圣邦微电子推出 SGM2535 系列产品是单通道、高精度、支持符合 SATA™ 设备睡眠标准的电子保险丝用芯片。工作电压 2.7V 至 18V，导通电阻 34mΩ（典型值），支持 5.3A 最大连续电流；内部集成背靠背 FETs，可以实现反向电压的 1.8μs 快速关断响应。芯片适用于 SSD 驱动、企业微服务器等多种宽范围供电的电源系统保护场景。SGM2535 系列提供反向电流阻断、负载电流指示器输出、可调输出电流限制、可调输入欠压/过压保护、可调输出软起速率和热关断等完善的故障保护功能。芯片采用符合环保理念的 TQFN-3×4-20L 绿色封装，工作温度范围在 -40℃ 至 +125℃。SGM2535 典型特征2.7V 至 18V 工作电压，可承受 20V 浪涌电压；34mΩ（典型值）导通电阻；1.8μs（典型值）反向电压关断响应时间，反向电流阻断；可调的输出电流限制：0.6A 至 5.3A，精度为 ±9%；负载电流指示器输出（IMON），精度为 ±8%；工作静态电流：133μA（典型值），关断静态电流：3.9μA（典型值）；设备睡眠模式静态电流：103μA（典型值）；可调输出软启动功能；精度为 ±2.3% 的过压、欠压阈值；热保护功能；工作状态指示：可调阈值（PGTH）的电源状态（PG）指示、故障（nFAULT）指示。SGM2535 核心特点1. SGM2535 具有 34mΩ 的低导通电阻，可显著降低大电流场景下的损耗，提高系统效率。2. SGM2535 支持高达 18V 输入电压，可调软起速率有效减小输入浪涌电流，保护下游大电流敏感器件并抑制输入端电压波动。3. SGM2535 内部集成反向电流阻断功能，可以在 1.8μs 内响应反向电压事件，并在事件移除后恢复正常工作。4. SGM2535 外接限流电阻，输出限流 0.6A...
浏览次数：
2
2024/8/13 15:27:40
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一系列通过AEC-Q200认证的全新薄膜片式电阻---CHA系列，这些产品可为汽车、宇航和航空电子、电信应用提供高达70 GHz的高频性能。Vishay Sfernice CHA系列采用紧凑型02016封装尺寸，电阻值涵盖从10 W到500 W的范围。新发布的器件具有超低的内部电抗，在大频率范围内的表现接近纯电阻器，Z/R曲线几乎平坦，频率可达70 GHz。即使在应力最大的AEC-Q200测试之后，微波电阻器依然保持高频稳定性 — 通过测量ΔR和Z/R进行验证 — 保证在恶劣环境条件下具有出色的性能。CHA系列非常适合汽车ADAS、激光雷达、连接、4D雷达系统、LEO卫星和空间通信系统和遥测系统、无人机和射频天线等应用领域。对于这些应用，这些器件提供了30 V的极限电压，在+70 °C 时的额定功率为 30 mW，温度系数为± 100 ppm/°C，并可按要求提供± 50 ppm/°C。为缩短开发时间并降低成本，除了Ansys HFSS的3D模型、Modelithics Microwave Global Models™（PCB和焊盘扩展）和设计套件之外，器件的参数数据也可用于电子仿真。这些电阻符合RoHS标准，不含卤素，Vishay Green，采用卷带式封装。电阻器符合RoHS标准，无卤素，满足Vishay 绿色标准，并采用编带和卷盘包装。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
3
2024/8/7 14:33:46
