QorvoQPD1035 GaN射频功率晶体管是40W分立式碳化硅基氮化镓HEMT，工作频率范围为直流至6GHz，工作采用50V电源。Qorvo QPD1035晶体管具有输入预匹配，因此非常适合用于脉冲和连续波操作中的宽带放大器。这些器件不含铅，符合RoHS指令。特性工作频率范围：直流至6GHz工作电压：50V输出功率 (P3dB) = 50W漏极效率 (P3dB) = 52.2%线性增益 = 15.1dB低热阻封装应用军用雷达民用雷达专业无线电和军用无线电通信测试仪器宽带或窄带放大器干扰发射机框架图
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2024/10/21 13:37:55
QorvoPAC55712电源应用控制器 (Power Application Controllers®) 优化用于高速BLDC电机控制。Qorvo PAC55712控制器将150MHz Arm® Cortex®-M4F微控制器与Active-Semi®专有的多模电源管理器 (Multi-Mode Power Manager™)、可配置模拟前端 (Configurable Analog Front-End™)，以及特定应用电源驱动器 (Application-Specific Power Driver™) 整合在一起。此紧凑型解决方案包括128kB闪存、32kB SRAM、2.5MSPS ADC（可编程自动采样，最高可达24倍序列）、3.3V IO、灵活的时钟控制、PWM/通用定时器和多个串行通信接口。特性150MHz Arm cortex M4F128kB闪存、32kB SRAM70V降压/SEPIC直流/直流控制器，带外部NCH FET5V/200mA系统电源三个高侧70V、1.2A（拉电流）/1.8A（灌电流）栅极驱动器三个低侧20V、1.2A（拉电流）/1.8A（灌电流）栅极驱动器VDS 检测逐周期保护三个差分PGA（x1至x48）四个单PGA（x1至x48）可编程过流关断可编程比较器迟滞和消隐同时采样和保持3次循环应用工业BLDC电机控制（泵、风扇、机器人）电动和园林工具小家电电动出行
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2024/10/21 13:28:47
QorvoPAC55724电源应用控制器 (Power Application Controller ® ) 设计用于高速BLDC电机控制。 Qorvo PAC55724控制器将150MHz Arm® Cortex®-M4F微控制器与Active-Semi®专有的多模电源管理器 (Multi-Mode Power Manager™)、可配置模拟前端 (Configurable Analog Front-End ™ )，以及特定应用电源驱动器 (Application-Specific Power Driver™ ) 整合在一起，提供紧凑的电机控制解决方案。 主要特性包括128kB嵌入式闪存、32kB SRAM、2.5MSPS ADC（可编程自动采样，最高可达24倍序列）、3.3V I/O、灵活时钟控制、PWM、通用定时器和多个串行通信接口。特性150MHz Arm cortex M4F128kB闪存、32kB SRAM70V降压/SEPIC直流/直流控制器，带外部NCH FET5V/200mA系统电源三个高侧70V 1.2A（拉电流）/1.8A（灌电流）栅极驱动器三个低侧20V 1.2A（拉电流）/1.8A（灌电流）栅极驱动器逐周期保护三个差分PGA（x1至x48）四个单PGA（x1至x48）可编程过流关断可编程比较器迟滞和消隐3相同时采样和保持应用工业BLDC电机控制（泵、风扇、机器人）电动和园林工具小家电电动出行框架
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2024/10/21 13:26:13
