FB（反馈）引脚的作用远不止检测输出电压。当输出电压极低时，它还会主动降低开关频率和电流限制，以便在输出短路情况下，把 IC 本身以及外部二极管和电感上的功耗压到最低。短路时，稳压器必须在极小的占空比下工作，此时二极管和电感的平均电流等于开关管的短路电流限制值（LT1507 典型值为 2 A，并会折返到 1 A 以下）。若仍维持 500 kHz 的开关频率，受限于最小导通时间，占空比无法足够低，因此当 FB 脚电压跌到 1 V 以下时，芯片会把频率自动降低约 5:1。这一机制对正常负载毫无影响，仅在启动过程中输出电压爬升时，用户会看到一次“换挡”式的频率变化。除降低频率外，当 FB 脚电压低于 1.5 V 时，LT1507 还会把开关电流限制值下调。这种“折返式”限流在短路时可显著减小 IC、二极管和电感的功耗，对常规负载几乎透明。唯一可能受影响的是那些“电流源型”负载——它们在输出电压不到额定值 50 % 时仍维持满载电流。若遇此罕见情况，可用一只外部二极管把 FB 脚钳位在 1.5 V 以上，强行关闭折返限流；但需注意：一旦钳位，频率折返也会被屏蔽，在高输入电压且输出完全短路的极端条件下，可能导致芯片失去对电流的限制。实现频率折返的内部电路还会在输出电压较低时，让电流从 FB 脚流出。当 FB 脚电压低于 1 V 时，流出电流随电压下降而增大，频率以大约 5 kHz/µA 的速率降低。为了保证在最恶劣的短路条件下仍能充分折返，外部分压网络的戴维南等效电阻必须足够小：在 FB 脚电压为 0.6 V 时，仍能拉出 150 µA 电流（即 R1∥R2 ≤ 4 kΩ）。换句话说，频率和电流限制的折返深度受输出电压分压器阻抗的影响。虽然分压器阻抗并非关键参数，但若把电阻取得比推荐值更大，且系统会在高输入电压下发生短路，则需格外谨慎：此时高频尖峰耦合加剧，频率/...
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2025/12/24 13:33:26
LT1507 是一款 500kHz 单片降压模式开关稳压器，该器件在功能上与 LT1375 相同，但是专门针对较低输入电压应用进行了优化。LT1507 在 4V 至 15V 的输入范围内工作，而相比之下 LT1375 则为 5.5V 至 25V。一个 1.5A 开关与所有必需的振荡器、控制器和逻辑电路一起集成在芯片之内。高开关频率允许大幅缩减外部组件的尺寸。这款器件采用的拓扑是电流模式，旨在实现快速瞬态响应和优良的环路稳定性。固定输出电压 (3.3V) 和可调型器件均可提供。一种特殊的高速双极型工艺和新的设计方法使得该稳压器能在高开关频率下实现高效率。通过把静态电源电流保持在 4mA 以及利用一个电源升压型电容器以使 NPN 电源开关饱和，在很宽的输出电流范围内保持了效率。一个停机信号将把电源电流减小至 20μA。LT1507 可利用逻辑电平输入在外部实现同步，同步范围为 570kHz 至 1MHz。LT1507 适合采用标准的 8 引脚 SO 封装和 PDIP 封装。利用高效设计把温升保持在一个较低水平。提供了全面的逐周期短路保护和热停机功能。该器件使用标准的表面贴装型外部组件，包括电感器和电容器。特征• 500kHz 恒定开关频率• 采用全表面贴装型组件• 可采用低至 4V 的输入工作• 饱和开关设计 (0.3Ω)• 逐周期电流限制• 可容易地实现同步• 电感器数值低至 2μH• 停机电流：20μA如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/24 13:29:13
AD5231是一款采用非易失性存储器的数字控制电位计，提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能，而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富，可通过一个标准三线式串行接口进行编程，具有16种工作与调整模式，包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读，并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息，如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下，可以将特定设置直接写入RDAC寄存器，以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中，并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复，或者通过外部PR选通脉冲予以恢复； WP功能则可保护EEMEM内容。为简化编程，可以使用线性步进递增或递减命令上下移动RDAC游标，一次一步。利用±6 dB步进命令可以将RDAC游标设置加倍或减半。AD5231采用16引脚TSSOP封装，保证工作温度范围为−40°C至+85°C工业温度范围。特征1024-位置分辨率非易失性存储器保持雨刮器设置使用EEMEM设置进行开机刷新EEMEM恢复时间：典型值140µs全单调操作10 kΩ, 50 kΩ,100kΩ 终端电阻永久存储器写保护雨刮器设置回读预定义线性增量/减量指令预定义±6 dB/步对数锥度增量/减量指令如有型号采购及选型需求，可联系兆亿微波电子元器件商城。
