AD7820是一款高速、微处理器兼容的8位模数转换器，采用半闪存转换技术，实现1.36us的转换时间。该转换器具有OV至+5V的模拟输入电压范围，使用单个+5V电源。半闪存技术由31个比较器、一个最高有效4位ADC和一个最低有效4位模数转换器组成。AD7820的输入由输入采样电路跟踪和保持，无需对转换速率小于100mV/us的信号进行外部采样和保持。该部件的设计便于微处理器与AD7820的接口，AD7820表现为存储器位置或I/O端口，不需要外部接口逻辑。所有数字输出都使用锁存的三态输出缓冲电路，允许直接连接到微处理器数据总线或系统输入端口。还提供非三态溢出输出，允许级联设备以提供更高的分辨率。AD7820采用全离子注入高速线性兼容CMOS（LCMOS）工艺制造，最大功耗低至75mW。它有20引脚DIP、SOIC和20端子表面安装封装。特征• 快速转换时间：1.36 µs（最大值）• 内置采样保持功能• 无失码• 无需用户调整如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/27 13:56:37
当地时间25日，美国惠普公司发布财报，并公布了一项全面的人工智能转型计划，希望通过人工智能技术降本增效，该公司当天同时宣布将会在全球范围内裁减大约10%的员工，公司股价在25日盘后一度下跌超过5%。计划在2028财年结束前，在全球范围内裁员4000至6000人，并实现每年节约10亿美元的目标。这些节省的资金将来自把人工智能工具应用于产品开发、客户支持、销售和制造等领域。此举反映了整个科技行业的一个趋势，即企业在大力投资人工智能开发的同时，利用这项技术降低运营成本，行业分析师表示，人工智能自动化对客户支持、内容审核、数据输入和某些计算机编程任务的影响尤其大。当天还公布了其2025财年全年财报，报告显示公司利润为每股3.12美元，同比下降9%。对于2026财年，惠普预计全年利润在每股2.90美元至3.20美元之间，低于分析师每股3.34美元的预期。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/11/27 13:47:55
高通技术公司宣布推出第五代骁龙8移动平台，该平台集卓越性能和前沿技术于一体，为旗舰移动体验树立新标杆。两大旗舰产品组合第五代骁龙8加入骁龙旗舰产品组合，为消费者提供更多选择和灵活性。该平台凭借强悍内核，彰显旗舰本色，能够满足用户对于前沿功能日益增长的需求，涵盖AI、影像创新以及沉浸式游戏体验等。让智能手机化身贴心伙伴借助全新骁龙8系移动平台，用户拿起手机即可立即唤醒AI助手，这得益于高通传感器中枢，它能够智能地整合麦克风和传感器输入，精准感知用户的语音意图。在高通AI引擎的加持下，第五代骁龙8还支持智能体AI助手，提供情景感知交互和个性化建议，为用户带来无缝、端侧驱动的智能移动体验。高通®Hexagon™NPU是上述功能的核心，实现了高达46%的性能提升1。开启旗舰速度第五代骁龙8是一款面向移动设备、速度超快的系统级芯片，搭载定制的QualcommOryon™CPU，最高主频高达3.8GHz。除了显著提升的速度，该移动平台性能提升高达36%、网页浏览响应速度提升76%1。处理能力的跃升可以支持在高需求的应用场景中，实现更流畅的多任务处理、更快的响应速度和更出色的能效。除了性能强大的CPU，高通®Adreno™GPU采用创新的切片架构，支持更高的时钟速度，更将游戏和图形处理性能提升11%1。一加、vivo、iQOO、摩托罗拉、魅族、荣耀和realme等全球OEM厂商和智能手机品牌将在其旗舰产品中采用第五代骁龙8。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/11/27 13:42:30
