SN65MLVD2和SN65MLVDE3都是单通道M-LVDS接收器。这些设备是完整设计的符合TIA/EIA-899（M-LVDS）标准，经过优化，可在高达250 Mbps。每个接收机信道由一个接收使能（RE）来控制。当RE=低时，对应的通道已启用；当RE＝高时，对应的信道被禁用。M-LVDS标准定义了两种类型的接收器，分别指定为类型-1和类型-2。1型接收器（SN65MLVD2）具有以零为中心的阈值，具有25mV的滞后，以防止输出振荡投入损失；2型接收器（SN65MLVD3）通过使用偏移阈值实现故障保护。接受者输出被转换速率控制以减少与大电流浪涌相关的EMI和串扰效应。SN65MLVD2DRBR 设备的特点是在-40°C至85°C的温度下运行。
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2023/5/23 11:42:24
YAT-5A+（符合RoHS标准）是一种固定值、吸收性MMIC衰减器，采用高度重复的IPD工艺技术制造在GaAs衬底上具有薄膜电阻器。这种设计结合了晶片金属化过孔，以实现低热电阻和宽带操作，在其整个操作带宽上具有出色的衰减精度和平坦度。可提供标称衰减值为0至10dB（以1dB为步长）、12、15、20和30dB的系列衰减器。已打包在一个2 x 2毫米的MCLPTM封装中，它非常适合拥挤的电路板布局中的狭小空间。也可采用模具形式。YAT-5A+应用1.手机2.PCS3. 通讯4. 雷达5. 国防
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2023/5/23 11:41:21
AD8675精密运算放大器是一款具有超低的偏移、漂移和电压噪声，以及极低的输入偏置电流、 漂移和电压噪声，并且能够在整个工作温度范围内具有非常低的输入偏置电流。在整个工作温度范围内具有超低的失调、漂移和电压噪声，并具有非常低的输入偏置电流。轨至轨输出和极低噪声的精密、宽带宽运算放大器。摆动和非常低的噪声。其产品的工作范围完全指定为 ±5 V至±15 V。AD8675精密运算放大器具有与OP184一样的轨至轨输出,但AD8675具有较宽的带宽和更低的电压噪声，并与OP184的精度和低功耗相结合。与行业标准OP07放大器一样，具有精度和低功耗。工业标准的OP07放大器。与其他低噪声、轨至轨运算放大器不同，AD8675具有非常低的输入偏置电流和低输入电流噪声AD8675典型的偏移电压只有10 µV，偏移漂移为0.2 µV/°C、 噪声仅为0.10 μV p-p（0.1 Hz至10 Hz），因此，AD8675完全适用于不能有大误差源的应用。AD8675完全适用于不能容忍大误差源的应用。容忍的应用。对于具有更低偏移公差的应用、专有的归零功能允许将器件和系统的偏移误差结合起来，最高可达器件和系统的偏移误差高达3.5 mV（参考输入），可以从外部补偿。输入）进行外部补偿。
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2023/5/23 11:30:12
SKY13418-485LF是一个单刀八掷（SP8T）的天线开关。产品具有高线性度性能和低插入的高线性性能和低插入损耗，因此使其成为基于LTE的手机中常用的主/分集开关的理想选择。在基于LTE的手机中通常使用主/分集开关、 数据卡和使用天线分集解决方案的平板电脑中常用的主/分集开关。对称端口设计为接收分集和更高功率的TD-SCDMA/TDD-LTE提供了信号路由方面的灵活性。接收分集和更高功率的TD-SCDMA/TDD-LTE、 WCDMA/FDD和LTE发射/接收应用。SKY13418-485LF开关是由三个CMOS/TTL兼容的控制 电压输入（V1、V2和V3）。根据控制引脚的逻辑电压 根据应用于控制引脚的逻辑电压水平，ANT引脚被连接到八个切换的射频输入/输出（I/O）端口（RF1至RF8）中的一个。八个开关射频输入/输出（I/O）端口（RF1至RF8）中的一个，使用一个低插入损耗的路径。低插入损耗的路径，而ANT引脚和其他射频引脚之间的路径则处于低插入损耗。其他射频引脚之间的路径处于高隔离状态。不需要外部 除非外部施加直流电压，否则射频路径上不需要外部阻断电容。
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2023/5/23 11:26:09
ACFL-6211U和ACFL-6212U是双通道、双向、高速数字CMOS光耦合器。产品采用加长型SO-12封装的外形设计与标准的表面贴装工艺兼容，其所占土地面积与他们的单通道拉伸型SO8封装相同。并且产品这种数字光耦合器在发光二极管和集成光电探测器之间使用绝缘层，在输入和输出之间提供电绝缘。数字光耦合器的每个通道都有一个集成光电二极管的CMOS探测器IC，一个高速跨阻抗放大器，以及一个带输出驱动器的电压比较器。Avago R2Coupler技术提供强化的绝缘和可靠性，在高温工业应用中提供关键的安全信号隔离。ACFL-6212U-000E产品应用CANBus和SPI通信接口高温数字/模拟信号隔离 功率晶体管隔离
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2023/5/23 11:10:29