英飞凌携手联发科推出创新智能座舱解决方案，为智慧交通提供经济的车载信息娱乐解决方案【2024年8月5日，德国慕尼黑讯】数字座舱已成为汽车行业的发展趋势，仪表盘上的按钮和控制装置将被显示屏所取代。作为汽车的关键系统之一，数字座舱系统需要为汽车用户提供高性能功能，同时满足功能安全目标。实现这些目标的传统方法是在带有管理程序的高性能系统级芯片（SoC）上运行数字座舱系统。然而，开始使用这种系统所需的前期投资在七位数左右，而且总成本会因操作系统和管理程序的许可费而进一步增加。因此，对中低端车型而言，该系统在经济效益上缺乏吸引力。全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司与联发科（MediaTek）及其设计合作伙伴一道，基于英飞凌的 TRAVEO™ CYT4DN MCU系列和联发科的Dimensity Auto SoC入门级解决方案，开发出一种易于使用的座舱解决方案，降低了软硬件的系统总物料（BOM）成本。在这款易于使用的座舱解决方案中，英飞凌CYT4DN MCU作为SoC的安全辅助系统， 符合汽车座舱ASIL-B功能安全等级要求。TRAVEO™ MCU监控SoC 呈现的内容，并在出现错误时接替其工作，但功能有所减弱。另外，它还提供了正常的辅助功能，例如与车载网络通信等。联发科汽车产品线副总经理熊健先生表示：“我们的汽车 SoC 与英飞凌的TRAVEO™ T2G MCU将组合成一款低成本的座舱解决方案，为OEM和一级供应商带来新的可能性。这款产品将大幅提升入门级车型座舱的性能和功能。”英飞凌科技车规级微控制器副总裁Ralf Koedel 表示：“现代化座舱可为驾驶员提供支持，并提高所有车内人员的乘坐舒适度。因此，让低成本的车型也能配备数字解决方案十分重要。我们很高兴与联发科及合作伙伴一起，为打造适用于所有车辆的数字座舱奠定基础。TRAVEO™ T2G CYT4DN MC...
浏览次数：
3
2024/8/7 14:31:38
市场传出联发科将年度5G旗舰芯片天玑9400价格将提高。外界认为，由于天玑9400是首颗以3nm制程打造的芯片，成本与售价若较高，算是意料中事。天玑9400的AI效能、能耗、NPU算力等均有所提升，将与高通骁龙8 Gen4竞争，首发机种为vivo X200系列产品。同时预期天玑9400的价格也将提升。天玑9400被期待成为联发科手机芯片业务的新动能。联发科提到，天玑9300系列今年已应用于多款5G AI智能手机，天玑9400预计10月上市，采用3nm制程生产，搭配全大核架构，将带来性能与能耗上的显著提升。天玑9400优化生成式AI的功能，许多生态系统伙伴积极开发生成式AI功能，可能成为未来缩短智能手机产品周期关键。英飞凌也宣布携手联发科，共同开发基于英飞凌TRAVEO CYT4DN微控制器系列与入门级联发科Dimensity Auto系统单芯片解决方案的易用型座舱方案，可减少硬件和软件的系统物料成本。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
1
2024/8/7 14:28:32
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款采用透明无色引线型塑料封装的新型890nm高速红外（IR）发光二极管--- TSHF5211，扩充其光电子产品组合。Vishay Semiconductors TSHF5211基于表面发射器芯片技术，优异的VF温度系数达 -1.0 mV/K，辐照强度和升降时间优于前代器件。日前发布的发光二极管100 mA驱动电流下典型辐照强度达235 mW/sr，比上一代解决方案提高50%。器件开关时间仅为15 ns，典型正向电压低至1.5 V，半强角只有± 10°，适用作烟雾探测器和工业传感器的高强度发光二极管。这些应用中，TSHF5211可与硅光电探测器实现良好的光谱匹配。器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，无铅（Pb），可采用温度达260°C的无铅焊接。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