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2025/12/24 13:25:12
AD420 的工作原理架构与工艺AD420 采用 Σ-Δ（sigma-delta，Σ-Δ）架构完成数模转换。该架构天然具备高分辨率下的单调性，非常适合工业控制场合相对较低的带宽需求。芯片采用 BiCMOS 工艺，可在同一颗晶圆上同时实现低电压数字逻辑与高压、高性能模拟电路。调制与滤波芯片内部使用二阶 Σ-Δ 调制器，以最低复杂度和最小芯片面积获得单比特码流。该码流控制一只开关电流源，再经过两片“连续时间 RC 网络”进行滤波。对于标准电流输出模式，仅需外接两只电容即可。电流输出滤波后的电流被放大并以电流镜方式映射到电源轨，用户端看到的是对地的 4–20 mA、0–20 mA 或 0–24 mA 电流源。若需电压输出，只需再外接一只运算放大器，便可获得 0–5 V、0–10 V、±5 V 或 ±10 V。环路故障检测AD420 内置环路故障检测电路。当 IOUT 端电压因“环路开路”或“电源电压不足”而试图超出顺从范围时，FAULT DETECT 引脚拉低报警。该脚为开漏输出，可多片共用一只上拉电阻，实现全局错误检测；上拉可接 Vu 脚，也可接外部 +5 V 逻辑电源。故障检测原理输出电流由内部 PMOS 管与放大器共同调节。故障信号并非靠“窗口比较器”等待真实输出误差出现后才报警，而是当内部放大器仅剩约 1 V 驱动余量（即 PMOS 栅极快降到地）时提前动作。由于比较点位于反馈环内，开环增益可维持输出精度，因此报警前不会产生输出误差。数字接口芯片采用三线串行口：DATA IN、CLOCK、LATCH，可直接与常见微处理器相连，无需额外胶合逻辑。若需在本质安全场合减少隔离器数量，可把 LATCH 经限流电阻直接接 VCC，使芯片进入异步模式；此时数据需加起始位和停止位来帧同步，并触发内部 LATCH 信号。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元...
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2025/12/24 13:22:46
AD7621 提供四种工作模式：宽带快速（Wideband warp）、快速（Warp）、正常（Normal）和脉冲（Impulse）。不同模式适用于不同应用场景。宽带快速模式（WARP=高，IMPULSE=高）与快速模式（WARP=高，IMPULSE=低）均支持最高 3 MSPS 采样率，但仅当两次转换间隔 ≤1 ms 时才能保证全部标称精度。若间隔 1 ms（上电后），第一次转换结果应丢弃。这两种模式适合既要求高精度又需要高采样率的场合；宽带快速模式的线性度和 THD 略优于快速模式。正常模式（WARP=低，IMPULSE=低）最高采样率 2 MSPS，对两次转换间隔无时间限制，适合异步采样的数据采集系统等需要高精度和较高采样率的应用。脉冲模式（WARP=低，IMPULSE=高）功耗最低，转换完成后 ADC 自动关断部分电路，最大吞吐率 1.25 MSPS，非常适合电池供电的节能应用。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/23 13:53:23
应用信息典型应用电路图 86 给出了 HMC521ALC4 的典型应用电路。HMC521ALC4 为无源器件，无需任何外部元件。LO 与 RF 引脚内部已做交流耦合；IFx 引脚内部为直流耦合。若应用无需直流工作，可在此端口外接串联电容进行直流隔离，电容值按所需中频范围选取。若需要 IF 直流工作，则不得超过“绝对最大额定值”表中给出的 IFx 源/灌电流额定值。上变频时的边带选择选用上边带：将 IF1 接混合器的 90° 口，IF2 接 0° 口；选用下边带：将 IF1 接混合器的 0° 口，IF2 接 90° 口。输入信号来自混合器的和口，差口接 50 Ω 端接。下变频时的边带选择低本振（上边带）：IF1 接混合器 0° 口，IF2 接 90° 口；高本振（下边带）：IF1 接混合器 90° 口，IF2 接 0° 口。输出信号取自混合器的和口，差口同样接 50 Ω 端接。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/23 13:41:49
