TDK入选由经济产业省（METI）、东京证券交易所（TSE）和日本信息技术振兴厅（IPA）联合举办的“数字化转型股票（DX股票）2026”。TDK是约3800家TSE上市公司中首批被指定为DX股票的电子元件供应商之一。TDK正在将其DX方法从系统驱动向解决方案驱动转型，并通过新数字解决方案总部和专门的全球总部AI集团的建立加快推进。这一享有盛誉的项目由日本经济产业省（METI）、东京证券交易所（TSE）和信息技术振兴机构（IPA）联合管理，旨在表彰那些利用数字技术根本性转变其商业模式并提升全球竞争力的企业。TDK从3800家TSE上市公司中脱颖而出，成为首批被指定为DX股票的电子元件供应商之一。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/4/14 9:27:43
金升阳HO1-P102-30F系列30W定电压输入DC/DC模块电源，专为0-1000V高压+30mA大电流场景研发设计，凭借高压大电流输出、全参数实时检测、工业级严苛性能等核心特性，为各行业高压设备提供稳定、高效、可靠的高品质电力保障。HO1-P102-30F系列优势：超高能效更节能满载典型效率90%，远高于行业同类型高压电源，有效降低高压大电流设备的整机功耗，适配工业设备节能设计标准，长期使用可大幅节省用电成本。超低空载功耗更经济空载输入电流实测仅14mA，空载功耗低至0.336W，完美适配需长期待机的高压检测、监测设备，大幅减少设备待机阶段的电能损耗，兼顾设备待机需求与能耗控制。工业级可靠性采用全贴片化设计与自动化焊接技术，生产过程高度自动化，有效避免手工焊接的虚焊、漏焊等质量隐患，显著提升产品可靠性与稳定性。高精度实时监测功能配备电压检测引脚与电流检测引脚，均以0-5V信号实时反映0-1000V输出电压、0-30mA输出电流的变化，可直接对接设备控制系统，实现电源参数的实时监控与反馈，提升设备智能化水平。HO1-P102-30F系列特点：● 空载输入电流低至14mA● 工作效率高达90%● 输出电压0-1000V线性连续可调● 自带电压电流检查信号● 支持外控电压调节与电位器调节两种方式HO1-P102-30F系列应用：其主要针对0-1000V高压、30mA大电流、需电压/电流实时检测的核心需求，精准适配电力、精密仪器、工业测控、新能源等行业的专用设备。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/4/10 11:24:56
英飞凌科技（以下简称“英飞凌”）与西安为光能源科技有限公司（以下简称“为光能源”）正式达成深度合作，携手开启能源技术革新新篇章。双方将依托英飞凌领先的1200V TRENCHSTOP™ IGBT7及CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技术，赋能为光能源研发更紧凑、高效的通用固态变压器（SST）产品，大幅提升其在储能系统与充电桩领域的应用效能。双方还计划携手将英飞凌全新碳化硅模块引入数据中心SST应用领域，提前布局SST在数据中心爆发式增长前的战略机遇，共同推动能源技术的持续进步与广泛应用。在电力系统中，可靠性是SST稳定运行、保障供电连续性的基石，更直接关乎运维成本与整体经济效益。英飞凌新一代1200V CoolSiC™ MOSFET G2凭借创新设计，成为SST高可靠性应用的理想之选：增强型.XT扩散焊技术大幅提升散热效率，使SST在高温工况下稳定运行，显著延长系统寿命、增强可靠性；而沟槽栅设计与严苛生产管控，使栅极开启阈值电压参数分布更集中，保障多器件并联时的高可靠性，同时简化系统设计与控制，为SST市场提供了高可靠、易运维的优质解决方案。为光能源在其SST系统中采用1200V TRENCHSTOP™ IGBT7与CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件，并创新性地运用混合三电平拓扑技术，最高效率突破至98.5%，大幅降低能源损耗，提升能源利用效率；同时，系统尺寸显著缩减，链路结构更精简，从全链路层面显著提升了系统可靠性，树立了行业效率与可靠性的双重标杆。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/4/10 11:19:45
