0009-Q-T，不仅填补了系列车规级产品的空白，成为首款通过AEC-Q100汽车认证的SPDT射频开关，更以GaAs与SOI技术为核心，延续了系列宽带、高线性度、超紧凑的产品优势。Abracon现推出ASWD-S2-0009-Q-T这一新品，扩充ASWD-S2系列产品，这是我们首款通过AEC-Q100汽车认证的SPDT射频开关，为 汽车应用提供非常契合的解决方案。产品优势全面兼容各类物联网标准为空间受限设计节省空间适用于多样化的物联网应用场景高性价比卓越射频开关解决方案出色的射频性能与效率高效率，低损耗有效降低干扰与串扰确保稳健的信号处理能力增强可靠性及耐用性产品特性超紧凑设计：1.15 x 0.75毫米提供符合AEC-Q100标准的选项宽广频率覆盖：高达8.5GHzGaAs和SOI技术针对前沿物联网芯片和模块进行优化低插入损耗：0.45dB高隔离度：30dB出色的线性度：P0.1dB 32dBm内置ESD保护高性价比与卓越性能应用场景物联网组合模块Wi-Fi音箱/音频设备接入点和客户端设备路由器与网关天线分集切换高级驾驶辅助(ADAS)系统远程信息处理控制单元蜂窝车联网技术全球定位/全球卫星导航系统接收器遥控无钥匙进入系统免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/12/26 11:08:32
全球半导体联盟（GSA）年度颁奖盛典喜讯，半导体领导者英飞凌科技股份公司斩获“欧洲、中东及非洲杰出半导体企业”大奖。该奖项旨在表彰具备远见卓识、卓越创新与执行力的个人及企业，此次获奖不仅彰显了英飞凌以客户为中心的创新承诺，也印证了其在机器人、边缘AI、软件定义汽车等关键领域的行业影响力。GSA颁奖庆典是半导体产业的年度盛会，每年吸引超过1,500名行业领袖齐聚一堂，共同庆祝半导体行业的卓越成就， 并表彰取得优异成绩的公司和杰出的领导者。GSA每年都会表彰通过远见卓识、创新能力、卓越执行力和未来发展机遇取得卓越成就的个人与企业。GSA颁奖庆典会嘉奖在各个领域取得杰出成就的半导体企业，涵盖从卓越领导力到财务表现，以及业界声誉在内的各个方面。英飞凌获GSA区域杰出半导体企业大奖，是行业对其技术实力、业务布局与发展潜力的高度认可。英飞凌提供广泛的产品组合，涵盖功率半导体、模拟器件、传感器、微控制器和连接解决方案。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/12/26 9:28:40
近日有消息传出，三星新推出的Exynos 2600系统级芯片（SoC）在5G调制解调器集成方面出现新变化。与前代Exynos 2500内置Shannon 5163调制解调器不同，三星移动体验业务部门发言人已证实，这款全新的2nm制程SoC并未将5G调制解调器集成于芯片内部，而是会以独立组件的形式存在。该芯片由三星系统LSI部门设计，作为三星逻辑设计核心单元，其技术路线通常由客户需求主导。消息人士透露，是否集成调制解调器的决策权在于移动体验业务部门，而非系统LSI部门本身。预计部分明年发布的Galaxy S26系列机型将搭载Exynos 2600芯片。此前，三星Exynos系列SoC通过将CPU、GPU、NPU及调制解调器集成于单一芯片，实现了更低的功耗与发热，同时缩小了芯片体积，使其更适用于智能手机等紧凑型设备。然而，此次Exynos 2600未集成调制解调器的原因或与芯片尺寸限制有关。消息人士称，随着功能增加，SoC晶圆尺寸可能过大，迫使调制解调器分离设计。这一调整可能导致设备功耗效率下降，但分离式设计可简化制造流程，降低良品率风险。三星在上周公布Exynos 2600规格时，未明确提及其功耗效率较前代的具体提升幅度，这与该公司过往宣传策略形成差异。不过，三星强调该芯片采用2nm全环绕栅极（GAA）工艺制造，可实现高性能与低功耗的平衡。根据三星第三季度财报数据，其第一代2nm GAA工艺相比第二代3nm工艺，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面积减少5%。基于此，Exynos 2600的功耗效率或最高提升8%。三星同时透露，Exynos 2600将搭配独立设计的Exynos Modem 5410，该调制解调器强化了卫星通信功能，以支持更广泛的连接场景。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作...
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2025/12/26 9:24:47