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TPD12S521是一款用于高清多媒体接口(HDMI)发射器端口的单芯片静电放电(ESD)电路保护设备。该电子元器件在使用瞬态电压抑制(TVS)二极管提供ESD保护的同时,TVS保护在高速差分信号中几乎不增加或不增加额外的毛刺。高速转换最小化差分信号(TMDS)ESD保护线仅增加0.8-pF电容。低速控制线提供电压电平移位,以消除对外部电压电平移位器IC的需求。控制线TVS二极管为控制线增加了3.5pF的电容。38针DBT封装提供无缝布局布线选项,以消除差分信号对的布线故障。DBT封装间距(0.5mm)与HDMI连接器间距相匹配。此外,引脚映射遵循与HDMI连接器引脚映射相同的顺序。TPD12S521提供了一个片上限流开关,引脚38的输出额定值为55mA。这使得即使在接收器设备断电时也能进行HDMI接收器检测。规格参数最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT湿度敏感性:Yes封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel单位重量:124 mg特性•IEC 61000-4-2 4级ESD保护•外部线路上的±8-kV接触放电•HDMI驱动器的单芯片ESD解决方案•带55mA电流输出的片上电流调节器•支持所有HDMI 1.3和HDMI 1.4数据速率(-3 dB频率>3 GHz)•高速TMDS线路的0.8-pF电容•差分信号对之间的0.05-pF匹配电容•38针TSSOP通过HDMI连接器提供无缝布局选项•后驱动器保护•TMDS_D[2:0]+/-•TMDS_CK+/-•CE_REMOTE_OUT•DDC.DAT_OUT•DDC_CLK_OUT•热插拔输出•无铅包装应用•个人电脑•消费电子产品•机顶盒•DVD播放机引脚图
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2024/12/23 14:09:18
ADuM1400是采用4/0通道方向性的四通道数字隔离器电子元器件,采用ADI公司iCoupler® 技术。 这些隔离器件将高速CMOS与单芯片空芯变压器技术融为一体,具有优于光耦合器等替代器件的出色性能特征。iCoupler器件不用LED和光电二极管,因而不存在一般与光耦合器相关的设计困难。 简单的 iCoupler数字接口和稳定的性能特征,可消除光耦合器通常具有的电流传输比不确定、非线性传递函数以及温度和使用寿命影响等问题。这些 iCoupler 产品不需要外部驱动器和其它分立器件。 此外,在信号数据速率相当的情况下,iCoupler 器件的功耗只有光耦合器的1/10至1/6。ADuM140x系列隔离器提供四个独立的隔离通道,支持多种通道配置和数据速率(请参考数据手册“订购指南”部分)。 所有型号均可采用2.7 V至5.5 V电源电压工作,与低压系统兼容,并且能够跨越隔离栅实现电压转换功能。 此外,ADuM140x具有低脉冲宽度失真(CRW级小于2 ns)和严格的通道间匹配(CRW级小于2 ns)特性。 与其它光耦合器不同,ADuM140x隔离器具有已取得专利的刷新特性,可确保不存在输入逻辑转换时及缺少一个电源条件下的直流正确性。规格参数通道数量:4 Channel极性:Unidirectional数据速率:10 Mb/s绝缘电压:2500 Vrms隔离类型:Magnetic Coupling电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:2.7 V工作电源电流:18 mA, 70 mA传播延迟时间:32 ns最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C最大下降时间:3 ns (Typ)最大上升时间:3 ns (Typ)工作电源电压:5 V单位重量:666 mg点击购买:ADUM1400BRWZ特性• 汽车应用版本已通过AEC-Q100认证• 低功耗工作•...