意法半导体（ST）正式发布了专为消费电子和智能家居领域优化的低功耗无线微控制器STM32WL3R。这款新品基于市场表现优异的STM32WL3sub-GHz无线MCU产品线，集成了低功耗射频收发器，以其卓越的能效表现和灵活多变的功能配置，为智能家居遥控器设计带来了革命性的突破。STM32WL3R是意法半导体与法国楼宇自动化创新企业Somfy集团共同合作的开发成果。Somfy集团主要生产智能控制系统，包括无线遥控电动卷帘门、车库门开启器，以及家用和商用互联解决方案。这款全新MCU是Somfy实验室的工程师与意法半导体联合开发设计，用于Somfy的新一代射频遥控器和传感器，使远程控制器变得体积小巧，成本效益高，兼具灵活的工作模式和更长的电池续航时间，为用户带来出色的使用体验。Somfy射频开发经理SergeRobin表示：“这款为远程控制器优化设计的单芯片无线MCU将助力我们在智能建筑市场上保持优势，打造更智能、更舒适的环保建筑。”STM32WL3R专门设计的额外的省电模式,使得它具有更强的控制能力，既可有效关闭未使用的电路，同时优化系统唤醒时间。在系统进入省电模式后，电池续航时间得以延长，同时RAM内容保留功能则能保存应用上下文，确保系统快速唤醒，提供更好的使用体验。在这些省电状态中，超深停止模式的功耗仅为450nA，同时可在RAM内保留16KB数据；此外，还有一个非常省电的关断模式，功耗仅为14nA，唤醒引脚数量多达六个。STM32WL3R将唤醒引脚数量从一个增加到六个，从而可以用于设计功能丰富的遥控器，同时简化电路布局，有助于在同一系列的多款产品中重复使用PCB设计。采用5mmx5mmQFN32封装。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/11/27 13:38:32
Bourns新推出CVH160808H多层功率片式电感器采用金属合金芯体和单片构造，外观尺寸紧凑，最大厚度为0.8mm。这些电感器采用先进的多层技术，在保持足够大电流能力的同时，实现薄型化设计，适用于电源应用。CVH160808H电感器具有高可靠性、低DC电阻和大电流能力。这些多层功率片式电感器具有高托盘密度，可降低二氧化碳排放，并通过了ISO14001认证，属于低影响能量。CVH160808H电感器符合RoHS标准且不含卤素。这些多层功率芯片电感器具有防腐蚀性能，采用环保物流、可回收和ESD安全封装。CVH160808H电感器非常适合移动设备、可穿戴设备、平板电脑、笔记本电脑和各种通信设备。特征整体式构造，提供高可靠性低DC电阻大电流符合RoHS，无卤素。小尺寸减少材料使用高托盘密度降低CO₂环保物流友好型包装可回收ESD安全封装耐腐蚀，使用寿命长ISO14001，低影响能量免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/11/27 13:32:52
Vishay最新推出的VORA1150固态继电器，专为应对800V电池系统的严苛要求而设计。这款采用4引脚SMD-8封装的1500V汽车级1 Form A固态继电器，凭借1414 Vpeak的重复耐压和低至1µA的漏电流表现，为电动汽车、储能系统和工业应用提供了可靠的高压隔离解决方案。采用创新的4引脚设计，可在其输出引脚上提供5 mm的爬电距离，符合DIN EN-60644-1标准对800 V电池监测系统中绝缘监测应用的要求。此外，VORA1150满足电动汽车（EV）中800 V电池架构的耐压（hipot）测试要求。这些器件通过AEC-Q102认证，能够在电池管理系统（BMS）、预充电继电器和车载充电器；储能系统；工业暖通空调系统（HVAC）；太阳能电池板中实现绝缘和漏电流监测。在这些应用中，继电器的高重复耐压和600相对漏电起痕指数（CTI）的模塑材料提供了更高的可靠性，而分别低至150微秒和250 微秒的最大导通和关断时间确保了快速操作。VORA1150符合RoHS标准，无卤素，满足Vishay绿色标准，提供了0.9 mA的雪崩电流能力、5300 VRMS的绝缘测试电压，以及-40 C至+125 C的工作范围。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/11/27 13:27:51
显卡市场迎来新一轮价格调整。据业内消息，AMD因VRAM（显存）成本大幅攀升，即将启动年内第二次全面涨价，预计涨幅从10%起步。此次调价预计最快在12月更新报价单，并在2026年国际消费电子展（CES）后正式反映在零售市场价格中。影响范围：全产品线覆盖本次价格调整将全面覆盖AMD旗下多个重要产品线：●Radeon电竞显卡系列●工作站级专业显卡●AI加速相关产品业内人士指出，相较于10月份首次"象征性涨价"，本轮调价幅度明显扩大，且两次调价间隔仅一个月，显示出存储成本压力已经达到企业难以消化的程度。市场反应：供应链普遍预期一致尽管AMD尚未官方发布调价公告，但供应链各方普遍认为涨价势在必行。据悉，AMD已陆续通知合作伙伴关于全产品线价格上调的计划，预计2026年上旬即可看到市场价格全面调整。这一轮调价充分体现了存储价格上涨向显卡产业链的外溢效应正在加速传导。随着VRAM等核心元器件成本持续攀升，显卡制造商不得不通过价格调整来维持合理的利润空间。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/11/27 13:23:19