2
2024/8/5 16:50:35
意法半导体的 EVLDRIVE101-HPD（高功率密度）电机驱动参考设计在直径仅为 50 毫米的圆形 PCB 电路板上集成三相栅极驱动器、STM32G0微控制器和750W功率级。该板的睡眠功耗很低，还不到1uA，小巧的外形可直接装入吹风机、手持式吸尘器、电动工具、风扇等设备，还可以轻松放入无人机、机器人以及电泵、制程自动化系统等工业设备的电驱装置内。2024 年 8月 1 日，中国——意法半导体的 EVLDRIVE101-HPD（高功率密度）电机驱动参考设计在直径仅为 50 毫米的圆形 PCB 电路板上集成三相栅极驱动器、STM32G0微控制器和750W功率级。该板的睡眠功耗很低，还不到1uA，小巧的外形可直接装入吹风机、手持式吸尘器、电动工具、风扇等设备，还可以轻松放入无人机、机器人以及电泵、制程自动化系统等工业设备的电驱装置内。该参考设计采用意法半导体稳健、紧凑的STDRIVE101 三相栅极驱动器，允许开发者自由灵活选择电机控制方法，例如，选择梯形或磁场定向控制 (FOC)，是否用传感器检测转子位置。 STDRIVE101驱动芯片由三个拉/灌电流600 mA的半桥驱动组成，工作电压范围为 5.5V 至 75V，可满足任何低压电机的驱动要求。该芯片集成了高低边栅极驱动器稳压电源和可配置漏源电压 (Vds)监测保护功能，还有一个用于选择直接高低边栅极输入或 PWM 控制的外部引脚。开发人员可以利用 STM32G0 单线调试 (SWD) 接口连接微控制器交换数据，同时支持直接固件更新，修复软件错误，启用新功能。EVLDRIVE101-HPD参考设计的电源级采用 STL220N6F7 60V STripFET F7 MOSFET功率晶体管，1.2mΩ的典型 Rds(on)导通电阻可维持驱动能效，简化电机即插即用连接。快速上电功能可在电机闲置时断开电源，节省电能，延长电池供电...
浏览次数：
2
2024/8/5 16:47:55
随着嵌入式系统日益复杂以及对高性能的需求也越来越大，Microchip Technology（微芯科技公司）推出了dsPIC33A系列数字信号控制器（DSC）。工程师能够创建复杂的计算密集型嵌入式控制算法，对电机控制、电源、充电和传感系统实现卓越的运行效率至关重要。dsPIC33A系列的内核采用32位中央处理器（CPU）架构，运行速度为200 MHz，包括双精度浮点运算单元（DP FPU）和 DSP 指令，适用于许多闭环控制算法中的数值密集型任务。dsPIC33A架构设计能提供高性能和精确的实时控制，搭配全面的开发工具生态系统，可简化和加速设计过程。dsPIC33A DSC经过优化改进，数学和数据处理能力更强，代码效率更高，上下文切换更快，延迟更短。这种更低的延迟可加快对瞬态和安全关键事件的响应速度。新外设和升级外设（如专为电机控制和数字电源转换设计的高分辨率PWM）旨在支持汽车、工业、消费、电动出行、数据中心和可持续解决方案等各种市场的渐进式技术开发。dsPIC33A系列集成了模拟外设，包括转换速率高达40 Msps的12位ADC、高速比较器和运算放大器。这些模拟外设与独立于内核的外设（CIP）相结合，可实现复杂的传感和高性能控制。此外，CIP 还实现了外设之间的交互，无需CPU参与，从而提高了单个控制器管理多个任务的效率。其结果是实现了更强大的实时控制，同时为软件协议栈、功能安全诊断和安全功能预留了CPU带宽。dsPIC33A器件系列具有闪存安全功能，包括不可变信任根、安全调试和受限内存访问。DSC的指令集架构（ISA）支持采用基于模型的设计生成的软件代码，从而简化了代码生成。dsPIC33A DSC功能全面，非常适合需要高效电机控制的风扇、泵和压缩机应用；它们还能管理人工智能服务器和电动汽车车载充电器等应用的数字电源转换，并支持工业和汽车应用的传感器接口。该系列首款产...
