南京米乐为微电子科技股份有限公司（简称“米乐为”）专注于微波/毫米波射频芯片及系统解决方案的研发与设计，其压控振荡器（VCO）芯片的型号及产品介绍主要如下：MWV2004、MWV2005、MWV2003Q、MWV2008、MWV2003MWV2004MWV2004 是一款集成输出缓冲 Buffer 的压控振荡器（VCO）单片，支持 7 GHz 至 12.5 GHz 的输出频率范围。Vtune 端口接受 0 至 +10 V 的模拟调谐电压。本款芯片采用+5 V单电源供电，电流为 49 mA。MWV2005MWV2005 是一款集成输出2分频和4分频功能的压控振荡器（VCO）单片，支持 10.6GHz 至 13.6GHz 的输出频率范围。Vtune端口接受 0 至 +10V 的模拟调谐电压，电流为150mA。MWV2003QMWV2003Q 是一款集成输出缓冲 Buffer 的压控振荡器（VCO），支持 8.1 GHz 至 14.2 GHz 的输出频率范围。Vtune端口接受 0 至 +10 V 的模拟调谐电压。本款芯片采用 +5 V 单电源供电，电流仅 46 mA。MWV2008MWV2008 是一款集成输出 2 分频功能的压控振荡器（VCO）单片，支持 14 GHz 至 17 GHz 的输出频率范围。Vtune 端口接受 0 至 +10V 的调谐电压，电流为 105 mA。MWV2003MWV2003 是一款集成输出缓冲Buffer的压控振荡器（VCO）单片，支持 8GHz 至 14.3GHz 的输出频率范围。Vtune端口接受 0 至 +10V 的模拟调 谐电压。本款芯片采用+5V单电源供电，电流仅 42mA。如有米乐为型号需求及其它品牌需求及选型，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/20 14:45:19
南京米乐为微电子科技股份有限公司（简称“米乐为”）专注于微波/毫米波射频芯片及系统解决方案的研发与设计，其压控振荡器（VCO）芯片的型号及产品介绍主要如下：MWV2000QMWV2000Q 是一款集成输出缓冲 Buffer 的压控振荡器（VCO），支持 4 GHz 至 7 GHz 的输出频率范围。Vtune 端口接受 0 至 +10 V 的模拟调谐电压。本款芯片采用 +5 V 单电源供电，电流仅 44 mA。MWV2001MWV2001 是一款集成输出缓冲 Buffer 的压控振荡器（VCO）单片，支持 5 GHz 至 8.9 GHz 的输出频率范围。Vtune端口接受 0 至 +10 V 的模拟调谐电压。本款芯片采用 +5 V 单电源供电，电流仅 45 mA。MWV2000MWV2000 是一款集成输出缓冲Buffer的压控振荡器（VCO）单片，支持 3.9 GHz 至 6.9 GHz 的输出频率范围。Vtune 端口接受 0 至 +10 V 的模拟调谐电压。本款芯片采用 +5 V 单电源供电，电流仅 44 mA。MWV2011MWV2011 是一款集成输出缓冲Buffer和主副路输出的压控振荡器（VCO）单片，支持 6.1 GHz 至 8 GHz 的输出频率范围。Vtune 端口接受 0 至 3.3 V 的调谐电压，电流为 50 mA。MWV2009MWV2009 是一款集成输出 2 分频功能的压控振荡器（VCO）单片，支持 7.9 GHz 至 8.9 GHz 的输出频率范围。Vtune 端口接受 0 至 +3.3 V 的调谐电压，电流为 90 mA。MWV2001QMWV2001Q 是一款集成输出缓冲Buffer的压控振荡器（VCO），支持 5GHz 至 9GHz 的输出频率范围。Vtune端口接受 0 至 +10V 的模拟调谐电压。本款芯片采用+5V单电源供电，电流...
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2025/11/20 14:44:24
南京米乐为微电子科技股份有限公司（简称“米乐为”）专注于微波/毫米波射频芯片及系统解决方案的研发与设计，其混频器芯片的型号及产品介绍主要如下：MWM2042A&B、MWM2009A&B、MWM2037A&B、MWM2036A&B、MWM2039A&B、MWM2022A&B、MWM2032A&B、MWM2043A&B、MWM1018MWM2042A&BMWM2042A&B 是一款互为镜像的混频器，射频和本振频率范围覆盖 2-6 GHz，中频输出频率覆盖 DC-2 GHz，上变频损耗典型值 6 dB，LO-RF 隔离度 50 dB，LO-IF 隔离度 45 dB。具有低插损、高隔离、高杂散抑制。MWM2009A&BMWM2009A&B 是一款双平衡混频器，本款产品能够实现射频 3 GHz-10 GHz 的变频功能，中频频率覆盖 DC-3.5 GHz，带内变频损耗 8 dB。MWM2037A&BMWM2037A&B 是一款互为镜像、自带驱动的双平衡混频器芯片，能够实现信号链路中，信号上下变频功能，其射频和本振频率覆盖 4-14 GHz，中频频率覆盖 DC-5 GHz，具有低插损、高隔离、高输入 P-1、回波损耗优的特点，可满足X波段各种射频组件小型化的应用。MWM2036A&BMWM2036A&B 是一款互为镜像的宽带混频器芯片，射频和本振频率覆盖 2-26 GHz，中频频率覆盖 DC-8 GHz，典型插入损耗为 10 dB，本振/射频隔离为 55 dB，本振/中频隔离为 28 dB，射频/中频隔离为 35 dB， 本振端口含隔直电容（其他端口无），可满足各种宽带系统的应用。MWM2039A&BMWM2039A&B 是一款互为镜像并自带驱...