HMC966LP4E 是一款紧凑型 GaAs MMIC I/Q 下变频器，采用无铅、符合 RoHS 标准的 SMT 封装。该器件在小信号下提供 14 dB 的转换增益、2.5 dB 的噪声系数，并在整个频段内实现 40 dBc 的镜像抑制。HMC966LP4E 内部结构为 LNA 后接镜像抑制混频器，混频器由一个主动 ×2 倍频器驱动。镜像抑制混频器省去了 LNA 后的滤波器，并抑制了镜像频率处的热噪声。芯片提供 I 和 Q 两路混频输出，需外接 90° 移相器以选择所需边带。HMC966LP4E 体积远小于传统的混合式镜像抑制下变频组件，且兼容表面贴装生产工艺。具备的特征转换增益：14 dB图像抑制：40 dBc2 LO到RF隔离：40 dB噪声系数：2.5 dB输入IP3:0 dBm24芯4X4毫米SMT封装：16mm²HMC966LP4E非常适合：•点对点和点对多点无线电•军用雷达、电子战和电子情报•卫星通信如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/23 13:35:34
图 7 所示的中频（IF）放大器采用差分开集电极输出（IF+ 与 IF-），并提供一个用于调整内部偏置的引脚 IFBIAS。IF 输出端必须通过供电电压 Vcc 进行偏置，Vcc 经匹配电感 L1、L2 引入；也可通过变压器中心抽头供电。每个 IF 输出引脚约吸收 67 mA 直流电流（两路共 134 mA）。为获得最佳性能，L1、L2 建议选用高 Q 值绕线片式电感；若成本受限，可改用多层片式电感，性能会略有下降。图1图2单端最佳性能为了获得最优单端性能，差分 IF 输出需经外部 IF 变压器或分立 IF 巴伦电路合成。评估板（见图 1 与图 2）采用 4:1 匝比 IF 变压器，同时完成阻抗变换与差分-单端转换。也可省去变压器，直接驱动差分滤波器或差分放大器。IF 输出阻抗在中频可等效为 950 Ω 电阻与 1.2 pF 电容并联，小信号模型见图 8。表 3 给出了随频率变化的差分 IF 输出阻抗数据，该数据以封装引脚为参考（无外接元件），已包含芯片及封装寄生效。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/23 13:30:46
LTC5551 是一款工作电压 2.5 V–3.6 V 的混频器，专为需要极高动态范围的射频下变频应用而优化。其射频（RF）频率覆盖 300 MHz–3.5 GHz，本振（LO）频率范围 200 MHz–3.5 GHz。该器件在保持低功耗的同时，提供非常高的输入三阶截点（IIP3）和 1 dB 压缩点（P1dB）。典型应用为 700 MHz–2.7 GHz 频段基站接收机。RF 输入可在宽频段内完成匹配，中频（IF）可用至 1 GHz。将 ISEL 引脚拉高即可进入低功耗模式，功耗降低约 1/3，但 IIP3 会相应降至约 +29 dBm。通过 EN 引脚可对混频器进行开关控制。LTC5551 的高集成度最大程度地降低了整体方案成本、占用板面积及系统级差异，同时为严苛的接收机应用提供业界最高的动态范围。特征+36dBm输入IP32.4dB转换增益低噪声系数：10dB+18dBm超高输入P1dB670mW功耗2.5V至3.6V操作50Ω单端射频和本振输入0dBm LO驱动电平低电量模式–40°C至105°C操作（TC）解决方案规模小启用引脚16引脚（4mm×4mm）QFN封装应用GSM、LTE、LTE-Advanced基站中继器DPD观测接收机公共安全无线电、军事和国防航空电子设备无线电和空中交通预警和防撞系统应答机有源相控阵天线空白频段无线电接收机如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/23 13:21:55
ADL5350 是一款基于 GaAs pHEMT 工艺的单端无源混频器，内部集成了本振（LO）缓冲放大器。该器件利用 FET 结漏-源沟道电导随电压变化的特点，对射频（RF）信号进行调制。其简化原理图见图 57。本振信号施加于 FET 缓冲放大器的栅极。缓冲放大器为 LO 提供足够增益，以驱动作为电阻开关的混频核心。同时，内部反馈回路为 FET 缓冲放大器和 RF/IF 端口提供所需偏置，使其在常见蜂窝频段内获得最佳调制效率。混频过程通过“以 LO 频率将 RF/IF 端口沟道电导切换至地”来完成。RF 信号先经外部带通网络，抑制镜像频段并降低进入混频器的宽带噪声。受带限后的 RF 信号被加到 RF/IF 端口这一时变负载上，使其包络按 LO 频率被幅度调制。IF 端口需外接滤波网络，用于滤除 RF 分量并保留所需混频产物。在下变频应用中，IF 滤波网络设计为让差频通过，并对入射 RF 频率呈现开路；在上变频应用中，则让和频通过并抑制入射 RF。因此，混频器的整体频率响应由外部 RF/IF 滤波网络的频率特性决定。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/23 13:12:16