浏览次数：
2
2024/8/5 16:45:00
随着国内轨交领域逐渐向高端化、成熟化迈进，市场对电源的体积、效率等指标提出更高要求。金升阳在深入分析各类设备应用环境后，现通过自主平台技术升级，降体积、提性能推出10-20W全新铁路高功率密度产品URF1D_YMD-xxWR3系列，采用1 x 1"标准封装设计，可应用于温度变化大、空间狭小的严苛环境，更贴合用户实际应用需求。该系列产品还满足铁路EN50155认证标准，工作温度范围宽、效率高，具有输入欠压保护，输出过压、过流、短路保护等功能。在显著减小体积的同时，实现了加强绝缘，隔离电压提升至3000VAC，可应用在高原高寒应用场合，满足现代铁路系统对于高效、可靠、安全的需求。一、产品优势（1）加强绝缘3000VAC，满足5000m海拔应用铁标EN50155是一项针对轨道交通领域电子设备的重要标准，其中要求设备在耐压性能方面，输入对输出的最高耐压应达到1500VAC或2200VDC。这一规定是为了确保在轨道交通等复杂环境中，电子设备能够稳定、安全地运行，避免因电气故障而导致的事故。本次推出的新品URF1D_YMD-xxWR3系列可实现输入对输出3000VAC加强绝缘，远超行业标准，意味着即便在极端的电气环境下，产品也能保持出色的稳定性和安全性。尤其是在高海拔地区，由于气压低、空气稀薄，对电气设备的绝缘性能要求更为苛刻。该系列产品能轻松应对这些挑战，为轨道交通等领域的安全运营提供了有力保障。（2）1 x 1" 小体积铁路电源，高功率密度48W/inch3当前市面上，小功率铁路产品多数为2 x 1" LD封装。这种封装形式虽然能够满足一定的使用需求，但在产品体积、使用空间以及可靠性能方面，仍存在一定的局限性。而我司全新推出10-20W铁路电源模块，采用了1 x 1" YMD封装形式，相较于传统的2 x 1" LD封装，其在产品体积...
浏览次数：
2
2024/8/5 16:39:22
CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。英飞凌CoolSiC™ G2 MOSFET可在所有常见电源方案组合（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中树立高质量标杆，并进一步利用英飞凌独特的XT互联技术来提高半导体芯片的性能和散热能力（例如采用TO-263-7、TO-247-4分立封装的型号）。CoolSiC™ G2 MOSFET 650V和1200V在不影响质量和可靠性的前提下，将MOSFET的关键性能（例如存储能量和电荷）提高了20%，不仅提升了整体能效，还进一步推动了低碳化进程。G2的散热能力提高了12%，并将CoolSiC™的SiC性能提升到了一个新的水平。其快速开关能力可在所有工作模式下将功率损耗降低5%到30%（取决于负载条件），具有出色的节能效果。CoolSiC™ G2的新一代SiC技术能够加速设计成本更加优化，且更加紧凑、可靠、高效的系统，从而节省能源并减少现场每瓦功率的二氧化碳排放量。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
5
2024/7/29 11:03:32
AI热潮下，机器学习、生成式AI等需要大量计算能力和存储空间，这对存储芯片是一大利好，成为带动存储芯片市场回暖的主要动力之一。TechInsights报告预测，得益于AI数据中心对高带宽存储器（HBM）的旺盛需求，以及对NAND闪存使用量的增长，存储市场已经全面复苏。在此过程中，HBM3e、QLC NAND、GDDR7等存储新品均呈现出极大潜力。三大存储大厂也各显神通，积极卡位，希望在新一轮市场周期中抢得先机。AI需求拉动：供应商将延续涨价态度人工智能需求的激增是本轮存储市场扭转的主要原因之一。据报道，有供应链企业透露，三星将提供高达三成既有DRAM产能生产HBM3e，造成庞大的产能排挤效应，将导致DRAM市场本季度供给更紧俏。而根据集邦咨询调查显示，由于通用型服务器需求复苏，加上DRAM供应商HBM生产比重进一步拉高，使供应商将延续涨价态度，第三季度DRAM均价将持续上扬，涨幅预计将为8%～13%。Omdia半导体研究高级首席分析师Lino Leng表示，DRAM市场在去年经历了一些产能和库存的调整，而从今年开始，主要还是人工智能产业链的需求引领了DRAM 市场的全面增长，预计这一强势将在下半年得以延续。一方面HBM 这一高端高溢价产品的销售占比将持续增加；另一方面， 受到端侧AI的驱动，PC 和智能手机DRAM平均容量也有望快速提升，共同推动DRAM市场走强。人工智能热潮也推动了NAND闪存芯片的需求，尤其是企业对数据中心等IT基础设施进行大规模投资。资料称，AI数据中心对服务器容量的要求比一般数据中心高出20倍。对此，Omdia半导体研究首席分析师Alex Yon认为，各种AI相关应用的发布，包括AI智能手机、AI PC 新机型的推出以及企业/数据中心都将推动对大容量存储的需求。这些应用中的人工智能工作负载需要大容量、高密度存储，NAND 厂商将在下半年推出新一代28...
