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MASW-003103-1364是一款Surmount™宽带单片SP3T开关,使用串联和并联的硅PIN二极管。该部分设计用于在高达20 GHz的应用中用作中等信号、高性能开关。这种表面贴装芯片级配置针对宽带性能进行了优化,具有最小的相关寄生效应,通常与混合MIC设计相关,该设计包含需要芯片和导线组装的束引线和PIN二极管。MASW-003103-1364是使用MACOM的专利HMIC™(异质微波集成电路)工艺(美国专利5268310)制造的。该工艺允许将硅基座嵌入低损耗、低色散玻璃中,形成串联和分流二极管或通孔。通过在元件之间使用小间距,硅和玻璃的这种组合使HMIC™器件在低毫米频率下具有低损耗和高隔离性能。选择性背面金属化被应用于生产表面安装器件。顶部完全用氮化硅封装,并有一个额外的聚合物层用于划痕和冲击保护。这些保护涂层可防止在搬运和组装过程中损坏接头和阳极空气桥。特征·从50 MHz到20 GHz指定·聚合物防刮擦保护·氮化硅钝化·+25°C时高达+38 dBm C.W.功率处理1·玻璃封装结构·坚固耐用,完全单片·符合RoHS标准的Surmount™封装·低寄生电容和电感·高隔离度·低插入损耗·可用频率高达26 GHz应用·航空航天与国防·ISM
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2025/7/17 15:25:15
MAPS-010164是一款GaAs pHEMT 6位数字移相器,采用4mm PQFN塑料表面贴装封装,集成CMOS驱动器。步长为5.6°,以5.6°的步长提供从0°到360°的相移。该设计已经过优化,以尽量减少相移过程中衰减的变化。MAPS-010164非常适合在需要高相位精度和相移范围内最小损耗变化的情况下使用。4 mmPQFN封装提供了比通常具有内部驱动器的数字移相器更小的占地面积。典型应用包括通信天线和相控阵雷达。特征6位数字移相器360º覆盖,LSB=5.6°集成CMOS驱动器串行或并行控制低直流功耗相移范围内衰减变化最小50 Q阻抗耳朵99无铅4mm 24导联PQFN封装符合RoHS标准引脚配置图
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2025/7/17 15:21:35
MAAD-011021是一款覆盖直流至30 GHz的宽带6位数字振荡器。衰减位值为0.5 dB LSB(最低有效位)、1、2、4、8和16 dB,总衰减为31.5 dB。衰减误差通常小于+/-0.5 dB,RMS相位误差在20 GHz时小于5度,典型插入损耗在15 GHz时为7.2 dB。在所有频率和衰减状态下,回波损耗通常为12dB。衰减器集成了一个逆变器,可以对串联/并联衰减进行单一控制。逆变器需要-5V电源(Vcc)和17mA典型电流,逻辑为0V/+5V。特征.6位,0.5 dB LSB,31.5 dB范围直流至30 GHz操作集成TTL 0/+5V控制+/-0.5 dB典型比特误差低均方根相位4.3@20 GHz无铅3mm 16引脚PQFN封装所有控制和偏压的ESD保护引脚配置
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2025/7/17 15:18:30
MACP-010573属于一系列小型、易用、宽带、定向探测器。通过集成低损耗定向耦合器和内置温度补偿电路,这些探测器提供了一种简单的方法来监测沿传输线在特定方向传播的信号的功率。探测器装在一个微型、表面贴装、无铅塑料包装中。它们需要少量的偏差才能正常运行。总偏置电流小于0.5mA。典型应用包括点对点无线电、IMS、雷达、VSAT、电子战和航空航天与国防系统中的功率监测和调平。表面贴装封装很小,但可以用标准的拾取和放置组装设备进行处理和放置。探测器是在成熟的GaAs工艺上制造的,该工艺具有完全钝化的性能和可靠性。特征集成定向耦合器低插入损耗:0.40 dB@20 GHz最小可检测功率:-18 dBm@20 GHz内置温度补偿无铅1.5 x 1.2毫米6导联TDFN塑料封装无卤素“绿色”模塑料符合RoHS*标准,兼容260°C回流应用·航空航天与国防·EW·IMS·点对点无线电·雷达·VSAT
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2025/7/17 15:15:45
HFCN-1810+是Mini-Circuits品牌的一款陶瓷HPF滤波器芯片,最小7节,最大7节,中心或截止频率(fo/fc)为1810MHz,符合ROHS标准,陶瓷密封,外壳FV1206,4针。特征成本低尺寸小7节温度稳定LTCC结构出色的功率处理能力,7W密封应用次谐波抑制发射器/接收器实验室使用