QorvoQPA2811功率放大器是大功率、封装的X波段MMIC放大器，采用0.15μm碳化硅基氮化镓工艺 (QGaN15) 制造而成。这些放大器的工作频率范围为8.5GHz至10.55GHz，饱和输出功率为48.9dBm，大信号增益为27.9dB，功率附加效率为48.5%。QPA2811放大器采用7mm x 7mm 48引脚塑料包覆成型封装。这些功率放大器 支持各种工作条件，可满足最佳支持系统要求。这些放大器完全匹配至50Ω，设有直流接地射频端口，可实现最佳性能， 非常适合用于军用雷达系统。特性8.5 GHz至10.55 GHz频率范围PSAT ：48.9dBm（PIN =21dBm）PAE：48.5%（PIN =21dBm）功率增益：27.9dB（PIN =21dBm）工作电源电压：24V工作电源电流：1.24mA偏置：VD =24V，IDQ =1.24A封装尺寸：7 mm x 7 mm x 0.82 mm无铅，符合RoHS指令应用军用雷达系统
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2024/10/21 13:20:43
QorvoQPA1111功率放大器是大功率、封装的X波段MMIC放大器，采用0.15 μm碳化硅基氮化镓工艺（QGaN15）制成。 这些放大器的工作频率范围为8.5GHz至10.5GHz，储存温度范围为-55°C至150°C。QPA1111放大器具有30W饱和输出功率、45%功率附加效率和38dB小信号增益。这些放大器完全匹配至50Ω,设有直流接地I/O端口，可实现最佳ESD性能， 简化了系统集成。QPA1111功率放大器100%经过直流和射频测试，以确保符合电气规范，非常适合用于雷达、卫星通信和数据链路应用。特性8.5 GHz至10.5 GHz频率范围POUT ：45dBm（PIN =18dBm）PAE：45%（PIN =18dBm）功率增益：27dBm（PIN =18dBm）功率耗散（PD）：65W小信号增益：38 dB储存温度范围：-55°C至150°C偏置：脉冲VD =22VIDQ =620mAPW=100μsDC=10%典型范围：VG =-2.3V封装尺寸：6 mm x 6 mm x 0.85 mm无铅，符合RoHS指令应用卫星通信雷达数据链路功能框图
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2024/10/21 13:17:56
安森美NCV8189高精度低压差 (LDO) 稳压器是0.5A器件，具有低噪声、低静态电流、下一代高PSRR和电源良好开路集电极输出。NCV8189稳压器可调节低至0.6V的输出电压和出色的负载/线路瞬态。NCV8189设计用于搭配4.7µFµ输入和输出陶瓷电容器使用。安森美NCV8189 LDO稳压器设计用于满足射频/敏感模拟电路要求，采用行业标准DFNW8 0.65P (3mm x 3mm) 和WDFNW6 0.65P (2mm x 2mm) 封装。特性工作输入电压范围：1.6V至5.5V0.6V至5.0V固定电压选项0.6V可调版本参考电压初始精度：±0.7%（+25°C时）整个负载和温度范围内的精度：±1%（高达+125°C）低静态电流：35µA（典型值）关断电流：0.1µA（典型值）极低压差：65mV（典型值，0.5A时，3.3V型号）高PSRR：85dB（典型值）（100mA，f=1kHz时）低噪声：10µVRMS（固定版本）可通过小型4.7µF陶瓷电容器稳定工作受控输出电压转换率：5mV/µs采用以下封装DFNW8：3mm × 3mm × 0.9mm外壳507ADWDFNW6：2mm x 2mm x 0.75mm外壳511DW无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令应用通信系统车载网络远程信息处理、信息娱乐和仪表板通用汽车典型应用示意图
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2024/10/21 13:13:50
安森美 (onsemi)NCV51752隔离式单通道栅极驱动器设计用于快速开关，以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET电源开关。NCV51752具有4.5A拉峰值电流/9A灌峰值电流和短/匹配传播延迟。为了提高可靠性、dV/dt抗扰度和更快关断，NCV51752产生负偏置电源轨。安森美 (onsemi) 驱动器提供其他必要的保护功能，例如两侧驱动器的独立欠压锁定。NCV51752符合AEC-Q100标准，采用4mm SOIC-8封装，支持高达3.75kVRMS 的隔离电压。