Vishay推出了一款新型双向Wilkinson功率分压器/合路器，旨在提升航空航天、国防及高频连接应用的效率并节省空间。Vishay Sfernice WLKN-000 在15 GHz至20 GHz的广泛频段内工作，集成表面贴装封装下，在19 GHz以下实现了业内最低的插入损耗<0.5 dB。凭借其宽广的频率范围和10 dB至15 dB的回波损耗，该设备简化了系统设计，同时减少了所需的外部元件，从而节省板空间并降低成本。其紧凑的1817封装集成了三端口解决方案，支持分频器和合并功能，简化了布局。该器件的低插入损耗通过减少信号路径中的功率消耗，提高了系统效率。与窄带或基于电阻的解决方案不同，WLKN-000 提供高输出到输出隔离——中心频率<为 20 dB——以最小化串扰，保护下游放大器在组合过程中，并保持并行射频路径上的稳定性能。此外，该设备在整个工作频段内具备出色的匹配特性。宽宽的温度范围（-55°C至+155°C）确保了在各种应用中严苛条件下的可靠性能。这些包括汽车的ADAS和无线电收发机;低地球轨道卫星和基站终端;5G / 6G 连接;无人机;武器制导系统;有效载荷系统;数据链阵列;以及相控阵雷达系统。WLKN-000符合RoHS标准，无卤素，采用Vishay Green技术。该设备可根据客户的频段、回波损耗、插入损耗、机壳尺寸等多种规格进行定制。HFSS加密型号也可用。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/4/9 10:22:52
TDK公司宣布了其最新的MAF0603GWY系列降噪滤波器。这些滤波器尺寸仅为0.6毫米×0.3毫米×0.3毫米（长×宽×高），适用于智能手机和可穿戴设备等小型消费设备。新产品系列的量产计划于2026年4月开始。智能手机、可穿戴设备等音频线路辐射的电磁噪声会干扰内置天线，降低接收器的灵敏度。常见的对策是芯片珠。虽然它们有效抑制噪声，但缺点是降低音频线路的音质，用户可能会感到烦恼。新MAF0603GWY系列噪声抑制滤波器通过采用新开发的专有低失真铁氧体材料解决了这一缺陷。它对音频线特性的改变极小，并显著减少音频失真，消除了芯片珠使用时的音质劣化。它在5 GHz频段提供高衰减（阻抗最高可达3220 Ω，有效抑制噪声。与传统产品相比，它还具有更低的电阻以减少音频信号衰减，并实现宽广的动态范围。TDK将继续通过提供广泛的降噪滤波器和技术支持，将音频质量与电磁噪声对抗措施相结合，为移动和可穿戴设备提供通信功能，继续为行业做出贡献。主要应用智能手机、平板电脑和可穿戴设备的高频噪声对抗措施：蓝牙、Wi-Fi（2.4 GHz、5 GHz、6 GHz）、5G（Sub-6）、下一代通信标准（6G）等。主要特点与优势这些滤波器在高频段超过5 GHz的噪声衰减方面实现了衰减新开发的低失真铁氧体材料通过最小化音频线的性能波动，显著减少了音频失真以低于传统产品电阻的电阻减少音频信号衰减，实现宽广的动态范围免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/4/8 10:52:23
QPD1011A是一款7W（P3dB）、50欧姆输入匹配的SiC上GaN分立HEMT，工作频率为30 MHz至1200 MHz。集成输入匹配网络实现了宽带增益和功率性能，而输出可以在板上匹配，以优化频带内任何区域的功率和效率。该设备采用6 x 5mm无引线SMT封装，节省了已经空间有限的手持无线电的空间。具备的特征频率范围：50-1000MHz漏极电压：50V输出功率（P3dB）：1 GHz时为8.7，负载拉动数据PAE（P3dB）：1 GHz时为60%，负载拉动数据输入匹配50欧姆低热阻封装应用•军用雷达•民用雷达•陆地移动和军用无线电通信•测试仪器•宽带或窄带放大器•干扰器免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/4/7 10:37:08