浏览次数：
7
2024/7/29 10:56:34
HVDC 高压输入模块电源主要应用于数据中心，工业计算机等行业，可为数据通信中心的负载点（POL）转换器供电，为保证数据传输稳定，防止数据丢失，需供电系统具有高可靠性，且对体积有较高要求。对此，金升阳重磅推出VRF4D12HBO-1200WR3系列，输入电压范围宽至360-400VDC，效率高达95%；该系列产品还具有PMBUS功能，各类保护功能齐全等优势，帮助客户提高系统整体可靠性。一、产品介绍HVDC 高压输入模块电源主要应用于数据中心，工业计算机等行业，可为数据通信中心的负载点（POL）转换器供电，为保证数据传输稳定，防止数据丢失，需供电系统具有高可靠性，且对体积有较高要求。对此，金升阳重磅推出VRF4D12HBO-1200WR3系列，输入电压范围宽至360-400VDC，效率高达95%；该系列产品还具有PMBUS功能，各类保护功能齐全等优势，帮助客户提高系统整体可靠性。二、产品优势（1）性能优异① 宽输入电压范围：360-400VDC② 高效率，满载效率高达 95.5%③ 工作温度宽至 -40°C to +85°C④ 产品尺寸仅为63.0*61.0*12.7mm，有利于客户进行空间设计（2）功能丰富 ①支持PMBus功能，可实时反馈电流、功率、温度等模块运行数据，数据异常及时报警，全面协助系统主控制器进行状态采集，监控管理和保障分析，控制和监测电源设备，以提高电源效率、延长电源寿命和保证系统的可靠性②可多模块并联升功率，兼容更大功率应用需求③保护功能齐全，集成输入欠压保护，过温保护，输出过压/过流/短路保护（3）安全可靠① 高隔离电压：输入-输出3000VAC② 提供三年质保服务③ 满足EN62368认证标准 ④ 加强绝缘3000VAC，可靠性高，满足数据中心等设备对于电...