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2025/11/20 14:36:13
南京米乐为微电子科技股份有限公司（简称“米乐为”）专注于微波/毫米波射频芯片及系统解决方案的研发与设计，其混频器芯片的型号及产品介绍主要如下：MWM2016Q、MWM2026Q、MWM2008Q、MWM2002Q、MWM2021Q、MWM2005、MWM2025、MWM2004MWM2016QMWM2016Q 是一款宽带高隔离度下变频混频器，由高线性度双平衡混频器、限幅 LO 缓冲放大器和偏置电路构成。高本振工作时，射频率范围为 0.7-1.1 GHz，中频频率范围为0.001–0.5 GHz，具有隔离度高、变频损耗低等优良特性。MWM2026QMWM2026Q 是一款低频宽带混频器，由高线性度双平衡混频器和巴伦电路构成。射频和本振频率范围均为 80 - 2500 MHz，中频输出频率在 DC – 1000 MHz 之间。MWM2008QMWM2008Q 是一款宽带高隔离度下变频混频器，由高线性度双平衡混频器、高速限幅 LO缓冲放大器、RF 线性放大器和偏置电路构成。射频和本振频率范围均为 400-2700 MHz，中频输出频率可在 0.1-1000 MHz 之间。MWM2002QMWM2002Q 是一款窄带高线性无源上变频混频器，采用 QFN4×4 封装，射频频率范围为 2.5-2.7 GHz，中频输出频率在 1.2 GHz±100 MHz 之间，具有高 RF-LO 隔离度、IF-LO 隔离度和高输入三阶交调抑制。MWM2021QMWM2021Q 是一款窄带高线性无源上变频混频器，采用 QFN4×4 封装，射频频率范围为 2.5-2.7 GHz，中频输出频率在 1.2 GHz±100 MHz 之间，具有高 LO-RF 隔离度、LO-IF 隔离度和高输入三阶交调抑制。MWM2005MWM2005 是一款有源混频器，能够实现上下变频功能...
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2025/11/20 14:30:47
ADRF5050是一款非反射式SP4T开关，采用绝缘硅(SOI)工艺制造。ADRF5050的工作频率范围为100MHz至20GHz，具有低于1.20dB的插入损耗以及高于47dB的隔离性能。对于直通路径，该器件具有33dBm的射频输入功率处理能力。ADRF5050采用+3.3V和−3.3V双电源供电。该器件还可以采用单正电源电压(VDD)供电，同时负电源引脚(VSS)接地。单电源工作条件需要较低的工作功率，同时保持出色的小信号性能（参见数据手册中的表2）。ADRF5050采用兼容互补金属氧化物半导体(CMOS)和低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)的控件。该器件具有使能和逻辑选择控制特性，可分别提供全部关断状态和端口镜像功能。ADRF5050与ADRF5042和ADRF5043引脚兼容。ADRF5050采用符合RoHS标准的24引脚、3mm×3mm、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+105°C。特征•超宽带频率范围：100MHz至20GHz•非反射式50Ω设计•低插入损耗•0.9dB（典型值）至6GHz•1.00dB（典型值）至12GHz•1.20dB（典型值）至20GHz•RFx和RFx之间高隔离度•54dB（典型值）至6GHz•50dB（典型值）至12GHz•47dB（典型值）至20GHz•高输入线性度•P0.1dB：34dBm（典型值）•IP3：55dBm（典型值）应用•测试仪器仪表•军用无线电、雷达和电子对抗(ECM)•微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/20 14:05:09
PAC52400 属于 Qorvo 品牌的功能齐全的 Power Application Controller®（PAC）系列，专为控制和驱动下一代智能能源家电、设备与装置而高度优化。该系列应用控制器将 50 MHz Arm® Cortex®-M0 32 位微处理器内核，与 Qorvo 专有且已申请专利的 Multi-Mode Power Manager™（多模式电源管理器）、Configurable Analog Front End™（可配置模拟前端）以及 Application Specific Power Drivers™（专用功率驱动器）集成于一体，构成基于微处理器的最紧凑的电源及通用应用系统，覆盖数字电源到电机控制等多种场景。PAC52400 微控制器主要特性：最高 32 kB 嵌入式 Flash 与 8 kB SRAM高速 10 位 1 µs ADC，带双自动采样序列器5 V / 3.3 V 兼容 I/O灵活时钟源、定时器多功能 14 通道 PWM 引擎多种串行接口Multi-Mode Power Manager（MMPM）提供简单电源拓扑的电源管理方案，内部集成线性稳压器，为模拟和数字模块供电。Application Specific Power Drivers（ASPD）是针对不同控制应用（半桥、H 桥、三相、智能功率模块 IPM 及通用驱动）设计的中压功率驱动器。Configurable Analog Front End（CAFE）包含差分/单端可编程增益放大器、比较器、数模转换器及可编程互联 I/O，可用于多路模拟输入信号的采样、反馈放大与传感器监测。凭借上述模块与微处理器，PAC52400 可在最高 44 V 的直流供电范围内，实现电源管理、驱动、反馈与控制的紧凑型一体化解决方案。应用•电动工具（最高24V）•1...