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2025/7/17 14:15:26
MAAM-011206是一款通用的DC-15 GHz达林顿放大器,在最大电流下具有14.5 dB的典型增益和20.5 dBm的输出功率。输入和输出完全匹配到50O,典型回波损耗15dB。三阶线性度(OIP3)通常为29 dBm,反向隔离度21 dB。通过+3V至+5V的单个偏置电压VDD实现功能操作。特征·增益:14.5 dB@5 GHz·无卤素“绿色”模塑料·无铅1.5 x 1.2毫米6导联TDFN塑料封装·可调电流·单偏压操作·噪声系数:4 dB@5 GHz·输出P1dB:5GHz时为20.5dBm·符合RoHS标准应用·A&D·测试与测量·VSAT/SATCOM·无线通信
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2025/7/17 14:10:00
AVA-5R183+是一款GaAs pHEMT MMIC宽带放大器,工作频率为0.5至18 GHz。放大器提供14.4 dB的增益、+16.8 dBm P1dB和+27.9 dBm OIP3的典型性能,同时从+5 V电源中汲取85 mA的电流。AVA-5R183+具有高动态范围和低功耗,使其成为测试和测量设备以及国防系统等宽带应用中的理想接收器增益块。该放大器采用行业标准的4x4 mm QFN封装,内部RF端口与50Ω匹配,便于轻松集成到微波系统PC板中。特征超宽带,0.5-18GHz高动态范围P1dB,典型值。+16.8 dBm增益,典型值。14.4分贝典型噪声系数。3.4分贝典型低功耗。0.4瓦OIP3,典型。+27.9 dBm4x4 mm 20引线QFN型封装应用测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统5G MIMO和回程无线电系统卫星通信
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2025/7/16 14:33:31
AVA-2183+是一款GaAs pHEMT MMIC放大器,工作频率为2至20 GHz。在10 GHz时,放大器在+4V 210 mA电源图下提供16.4 dB增益、5.2 dB噪声系数、+19.3 dBm P1dB和+24.7 dBm OIP3的典型性能。AVA-2183+MMIC放大器采用行业标准4x4mm 20引脚QFN式封装。该放大器的射频端口内部匹配为50Ω,可轻松集成到微波系统中。特征宽带2至20 GHz典型平坦增益。16±1 dBP1dB,典型值。+19 dBmOIP3,典型。+25 dBm4x4mm 20引脚QFN型封装应用5G MIMO和回程无线电系统卫星通信测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统
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2025/7/16 14:30:45
AVA-183P+是一款基于InGaAs E-PHEMT*的宽带正增益斜率MMIC放大器。该设计在单个+5V电源上运行,与50Ω 它采用小巧、轻薄的封装(3 x 3 x 0.89mm),可容纳密集的电路板布局。特征超宽带,0.5至18 GHz正增益斜率单正电源电压应用无线网络无线局域网LTEWiMAXC波段卫星通信
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2025/7/16 14:27:36
AVA-183MP+是一款GaAs pHEMT MMIC宽带分布式放大器,工作频率为0.05至18 GHz。放大器在+8V电源和160mA电流消耗下工作时,提供16.5 dB的增益、+24 dBm P1dB和+31 dBm OIP3以及1.8 dB的噪声系数典型性能。AVA-183MP+提供了宽带、低噪声系数、高线性和输出功率的领先组合,从而形成了50Ω匹配的高动态范围放大器。AVA-183MP+的性能特性非常适合用于宽带防御系统和测试与测量设备。放大器采用行业标准的4x4mm QFN封装。特征超宽带,0.05-18GHz高动态范围P1dB,典型值。+24 dBm增益,典型值。16分贝典型低噪声系数。1.8分贝高OIP3,典型。+31 dBm4x4mm 20引脚QFN型封装应用5G MIMO和回程无线电系统卫星通信测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统
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2025/7/16 14:22:54