兆易创新近日发布市场展望，指出利基型DRAM市场正呈现明显的供不应求局面。公司预计，当前的涨价趋势有望在未来两个季度继续保持，并在明年后续季度维持在相对较高的价格水平。这一乐观预期标志着存储市场周期正在发生积极转变。供应链策略：积极协调保障产能供应面对持续紧张的市场环境，兆易创新表示将结合实际经营需求，与DRAM核心供应商展开积极协商，全力争取获得更多产能支持。这一战略举措旨在缓解当前供应链压力，确保公司能够在市场上升周期中把握发展机遇。市场展望：价格上行与供应紧张并存基于对行业趋势的深入分析，兆易创新对存储周期的看法相较今年上半年更加乐观。公司预计，未来两年内利基型DRAM市场仍将处于供应紧张的环境中。具体到价格走势，第四季度有望进一步上行，并在明年维持相对较好的价格水平。产品规划：技术路线图清晰明确在产品布局方面，兆易创新透露了明确的技术发展路径：●2025年将实现自研LPDDR4X系列产品的量产●已着手规划LPDDR5X小容量产品的研发●目前暂未布局DDR5产品线这一产品策略体现了公司在保持技术前瞻性的同时，更加注重市场的实际需求与自身的技术积累。盈利预期：三大产品线毛利率稳步改善从盈利能力角度分析，兆易创新对明年的业绩表现持积极态度：●NOR Flash和SLC NAND Flash毛利率预计将实现温和提升●利基型DRAM毛利率有望维持在相对健康的中枢水平●MCU毛利率预计保持平稳态势这一预期反映出公司在产品结构优化和成本控制方面取得的成效，也为投资者提供了清晰的业绩指引。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2025/11/27 13:13:24
AD5710R具有八个DAC通道，可以独立配置为电流输出数模转换器（IDAC）或电压输出数模转换（VDAC）。AD5710R包括一个集成的2.5V、3ppm/°C参考。当AD5710R输出配置为IDAC时，输出电流范围为0mA至50mA。当配置为VDAC时，输出电压范围为0V至VREF或0V至2×VREF。采用25球晶圆级芯片级封装（WLCSP），温度范围为-40°C至+125°C。特征八通道，可配置为VDAC或IDAC的任意组合保证单调性：±1 LSB16最大DNL50IDAC和VDAC模式的mA输出电流驱动70VDAC模式的mV最大净空0.25IDAC模式的最大净空高度2.5V内部参考电压，典型值为3ppm/°C设备可寻址SPI接口输出电源范围：+1.71V至+5.5V输出电压、输出电流和芯片温度的诊断监测超小外形尺寸：2.1mm×2.2mm，25球WLCSP工作温度范围：-40°C至+125°C应用光纤网络仪器仪表数据采集自动测试设备过程控制和工业自动化如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/11/26 11:20:47
ADA4356 是一款低噪声、宽动态范围、电流输入模数转换器 (ADC) 微模块。PCB设计技巧信号完整性建议将光电二极管信号源尽可能靠近ADA4356输入，以尽量减少迹线长度和相关寄生电容。清除输入迹线正下方的所有接地层，以进一步减少寄生效应。此外，匹配所有LVDS线（DCON、DCOP、FCON、FCOP、D0AN、D0AP、D1AN和D1AP）的长度，以消除潜在的时序问题。热设计建议ADA4356使用多个VCC和GND球来满足内部电源和接地要求。所有这些球都必须连接，以便在模块内进行适当的电气连接。此外，多个VCC和GND球的PCB连接是热设计不可或缺的一部分。所有ADA4356 VCC和GNDbals必须连接到具有最低热阻的PCB铜平面。为了获得最佳的热性能，这些平面必须具有尽可能多的热通孔，以提供尽可能低的热阻路径，使散热流过PCB的底部。焊料填充或堵塞这些通孔。表面安装设计表23为PCB设计提供了帮助，以适应CSP_BGA风格的表面贴装封装。有关行业标准设计建议，请参阅IPC-7351，表面安装设计和焊盘图案标准的通用要求。如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/26 11:18:30