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2024/12/23 14:02:39
LTC®4444-5 是一款高频高电压栅极驱动器电子元器件,可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4444-5 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源,此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。LTC4444-5 包含欠压闭锁电路,用于在器件启动时停用外部 MOSFET。LTC4444-5 还内置了自适应贯通保护功能,用于阻止两个 MOSFET 同时传导。规格参数激励器数量:2 Driver输出端数量:2 Output输出电流:3 A电源电压-最小:7.2 V电源电压-最大:13.5 V上升时间:80 ns下降时间:50 ns最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C输入电压 - 最大值:100 V工作电源电流:350 uA输出电压:7.2 V to 13.5 V单位重量:254 mg特性• 自举电源电压至 114V• 宽 VCC 电压:4.5V 至 13.5V• 自适应贯通保护功能• 1.4A 峰值顶端栅极上拉电流• 1.75A 峰值底端栅极上拉电流• 1.5Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻• 0.75Ω 底端栅极驱动器下拉电阻• 5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载• 8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载• 3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载• 6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载• 可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET• 欠压闭锁功能• 耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装应用分布式电源架构汽车电源高密度功率模块电信系统引脚图
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2024/12/20 14:50:10
CSD95377Q4M NexFET™功率级的设计针对高功率、高密度同步降压转换器应用进行了高度优化。此电子元器件集成了驱动器 IC 和功率 MOSFET,从而可以实现功率级开关功能。此驱动器 IC 具有内置可选二极管仿真功能,该功能支持非连续导通模式 (DCM) 运行,从而提高轻负载效率。该组合在小型 3.5mm x 4.5mm 外形尺寸封装中提供高电流、高效率和高速开关功能。此外,PCB 封装已经过优化,可帮助减少设计时间并简化总体系统设计。规格参数激励器数量:1 Driver输出端数量:1 Output输出电流:35 A电源电压-最小:4.5 V电源电压-最大:5.5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C工作电源电流:8.6 mAPd-功率耗散:8 W单位重量:56.200 mg特性• 电流为 15A 时的效率约为 94%• 最大额定持续电流 35A• 高频运行(高达 2MHz)• 高密度 3.5mm × 4.5mm SON 封装• 超低电感封装• 系统优化的 PCB 封装• 兼容 3.3V 和 5V PWM 信号• 支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式• 输入电压最高可达 16V• 三态 PWM 输入• 集成型自举二极管• 击穿保护• 符合 RoHS 环保标准-无铅引脚镀层• 无卤素应用•服务器、网络、电信系统中的负载点同步降压•多相Vcore、DDR和图形解决方案引脚图
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2024/12/20 14:46:27
DRV8300是100-V三半桥栅极驱动器电子元器件,能够驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。DRV8300D使用集成自举二极管和高侧MOSFET的外部电容器产生正确的栅极驱动电压。DRV8300N使用外部自举二极管和外部电容器为高压侧MOSFET产生正确的栅极驱动电压。GVDD用于为低压侧MOSFET产生栅极驱动电压。栅极驱动架构支持峰值高达750mA的源电流和1.5A的汇电流。相位引脚SHx能够容忍显著的负电压瞬变;而高侧栅极驱动器电源BSTx和GHx能够支持更高的正电压瞬变(115V)abs最大电压,这提高了系统的鲁棒性。小的传播延迟和延迟匹配规范最大限度地减少了死区时间要求,从而进一步提高了效率。通过GVDD和BST欠压锁定为低压侧和高压侧提供欠压保护。规格参数激励器数量:3 Driver输出端数量:6 Output输出电流:750 mA电源电压-最小:5 V电源电压-最大:20 V上升时间:24 ns下降时间:12 ns最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C传播延迟—最大值:180 ns特性•100-V三相半桥栅极驱动器•驱动N沟道MOSFET(NMOS)•栅极驱动器电源(GVDD):5-20V•MOSFET电源(SHx)支持高达100V•集成自举二极管(DRV8300D器件)•支持反相和非反相INLx输入•Bootstrap栅极驱动架构•750 mA电源电流•1.5-A吸收电流•支持长达15秒的电池供电应用•SHx引脚(电源块)漏电流低•集成保护功能•BST欠压锁定(BSTUV)•GVDD欠压(GVDDUV)应用•电动自行车、电动滑板车和电动汽车•风扇、泵和伺服驱动器•无刷直流(BLDC)电机模块和永磁同步电机•无绳花园和电动工具、割草机•无绳真空吸尘器•无人机、机器人和RC玩具•工业和物流机器人引脚图