特性选项：VCC UVLO以GND2为基准GND2和VEE 引脚之间内置负偏置可通过调整选择负偏置电平输入电源电压：3V 20V至输出电源电压范围为6.5V至30V，MOSFET为6V和8V，SiC阈值为12V和17V4.5 A峰值拉电流、9 A峰值灌电流输出能力最小CMTI：200V/ns dV/dt输入引脚具有负5V处理能力36 ns典型传播延迟，5 ns最大延迟匹配符合汽车应用要求的AEC-Q100标准隔离和安全3.75kVRMS 隔离，持续1分钟（符合UL1577要求）（规划中）通过GB4943.1-2011 CQC认证（规划中）符合IEC 62386-1标准的SGS FIMO认证（规划中）应用板载充电器xEV 直流-直流转换器牵引逆变器充电站典型应用电路简化框图
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2024/10/21 13:08:59
安森美半导体RSL10多协议Bluetooth 5系统级封装 (SiP) 是一款完整的解决方案，可轻松将低功耗蓝牙低功耗技术集成到无线应用中。RSL10 SiP在单一封装中集成了RSL10 SoC、板载天线及所有必要的无源元件，有助于最大限度地减小系统整体尺寸。RSL10 SiP完全符合FCC、CE和其他法规标准，无需额外的天线设计考虑或射频认证。特性完全符合全球监管标准Bluetooth 5QDID声明IDFCC、CE、IC、MIC、KC超低功耗：峰值接收电流：5.6mA (1.25V VBAT)峰值接收电流：3.0mA (3V VBAT)峰值发射电流 (0dBm)：8.9mA (1.25V VBAT)峰值发射电流 (0dBm)：4.6mA (3V VBAT)深度休眠电流消耗 (1.25V VBAT)：深度休眠、IO唤醒：50nA深度休眠、8KB RAM（用于保留数据）：300nA电流消耗 (3V VBAT)：深度休眠、IO唤醒：25nA深度休眠、8KB RAM（用于保留数据）：100nAEEMBC ULPMark内核概览 (3.0V)：1090EEMBC ULPMark内核概览 (2.1V)：1360完整的解决方案RSL10无线电SoC全集成天线所有无源元件先进的多协议无线功能支持蓝牙低功耗和2.4GHz专有/定制协议接收灵敏度：-94dBM发射功率：−17dBm至+6dBm支持无线固件 (FOTA)内置电源管理先进的双核架构1.1V至3.3V电源范围384kB闪存、76kB程序存储器、88kB数据存储器IP保护功能，闪存内容可配置的模拟和数字传感器接口（GPIO、LSAD、I2C、SPI、PCM）应用物联网边缘节点应用蓝牙低功耗技术能量采集可穿戴设备健身追踪器健康监控器智能手表智能锁家用电器 照明应用
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2024/10/21 11:41:45
安森美 (onsemi) NCD57000和NCD57001大电流IGBT驱动器是内置电流隔离功能的单通道IGBT栅极驱动器，设计用于为大功率应用实现高系统效率和可靠性。NCD57000和NCD57001 IGBT驱动器具有互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确UVLO、DESAT保护以及DESAT软关断特性。另外，NCD57000 IGBT驱动器还可提供独立的高侧和低侧（OUTH和OUTL）驱动器输出，以实现较高的系统设计灵活性和便利性。NCD57000和NCD57001均可在输入侧提供5.0V和3.3V信号，在驱动器侧提供较宽的偏置电压范围，包括负电压能力。这些器件具有>5kVrms（符合UL1577标准）和>1200Viorm（工作电压）功能。NCD57000和NCD57001 IGBT栅极驱动器采用宽体SOIC-16封装，输入和输出之间的爬电距离保证为8mm，以满足增强的安全绝缘要求。这些器件无铅、无卤，符合RoHS指令。特性在IGBT米勒平坦电压下具有大电流输出 (+4A/-6A)低输出阻抗，用于增强型IGBT驱动传播延迟时间短，具有精确匹配有源米勒钳位，防止杂散栅极导通DESAT保护，带可编程延迟独立的高侧和低侧（OUTH和OUTL）驱动器输出（仅限NCD57000）针对DESAT的负电压（低至-9V）能力IGBT短路期间的软关断短路期间的IGBT栅极钳位IGBT栅极有源下拉UVLO阈值小，实现偏置灵活性宽偏置电压范围，包括负VEE2输入电源电压：3.3V至5.0V设计用于符合AEC-Q100标准5000V电流隔离（以满足UL1577要求）1200V工作电压（符合VDE0884-11要求）高瞬态抗扰度高电磁抗扰度封装：SOIC-16 WB无铅、无卤，符合RoHS指令应用太阳能逆变器电机控制焊接不间断电源 (UPS)工业电源简化应用电路