LT5560 内部包含一个双平衡混频器、一个共基极输入缓冲放大器以及偏置/使能电路。该芯片专为最高 4 GHz 的频率转换应用而设计，若在更宽频段内工作，性能会有所下降。为获得最佳性能，射频输入与输出应作差分连接。本振（LO）输入可由单端源驱动，支持低本振或高本振两种注入方式。LT5560 在量产测试时采用单端本振驱动进行表征。芯片的静态直流电流可通过外接电阻在 4 mA 以下至约 13.5 mA 范围内调节，使用户能够根据具体应用在三阶交调性能（IIP3）与功耗之间做出权衡。依据不同应用需求，提供三块演示板，详见表 1。所列输入/输出频率范围基于实测 12 dB 回波损耗带宽，而本振端口频率范围则基于 10 dB 回波损耗带宽。DC963B、DC991A 与 DC1027A 的通用电路拓扑分别示于图 1、图 2 与图 3，其 PCB 布局分别见图 23、图 24 与图 25。低频演示板 DC1027A 还可重新配置用于上变频应用。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/12/23 11:50:37
功能概述FM25W256 是一款串行 F-RAM 存储器。其存储阵列逻辑上组织为 32 768 × 8 位，通过工业标准的串行外设接口（SPI）总线进行访问。F-RAM 的功能操作与串行 Flash 和串行 EEPROM 类似，主要区别在于 FM25W256 具备更优异的写入性能、更高的擦写寿命以及更低的功耗。存储器架构访问 FM25W256 时，用户可对 32 K 个 8 位数据单元进行寻址，数据以串行方式移入或移出。地址通过 SPI 协议传输，包含片选信号（允许多器件共享总线）、操作码和 2 字节地址。地址最高位为“无关”位，完整的 15 位地址可唯一指定每个字节地址。FM25W256 的大部分功能由 SPI 接口控制或由片内电路自动处理。存储器操作的访问时间几乎为零，仅受限于串行协议本身，即读写操作以 SPI 总线速度进行。与串行 Flash 或 EEPROM 不同，无需轮询“就绪”状态——写入操作在总线传输完成时即已结束。接口章节将对此做更详细说明。注意：FM25W256 内部仅集成简单的上电复位电路，不含其他电源管理电路。用户必须保证 VDD 在数据手册规定范围内，以防止异常操作。建议不要在片选有效时断电。串行外设接口 — SPI 总线FM25W256 作为 SPI 从器件，最高工作频率 20 MHz。该高速串行总线为 SPI 主器件提供高性能通信。常见微控制器大多自带硬件 SPI 端口，可直接连接；若无，也可用普通 I/O 口模拟 SPI 时序。FM25W256 支持 SPI 模式 0 和模式 3。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
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2025/12/22 11:04:14
FM25W256-GTR 是英飞凌一款高速 256 Kbit F-RAM，具有 151 年的数据保留时间、快速的总线速度写入操作和相当强的写入耐久性，使其成为可靠的非易失性存储器应用的理想选择。它的性能优于传统的串行闪存和 EEPROM，在 -40°C 至 +85°C 的宽工业温度范围内提供高效可靠的性能。其保证的规格和高速 SPI 总线兼容性使其适用于支持 1014 读/写周期或比 EEPROM 多 1 亿倍写入周期的关键应用。具备的特征• 256 Kbit F-RAM 逻辑组织为 32K × 8 • 高耐用性，100 万亿 (1014) 次读/写• 数据保留 151 年• NoDelay ™写入• 高可靠性铁电工艺• 非常快速的串行外设接口 (SPI)• 频率高达 20 MHz• 完善的写保护方案• 低功耗• 宽电压操作：VDD = 2.7 V 至 5.5 V• 工业温度：-40°C 至 +85°C应用• 车载充电（OBC）如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
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2025/12/22 10:56:24