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2024/12/20 14:41:52
NCP51105是一款设计用于驱动功率MOSFET和IGBT的大电流低压侧栅极驱动器电子元器件。逻辑输入与CMOS和TTL输出兼容。NCP51105具有OCP引脚,用于提供过电流保护,在开关电流传感电阻器和EN引脚上检测到负电压,能够向MCU等外部控制器报告故障状态。EN引脚必须上拉到高于正常操作阈值的电压,而在所有故障条件下,它将被下拉以禁用输出。内部VDD电路通过保持低输出直到电源电压恢复到工作范围来提供欠压锁定功能,故障恢复时间可以通过连接到EN引脚的电阻和电容的时间常数集进行编程。规格参数激励器数量:1 Driver输出端数量:1 Output电源电压-最小:12.7 V电源电压-最大:25 V上升时间:5 ns下降时间:5 ns最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C输入电压 - 最大值:25 V输入电压 - 最小值:12.7 V逻辑类型:CMOS, TTL工作电源电流:700 uAPd-功率耗散:500 mW特性•VDD=15 V时2.6 A峰值吸收/源极•OCP功能与EN/FLT•12.7至25 V工作范围•传播延迟时间短于50 ns•输入逻辑与TTL和CMOS的宽电压范围兼容•可编程故障清除时间•欠压锁定•TSOP-6L封装应用•空调和家用电器•工业•单开关转换器•同步整流器引脚图
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2024/12/20 14:37:51
LTM8025 是一款 36VIN、3A 降压型 μModule® (微型模块) 转换器电子元器件。封装中内置了开关控制器、功率开关、电感器以及所有的支持元件。LTM8025 可一个在 3.6V 至 36V 的输入电压范围内运作,支持一个 0.8V 至 24V 的输出电压范围和一个 200kHz 至 2.4MHz  的开关频率范围 (各由单个电阻器来设定)。仅需采用大容量的输入和输出滤波电容器便可实现完整的设计。LTM8025 采用耐热性能增强型的紧凑 (9mm x 15mm) 以及扁平模压焊盘网格阵列 (LGA) 和树脂球栅阵列 (BGA) 封装,适合采用标准的表面贴装设备来进行自动化装配。LTM8025 具有符合 SnPb (BGA) 或 RoHS 标准的引脚涂层。规格参数封装 / 箱体:LGA-70拓扑结构:Buck输出电压:800 mV to 24 V输出电流:3 A输出端数量:1 Output输入电压 - 最小值:3.6 V输入电压 - 最大值:36 V静态电流:25 uA开关频率:775 kHz最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C输入电压:12 V负载调节:0.4 %湿度敏感性:Yes工作电源电流:25 uA单位重量:12.398 g特性• 完整的降压型开关模式电源• 宽输入电压范围:3.6V 至 36V• 高达 3A 的输出电流• 可通过并联来增加输出电流• 0.8V 至 24V 输出电压范围• 可选开关频率:200kHz 至 2.4MHz应用• 汽车电池调节• 便携式产品电源• 分布式电源调节• 工业电源• 墙上变压器调节引脚图
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2024/12/20 14:30:28
SYM-25DHW+是Mini-Circuits的一款双平衡混频器电子元器件,其工作频率最小80MHz,最大2500MHz,并且具备最大9dB转换损耗,符合ROHS标准,CASE TTT167,6针。规格参数射频:80 MHz to 2.5 GHz转换损失——最大:9 dBLO频率:80 MHz to 2.5 GHz中频:DC to 1000 MHz最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:9.65 mm x 12.7 mm x 5.84 mm商标:Mini-CircuitsOIP3 - 三阶截点:30 dBm点击购买:SYM-25DHW+特性•宽带,80至2500 MHz•转换损耗低,典型值为6.4 dB。•高IP3,典型值为30dBm。•良好的L-R隔离,典型值为37 dB;&L-I隔离,典型值36 dB应用•蜂窝•PCN•ISM/GPS•卫星分布尺寸图
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2024/12/20 14:12:40
Mini-CircuitsMTX2-143+是一款宽带MMIC平衡-不平衡变压器,阻抗比为2:1,适用于5500至13500MHz的广泛应用。该型号采用IPD工艺技术制造,具有出色的可重复性,具有低插入损耗、低幅度不平衡、低相位不平衡和高达+34dBm(2.5W)的RF输入功率处理能力。该单元采用3x3x0.89mmQFN封装,电感低,热效率高,ESD额定值高。规格参数频率:5.5 GHz to 13.5 GHz带宽:8000 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C介入损耗:1.3 dB类型:MMIC点击购买:MTX2-143+特性宽带,5500至13500MHz低相位不平衡,8度,振幅不平衡,典型值为1.0dB。微型尺寸,(3x3x0.89毫米)成本低可水洗应用WiMAX/WIBROISM雷达卫星通信25°C时的电气规格
