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MAAM-011182是一款射频放大器,采用2毫米8引脚PDFN塑料封装。该放大器在8伏偏置时提供18dB的超平坦增益。放大器具有出色的线性度。MAAM-011182提供高增益、低噪声和低失真,非常适合75欧姆的基础设施应用。MAAM-011182是使用GaAs pHEMT技术制造的。特征•单级、单端、8 V、130 mA•18 dB平坦增益•低噪音•低失真性能•无铅2毫米8导联PDFN塑料封装•符合RoHS标准应用程序•有线电视
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2025/9/10 15:00:54
MAAM-011324是一款宽带高线性驱动放大器,采用紧凑的3毫米16引脚QFN封装。该驱动器放大器提供17 dB增益和26 dBm OP1dB,具有116 mA静态电流和设备ON/OFF功能,以支持TDD系统应用。射频输入和输出端口在3.3-3.8 GHz的整个工作频率范围内内部匹配。特征•带简单偏置控制电路的驱动放大器•3.3-3.8 GHz工作频率•不需要外部匹配组件•增益:17 dB•输出P1dB:26 dBm•输出P3dB:27 dBm•输出IP3:40 dBm•单电源电压:5 V•电源电流:116 mA•逻辑电压:1.8V•无铅3mm 16引脚SMT封装•符合RoHS标准应用程序•5G大规模MIMO•小型基站•无线基础设施•多市场
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2025/9/10 14:56:44
MAAM-011300是一款采用SOT-89塑料封装的射频放大器。该放大器在偏置为5或8伏时提供17.5 dB的超平坦增益。放大器具有出色的线性度。MAAM-011300提供高增益、低噪声和低失真,非常适合75Ω基础设施应用。特征•单级、单端•5 V、118 mA或8 V、130 mA操作•17.5 dB平坦增益•低噪音•低失真性能•无铅SOT-89塑料封装•符合RoHS标准应用程序• 75 Ω 基础设施
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2025/9/10 14:52:40
CMPA901A035F是一种基于氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC),位于碳化硅(SiC)基板上。该半导体在9至11 GHz的瞬时带宽内提供35瓦的功率。GaN-HEMT MMIC封装在一个热增强的10引线25 mm x 9.9 mm金属/陶瓷法兰封装中。它在50欧姆的小尺寸封装中提供了高增益和卓越的效率。特征•35 W典型PSAT•典型功率附加效率33%•22.5 dB大信号增益•高温操作应用•军用雷达•船用雷达•气象雷达•医疗应用
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2025/9/10 14:48:49
CMPA0060002F是一种基于氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)。与硅或砷化镓相比,GaN具有优越的性能;包括更高的击穿电压;更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与Si和GaAs晶体管相比,GaN HEMT还提供了更高的功率密度和更宽的带宽。该MMIC采用分布式(行波)放大器设计方法;在较小的占地面积内实现极宽的带宽。提供裸片和具有铜钨散热器的拧紧封装。特征•17 dB小信号增益•3 W典型PSAT•工作电压高达28V•高击穿电压•高温操作•产品总尺寸为0.5英寸x 0.5英寸应用•超宽带放大器•光纤驱动器•测试仪器•EMC放大器驱动器
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2025/9/10 14:46:34
MAPC-A1501是一款适用于960-1215MHz频率操作的高功率碳化硅上GaN HEMT D模式放大器。该设备支持脉冲操作,在65V时输出功率水平为1300 W(61.1 dBm),在50V时为1000 W(60.0 dBm),采用气腔陶瓷封装。特征·MACOM纯碳化物™放大器系列·适用于线性和饱和应用·脉冲操作:1300 W输出功率@65V·脉冲操作:1000W输出功率@50V·内部预匹配·260°C回流兼容·65V操作·100%射频测试·符合RoHS标准应用航空电子设备、敌我识别应答机。
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2025/9/10 14:43:58
MAAM-007501-SA2002放大器是一种离散混合设计,它使用薄膜制造工艺来实现精确的性能和高可靠性。这种单级PHEMT反馈放大器设计在宽带频率范围内显示出令人印象深刻的性能。该设计还采用了阻抗变压器,并使用射频扼流圈进行电源去耦。表面安装封装是密封的,并且可以进行MIL-STD-883环境屏蔽。特征·低噪声系数:2.5 dB(典型值)·高三阶IP:+40.0 dBm·输出功率:+27 dBm(典型值)
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2025/9/10 14:42:00
HMC390LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO,集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构,VCO的相位噪声性能在温度、冲击、振动和工艺范围内尤为出色,工作频率范围为3.55至3.9 GHz。 采用3V单电源(42 mA)时,输出功率为4.7 dBm(典型值)。 该电压控制振荡器采用低成本无铅QFN 4x4 mm表面贴装封装。特征+4.7 dBm相位噪声:-112 dBc/Hz@100 KHz无需外部谐振器单电源:3V@42 mAQFN无引线SMT封装,16mm2应用•无线本地环路(WLL)•VSAT和微波无线电•测试设备和工业控制•军事