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2024/10/21 11:39:19
安森美 (onsemi)NVVR26A120M1WSB碳化硅 (SiC) 模块是VE-Trac™ B2 SiC高度集成功率模块系列的一部分，用于EV和HEV牵引逆变器应用。此SiC模块在半桥配置中集成了1200V漏极-源极电压，以及用于裸芯连接的烧结技术，可提高可靠性和散热性能。NVVR26A120M1WSB模块具有超低RDS(on) 、氮化铝隔离器和7.1nH超低杂散电感。此SiC模块的工作温度范围为-40°C至175°C，采用AHPM-15封装。NVVR26A120M1WSB模块符合汽车级AQG324标准，达到UL 94 V-0可燃性等级。特性超低RDS(on)氮化铝隔离器超低杂散电感：7.1nH汽车级SiC MOSFET芯片技术烧结裸芯技术，实现高可靠性能1200 V漏源电压栅极-源极电压：+25V/-10V工作温度范围：-40°C至175°CAHPM15 封装符合汽车模块AQG324标准支持PPAPUL 94 V-0可燃性等级应用汽车电动汽车 (EV)混合 (HEV) 牵引逆变器引脚配置尺寸图
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2024/10/21 11:33:24
Mini-Circuits的LFHK-2250+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）低通滤波器，具有直流至2250 MHz的通带，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该型号在宽带上提供了1.5 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性低插入损耗，典型值1.5 dB。通带回波损耗，典型值18 dB。阻带抑制，典型值72 dB。1008表面安装占地面积功率处理：7.5 W应用测试和测量设备谐波抑制VHF/UHF发射机/接收机实验室使用功能图+25°C时的典型频率响应外观尺寸图
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2024/10/18 13:43:17
HMC424ALP3E是一款宽带、6位、砷化镓(GaAs)、数字衰减器，采用低成本、无引脚表贴封装，以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。HMC424ALP3E在0.1 GHz至13.0 GHz的指定频率范围内具有出色的衰减精度（±0.2 dB + 4%的衰减状态）和高输入线性度，典型插入损耗小于4 dB。衰减器位值为0.5 dB (LSB)、1 dB、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB，总衰减为31.5 dB，典型步长误差为±0.5 dB。该器件允许用户通过在0 V至VEE之间切换的六个并行控制输入对衰减状态进行编程设定。HMC424ALP3E采用−3 V至−5 V单个负电源供电，需要外部电平转换器以便连接CMOS/晶体管对晶体管逻辑(TTL)接口。HMC424ALP3E采用符合RoHS标准的紧凑型、3 mm × 3 mm、16引脚引脚架构芯片级封装(LFCSP)。特性• 衰减范围：0.5 dB (LSB)步进至31.5 dB• 步长误差：±0.5 dB（典型值）• 低插入损耗：2.8 dB（4 GHz时）• VEE = −3 V 时具有高线性度• 输入P0.1dB：22 dBm（典型值）• 输入IP3：45 dBm（典型值）• 高RF输入功率处理：25 dBm（最大值）• 低相对相位：30°（典型值，6.0 GHz）• 单电源供电：−3 V至−5 V• 16引脚、3 mm × 3 mm LFCSP封装应用• 基站基础设施• 光纤和宽带通信• 微波和VSAT无线电• 军事和太空• 测试仪器仪表引脚图