浏览次数：
4
2024/7/26 15:52:07
圣邦微电子推出 SGM37863，一款带 1.5A 高压侧电流源的同步升压型 LED 闪光灯驱动器。该器件可应用于智能手机、平板电脑、便携式设备、运动摄像机和红外 LED 驱动器。SGM37863 是一款结构紧凑、高度可定制的单 LED 闪光灯驱动器。恒流 LED 源允许灵活调节，闪光灯模式下 16mA 到 1.5A 电流范围，手电筒模式下可设置 4mA 至 388mA 和 3mA 至 204mA 两种电流范围，每个模式下有 128 阶可编程电流。SGM37863 采用 2MHz 或 4MHz 固定开关频率的同步升压转换器，可自动调节输出电压，维持电流源上的最小净空电压 VHR。自适应控制方法的使用确保了电流源的稳压和效率最大化。SGM37863 具备可编程的 I2C 接口、硬件闪存使能引脚（STROBE）、2MHz 或 4MHz 开关频率选项，以及 1.9A 或 2.8A 升压电流限制，从而可以使用小型电感器和陶瓷电容器。保护功能包括输入电压跳变监控器（IVFM）、过压保护（OVP）、LED 和输出短路保护、热比例缩减（TSB）和热关断（TSD）。推荐工作温度范围为 -40℃ 至 +85℃。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
2
2024/7/26 15:48:09
据悉，三星电子正全力投入为苹果即将推出的下一代 XR 设备量身打造 LLW（Low Latency Wide IO）DRAM 产品。LLW DRAM 作为一种革命性的高性能内存解决方案，以其丰富的 I/O 引脚设计，实现了前所未有的高带宽、超低延迟及节能效果，预示着其在未来端侧 AI 领域的广泛应用前景，并有望逐步取代现有的 LPDDR 技术。苹果 Vision Pro 头显当前所采用的 R1 芯片已率先搭载了由 SK 海力士独家供应的 LLW DRAM，该内存不仅提供了 256GB/s 带宽，还以 1GB 的容量和相较于传统内存八倍的 I/O 引脚数，展现了其在数据传输速度上的巨大优势。若以 LPDDR5 的 64 位位宽作为对比，SK 海力士提供的 LLW DRAM 位宽飙升至 512 位。消息称，三星电子现已积极投身于 LLW DRAM 技术的研发之中，并已迈入小规模生产阶段，目标直指从 SK 海力士手中夺取这一新兴市场的份额。关于苹果 Vision Pro 的最新动态，市场传言其第二代产品定价区间将介于 1500 美元至 2500 美元之间。若“半价”传闻成真，则意味着消费者可能仅需支付约 1750 美元即可拥有这款尖端产品，相较于第一代 Vision Pro 高达 3500 美元的售价，这无疑将极大提升其市场竞争力。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
4
2024/7/26 15:45:35
微电子行业标准制定领域的全球领导者JEDEC固态技术协会宣布即将推出内存模块标准，旨在为下一代高性能计算和AI应用提供支持。JEDEC公布了即将推出的DDR5多路复用双列直插式内存模块 (MRDIMM) 和下一代LPDDR6压缩连接内存模块 (CAMM) 标准的关键细节。新的MRDIMM和LPDDR6的CAMM将以无与伦比的带宽和内存容量彻底改变行业。DDR5 MRDIMM提供创新、高效的新模块设计，以提高数据传输速率和整体系统性能。路复用允许将多个数据信号组合并通过单个通道传输，从而有效地增加带宽而无需额外的物理连接，并提供无缝带宽升级，使应用程序能够超过DDR5 RDIMM数据速率。其他计划中的功能包括：平台与RDIMM兼容，可实现灵活的最终用户带宽配置利用标准DDR5 DIMM组件（包括DRAM、DIMM外形尺寸和引脚分布、SPD、PMIC和TS）以方便采用利用RCD/DB逻辑处理能力实现高效的I/O扩展利用现有的LRDIMM 生态系统进行设计和测试基础设施支持多代扩展到DDR5-EOLJEDEC MRDIMM标准旨在提供高达原生DRAM两倍的峰值带宽，使应用程序能够超越当前数据速率并实现新的性能水平。它保持与JEDEC RDIMM相同的容量、可靠性、可用性、可维护性 (RAS) 特性。该委员会的目标是将带宽提高一倍至12.8 Gbps并提高引脚速度。MRDIMM预计将支持两个以上的等级，并正在设计为使用标准DDR5 DIMM组件，以确保与传统 RDIMM系统兼容。目前正在计划采用高MRDIMM外形尺寸，以提供更高的带宽和容量，而无需更改DRAM封装。这种创新的、更高的外形尺寸将使DIMM上安装的DRAM单芯片封装数量增加一倍，无需3DS封装。作为JEDEC的JESD318 CAMM2内存模块标准的后续，JC-45正在开发用于LPDDR6的下一代 CAMM模块，目标是...