ACFL-5211U是双通道、双向、高速的1MBd数字光耦合器。采用拉伸式SO-12封装外形设计与标准的表面贴装工艺兼容，并占据与拉伸式SO8封装相同的土地面积。ACFL-5211U主要是在发光二极管和集成光检测器之间使用绝缘层，在输入和输出之间提供电绝缘。Avago R2Coupler提供强化的绝缘和可靠性，在高温工业应用中提供关键的安全信号隔离，每个通道都是电隔离的，没有交叉干扰。ACFL-5211U-000E的应用低速数字信号隔离接口变频器故障反馈信号隔离开关电源反馈电路
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2023/5/23 11:05:36
HCPL-772X或HCPL-072X光耦合器俩者分别采用8引脚DIP或SO-8封装方式，产品利用CMOS IC技术，以极低的功耗实现出色的性能。HCPL-772X/072X只需要两个旁路电容就可以实现完全的CMOS兼容。HCPL-0720产品的特点包括：兼容+5 V CMOS、20 ns的最大道具延迟偏移、高速：25 MBd、40 ns 最大支持延迟、10 kV/µs最小共模抑制、40至85℃温度范围、安全和监管认证 产品应用数字现场总线的隔离： CC-Link, DeviceNet, Profibus, SDS交流等离子显示面板的电平转换多路数据传输计算机外围接口微处理器系统接口
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2023/5/23 10:55:25
ACPL-W70L（单通道）和ACPL-K73L(双通道)是15MBd CMOS光耦合器，两者分别采用SSOIC-6和SSOIC-8封装。这些光耦合器采用CMOS IC技术，以极低的功耗实现了出色的性能。并具有非常低的功耗。基本上ACPL-W70L和ACPL-K73L的基本构建单元是高速LED和CMOS检测器IC。并且每个检测器集成了一个光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个电压比较器一个高速跨阻放大器，以及一个带有输出驱动器的电压比较器。ACPL-K73L-000E光耦合器应用数字现场总线隔离：CANBus, RS485, USB多路数据传输计算机外围接口微处理器系统接口DC/DC转换器
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2023/5/23 10:49:20
HCPL-7723或HCPL-0723光耦合器采用CMOS IC技术，实现了最低50MBd数据速率和2ns最大脉宽失真的超速性能。并且HCPL-7723/0723产品的基本构件是一个CMOS LED驱动器IC、一个高速LED和一个CMOS检测器IC。 其中，一个CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，它向LED提供电流。 检测器IC包括一个集成的光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。 高速CMOS光耦合器数据表无铅RoHS 6完全兼容RoHS 6完全兼容选项；-xxxE表示无铅产品HCPL-7723光耦合器应用 数字现场总线的隔离： CC-Link, DeviceNet, Profibus, SDS, 隔离A/D或D/A转换多路数据传输- 高速数字输入/输出计算机外围接口- 微处理器系统接口HCPL7723/072350 MBd 2 ns PWD
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2023/5/23 10:42:58
ACSL-7210是一款双通道双向25MBd数字光耦合器。是一种具有25-MBd 数字光耦合器，并且采用 CMOS IC 技术和专利封装技术来实现高隔离电压 3750 VRMS隔离电压 3750 VRMS，采用 窄体SOIC-8封装中实现高隔离电压3750 VRMS。ACSL-7210-00RE优化了双向工业通信网络，如现场总线（PROFIBUS）和串行外设接口（SPI）的应用。每个通道的主要构件是一个CMOS LED驱动IC，说明该IC是一个可控硅。主要构件是一个CMOS LED驱动器IC，由一个CMOS逻辑输入信号控制。CMOS逻辑输入信号，一个高速LED，和一个CMOS检测器IC。这些三个构件允许快速传播40 ns的快速传播延迟和10 ns的短脉冲宽度失真最大。ACSL-7210还是共模抗噪能力为典型的35 kV/µs（1000 VCM），具有UL认证的隔离电压3750 VRMS。隔离电压为3750 VRMS，持续时间为1分钟，以及IEC/EN/DIN EN 60747-5-5工作电压。
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2023/5/23 10:39:50