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2024/12/20 14:06:26
LFCN-5500+是Mini-Circuits的一款陶陶瓷LPF滤波器电子元件,最小7节,最大7节,其中心或截止频率(fo/fc)为6200MHz,符合ROHS标准,陶瓷密封,外壳FV1206,4针。规格参数产品:Low Pass Filters频率:DC to 5500 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C介入损耗:2 dB点击购买:LFCN-5500+特性出色的功率处理能力,8W尺寸小7节温度稳定密封LTCC结构应用谐波抑制VHF/UHF发射机/接收机实验室使用尺寸图
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2024/12/20 13:58:54
LFCN-3800+是Mini-Circuits的一款陶瓷低通滤波器,最小7节,最大7节,其中心或截止频率(fo/fc)为4850MHz,符合ROHS标准,陶瓷密封,外壳FV1206,4针。规格参数产品:Low Pass Filters频率:DC to 3900 MHz阻抗:50 Ohms最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 100 C系列:LFCN商标:Mini-Circuits介入损耗:1.5 dB单位重量:1.628 g点击购买:LFCN-3800+特性出色的功率处理能力,8W尺寸小7节温度稳定LTCC结构应用谐波抑制VHF/UHF发射机/接收机实验室使用尺寸图
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2024/12/20 13:56:51
MAMF-011069是一个双通道模块电子元器件,包含两个2级低噪声放大器和两个高功率开关,组装在5毫米32引脚QFN封装中。该模块的工作频率为1.8GHz至3.9GHz。它在接收模式下具有高增益和极低的噪声系数,在传输模式下具有低插入损耗。PIN开关提供超过20WCW信号的高功率处理。外部SMT组件优化了匹配,实现了灵活的工作频率。MAMF-011069非常适合4G或下一代5G大规模MIMO或小型基站。规格参数工作频率:1.8 GHz to 3.9 GHz工作电源电压:5 V工作电源电流:255 mA增益:33 dBNF—噪声系数:1.2 dBP1dB - 压缩点:19 dBmOIP3 - 三阶截点:32 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C输入返回损失:13 dB隔离分贝:37 dB通道数量:2 Channel特性双通道架构两个低噪声放大器两个大功率开关20WCWPIN开关电源处理增益(Rx模式):2.6GHz时为33dB3.5GHz时为34dB噪声系数(Rx模式):2.6GHz时为1.2dB3.5GHz时为1.5dB0.5dB插入损耗(Tx模式)无铅5mm32引脚QFN封装集成ESD保护无卤素“绿色”模塑料符合RoHS*标准功能图
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2024/12/19 14:08:34
MAAM-011251是一款采用SOT-89塑料封装的射频放大器电子元器件。该放大器在正向和反向路径应用中提供15dB的平坦增益。该放大器具有出色的噪声系数。该放大器提供高增益、低噪声和低失真,非常适合75Ω基础设施应用。它还可以针对50Ω宽带应用和高达6GHz的窄带应用进行调谐。规格参数工作频率:5 MHz to 1.218 GHz工作电源电压:5 V工作电源电流:95 mA增益:15 dBNF—噪声系数:2.3 dBP1dB - 压缩点:18 dBmOIP3 - 三阶截点:37 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C输入返回损失:19 dB隔离分贝:19 dB通道数量:1 Channel特性单级、单端75Ω或50Ω操作5V,100mA操作15dB平坦增益低噪音低失真性能HBM的ESD1C级无铅SOT-89塑料封装无卤素“绿色”模塑料符合RoHS*标准功能图
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2024/12/19 14:04:00
M/A-COM的MAAL-007304低噪声放大器是一款GaAsMMIC放大器电子元器件,采用无铅SOT-26表面贴装塑料封装。MAAL-007304采用单片2级自偏置设计,可根据系统要求在+3至+5伏之间偏置。MAAL-007304提供低噪声、低电流和高增益。它可以针对0.5至3GHz的各种应用进行调谐。M/A-COM使用低噪声pHEMT工艺制造MAAL-007304,以实现低噪声和高增益。该工艺具有完全钝化的性能和可靠性。规格参数工作频率:500 MHz to 3 GHz工作电源电压:3 V to 5 V工作电源电流:11.5 mA增益:25.5 dBNF—噪声系数:0.7 dBP1dB - 压缩点:7 dBmOIP3 - 三阶截点:19 dBm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C电源电压-最大:5 V电源电压-最小:3 V单位重量:30 mg特性低噪声系数:2.3GHz时为0.7dB单+3至+5V电源偏压低电流:典型值11.5mA无铅SOT-26塑料封装符合RoHS*标准,兼容260°C回流焊功能图