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2025/9/10 14:36:34
Mini-Circuits的LFCG-1525+是一款LTCC低通滤波器,通带从直流到1525MHz,支持各种应用。该模型提供了1.0 dB的典型通带插入损耗,并由于战略性地构建了组件之间相互作用最小的布局,提供了非常好的阻带抑制。它可处理高达5.5W的射频输入功率,并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。该滤波器采用微小的0805陶瓷形状,带有环绕式端子,是密集PCB布局的理想选择,并且由于寄生效应导致的性能变化最小。特征•低损耗,典型值为1dB•典型高抑制50 dB•出色的功率处理能力,5.5W•尺寸极小的0805(0.079英寸x 0.049英寸x 0.037英寸)•温度稳定•LTCC结构应用•军事无线电应用•警用移动电台
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2025/9/9 15:21:27
BFHK-8501+LTCC带通滤波器通过利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构,实现了微型尺寸和高性能重复性。7.5-8.8 GHz的通带损耗低至3.1 dB,典型的阻带抑制在90 dB到25 GHz之间。该型号可处理高达1W的射频输入功率,并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑,该滤波器能够在高达毫米波频率的批量基础上实现可重复的性能。特征超高阻带抑制结构——典型值为90 dB可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812(4.5mm x 3.2mm)表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构防止滤波器失谐通过采用LGA(陆地网格阵列)减少占地面积应用测试与测量航空航天和国防信号调节
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2025/9/9 15:13:26
BFHK-6251+LTCC带通滤波器通过利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构,实现了微型尺寸和高性能重复性。5.35–6.7 GHz的通带损耗低至3.2 dB,典型的阻带抑制在76 dB到15.5 GHz之间。该型号可处理高达1W的射频输入功率,并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑,该滤波器能够在批量基础上实现可重复的性能。特征超高阻带抑制结构——典型值为76 dB可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812(4.5mm x 3.2mm)表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构防止滤波器失谐通过采用LGA(陆地网格阵列)减少占地面积应用测试与测量航空航天和国防信号调节
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2025/9/9 15:10:01
BFHK-1272+LTCC带通滤波器通过利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构,实现了微型尺寸和高性能重复性。11.9–12.8 GHz的通带损耗低至2.9 dB,典型的阻带抑制在100 dB到31 GHz之间。该型号可处理高达1W的射频输入功率,并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑,该滤波器能够在高达毫米波频率的批量基础上实现可重复的性能。特征超高阻带抑制结构——典型值为100 dB可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812(4.5mm x 3.2mm)表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构防止滤波器失谐通过采用LGA(陆地网格阵列)减少占地面积应用测试与测量航空航天和国防信号调节
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2025/9/9 15:07:38
BFHK-1072+LTCC带通滤波器通过利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑结构,实现了微型尺寸和高性能重复性。9.2-11.3 GHz的通带损耗低至3.1 dB,典型的阻带抑制在90 dB到30 GHz之间。该型号可处理高达1W的射频输入功率,并提供-55至+125°C的宽工作温度范围。利用专有的LTCC材料系统和分布式滤波器拓扑,该滤波器能够在高达毫米波频率的批量基础上实现可重复的性能。特征超高阻带抑制结构——典型值为90 dB可表面安装的拾放式标准机箱标准小1812(4.5mm x 3.2mm)表壳样式高质量分布式滤波器拓扑宽阻带屏蔽结构防止滤波器失谐通过采用LGA(陆地网格阵列)减少占地面积应用测试与测量航空航天和国防信号调节