ADA4356 是一款低噪声、宽动态范围、电流输入模数转换器 (ADC) 微模块。为了在对尺寸有要求的应用中节省空间，ADA4356 包含了实现完整的电流到比特数据采集解决方案所需的所有有源和无源元件，并具有可编程的增益和滤波特性。ADA4356 中的高速跨阻放大器 (TIA) 前端放大器支持 20ns 脉冲宽度，这使得 ToF 测量具有高空间分辨率，并且能够从大的输入信号中快速恢复过驱动状态。ADA4356 包含三个可选的 TIA 反馈电阻值，用于可编程 TIA 增益。内部模拟低通滤波器提供 100MHz 或 1MHz 截止频率，以降低宽带噪声，并作为 ADC 输入的抗混叠滤波器。对于低带宽信号，1MHz 滤波器配置可提供额外的噪声抑制。在 TIA 和滤波器模块之后，一个 14 位流水线 ADC 以 125MSPS 的速度转换模拟信号，并通过两条串行低电压差分信号 (LVDS) 数据通道输出数字化信号，每条通道的运行速率高达 1GBPS。数据时钟输出 (DCO) 的工作频率高达 500MHz，并支持双倍数据速率 (DDR) 操作。特征高性能、电流输入、数据采集微模块，包含可编程增益跨阻放大器（PGTIA）全差分放大器（FDA）可编程模拟低通滤波器（LPF）14 位 125MSPS ADC三种可选增益用于 ADC 的集成 1.8V LDO小巧外形：12.00mm × 6.00mm BGA由单个 3.3V 电源供电PGTIA 可选增益，灵敏度为单个 20ns 脉冲TZ = 133kΩ，250nA 至 10μATZ = 11kΩ，1μA 至 100μATZ = 4.54kΩ，10μA 至 300μA可选的外部分流电路可实现高达 60mA 的电流检测快速输入过载恢复用于降噪和抗混叠滤波的模拟滤波器可选的 1.0MHz 和 100MHz 低通滤波器带宽低输入参考电流噪声：...
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2025/11/26 11:13:51
图13展示了内部电路模块、少量外部元件，以及图1所附的曲线。术语“主电源”和“辅助电源”是任意的，可根据应用需求互换。工作过程如下：当任一或两个电源接入，且控制引脚 CTL 的电压低于输入低电平阈值 0.35 V（V_IL）时，器件开始工作。若仅主电源存在，电源选择器将从 V_IN 引脚为 ADPL83200 供电。放大器 A1 将向模拟控制器输出一个与 V_IN 和 SENSE 引脚之间电压差成比例的电流。当 SENSE 引脚电压低于 V_IN - 20 mV（V_ER）时，模拟控制器将指示线性栅极驱动与电压钳位模块拉低 GATE 引脚电压，从而导通外部 P 沟道 MOSFET。动态下拉电流为 50 μA（I_SINK），当 GATE 电压达到地电位或栅极钳位电压时停止。栅极钳位电压为高于 V_IN 或 V_SENSE 中较高者 7 V（V_S(LOW)）。当 SENSE 电压被拉高至 V_IN - 20 mV 时，ADPL83200 将调节 GATE 电压，以维持 V_IN 与 V_SENSE 之间 20 mV 的压差，该压差即为 MOSFET 的 V_DS。此时系统进入正向调节模式，负载由主电源供电。随着负载电流变化，GATE 电压将被控制以维持这 20 mV 压差。若负载电流超过 MOSFET 在 20 mV V_DS 下所能提供的电流，GATE 电压将被钳位，MOSFET 表现为固定电阻，正向压降略有上升。MOSFET 导通期间，STAT 引脚为开路状态。当辅助电源接入时，SENSE 引脚将通过外部二极管被拉至高于 V_IN 的电压。电源选择器将改为从 SENSE 引脚为 ADPL83200 供电。当 SENSE 电压高于 V_IN + 20 mV（V_RO）时，模拟控制器将指示线性栅极驱动与电压钳位模块将 GATE 电压拉高，以关闭 P 沟道 MOSFET。若 ...