自动增益控制（AGC）没有 AGC 的电路在输入增益过大时，输出会出现削顶失真。AGC 能在输入增益过高时防止输出削顶，从而彻底消除削波。图 1 展示了话筒输入信号过强时，有无 AGC 的对比效果。MAX9814 的 AGC 工作原理如下：首先检测输出电压是否超过预设门限；一旦超限，便按设定的“起控时间”常数降低话筒放大器增益，以抑制过大的输出幅值。该过程称为“attack（起控）”。当输出信号幅值随后下降时，增益先保持一段短暂时间，再缓慢恢复到正常值；这段“先保持、再缓慢恢复”的过程称为“hold & release（保持与释放）”。放大器对输入信号变化的响应速度由外部定时电容 Cct 和施加在 A/R 引脚的电压共同决定。AGC 门限可通过调整 VrH 来设定。增益衰减量随输入信号幅度变化，最大可达 20 dB。图 2 展示了一次输入突发脉冲超过预设门限后，输出的起控、保持与释放过程。如果起控与释放时间设置得过快，增益会随信号动态快速起伏，容易产生所谓的“抽吸声”或“呼吸声”等可闻失真。为获得最佳效果，应根据音源类型调整 AGC 的时间常数。若主要音源为音乐 CD，建议采用 160 µs 的起控时间与 80 ms 的释放时间。音乐类应用通常比语音或影视内容需要更短的释放时间。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
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2025/12/22 10:47:31
MAX9814 是一款低成本、高品质的话筒放大器，集成自动增益控制（AGC）和低噪声话筒偏置。芯片内部包含低噪声前置放大器、可变增益放大器（VGA）、输出放大器、话筒偏置电压发生器以及 AGC 控制电路。低噪声前置放大器的固定增益为 12 dB；VGA 增益根据输出电压和 AGC 阈值在 20 dB 至 0 dB 之间自动调节。输出放大器提供 8 dB、18 dB、28 dB 三档可选增益。无压缩时，三级放大器级联后的总增益分别为 40 dB、50 dB 或 60 dB。一个三态数字输入用于设定输出放大器增益；外部电阻分压器设定 AGC 阈值，单颗电容设定起控/释放时间；另一个三态数字输入设定起控与释放时间之比。AGC 保持时间固定为 30 ms。低噪声话筒偏置电压发生器可为大多数驻极体话筒提供偏置。MAX9814 采用节省空间的 14 引脚 TDFN 封装，工作温度范围为 –40 °C 至 +85 °C。特征● 自动增益控制（AGC）● 三种增益设置（40dB、50dB、60dB）● 可编程攻击时间● 可编程攻击和释放比● 2.7V至5.5V电源电压范围● 30nV/√Hz的低输入参考噪声密度● 低THD：0.04%（典型值）● 低功耗关机模式● 内部低噪声麦克风偏置，2V● 提供节省空间的14针TDFN（3mm x 3mm）包装● -40°C至+85°C扩展温度范围应用● 数字照相机● 数码摄像机● PDAs● 蓝牙耳机● 娱乐系统（如卡拉OK）● 双向沟通者● 高品质便携式录音机● IP电话/电话会议如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/22 10:32:15
ADV7513 是亚德诺一款 165 MHz 的高清多媒体接口（HDMI）发射器，适用于 DVD 播放机/录像机、数字机顶盒、A/V 接收器、游戏主机和 PC 等设备。该数字视频接口内置兼容 HDMI v1.4 / DVI v1.0 的发射器，支持所有 HDTV 格式。ADV7513 支持 HDMI v1.4 的特定功能，包括 3D 视频。它还支持 x.v.Color、高比特率（HBR）音频，以及可编程的辅助视频信息（AVI）InfoFrame 功能。通过集成 HDCP，ADV7513 可按照 HDCP v1.4 协议安全传输受保护内容。ADV7513 支持 S/PDIF 和 8 通道 I²S 音频。其高保真 8 通道 I²S 接口可传输立体声或 7.1 环绕声，采样率最高可达 768 kHz。S/PDIF 接口支持包括 Dolby Digital、DTS 和 THX 在内的压缩音频。该芯片采用先进 CMOS 工艺制造，提供 64 引脚 LQFP 表面贴装塑料封装（带裸露焊盘），工作温度范围为 -25°C 至 +85°C。主要特性通用特性集成 HDMI v1.4 功能，包括 3D 视频支持165 MHz 带宽，支持高达 1080p 和 UXGA 的所有视频格式支持色域元数据包传输集成 CEC 缓冲器/控制器兼容 DVI v1.0 和 HDCP v1.4视频/音频输入接受 1.8 V 至 3.3 V 逻辑电平数字视频支持 3D 视频可编程双向色彩空间转换器支持 RGB、YCbCr 和 DDR支持基于 ITU-656 的嵌入式同步信号自动输入视频格式时序检测（CEA-861-E）数字音频支持标准 S/PDIF，用于立体声线性脉冲编码调制（LPCM）或压缩音频，最高 192 kHz支持高比特率（HBR）音频支持 8 通道未压缩 LPCM I...