AVA-0233LN+是一款GaAs pHEMT MMIC分布式放大器,工作频率为2至30 GHz。该放大器提供16.3 dB增益、2.4 dB噪声系数、+13.6 dB P1dB和+25.7 dBm OIP3的稳定性能,来自仅消耗65 mA的自偏置单+5V电源。控制电压偏置输入VC使增益在整个工作频带内变化超过30 dB。AVA-0233LN+MMIC放大器采用行业标准的5x5mm QFN型封装,内部RF端口与50Ω匹配,便于轻松集成到微波系统PC板中。特征宽带,2至30 GHz典型平坦增益响应。16.3 dB±1 dB典型噪声系数。2.4分贝5x5mm 32引脚SMT封装典型增益控制。30分贝应用5G MIMO和回程无线电系统卫星Ka波段通信测试和测量设备雷达、电子战和电子对抗防御系统
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2025/7/16 14:18:49
RAM-7+(符合RoHS标准)是一款提供高动态范围的宽带放大器。它具有可重复的性能。它被封装在陶瓷表面贴装封装中。RAM-7+使用达林顿配置,并使用InGaP HBT技术制造。在100°C的外壳温度下,预计MTBF为3700年。特征•宽带,直流至2 GHz•可层叠陶瓷封装•内部匹配50欧姆•出色的重复性•可水洗应用•蜂窝•UHF/VHF•通信系统•发射接收器
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2025/7/16 14:15:14
PGA-106W-75+(符合RoHS标准)是一款采用E-PHEMT*技术制造的宽带放大器,在宽频范围内提供极高的动态范围,具有低噪声系数和平坦增益。铅饰面为SnAgNi。它具有可重复的性能,并且封装在SOT-89封装中,具有非常好的热性能。特征高IP3,典型值+36 dBm。1.5 GHz增益,典型值15.9 dB。1.5 GHz高POUT,典型值P1dB+19.5 dBm。1.5 GHz低噪声系数,1.5 GHz时为3.6 dB应用75欧姆卫星L波段DBS
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2025/7/16 14:06:01
AD5318分别是八通道、10位缓冲电压输出DAC数模转换器,采用16引脚TSSOP封装。采用2.5 V至5.5 V单电源供电,3 V时典型功耗为0.7 mA。内置的片内输出放大器能够提供轨到轨输出摆幅,压摆率为0.7 V/μs。AD5318采用多功能三线式串行接口,能够以最高30 MHz的时钟速率工作,并与标准SPI、QSPI、MICROWIRE、DSP接口标准兼容。八个DAC的基准电压从两个基准电压引脚获得(一个引脚对应四个DAC)。这些基准电压输入可以配置为缓冲、无缓冲或VDD输入。上述器件均内置一个上电复位电路,确保DAC输出上电至0 V并保持该电平,直到对该器件执行一次有效的写操作为止。利用异步LDAC输入则可以同时更新所有DAC的输出。此外还具有省电特性,可将功耗降至400 nA(5 V,3 V时为120 nA)。DAC的8个通道可以各自独立地进入省电模式。特征• AD5318:一个16引脚TSSOP封装中集成8个缓冲10位DAC,A级:±4 LSB INL,B级:±3 LSB INL• 低功耗工作:0.7 mA (3 V)• 掉电模式功耗:120 nA (3 V),400 nA (5 V)• 双缓冲输入逻辑应用便携式电池供电仪器数字增益和偏移调整可编程电压和电流源光纤网络自动测试设备移动通信可编程衰减器工业过程控制
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2025/7/15 14:38:26
Spartan®-6 器件可提供各种业界的连接特性,如高逻辑引脚比、小型封装、MicroBlaze™ 软处理器、800Mb/s DDR3 支持以及各种多样化支持性 I/O 协议等。这些器件采用 45nm 技术构建,是汽车信息娱乐、消费类以及工业自动化中各种高级桥接应用的理想选择。特征可编程的系统集成·I/O 连接的高引脚数与逻辑之比·超过 40 个 I/O 标准可简化系统设计·具有集成型端点模块的 PCI Express®提升的系统性能·高达 8 个低功耗 3.2Gb/s 串行收发器·带有集成内存控制其的 800Mb/s DDR3BOM 成本削减·针对系统 I/O 扩展进行了成本优化·MicroBlaze 处理器软 IP 可消除外部处理器或 MCU 组件总功耗削减·1.2V 内核电压或 1.0V 内核电压选项·睡眠节电模式支持零功耗加速设计生产力·通过 ISE® Design Suite 实现 - 无成本、前端到后端 (front-to-back)面向 Linux 和 Windows 的 FPGA 设计解决方案·使用整合向导快速完成设计应用·全高清智能数字标识·工业网络·汽车网络和连接功能·高分辨率视频和图形