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2025/11/26 11:09:48
ADPL83200控制外部P沟道MOSFET，以创建近乎理想的二极管功能，用于电源切换或负载共享。这允许高效地对多个电源进行or'，以延长电池寿命和降低自热。导通时，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）两端的电压降通常为20mV。对于配备壁式适配器或其他辅助电源的应用，当连接辅助电源时，负载会自动与电池断开连接。两个或多个ADPL83200可以互连，以允许多个电池之间的负载共享或从单个充电器为多个电池充电。宽的电源工作范围支持串联一到六个锂离子电池。低静态电流（典型值为11μA）与负载电流无关。栅极驱动器包括用于MOSFET保护的内部电压钳。当检测到辅助电源时，STAT引脚可用于启用辅助P沟道MOSFET电源开关。该引脚也可用于向微控制器指示辅助电源已连接。控制（CTL）输入使用户能够强制关闭主MOSFET并将STAT引脚设置为低电平。ADPL83200采用薄型（1mm）ThinSOT封装。特征极低损耗替代电源或二极管最小外部组件直流电源之间的自动切换简化多个电池的负载共享低静态电流：11µA3V至28V AC/DC适配器电压范围2.5V至28V蓄电池电压范围蓄电池反向保护驱动几乎任何尺寸的MOSFET，满足广泛的电流需求MOSFET栅极保护夹手动控制输入薄型（1mm）ThinSOT™封装应用蜂窝电话笔记本电脑和手持电脑数码相机USB供电的外围设备不间断电源逻辑控制电源开关如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/26 10:47:47
ADPM12160 是一款高功率四分之一砖型 DC-DC 转换器，在半负载下可提供高达 98% 的效率。是一款非隔离式转换器，可提供 12V 全稳压输出，持续功率为 1600W，在短时间内峰值功率可达 2400W。特征电气40V 至 60V 输入电压范围12V 全稳压输出电压热设计功率高达 1600W峰值功率高达 2400 瓦半负荷下峰值效率高达 98%。全面保护：OTP、输入欠压锁定 (UVLO) 和过压锁定 (OVLO)、输入过流保护 (OCP)、输出过压保护 (OVP)、输出过流保护 (OCP) 和短路保护 (SCP)。无最低负载要求耦合电感器实现快速负载瞬态响应远程开/关（REM）可选逻辑PMBus™ 配置事件数据记录仪（黑匣子）并联运行与主动电流共享非隔离机械的行业标准四分之一砖尺寸：58.4 毫米 × 36.8 毫米 × 15.1 毫米（2.30 英寸 × 1.45 英寸 × 0.59 英寸）可选引脚长度：2.79 毫米、3.70 毫米或 4.32 毫米安全与认证IEC/UL/EN/CSA 62368-1符合欧盟 RoHS 指令 2011/65/EU 和(EU)2015/863通过 ISO 9001、TL 9000、ISO 14001、ISO 45001 认证的制造工厂应用分布式电源架构无线网络接入和光网络设备企业网络最新一代集成电路（DSP、FPGA 和 ASIC）及微处理器驱动的应用如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/26 10:41:16
使用LTC3637时，必须注意不要超过绝对最大额定值部分中规定的任何额定值。然而，作为额外的保护措施，LTC3637具有超温停机功能。如果结温达到约180°C，LTC3637将进入热关断模式。电源开关将关闭，SW节点将变为高阻抗。零件冷却到160°C以下后，将重新启动。未对超温水平进行生产测试。LTC3637还实现了保护功能，当输入电压不在编程工作范围内时，该功能会禁止切换。通过使用从输入电源到地的电阻分压器，RUN和OVLO引脚可以作为精确的输入电源电压监测器。当RUN引脚降至1.1V以下或OVLO引脚升至1.21V以上时，开关被禁用，这可以配置为将开关限制在特定范围的输入电源电压。将RUN引脚拉到700mV以下会强制低静态电流关机（3µa）。此外，如果输入电压降至典型的3.5V以下（最大3.7V），内部欠压检测器将禁用开关。当开关被禁用时，LTC3637可以安全地维持高达80V绝对最大额定值的输入电压。输入电源欠压或过压事件会触发软启动重置，从而从输入电源瞬态中恢复正常。如有型号采购及选型需求，可知直接联系兆亿微波采购商城。
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2025/11/26 10:22:02