浏览次数：
2
2024/7/26 15:40:53
7月24日，德州仪器公布第二财季营收38.2亿美元，符合分析师预期；第二财季每股收益1.22美元，去年同期1.87美元；第二财季营业利润12.5亿美元，分析师预期12.4亿美元；预计第三财季营收39.4亿-42.6亿美元，分析师预期41.4亿美元。德州仪器管理层表示，智能型手机和个人计算机销售的回升，使企业能够清除前几年造成的库存过剩，从而增加了该公司芯片的订单。受益于个人电子产品等市场对模拟芯片的需求稳定及制造成本降低，德州仪器对下季的收入预测也处在稳健范围，预计第三季度营收在39.4 亿美元至42.6 亿美元之间，每股收益在1.24 美元至1.48 美元之间。德州仪器首席执行官Haviv Ilan表示，虽然工业和汽车市场继续环比下滑，但所有其他终端市场都在增长，公司对其芯片在工业和汽车市场的长期机会持乐观态度。此外，第二季度在中国的业务增长了约20%。值得注意的是，恩智浦的最新财报也透露了汽车市场的疲软一面。恩智浦第二财季营收31.3亿美元。其中，车用芯片营收同比减少7%至17.28亿美元，但工业与物联网芯片营收同比增加7%至6.16亿美元。不过，德州仪器的乐观业绩预测引发投资者们对客户订单将实现加速增长的乐观情绪，并有助于抵消恩智浦半导体所引发的模拟芯片库存与需求焦虑升级。德州仪器首席财务官Rafael Lizardi表示，当前周期的不同之处在于不同地区和地域的表现截然不同。但是他预计本季度总营收将出现环比增长，这是由于一些电子产品制造商客户正在为年底的假日购物季产能做准备。Edward Jones 分析师 Logan Purk 表示，「模拟芯片需求已经触底，并开始出现一些增量成长。」虽然世界半导体贸易统计组织(WSTS)近日公布的最新半导体行业展望数据显示，模拟芯片市场仍然低迷，预计市场规模继2023年萎缩8.7%之后，2024年将萎缩2.7%。但是积极的一面在于W...
浏览次数：
2
2024/7/26 10:08:47
美光宣布推出全新的MRDIMM DDR5，目前已经出样，可为AI、HPC应用提供超大容量、超高带宽、超低延迟。2024年下半年开始批量出货。后续几代MRDIMM将继续提供比同代RDIMM高达45%的每通道内存带宽提升。值得注意的是，MRDIMM的JEDEC标准尚未正式发布。MRDIMM的全称为“Multiplexed Rank DIMM”，最初由AMD联合JEDEC组织提供提出，就是将两个DDR5 DIMM合二为一，从而提供双倍的数据传输率，而且可以同时访问两个Rank。两个DDR5-4800组合在一起，就得到了DDR5-9600，规划目标是达到DDR5-17600。Intel也在准备类似的设计，叫做MCRDIMM(Multiplexer Combined Ranks DIMM)，主要与SK海力士合作。美光MRDIMM DDR5容量分别是32GB、64GB、96GB、128GB、256GB，频率最高8800MT/s。适用于高性能1U和2U服务器。对比传统的RDIMM DDR5，它的有效带宽提升最多39％，总线效率提升超过15％，延迟降低最多40％。256GB TFF（薄型） MRDIMM对比类似容量的TSV RDIMM，性能可以领先35％。美光MRDIMM目前仅支持Intel新发布的至强6平台，或许后续也会支持AMD第五代Turin EPYC。三星还在开发8800MT/s MRDIMM，已进入样品阶段。DDR5 MRDIMM模块有望通过提高数据处理速度和效率，对AI和HPC领域产生重大影响。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
浏览次数：
3
2024/7/23 16:02:07