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2024/10/18 13:31:50
ADP151是一款超低噪声、低压差(LDO)线性稳压器，采用2.2 V至5.5 V电源供电，最大输出电流为200 mA。在200 mA负载下压差仅为135 mV，不仅可提高效率，而且能使器件在很宽的输入电压范围内工作。ADP151采用新颖的电路拓扑结构，实现了超低噪声性能，而无需旁路电容，使该器件非常适合对噪声敏感的模拟和RF应用。ADP151在提供超低噪声性能的同时，并不影响其电源电压抑制比(PSRR)或线路与负载瞬态响应性能。200 mA负载时工作电源电流低至265 μA，因此ADP151适合电池供电的便携式设备。ADP151的EN输入引脚还内置一个下拉电阻。ADP151经过专门设计，利用1 μF、±30%小型陶瓷输入和输出电容便可稳定工作，适合高性能、空间受限应用的要求。可提供1.1 V至3.3 V范围内的16种固定输出电压选项。短路和热过载保护电路可以防止器件在不利条件下受损。ADP151提供5引脚TSOT、6引脚LFCSP和4引脚、0.4 mm间距、无卤素WLCSP三种小型封装，是适合各种便携式供电应用要求的业界小尺寸解决方案。特性• 超低噪声：9 μV rms• 无需噪声旁路电容器• 在使用 1 μF 陶瓷输入和输出电容的情况下稳定工作• 最大输出电流：200 mA• 输入电压范围：2.2 V 至 5.5 V• 低静态电流• IGND = 10 μA，IOUT = 0 μA• IGND = 265 μA，IOUT = 200 mA• 低关断电流：<1 μA• 低电压差：IOUT = 200 mA 时为 135 mV• 初始精度：±1%• 线路、负载和温度的精度：±2.5%• 16 个固定输出电压选项：1.1 V 至 3.3 V• 10 kHz 时的 PSRR 性能为 70 dB• 限流和过热过载保护• 逻辑控制使能• EN 输...
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2024/10/18 13:20:55
LTC®5596 是一款高准确度 RMS 功率检波器，可提供从 100MHz 至高达 40GHz 的非常宽的 RF 输入带宽。这使得该器件适合众多的 RF 和微波应用，例如：点对点微波链路、仪表和功率控制应用。该检波器的 DC 输出电压是施加至 RF 输入端之信号平均功率的准确表示。响应是对数线性，在一个 35dB 动态范围内具有 29mV/dB 的对数斜率，准确度通常优于 ±1dB。这款检波器非常适合测量具高达 12dB 之波峰因数 (CF) 的波形，以及波峰因数在测量期间呈现显著变化的波形。为了实现较高的准确度和较低的输出纹波，可利用一个连接在 FLTR 和 OUT 引脚之间的电容器在外部进行平均带宽的调节。使能接口负责在主动测量模式和一种低功率停机模式之间切换器件。特性• 超宽的匹配输入频率范围：100MHz 至 40GHz• 35dB 线性动态范围 (< ±1dB 误差)• 29mV/dB 对数斜率• ±1dB 平坦响应 (从 200MHz 至 30GHz)• 高波峰因数 (高达 12dB) 调制波形的 RMS 功率准确测量• 低功率停机模式• 低电源电流：在 3.3V 时为 30mA (典型值)• 小外形 2mm x 2mm 塑料 DFN8 封装• I 级：额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C• H 级：额定工作温度范围为 –40°C 至 125°C• 具有保证的对数斜率和对数截距• ESD 额定值：3500V HBM，1500V CDM应用点对点微波链路仪器和测量设备军用无线电LTE、WiFi、WiMax无线网络RMS功率测量接收和发射增益控制射频功率放大器发射功率控制引脚配置点击购买：LTC5596IDC#TRMPBF
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2024/10/18 13:15:44