ACPL-077L光耦合器采用了CMOS IC技术，实现了出色的速度和低功耗性能，最小数据速率为25MBd，最大脉宽失真为6ns，但是相对于系统级的IEC 61000-4-X测试（ESD/Burst/Surge），可靠性得到了加强。并且ACPL-077L采用SO-8封装，其基本构件是一个CMOS LED驱动器IC、一个高速LED和一个CMOS检测器IC。 一个CMOS逻辑输入信号控制LED驱动器IC，它向LED提供电流。 检测器IC包括一个集成的光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。ACPL-077L-000E产品应用 数字现场总线隔离： CC-Link, DeviceNet, Profibus, SDS 复用数据传输 普通仪器和数据采集计算机外设接口微处理器系统接口
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2023/5/23 10:32:17
ACPL-772L或ACPL-072L光耦合器分别有8针DIP或SO-8样式，采用了CMOS IC技术，实现了出色的速度、最新的CMOS IC技术，实现了出色的速度、优秀的速度性能，最低25MBd的数据速率和6ns的最大脉宽失真。ACPL-772L或ACPL-072L光耦合器这个系列的产品的基本构件是一个CMOS LED驱动器IC、一个高速LED和一个CMOS检测器IC。一个CMOS逻辑输入信号控制LED驱动器IC，它向LED提供电流。检测器集成了一个光电二极管，一个高速高速跨阻放大器，以及一个带有输出驱动器的电压比较器。ACPL-772L-000E应用- 数字现场总线隔离： DeviceNet, Profibus, SDS- 复用数据传输- 通用仪器和数据采集- 计算机外设接口- 微处理器系统接口
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2023/5/23 10:23:42
HMC908A——紧凑的砷化镓（GaAs）、 单片微波集成电路(MMIC)，相位/正交(I/Q)下变频器，无铅，并且符合RoHS标准。 HMC908ALC5正交（I/Q）降频器，采用无铅、符合RoHS标准的陶瓷无铅芯片载体。产品提供了一个小信号噪声系数为2分贝的小信号转换增益和25分贝的图像抑制的图像抑制，频率：100MHz。HMC908A产品采用了一个低噪声放大器(LNA)，然后是另一个低噪声放大器。噪声放大器（LNA），然后是图像抑制混频器。主要是由一个本地振荡器（LO）缓冲放大器驱动。图像抑制混频器的作用是消除了在低噪声放大器之后对滤波器的需要。图像抑制混频器消除了LNA之后的滤波器，并消除了图像频率上的热噪声。提供I和Q混频器输出，需要一个外部的90°混合器来选择所需的边带。来选择所需的边带。HMC908A是一个更小的混合式图像抑制的替代方案。HMC908A是混合型图像抑制混频器的一个更小的替代品。HMC908A是混合型图像抑制混频器的一个更小的替代方案，它消除了对接线的需要。它允许使用表面贴装制造技术，从而消除了对线束的需求技术。
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2023/5/22 14:27:21
HMC8193——无源、同相/正交（I/Q）、单片式的单片微波集成电路(MMIC)混频器，能够用于接收器操作的图像抑制混频器，并且也可用作可作为接收器操作的图像抑制混频器，或作为单边带上变频器。单边带上变频器，主要用于发射器操作，频率范围为2.5GHz到8.5GHz。固有的I/Q结构为HMC8193提供了出色的图像抑制功能。HMC8193固有的I/Q结构提供了出色的图像抑制，从而消除了因此不需要对不需要的边带进行昂贵的过滤。该混频器还提供出色的本地振荡器（LO）到无线电频率（RF）和LO到中间频率（RF）。HMC8193还提供了出色的本地振荡器（LO）与无线电频率（RF）和LO与中频（IF）的隔离，并减少了LO泄漏的影响。并减少LO泄漏的影响，以确保信号完整性。因为HMC8913是一个无源混频器，它不需要任何直流电源。该器件的噪声系数比有源混频器低。该器件提供了比有源混频器更低的噪声系数，确保了高性能和精密应用的卓越动态范围。器件提供比有源混频器更低的噪声系数，确保为高性能和精密应用提供卓越的动态范围。HMC8193采用紧凑的4毫米×4毫米、24引线的LCC封装。并在-40℃至+85℃的温度范围内工作。该器件的评估板该器件的评估板也是可用的。
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2023/5/22 14:23:00
HMC8192LG——无源、宽频、同相/正交（I/Q）、单片微波集成电路（MMIC）混频器。既可作为接收器操作的图像抑制混频器，也能够作为单边带的混频器。既可作为图像抑制混频器用于接收器操作，也可以作为单边带上变频器用于发射器操作。其无线电频率（RF）和本地振荡器（LO）的范围为20GHz至100GHz。(频和本地振荡器（LO）范围为20 GHz至42 GHz，中间频率(中频（IF）带宽为直流至5GHz，HMC8192LG是需要宽频率范围、优秀的中频（IF）应用的理想选择。并且HMC8192LG是需要宽频率范围、出色的射频性能和简单设计的应用的理想选择。优秀的射频性能，以及简单的设计，较少的元件和较小的印刷电路板（PCB）尺寸。HMC8192LG对于频率范围广、射频性能好、设计简单、元件少、占用面积小的应用非常使用。一个HMC8192LG可以取代设计中的多个窄带混频器。HMC8192LG固有的I/Q架构提供了优秀的图像抑制，消除了对昂贵的滤除不需要的边带。还提供优秀的LO到RF和LO到IF隔离，并减少LO泄漏的影响，以确保信号的完整性。HMC8192LG作为一个无源混频器，HMC8192LG不需要任何直流电源。与有源混频器相比，HMC8192LG的噪声系数更低。与有源混频器相比，HMC8192LG具有更低的噪声系数，确保了高性能和精密应用的卓越动态范围。HMC8192LG产品应用测试和测量仪器军事、雷达、航空航天和国防应用微波点对点基站