MSPM0G3218-Q1说明德州仪器的MSPM0G3218-Q1 和 MSPM0G3207-Q1 微控制器 (MCU) 属于 MSP 高度集成的超低功耗 32 位 MCU 系列，该 MCU 系列基于增强型 Arm Cortex-M0+ 32 位内核平台，工作频率最高可达 80MHz。这些 MCU 为需要采用封装（24 至 64 个引脚）的 128KB 至 256KB 闪存存储器的应用同时提供了成本优化和设计灵活性。这些器件包括CAN-FD 控制器、网络安全机制和高性能集成模拟，并在整个工作温度范围内提供出色的低功耗性能。该器件提供具有内置纠错码 (ECC) 且高达 256KB 的嵌入式闪存程序存储器，以及高达 32KB 的 SRAM（具有 ECC 和奇偶校验保护功能）。闪存存储器分为两个主要存储体，用于支持现场固件更新，并支持在两个主要存储体之间进行地址交换。可以使用灵活的网络安全机制来支持安全启动、安全的现场固件更新、IP 保护（仅执行存储器）、密钥存储等。针对多种 AES 对称密码模式提供了硬件加速功能。网络安全架构正等待 Arm® PSA 1 级认证。提供了一组高性能模拟模块，如两个同步采样的 12 位 1.6Msps ADC（支持多达 27 个外部通道）、片上电压基准（1.4V 或 2.5V）和两个比较器（内置 8 位基准 DAC，可在低功耗和高速模式下运行）。TI MSPM0 系列低功耗 MCU 包含具有不同模拟和数字集成度的器件。MSPM0 MCU 平台将 Arm Cortex-M0+ 平台与超低功耗整体系统架构相结合，使系统设计人员能够在降低能耗的同时提高性能。应用• 汽车车身电子装置和照明• 汽车网关• 方向盘系统• 汽车电机控制• 直流转交流逆变器• 车内照明• 车门把手模块• 脚踢开启模块• 车辆乘员检测• 座椅舒适模块MSPM0G3218-...
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2026/4/3 14:35:13
LMK1C1106-Q1缓冲器说明LMK1C110x-Q1 是德州仪器 (TI) 的一款模块化、高性能、低偏斜、通用时钟缓冲器系列器件。整个系列采用模块化方法设计。五种不同的扇出选项：1:2、1:3、1:4、1:6 和 1:8。该系列所有器件均具有相同的高性能特性，如低附加抖动、低偏斜和宽工作温度范围。LMK1C110x-Q1 支持同步输出使能控制 (1G)，当 1G 为低电平时，输出切换为低电平状态。这些器件具有失效防护输入，可防止在没有输入信号的情况下输出发生振荡并允许在提供 VDD 之前输入信号。LMK1C110x-Q1 系列具有汽车 1 级（–40°C 至 125°C）和 AEC-Q100 认证。特性• 高性能 1:2、1:3、1:4、1:6 和 1:8 LVCMOS 时钟缓冲器• 输出偏斜极低：– LMK1C1102-Q1、LMK1C1103-Q1 和 LMK1C1104-Q1• < 50ps– LMK1C1106-Q1 和 LMK1C1108-Q1• < 55ps• 极低的附加抖动：– LMK1C1102-Q1、LMK1C1103-Q1 和 LMK1C1104-Q1• VDD = 3.3V 时，典型值为 7.5fs• VDD = 2.5V 时，典型值为 10fs• VDD = 1.8V 时，典型值为 19.2fs– LMK1C1106-Q1 和 LMK1C1108-Q1• VDD = 3.3V 时，典型值为 12fs• VDD = 2.5V 时，典型值为 15fs• VDD = 1.8V 时，典型值为 28fs• 传播延迟极低，< 3ns• 同步输出使能• 电源电压：3.3V、2.5V 或 1.8V– 在所有的电源电压下，容差输入为 3.3V– 失效防护输入• fm...