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2025/9/9 15:04:48
表面贴装陶瓷谐振器滤波器都采用坚固的结构,能够承受多次苛刻的回流循环。通过精确的调谐和过程控制,实现了跨单元的出色可重复性。特征高抑制,典型值60 dB。部分带宽:2.5%卓越的功率处理:5瓦低剖面屏蔽封装,10x12mm应用测试与测量射电天文学
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2025/9/9 15:00:40
BFHKI-4951+是一款微型低温共烧陶瓷(LTCC)超高阻带抑制带通滤波器,通带为4.3至5.3 GHz,支持多种应用。该模型实现了高达12.3 GHz的60 dB典型阻带抑制,并能够安装在共面波导布局上。该滤波器采用4.95毫米乘3.65毫米的小型陶瓷外形,是密集信号链PCB布局的理想选择,可以补充MMIC的尺寸和性能。BFHKI系列集成了插入板,可以使用自动化制造设备安装到PCB布局上。由于其坚固的单片结构,该型号在宽带上提供了3.8 dB的典型插入损耗。LTCC制造工艺确保了最小的射频性能变化,同时提供了一种非常适合高湿度和高温极端环境的产品。特征带集成插入板的LTCC带通滤波器宽阻带抑制型。高达12.3 GHz的60 dB小尺寸,4.95毫米x 3.65毫米屏蔽结构应用测试和测量设备
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2025/9/9 14:57:49
并行/串行选择可使用并行或串行接口进行控制,PE43711的P/S引脚提供此选择功能。P/S=LOW时选择并行接口,P/S=HIGH时选择串行接口。并行模式接口并行接口由七条CMOS兼容的控制线组成,用于选择所需的衰减状态,如表4所示。并行接口的时序要求在表8(并行接口时序图)、表4(并行接口直流特性)和开关时间(表3)中定义。对于锁存并行编程,锁存使能(LE)在更改衰减状态控制值时应保持为低电平,然后将LE从高电平脉冲至低电平(见表4)以锁存新值。在直接并行编程中,LE线应拉高。更改衰减状态控制值将直接使器件状态变为新的衰减值。直接模式适用于手动控制器件(使用硬件、开关或跳线)。串行接口串行接口是一个8位移位寄存器,后接一个透明锁存器。这8位构成一个衰减字,用于控制DSA。图3中的时序图示例说明了编程一个状态的时序。串行接口使用三条CMOS兼容的信号进行控制:时钟(CLK)、串行输入(SI)和LE。SI和CLK输入允许串行数据被移入。数据应在时钟的上升沿串行锁存,先输入最高位。在加载移位寄存器时,必须将LE保持为低电平,以防止衰减值在数据输入期间发生变化。当所有数据输入完成后,应将LE拉高,然后再拉低,将新数据锁存并送入DSA。表5中列出了串行寄存器的编程示例。图2为串行寄存器的逻辑真值表,图3为串行时序图示例。当DSA工作在串行模式时,所有并行控制输入必须接地。上电控制设置PE43711在上电时将始终初始化为衰减设置(31.75 dB)和下一个编程字。在直接并行模式下,该设置将保持不变,直到用户重新编程该字。在DSA上电期间,可通过在电源接通前预设并行控制引脚的状态,将衰减范围预设为31.75 dB以内的任何状态。在此模式下,DSA有400 μs的上电时间延迟,器件在此期间完成初始化。在上电期间,衰减设置(31.75 dB)在默认为用户定义状态之前有效。如果控制引脚悬空...
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2025/9/9 14:38:00
AD8190是一款HDMI/DVI开关,具有均衡TMDS输入和预加重TMDS输出,非常适合配置较长电缆的系统。输出可以设置为高阻抗状态,以降低功耗,并且/或者利用线“或”技术构建较大的阵列。AD8190提供节省空间的56引脚LFCSP表贴无铅塑封封装,额定工作温度范围为-40°C至+85°C。特征• 2路输入、1路输出HDMI/DVI链路• 支持HDMI 1.2a兼容型接收机• 每链路4个TMDS通道支持250 Mbps至1.65 Gbps数据速率支持25 MHz至165 MHz像素时钟均衡输入支持使用HDMI长电缆(20米、1080p)完全缓冲的单向输入/输出• 可开关控制的通用50 Ω片内端接电阻预加重输出低附加抖动单电源供电(3.3 V)• 56引脚、8 mm × 8 mm LFCSP无铅封装应用多输入显示器投影仪A/V接收器机顶盒高级电视机(HDTV)
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2025/9/8 14:52:57
OP727是一款精密、双通道、轨到轨输出、单电源运算放大器,具有微功耗特性和轨到轨输出范围。OP777、OP727和OP747放大器性能超越采用±15V电源的工业标准OP07,此外还提供更进一步的优势,例如低至+3.0V的真正单电源操作和令任何其他高压精密双极性放大器相形见拙的更小封装选项。输出稳定,容性负载超过1000pF。电源电压为5 V时,每个放大器的电源电流小于300 μA。其内置500 Ω串联电阻可以保护输入信号,允许输入信号电平高出正电源电压若干伏特,并保证无反相。特征• 低失调电压:100 µV(最大值)• 低输入偏置电流:10 nA(最大值)• 单电源供电:3.0 V至30 V• 双电源供电:±1.5 V至±15 V• 低电源电流:每个放大器300 µA(最大值)• 单位增益稳定• 无反相应用电流传感(分流)线路或电池供电仪器遥感器精密过滤器OP727 SOIC引脚与LT1013兼容
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2025/9/8 14:50:24
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