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2023/5/22 14:13:09
HMC8192-Die是一款无源、宽带、同相/正交（I/Q）、单片微波集成电路（MMIC）混频器。既可作为接收器操作的图像抑制混频器，还能够可作为发射器操作的单边带上变频器操作。其产品的无线电频率（RF）和本地振荡器（LO）范围为20 GHz至42 GHz，中频（IF）带宽为直流到直流。射频和本地振荡器（LO）范围为20 GHz至42 GHz，中频（IF）带宽为dc至5 GHz，是需要宽频率范围、出色的射频性能以及设计简单、数量少的应用的理想选择。HMC8192-Die是需要宽频率范围、出色的射频性能和较少元件的简单设计的应用的理想选择。并且单个HMC8192-Die可以取代设计中的多个窄带混频器。其固有I/Q结构提供了 优秀的图像抑制，通常优于25dBc、 消除了对不需要的边带进行额外过滤的需要。HMC8192-Die还提供出色的LO到RF和LO到IFx隔离 隔离，从20 GHz到32 GHz，分别为42 dB和51 dB，并减少了影响。到32GHz，并减少LO泄漏的影响，以确保信号的完整性。完整性。HMC8192-Die作为一个无源混频器，不需要任何直流电源。功率源。与有源混频器相比，其噪声系数更低。与有源混频器相比，HMC8192-Die提供更低的噪声系数，确保高性能和精密应用的卓越动态范围。确保高性能和精密应用的卓越动态范围。并且HMC8192-Die是在砷化镓（GaAs）上制造的、 金属半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造，并采用美国模拟器件公司的混频器。使用Analog Devices, Inc.的混合器单元和90°混合器。该 HMC8192-Die的工作温度范围为-55℃至+85℃。
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2023/5/22 14:10:29
HMC8191——无源、宽频、I/Q单片式的微波集成电路(MMIC)混频器，作为接收器操作的图像抑制混频器，还可以作为接收器操作的图像抑制混频器或作为发射器操作的单边带上变频器。单边带上变频器用于发射器操作。有一个无线电频率（RF）和本地振荡器（LO）范围为6GHz到26.5GHz，中频（IF）带宽为直流到5GHz。中频（IF）带宽为直流至5GHz，HMC8191是需要宽频率范围、出色的射频性能、以及需要高可靠性的应用的理想选择。并且单个HMC8191可以取代设计中的多个设计中的多个窄带混频器。产品固有的I/Q结构提供了出色的图像抑制功能，从而消除了对图像的干扰。图像抑制，因此不需要对不需要的边带进行昂贵的滤除不需要的边带。该混频器还提供了出色的LO到RF和LO到IF隔离，并减少了LO泄漏的影响。以确保信号的完整性。HMC8191作为一个无源混频器，不需要任何直流电源。电源。与有源混频器相比，它的噪声系数更低，确保了卓越的动态范围。与有源混频器相比，它的噪声系数更低，确保了高性能和精密应用的卓越动态范围。并且提供了比有源混频器更低的噪声系数，确保了高性能和精密应用的卓越动态范围。
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2023/5/22 14:02:43
HMC525ALC4作为一款紧凑型砷化镓（GaAs）、 单片微波集成电路（MMIC），相位正交（I/Q）混频器。是砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)，具有无引线芯片载体（LCC）封装。可用作图像抑制混频器或单边带(SSB) 上变频器。采用两个标准的双平衡混频器单元和一个90°混合器，在砷化镓、金属半导体场效应晶体管（MES）中制造。金属半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造的90°混合器。该并且HMC525ALC4是混合型混频器的一个更小的替代品。HMC525ALC4还是混合式图像抑制混频器和SSB上变频器组件的一个更小的选择。而滤波器 HMC525ALC4消除了对线束的需要，允许使用表面贴装技术。使用表面贴装制造技术。HMC525ALC4产品应用微波和极小孔径终端收音机测试设备点对点收音机军事电子战；电子对抗；和 指挥、控制、通信和情报
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2023/5/22 13:42:30