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2026/4/3 14:20:48
LMK1C1108-Q1汽车级时钟缓冲器系列器件说明LMK1C110x-Q1 是德州仪器 (TI) 的一款模块化、高性能、低偏斜、通用时钟缓冲器系列器件。整个系列采用模块化方法设计。五种不同的扇出选项：1:2、1:3、1:4、1:6 和 1:8。该系列所有器件均具有相同的高性能特性，如低附加抖动、低偏斜和宽工作温度范围。LMK1C110x-Q1 支持同步输出使能控制 (1G)，当 1G 为低电平时，输出切换为低电平状态。这些器件具有失效防护输入，可防止在没有输入信号的情况下输出发生振荡并允许在提供 VDD 之前输入信号。LMK1C110x-Q1 系列具有汽车 1 级（–40°C 至 125°C）和 AEC-Q100 认证。特性• 高性能 1:2、1:3、1:4、1:6 和 1:8 LVCMOS 时钟缓冲器• 输出偏斜极低：– LMK1C1102-Q1、LMK1C1103-Q1 和 LMK1C1104-Q1• < 50ps– LMK1C1106-Q1 和 LMK1C1108-Q1• < 55ps• 极低的附加抖动：– LMK1C1102-Q1、LMK1C1103-Q1 和 LMK1C1104-Q1• VDD = 3.3V 时，典型值为 7.5fs• VDD = 2.5V 时，典型值为 10fs• VDD = 1.8V 时，典型值为 19.2fs– LMK1C1106-Q1 和 LMK1C1108-Q1• VDD = 3.3V 时，典型值为 12fs• VDD = 2.5V 时，典型值为 15fs• VDD = 1.8V 时，典型值为 28fs• 传播延迟极低，< 3ns• 同步输出使能• 电源电压：3.3V、2.5V 或 1.8V– 在所有的电源电压下，容差输入为 3.3V– 失...
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2026/4/3 14:17:19
ISO6041数字隔离器说明ISO604x 器件是高性能数字隔离器，专为符合 UL 1577 的需要最高 5000VRMS 的隔离额定值的应用而设 计。器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。 ISO604x 器件在极低的电源电流下提供高数据速率、 低传播延迟、低抖动以及低通道间和器件间偏斜，同时 隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O。这些器件配有使能 引脚，可用于将相应的输出置于高阻抗状态。该系列中的器件具有针对穿过隔离栅的特定正向和反向 数量、默认输出电平和封装的通道配置。四通道器件配置可 适应任何四通道设计，包括 SPI、RS-485 和数字 I/O 应用。可使用多个四通道器件或者组合使用二通道和六 通道器件，以传输应用所需的任意数量的并行 I/O、 SPI 芯片选择、状态或故障信号。特性支持高带宽和时钟敏感型应用高达 200Mbps 的数据速率低传播延迟：5V 时最大值为 9ns、3.3V 时最大值为 10nsSPI 最高可达：5V 时为 27.75MHz、3.3V 时为 25MHz低脉宽失真度：5V 时最大值为 1.2ns、3.3V 时最大值为 1.2ns低抖动：3.3V 时最大值为 5ps (RMS)，对采样时钟信号的 ADC 和 DAC SNR 的影响较低低通道间偏斜：5V 时最大值为 1.2ns、3.3V 时最大值为 1.2ns低器件间偏斜：5V 时最大值为 3.5ns、3.3V 时最大值为 3.8ns支持高通道密度应用：低功耗：1Mbps 和 3.3V 时，每个通道的最大电流为 0.635mA稳健可靠的 SiO2 隔离栅：在 1061VRMS 工作电压下具有超长的寿命宽温度范围：-40°C 至 125°C隔离等级高达 5000VRMS浪涌抗扰度高达 10.4kV最小值为 ±50kV/...
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2026/4/3 14:11:15