中新经纬7月23日电 当地时间22日，在科技股反弹的带动下，美股三大指数集体收涨，纳指涨1.58%，标普500指数涨1.08%，道指涨0.32%。《华尔街日报》分析，最近几个交易日，投资者一直在抛售高速发展的科技股，转而购买规模较小的公司股票，部分原因是押注如果美联储在未来几个月开始降息，这些企业将受益更多。不过，周一这种轮动暂停了，交易员们重新回到了他们最喜欢的科技公司。而路透社指出，拜登的退选可能会促使投资者平仓，因为他们押注特朗普的胜利将增加美国的财政和通胀压力。但一些分析师表示，下一届政府领导下的美国政府分裂的可能性增加，市场可能会受益。盘面上，大型科技股多数上涨，苹果跌0.16%，亚马逊跌0.33%，奈飞涨2.29%，谷歌涨2.24%，脸书涨2.23%，微软涨1.33%。银行股涨跌不一，摩根大通涨0.25%，高盛涨0.47%，花旗跌1.03%，摩根士丹利涨0.37%，美国银行跌1.39%，富国银行跌0.09%。能源股全线走低，埃克森美孚跌0.69%，雪佛龙跌1.34%，康菲石油跌1.76%，斯伦贝谢跌0.46%，西方石油跌3%。芯片股表现强劲，应用材料涨6.28%，恩智浦半导体涨5.39%，阿斯麦涨5.13%，微芯科技涨4.9%，英伟达涨4.76%，高通涨4.7%，博通涨2.36%，台积电涨2.17%，英特尔涨1.18%。热门中概股普涨，小鹏汽车涨超6%，蔚来涨超5%，理想汽车涨超4%，微博涨超3%，网易、京东、百度、哔哩哔哩涨超2%，阿里巴巴、唯品会涨超1%，拼多多、富途控股等小幅上涨。欧洲三大股指同样全线上涨，德国DAX指数涨1.29%报18407.07点，法国CAC40指数涨1.16%报7622.02点，英国富时100指数涨0.53%报8198.78点。国际油价小幅下跌，WTI 8月原油期货收跌0.35美元，跌幅约0.44%，报79.78美元/桶；布伦特9月...
浏览次数：
3
2024/7/23 15:45:56
太空应用是英飞凌科技股份公司的一个重要领域。英飞凌的产品被用于卫星、火星探测器仪器、太空望远镜等，即便在极端恶劣的条件下，这些应用也必须具备出色的可靠性。英飞凌近日推出抗辐射（rad hard）1 Mb和2 Mb并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器写入。英飞凌F-RAM存储器具有固有的抗辐射性能，该技术非常适合满足太空应用不断发展的任务要求，而这些应用历来使用的是速度较慢、不太坚固的EEPROM非易失性存储器。与同类产品相比，英飞凌产品的特点包括：更快的存储器随机存取速度；通过采用即时非易失性写入技术提高数据安全性；低功耗、极低的编程电压（低至2V）以及20 mA最大工作电流。英飞凌科技航空航天与国防业务副总裁兼研究员Helmut Puchner表示：“随着越来越多的太空应用被设计成在系统端处理数据，而不是通过遥测技术将数据传输到地面进行处理，因此对高可靠性非易失性存储器的需求会不断增加，以配合太空级处理器与FPGA实现数据记录应用。英飞凌于2022年在该市场推出了首款SPI F-RAM存储器。此次推出并行接口存储器体现了我们致力于为新一代太空需求提供一流的、高度可靠且灵活的解决方案。”英飞凌抗辐射F-RAM存储器的目标应用包括传感器与仪器的数据存储、校准数据的数据记录、适用于数据加密的安全密钥存储，以及启动代码存储等。除外太空应用，这款存储器还适用于航空电子等应用的温度要求（-55°C 至 125°C）。与SPI版本一样，英飞凌新推出的并行接口F-RAM存储器通过其化学成分获得了出色的非易失性存储器特性，例如用原子态瞬时切换取代了EEPROM技术中的捕获电荷至程序位。F-RA...
浏览次数：
6
2024/7/17 17:04:48