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2025/12/22 10:28:16
印制电路板（PCB）布局对所有电源应用的性能影响巨大。IC 与外部世界之间能否实现良好的电气与热连接，往往决定整个系统的成败。务必认真对待、细致规划任何应用板的布局。裸露地焊盘封装底部的裸露地焊盘是 IC 唯一的地回路，若未与地平面形成高质量焊点，芯片将无法正常工作。RT 引脚、补偿网络、PWM 或 CTRL 分压器等模拟地，应单独（Kelvin）连接到该裸露焊盘。输入/输出电容及 LED 负载需另设“功率地”。如有可能，给 INTVCC 的旁路电容再单独设一地。地平面与热管理必须至少放置一层完整地平面，且不能被其他走线割裂，应呈连续、宽大的铜面。若器件通过过孔接地，尽量采用塞孔（filled via）。在裸露焊盘区域尽可能多地放置过孔，将其与地平面相连；具体数量以 PCB 厂工艺上限为准，切勿简单复制他人版图。功率路径除焊好裸露焊盘外，其余功率回路也需宽敞、低阻抗：Vin 与负载走线尽量宽、短。电流检测电阻尽量靠近 IC，ISP、ISN 两条 Sense 线必须并行走线，不允许分岔，以减小差模干扰。SW 节点铜面积最小化：输出电容与外部续流二极管紧靠 IC 放置，缩短“热环路”（hot loop）。若使用外部 PMOS 做负载断开，漏源极用宽铜，但栅极驱动线必须细而短，且功率路径上尽量避免过孔；若无法避免，应并行放置 10 个以上。EMI 抑制尽管 LT3950 内部已做 EMI 优化，但布局仍至关重要：减小 SW 节点面积可降低开关看到的寄生电容，从而削减电流尖峰。若“热环路”面积过大，EMI 性能将显著恶化；务必将输出电容与续流二极管紧贴 IC 的 SW 引脚放置。更多热环路设计细节请参考 ADI 应用笔记 AN136 与 AN139。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/19 11:03:18
LT3950 是一款多拓扑 DC/DC 转换器，专门设计用于驱动高电流 LED。它包含 1.5A、60V DMOS 开关，并支持外部 PWM 调光 PMOS。LT3950 具有用于调光的内部 PWM 发生器，该发生器将模拟控制信号映射到用于定义 PWM 调光占空比的指数坐标系。使用指数坐标系定义占空比，可在大 LED 电流范围内保持调光分辨率。除了作为恒定电流源之外，LT3950 还提供输出电压调节。如果发生开路 LED 事件，可以用来防止损坏部件。可编程开关频率为提高效率或减小组件尺寸提供了设计灵活性。启用扩频频率调制，可降低 EMI。通过使用外部时钟驱动 SYNC/SPRD 引脚，也可以轻松地使开关频率同步。LED 电流可通过单个外部检测电阻进行编程，并可通过 CTRL 引脚上的模拟信号，将其从零调整至满量程。具备的特征• 可在升压、SEPIC、降压以及升降压模式下工作• 128:1 内部指数刻度 PWM 调光• 宽输入电压范围 (3V 至 60V)• 1.5A、60V 内部开关• 20000:1 100Hz 外部 PWM 调光• ±2% LED 电流和输出电压调节• 用于 PWM 调光的 PMOS 开关驱动器• LED 短路/断路保护和指示应用• 显示器背光照明• 汽车和航空电子设备照明如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025/12/19 10:58:15