TPS7H6101说明TPS7H6101 是一款具有集成式栅极驱动器的抗辐射 200V e 模式 GaN 功率 FET 半桥；集成 e 模式 GaN FET 和栅极驱动器可简化设计、减少元件数量并缩小布板空间。支持半桥和两个独立开关拓扑、可配置死区时间和可配置击穿互锁保护，有助于为各种应用和实现提供支持。特性辐射性能：通过了总电离剂量 (TID) 为 50krad(Si) 的辐射批次验收测试 (RLAT)单粒子瞬变 (SET)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 43MeV-cm2/mg单粒子瞬变 (SET) 和单粒子故障中断 (SEFI) 的特征值高达 (LET) = 43MeV-cm2/mg200V e 模式 GaN FET 半桥15mΩRDS(ON)（典型值）100kHz 至 2MHz 运行LGA 封装：带有散热焊盘的热优化 12mm × 9mm LGA 封装集成式栅极驱动电阻器低共源电感封装电气隔离式高侧和低侧适用于各种半桥和两种开关电源拓扑的灵活控制低传播延迟两种工作模式具有可调死区时间的单个 PWM 输入两个独立输入可编程的死区时间控制在独立输入模式下提供可选输入互锁保护5V 栅极驱动电源，可实现稳定的 FET 运行应用• 卫星电力系统 (EPS)• 电机驱动器典型应用电路免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/4/3 13:59:38
AI数据中心的创新节奏之快，已使设计人员无法再通过逐个优化元器件来构建系统。产品开发周期曾以三到四年为衡量，如今已缩短至12到15个月。这意味着AI数据中心架构师需要的是端到端的电源解决方案，以及全面、长远的规划蓝图，而非将整合风险转嫁给系统设计人员的零散产品组合。依托数十年的电源技术积累，瑞萨深知：要降低GaN的采用门槛并缩短设计周期，离不开控制器、栅极驱动器与保护器件的协同设计，再辅以完善的参考设计和专业的技术支持。我们在应用电力电子会议（APEC）上最新发布的GaN解决方案，正是这一系统级理念如何转化为更快速、更低风险设计的生动例证。通过收购Transphorm公司及其高压SuperGaN® D-mode GaN FET技术，瑞萨电子的市场地位得到了进一步的巩固。我们致力于为数据中心OEM厂商提供从器件级创新到系统级支持的全方位赋能，从而加速其评估进程，缩短产品设计周期。剖析AI数据中心的电力挑战相较于早期的云基础设施，AI数据中心呈现出两大显著特征：更高的电力消耗，以及功耗动态变化的急剧增加。传统数据中心的服务器电源柜的功率上限可能最高为30千瓦。而如今，AI系统的单个电源柜运行功率已跃升至50千至300千瓦之间（具体数值因供应商而异），按照这一趋势，预计到明年，单个机柜的功率甚至有望突破1兆瓦大关。在电源功率如此飙升的背景下，功率分配和电力转换已无法再作为后台的辅助环节被忽视。为了实现AI应用的可持续规模化扩展，电源架构必须迈向更高效、更紧凑，且更具适应性的新阶段。简而言之，电力已从昔日的运营支出项，演变为复杂且资本密集型的核心考量因素。并且，只要对算力的渴求继续由日益庞大的AI模型所驱动，这一趋势就将长期持续。AI推动新型电源架构这场变革最明显的标志之一，便是从传统的415V交流（AC）配电向800V直流（DC）（或±400V直流）架构演进。...
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2026/4/3 13:53:08
半导体制造商ROHM宣布推出兼具业界超低动态电阻（Rdyn）*1和超低电容特性的ESD（静电放电）保护二极管*2“RESDxVx系列”。该系列产品适用于需要高速数据传输的众多应用领域。近年来，在工业设备和车载市场，高速信号传输的普及与电子设备的小型化、高性能化趋势日益显著。相应地，系统（电路板、模块）层面对所需的ESD防护措施要求越来越严苛。另一方面，随着多功能化、高性能化、微细化技术的发展，IC对电气过载（EOS）和静电放电（ESD）的耐受能力呈下降趋势。因此，对于兼具“低电容（抑制高速通信时的信号劣化）”和“凭借低动态电阻实现出色IC保护性能”的外置ESD保护器件的需求与日俱增。尤其是在10Gbps以上的下一代通信中，微小的寄生电容差异都会对通信波形产生重大影响。然而，降低寄生电容与动态电阻之间存在此消彼长的权衡关系，因此如何兼顾通信质量和IC保护，成为亟待解决的课题。对此，ROHM推出了能够解决这一课题、并支持更高速通信的RESDxVx系列产品，新产品不仅实现更低电容，还实现更低的动态电阻。超过10Gbps的高速通信接口，需要可将信号劣化控制在更低且具备出色IC保护性能的ESD保护二极管。新产品实现引脚间电容*3仅为0.24pF（双向）和0.48pF（单向）的超低电容特性。同时，与该特性存在权衡关系的动态电阻也降低至0.28Ω。与普通产品相比，其钳位电压*4降低了约40%，确保了优异的IC保护性能。这些优势有助于提高各种高速数据通信设备（例如AI服务器和5G/6G通信设备等工业设备，笔记本电脑和游戏机等消费电子产品）的可靠性。另外，DFN1006-2W封装的“RESDxVxBASAFH”和“RESDxVxUASAFH”符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的要求，还适用于采用SerDes*5通信的ADAS（高级驾驶辅助系统）、AD（自动驾驶）摄像头以及ECU（电子...