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2024/12/19 13:56:15
MAGX-100027-300C0P是针对DC-2.7GHz频率操作进行优化的高功率GaN-on-SiHEMT器件电子元器件。该设备在塑料封装中支持CW和脉冲操作,峰值输出功率水平为300W(54.8dBm)。MAGX-100027-300C0P非常适合多种应用,包括军事无线电通信、数字蜂窝基础设施、射频能量、航空电子设备、测试仪器和雷达。规格参数工作频率:0Hzto2.7GHz工作电源电压:50V工作电源电流:100mA增益:16.3dB最小工作温度:-40C最大工作温度:+85C通道数量:1Channel特性•适用于线性和饱和应用•一对隔离对称放大器•CW和脉冲操作:300W输出功率•内部预配对•260°C回流兼容•50V操作•100%射频测试•符合RoHS标准功能图
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2024/12/19 13:50:25
MAAD-000523是一款6位、0.5dB步进GaAs MMIC数字衰减器电子元器件,采用无铅4mm 24引脚PQFN表面贴装塑料封装。该设备非常适合在需要高精度、极低功耗和低互调产物的地方使用。典型应用包括蜂窝基站RX/TX线路、毫微微蜂窝基站和其他增益/电平控制电路。该衰减器由SPI兼容串行接口或6位并行字控制。规格参数衰减:31.5 dB最大频率:6 GHz阻抗:50 Ohms位数:6 bit通道数量:1 Channel衰减器步长:0.5 dB最大 VSWR:1.2介入损耗:2.5 dB长度:4 mm最大工作温度:+ 85 C最小频率:700 MHz最小工作温度:- 40 C工作电源电压:5 V功率额定值:27 dBm容差:0.4 dB单位重量:399.600 mg特性集成CMOS/TTL兼容驱动器具有加电状态选择的并行和串行(P/S)控制插入损耗:2.1 GHz时典型值为1.6 dBIP3:2 GHz时典型值为50 dBm衰减精度:+/-(衰减设置的0.4+4%)dB0.5 dB衰减阶跃至31.5 dB适用于0.4至8.0 GHz无铅4mm 24导联PQFN封装无卤素“绿色”模塑料符合RoHS*标准,260°C回流兼容每比特相对相位变化小功能图
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2024/12/19 13:44:27
MAGX-100027-015S0P是一种适用于DC-2.7 GHz频率操作的高功率硅基GaN HEMT D型晶体管电子元器件。该设备在塑料封装中支持CW和脉冲操作,峰值输出功率水平高达15W(41.8dBm)。MAGX-100027-015S0P非常适合多种应用,包括军事无线电通信、数字蜂窝基础设施、射频能源、航空电子、测试仪器和雷达。规格参数工作频率:0 Hz to 2.7 GHz工作电源电压:50 V工作电源电流:60 mA增益:17.6 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C通道数量:1 Channel产品类型:RF Amplifier特性•适用于线性和饱和应用•CW和脉冲操作:15 W输出功率•260°C回流兼容•50V操作•100%射频测试•符合RoHS标准功能图
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2024/12/19 13:37:59
AD795是一款低噪声、精密、FET输入运算放大器电子元器件。它既具有双极性输入运算放大器的低电压噪声和低失调漂移,又具有FET输入器件的极低偏置电流。1014Ω共模阻抗可确保输入偏置电流实质上与共模电压和电源电压变化无关。AD795具有出色的直流性能以及经过测试的保证最大输入电压噪声。最大输入偏置电流为2pA,最大失调电压为500µV,最大电源电流仅为1.5mA。此外,AD795保证输入噪声低至3.3μVp-p(0.1Hz至10Hz),10kHz时最大噪声电平为11nV/√Hz。经过测试的额定输入失调电压漂移最大值仅为10μV/°C。AD795可用于许多高输入阻抗、低噪声应用。AD795的额定温度范围为0°C至+70°C商用温度范围。AD795采用8引脚SOIC封装。规格参数通道数量:1ChannelGBP-增益带宽产品:1.6MHzSR-转换速率:1V/usVos-输入偏置电压:100uVIb-输入偏流:2pA电源电压-最大:18V,+/-18V电源电压-最小:4V,+/-4V工作电源电流:1.3mA每个通道的输出电流:10mACMRR-共模抑制比:110dB最小工作温度:0C最大工作温度:+70C双重电源电压:+/-15V高度:1.5mm(Max)输入电压范围—最大:11V长度:5mm(Max)最大双重电源电压:+/-18V最小双重电源电压:+/-4V工作电源电压:4Vto18V电压增益dB:120dB宽度:4mm(Max)单位重量:540mg特性•Burr-BrownOPA-111、OPA-121运算放大器的低功耗替代产品•低噪声3.3µV峰峰值(最大值,0.1Hz至10Hz)11nV/√Hz(最大值,10kHz)0.6fA/√Hz(1kHz)•高直流精度失调电压:500µV(最大值)漂移:10µ...
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2024/12/19 13:29:08
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