LTC3637是一款高效率降压DC/DC稳压器，集成内部高端电源开关，功耗仅12μA DC，空载时可保持稳定的输出电压。LTC3637可提供高达1A的负载电流，并具有可编程峰值电流限值，从而提供了一种简单的方法来优化效率、减少输出纹波和元件尺寸。LTC3637结合了突发工作(Burst Mode®)模式、集成电源开关、低静态电流和可编程峰值电流限值特性，可在各种负载电流范围内提供高效率。LTC3637具有4V至76V的宽输入范围和可编程过压闭锁功能，是一款适合调节各种电源的鲁棒稳压器。此外，LTC3637具有精确的运行阈值和软启动特性，确保控制电源系统在任何环境下启动都能得到良好的控制。LTC3637采用散热增强型3mm × 5mm DFN和MSE16两种封装。特征宽工作输入电压范围：4V至76V内部350mΩ功率MOSFET无需补偿最大输出电流可调100mA至1A低压差操作：100%占空比低静态电流：12µA宽输出范围：0.8V至VIN0.8V±1%反馈电压参考精确的RUN引脚阈值内部和外部软启动可编程1.8V、3.3V、5V或可调输出所需外部组件很少可编程输入过压锁定薄型（0.75mm）3mm×5mm DFN和热增强MSE16封装AEC-Q100符合汽车应用标准应用工业控制用品医疗器械分布式电力系统便携式仪器电池供电设备汽车航空电子设备如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件采购商城，
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2025/11/26 10:05:52
LT3970是一款可调频率单片降压开关稳压器，可接受高达40V的输入电压范围，并且仅消耗2.5μA的静态电流。裸片上包含一个高效开关、环流二极管、升压二极管以及必要的振荡器、控制和逻辑电路。在典型应用中，低纹波突发模式可在低输出电流时保持高效率，同时使输出纹波保持在5mV以下。使用电流模式拓朴以实现快速瞬态响应和良好的环路稳定性。环流二极管限流值可提供针对短路输出和过压条件的保护。提供具有准确阈值的使能引脚，可产生0.7μA的低关断电流。当VOUT达到已编程输出电压的90% 时，将会指示电源正常标记。LT3970采用小型10引脚MSOP和3mm × 2mm DFN封装。特征低纹波突发模式®操作12VIN至3.3VOUT时的2.5µA IQ输出纹波宽输入电压范围：4.2V至40V工作电压可调开关频率：200kHz至2.2MHz集成升压和捕获二极管350mA输出电流固定输出电压：3.3V、3.42V、5V，12VIN时IQ为1.8µA精确的1V启用引脚阈值低关断电流：IQ=0.7µA内部检测限值捕获二极管电流电源良好标记输出电压：1.21V至25V内部补偿小型10针MSOP和（3mm×2mm）DFN封装AEC-Q100符合汽车应用标准应用汽车电池法规便携式产品电源工业用品如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/26 9:53:25
ADPA1105 是一款氮化镓（GaN）功率放大器，可输出 46 dBm（40 W）的脉冲功率。该器件由两个级联增益级组成，其简化架构如图基本框图所示。ADPA1105 的射频输入（RFIN）和射频输出（RFOUT）端口均为单端结构，并带有直流隔离。这些端口在 0.9 GHz 至 1.6 GHz 的工作频率范围内，标称阻抗为 50 Ω。因此，ADPA1105 可直接插入 50 Ω 系统，无需外部阻抗匹配元件或交流耦合电容。施加在 VoDi 和 Vopz 引脚上的脉冲偏置电压分别用于偏置第一和第二增益级的漏极（必须使用单一的公共电源电压）。施加在 VGGi 和 VGcz 引脚上的负直流电压分别用于偏置第一和第二增益级的栅极，以控制每级的漏极电流（必须使用单一的公共栅极电压）。推荐的直流偏置条件下，在输入功率为 19 dBm 时，ADPA1105 在 1.5 GHz 下的典型脉冲射频输出功率为 46 dBm，功率附加效率（PAE）为 60%。部分射频输出信号通过定向耦合器耦合至一个二极管，用于检测射频输出功率。当该二极管被直流偏置时，它会对射频功率进行整流，并将射频功率以直流电压的形式输出到 VDET 引脚，供测量使用。一个对称的二极管电路（未耦合至射频输出）在 VREF 引脚输出一个直流电压，用作温度补偿的参考。通过计算 VREF 与 VDET 之间的差值，可获得一个与射频输出功率成比例、且具有温度补偿特性的信号。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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