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2026/4/3 13:47:52
Microchip已获得UL Solutions认证，符合IEC 62443-4-1成熟度第二级（ML2）工业自动化与控制系统标准，证明其新产品开发流程符合全球公认的安全设计标准。该认证提供了经审计支持的产品开发，确保产品是在成熟、可重复且独立验证的网络安全框架下开发。IEC 62443-4-1标准定义了安全开发生命周期（SDL）的要求，包括威胁建模、安全设计实践、严格的实施控制、验证与确认，以及长期缺陷和补丁管理。UL Solutions的认证确认，Microchip从最初设计到生命终止，将安全整合进其硬件和软件，并且这些做法在各业务单元及全球设计和制造中心中持续应用。这种基于审计支持的保障水平帮助客户简化自身的网络安全评估，降低供应链风险，并加速应对欧盟网络韧性法案（CRA）等新兴监管要求的准备。“获得IEC 62443-4-1 ML2认证体现了Microchip长期以来对严格安全实践的承诺，”Microchip Technology安全计算集团企业副总裁Nuri Dagdeviren表示。“客户需要能够展示安全开发成熟度的合作伙伴，而不仅仅是宣称成熟度。这种经过独立验证的认证增强了信任，降低了硬件-固件堆栈的风险，并支持客户朝向CRA及其他基于标准的合规性迈进。”免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/4/3 13:35:22
瑞萨电子宣布其辐射硬化（辐射硬）集成电路将被用于NASA的Artemis II任务，该任务于4月1日从佛罗里达肯尼迪航天中心成功发射。作为数十年来首次载人绕月任务，阿尔忒弥斯二号代表了NASA重返月球并在月球表面建立长期存在计划中的一个重要里程碑。目前，四名宇航员正乘坐NASA的猎户座飞船前往绕月轨道，作为NASA阿耳忒弥斯II任务的一部分，将人类带到五十多年来最远离地球的距离。飞行期间，机组人员将在深空环境中测试航天器系统和机组性能，然后安全返回。此次任务将验证关键航天器能力，并为未来的载人航行和登月做好准备。在阿耳忒弥斯II核心系统中，包括猎户座飞船和空间发射系统（SLS）火箭，瑞萨的辐射硬集成电路被应用于多个子系统。这些Intersil品牌设备嵌入航天器的航电和安全发射系统中，有助于调节和分配电力，保持信号完整性，并支持机载计算。这些专用集成电路设计用于在人类航天任务典型的高辐射和极端温度下可靠运行。“载人航天任务没有失败的余地，我们很自豪成为少数被委托为这次历史性的载人阿尔忒弥斯任务提供符合太空资格的半导体公司之一，”瑞萨HiRel业务部副总裁克里斯·斯蒂芬斯说。“我们的辐射高强度设备帮助航天器系统保持连接、保护和精确控制，帮助船员深入深空。我们期待通过我们的空间级半导体解决方案支持未来的里程碑任务，开启太阳系探索的新纪元。”瑞萨Intersil品牌在航天行业拥有悠久历史，超过六十年，始于1950年Radiation Inc.的创立。此后，几乎所有卫星、航天飞机发射和深空探索任务都包含了Intersil品牌产品。瑞萨利用这些经验，为国防、高可靠性（Hi-Rel）和辐射硬空间市场提供高效、热优化且高度可靠的SMD、MIL-STD-883和MIL-PRF 38535 Class-V/Q Intersil品牌产品。瑞萨Intersil品牌的辐射硬IC支持数据通信...