Mini-Circuits的LFHK-3800+是一种微型低温共烧陶瓷（LTCC）低通滤波器，具有直流至3800 MHz的通带，支持各种应用。由于其坚固的单片结构，该模型在宽带上提供了1 dB的典型插入损耗。该滤波器采用1008陶瓷小尺寸封装，是密集信号链PCB布局的理想选择，可以补充MMIC的尺寸和性能。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化，同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特性插入损耗低，典型值为1dB。通带回波损耗，典型值13dB。阻带抑制，典型值74dB。1008表面安装占地面积功率处理：9.5 W应用测试和测量设备VHF/UHF发射机/接收机实验室使用谐波抑制功能图+25°C时的典型频率响应外观尺寸图
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2024/10/18 11:58:01
SMIQ-5143H+是一种使用GaAs HBT技术制造的无源宽带同相/正交（I/Q）混频器。该模型可用作传输应用的单边带上变频器或接收器应用的图像抑制混频器SMIQ-5143H+是需要固有抑制图像信号和杂散混频产物的宽带频率转换应用的理想选择。混频器覆盖了5至14 GHz的RF和LO频率范围以及DC至7 GHz的IF频率范围的宽带。作为无源混频器，SMIQ-5143H+的噪声系数低于有源混频器，为高性能应用提供了卓越的动态范围。该混频器采用紧凑的4x4 mm 24导联QFN封装，无需直流偏压即可运行。特性宽带射频和本振，5至14 GHz宽带中频，直流至7 GHz出色的图像抑制，典型。30分贝典型的高LO-RF隔离。41分贝高输入IP3，典型+27 dBm可用作图像拒绝混合器和SSB转换器4x4 mm，24引脚QFN型封装应用测试和测量设备回程收音机卫星通信雷达、电子战和电子对抗防御系统功能图外观尺寸图
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2024/10/18 11:54:19
HFBR-0500Z 系列包括发射器、接收器、连接器和用于简易设计的光纤。这一系列的元件是解决电压隔离/绝缘、EMI/RFI 抗扰或数据安全问题的理想选择。光纤链路的设计因逻辑兼容接收器和各元件的齐全规格而得以简化。采用 HFBR-0500Z 系列配置的链路可在 0°C 至 70°C 之间充分保证主要的光电参数。特性·符合 RoHS 标准·低成本光纤元件·增强型数字链路：DC-5 MBd·40 kBd 时链路传输距离延长达 120 米·低电流链路：6mA 电源峰值电流·横向和纵向安装·互锁功能·噪声抗扰度高·易接式单工、双工和锁定连接器·阻燃·发射器内含便于观察的 660nm 红色 LED·兼容标准 TTL 电路应用降低雷电/电压瞬态敏感性电机控制器触发数据通信和局域网FCC、VDE和CSA等受监管系统的电磁兼容性（EMC）Tempest安全数据处理设备试验和测量仪器中的隔离工业和制造设备的无差错信号汽车通信和控制网络音视频设备中的抗噪声通信
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2024/10/17 15:36:29
HCNR201 高线性模拟光电耦合器内含一个高性能 AlGaAs LED和两个高度匹配的光二极管。输入光二极管可以用来监测并稳定 LED 的光度输出，因此 LED 的非线性和漂移特性几乎被消除，输出光二极管会产生线性对应 LED 光输出的光电流，光二极管间的紧密匹配和先进的封装设计可以确保光电耦合器的高线性度和稳定增益。HCNR201 可以用来提供需要良好稳定性、线性度、带宽和低成本等各种广泛应用的模拟信号隔离、HCNR201 具备高灵活度，并可通过应用电路的适当设计带来许多不同工作模式，包括单极/双极、AC/DC 以及反相和同相，HCNR201 为许多模拟隔离问题的卓越解决方案。特性·0.01% 超低非线性度·K3 (IPD2/IPD1) 转换增益 +/-5%·-65 ppm/°C 低增益温度系数·DC 到 > 1MHz 高带宽应用低成本模拟隔离电信：调制解调器、PBX工业过程控制：用于4 mA至20 mA热耦合器回路隔离的传感器隔离器SMPS反馈回路监控电机电源电压医疗
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2024/10/17 15:34:35