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2025/7/15 14:35:22
LP38798-ADJ 是一款高性能、低噪声的 LDO,可提供高达 800mA 的输出电流。LP38798-ADJ 的设计满足敏感射频/模拟电路的要求,它采用基于先进 CMOS 工艺的新型线性拓扑技术,可在不同的开关电源频率下提供超低输出噪声和高 PSRR。LP38798SD-ADJ 与陶瓷和钽输出电容器一起工作时均可保持稳定,最小仅需 1µF 的输出电容即可保证稳定。LP38798-ADJ 可在宽输入电压范围(3V 至 20V)内工作,非常适合多种后级调节应用。特征• 宽运行输入电压范围: 3V 至 20V• 超低输出噪声:5µVRMS (10Hz 至 100kHz)• 高电源抑制比 (PSRR):10kHz 频率时为 90dB,100kHz 频率时为 60dB• 输出电压初始精度为 ±1% (TJ = 25°C)• 超低压降:800mA 时为 200mV(典型值)• 与陶瓷或者钽质输出电容器一起工作时保持稳定• 出色的线路和负载瞬态响应• 具有限流和过热保护• 使用 LP38798 并借助 WEBENCH® 电源设计器创建定制设计方案应用• RF 电源:PLL、VCO、混频器、LNA• 电信基础设施• 无线基础设施• 超低噪声仪表• 精密电源• 高精度高速数据转换器
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2025/7/15 14:31:50
LTC1700是一种电流模式同步升压DC/DC控制器,使用恒频PWM架构驱动外部N沟道和P沟道功率MOSFET。通过感测主MOSFET两端的电压降来提供限流,从而消除了对感测电阻器的需求。这种无RSENSE™技术有助于LTC1700在重负载下保持高效率,而突发模式操作可确保轻负载下的高效率,从而在广泛的负载电流范围内提供高效率。LTC1700在低至0.9V的最小输入电压下工作。该器件具有±1.5%的输出电压精度,仅消耗200µa的静态电流。在关机状态下,它只消耗10µA。为了防止电感器电流失控,占空比限制在90%。还提供过电压保护,在跳闸时关闭两个外部MOSFET。530kHz的高恒定工作频率允许使用小型电感器和输出电容器。LTC1700还可以在400kHz到750kHz之间同步。当设备外部计时或SYNC/Mode引脚拉低以减少噪声和射频干扰时,突发模式操作被禁止。特征•高效率:高达95%•无需电流检测电阻器•恒定频率530kHz操作允许小尺寸表面安装电感器•OPTI-LOOP®补偿可最大限度地减少COUT•可选择的Burst Mode®操作•最低启动电压低至0.9V•可在400kHz和750kHz之间同步•微功率关断:10µA•电流模式操作,实现出色的线路和负载瞬态响应•软启动可减少电源电流瞬态•1.5%输出电压精度•使用低值、小尺寸、表面贴装电感器•提供10导联MSOP封装应用行动电话无线调制解调器射频通信2.5V至3.3V、2.5V至5V转换器电池供电设备电信/网络系统
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2025/7/15 14:23:28
LT8316 是一款微功率、高电压反激式控制器。调节无需使用光隔离器。该器件从出现在变压器第三绕组上的隔离式反激波形对输出电压进行采样。准谐振边界模式可改善负载调整、减小变压器尺寸,并保持高效率。在启动时,LT8316 通过一个高电压电流源为其 INTVCC 电容器充电。在正常运行期间,该电流源关闭,而器件则从变压器上的第三绕组吸取其所需的功率,从而较大限度降低待机功耗。LT8316 可在很宽的输入电源电压范围内工作,并能提供高达 100W 的功率。该器件采用耐热性能增强型 20 引脚 TSSOP 封装,去掉了四个引脚以满足高电压引脚间隔要求。上图为LT8316IFE#PBF的引脚配置特征• 宽输入电压范围:16V至560V(最大值为600V)• 调节无需光耦• 准谐振边界工作模式• 恒流和恒压调节• 低纹波轻载突发工作模式(Burst Mode®)• 低静态电流:75μA应用• 隔离式电信、汽车、工业、医疗电源• 隔离型离线式内务处理电源• 电动车辆和电池组• 用于逆变器栅极驱动器的多输出隔离式电源
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2025/7/15 14:17:55
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