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2026/4/2 13:44:38
2026年4月1日-Vishay推出了一款新型汽车级光伏MOSFET驱动器，这是首款采用紧凑型SMD-4封装、具备8毫米爬行距离的器件，以及具有600的跟踪指数（CTI）的模具化合物。Vishay 半导体设计旨在提升高压汽车应用中的安全性和可靠性——同时简化设计和降低成本，VODA1275拥有业内最快的开机时间以及同级中最高的开路电压和短路电流。该设备被归类为增强隔离，开路电压为典型20伏，短路电流为20微安，导通时间为80微秒，是竞争对手的三倍。这些特性使得高压系统中MOSFET和IGBT的驱动速度更快、更可靠。此外，该器件的工作隔离峰值电压为1260伏，隔离测试电压为5300伏有效值，非常适合800 V+电池系统。该VODA1275通过AEC-Q102认证，旨在用于电动车（EV）和混合动力（HEV）车辆的预充电电路、墙壁充电器和电池管理系统（BMS）。设计师此前需要串联使用两个MOSFET驱动器以产生这些应用所需的更高电压，而器件的高开路输出电压使他们只需一个驱动器即可，节省空间并降低成本。此外，驱动器还支持定制固态继电器，以取代下一代车辆中传统的机电继电器。光学隔离VODA1275从隔离屏障低压侧的红外发射器获取驱动内部电路所需的全部电流。这种结构简化了设计，并通过消除对外部电源的需求降低了成本。MOSFET单元符合RoHS标准，无卤素，采用Vishay Green色。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/4/2 13:38:11
工业场景中，电机及电子控制设备启动时的瞬时电流冲击容易导致机壳电源触发过流保护，从而影响设备正常运行。因此，金升阳推出LM450/600-20BxxS系列机壳电源应运而生，以高性能、高可靠特性破解该痛点，为多领域工业设备提供稳定供电，助力工业智能化升级。产品优势1、满足200%峰值功率持续5秒，可有效应对电机等设备启动瞬时电流冲击，解决传统电源过流保护触发痛点；2、输入电压范围覆盖90-132VAC/180-264VAC/255-370VDC，交直流两用，适配多场景供电需求；3、效率高达92%，工作温度覆盖-40℃ to +70℃，同时支持5000m高海拔稳定运行，适配多地域、多环境使用；4、隔离耐压4000VAC，有效保障设备用电安全；配备短路、过流、过压、过温四重保护，故障消除后可自动恢复运行，无需人工干预，降低维护成本；5、基板双面覆涂三防漆，有效抵御潮湿、粉尘、腐蚀等恶劣环境侵蚀，大幅提升产品的环境适应性，延长电源使用寿命，降低设备更换频率和维护成本；6、满足污染等级3标准，适配工业场景中粉尘较多、湿度较大的恶劣工况，确保电源在复杂环境下依然稳定可靠运行；产品应用该系列产品可广泛应用于工控、激光设备、协作机器人、安防、通讯、智能家居等领域。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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2026/4/1 9:54:37
安森美宣布与上能电气达成一项新的设计合作：上能电气将在两大公用事业级可再生能源平台中采用安森美最新一代混合功率集成模块（PIM）。该模块集成安森美的FS7绝缘栅双极晶体管（IGBT）与EliteSiC技术，将用于上能电气下一代430kW液冷储能系统（ESS）和320kW公用事业级光伏组串式逆变器。借助安森美的技术，上能电气的解决方案将实现更高的能效、功率密度、更低的开关损耗和更出色的热性能，推动公用事业级可再生能源应用性能标准的提升。在与竞品功率模块的基准测试中，安森美基于FS7的混合PIM用于320kW光伏逆变器中，提升了0.07%的能效，并将损耗降低了225W。安森美的混合F5BP PIM结合FS7 IGBT与EliteSiC二极管技术，与上一代产品相比，可降低高达8%的功率损耗和10%的开关损耗。其先进的直接键合铜（DBC）基板设计可最大限度减少杂散电感，并将散热片的热阻降低9.3%。开关损耗和热阻的共同降低，使系统在相同重量和功率密度下，整体功率较上一代设计提升高达32%。搭配优化的电气布局与创新的底板设计，为系统带来更优的热管理性能。这些改进共同实现更出色的系统性能并提升长期可靠性。与上一代模块相比，安森美最新的基于FS7的混合PIM通过降低开关损耗和热阻，用于上能电气的新一代430kW组串式储能系统中实现了以下系统级提升：基于基准测试中已验证的模块级能效提升，往返效率（RTE）提升0.75%辅助功耗降低5%，从而减少整体运营成本更高的功率密度，可减少所需模块数量和器件成本在高负载下保持更低运行温度，可靠性更高助力可再生能源电网更稳定可靠“公用事业级运营商正致力于在相同占位下提升输出功率，同时降低生命周期成本。将安森美F5BP封装混合模块集成到我们的430kW储能系统和320kW逆变器平台，使我们在提升系统功率密度与转换效率方面实现双重突破：更高的功率密度带来系统...
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2026/4/1 9:43:41