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2025/11/19 10:44:18
QPB3810是一个集成的2级GaN-Doherty功率放大器模块，带有偏置控制器，专为m-MIMO应用而设计，设备输出端具有8W RMS。集成偏置控制器在工厂编程，以设置Doherty功率放大器模块的最佳偏置点。控制器包括温度传感器，并根据温度调节偏差。控制器还包括用于快速TDD切换的使能引脚。QPB3810采用紧凑的12mm x 8mm SMT封装。这比传统的分立元件解决方案占地面积小得多，需要最少的外部电路。特征•工作频率范围：3.4-3.8 GHz•工作漏极电压：+48V•12.0 x 8.0 mm SMT封装应用•5G m-MIMO无线基础设施•通用无线系统•基于TDD的架构如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/19 10:40:01
ACT85611 是一款高集成度、可多重配置的高性能电源管理芯片（PMIC），内置断电保护（PLP）功能。芯片集成：4 路高效率 Buck 降压转换器– 3 路每路最大 4 A– 1 路最大 2 A– 输出电压最低可调至 0.6 V1 路 12 V Boost 升压转换器1 路专为芯片内部栅极驱动和偏置供电优化的 Buck 转换器断电保护（PLP）可在输入掉电时提供备用储能电源。内置高压 Boost 把储能电容电压抬升，以减小电容体积；再由内置 Buck 把储能电压稳压成固定输出，维持系统持续运行。芯片集成背靠背 eFuse MOSFET，实现输入/输出双向隔离，并支持热插拔与浪涌电流控制。ACT85611 可编程设定储能电容电压，从而优化电容尺寸与备电时长。内置 ADC 与健康监测功能，为系统提供额外保护，提升可靠性，并可在储能电容老化、能量不足时提前报警。ADC 实时监测输入电压、输出电压、储能电压、eFuse 电流及芯片结温。同步 Buck 结构最大限度把储能电容能量释放给系统。高压 Buck 采用 Qorvo 专利的恒定导通时间（COT）控制架构，具备以下特点：高效率，开关频率可编程支持高降压比，最低输出 0.6 V可在极低占空比下稳定工作在给定输入/输出电压的工作点附近，稳压器近似恒频运行；负载变化时，仍保持连续导通模式（CCM）下的近似恒频。轻载自动降频，进入断续模式（DCM），从而在全负载范围维持高效率。输出电感可根据应用灵活选择：注重瞬态响应 → 选小电感注重高效率 → 选大电感据此再选定最佳开关频率，综合权衡效率、动态响应、电感尺寸、电流等级、峰值纹波与输出纹波。所有开关转换器均采用 Qorvo 专有内部补偿，可在宽电感值与开关频率范围内稳定工作，方便用户平衡各项性能指标。此外，ACT85611 还集成一路 Boost 升压转换器：输入电压范围 2.5 V...
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2025/11/19 10:33:09
QPG6200L采用Qorvo的ConcurrentConnect™技术，以真正并行的方式支持Matter（通过线程）、Zigbee和Bluetooth®低功耗的最新标准。低功耗QPG6200L支持Matter，同时支持现有的Zigbee网络，而无需在延迟和链路性能方面进行权衡。它具有ConcurrentConnect™技术：多信道功能允许在不同信道上运行多达3个IEEE 802.15.4 PAN，从而在单独的信道上启用Zigbee和Matter，确保射频性能。蓝牙低功耗和IEEE 802.15.4的天线分集可提高有效范围和抗干扰性。多无线电功能允许通过蓝牙低功耗和IEEE 802.15.4协议连续扫描传入数据包，没有可观察的盲点。特征•多标准MatterTM、Thread、Zigbee和Bluetooth®低功耗SoC•采用ConcurrentConnectTM技术，实现卓越的射频性能：•多通道同时支持Zigbee+Matter•天线分集使范围加倍•多无线电可同时进行BLE扫描和物质处理应用•互联照明•智能传感器•可穿戴设备•网关如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/19 10:27:41
Qorvo QPF4702是为Wi-Fi 7（802.11be）系统设计的集成前端模块（FEM）。紧凑的外形和集成匹配最大限度地减少了应用程序中的布局面积。性能侧重于优化电源电压范围内的PA效率，以最大限度地降低功耗，使使用数字预失真的系统能够实现RF链的最高线性输出功率和前沿吞吐量。这是在极宽的带宽内完成的，可在UNII 1-8（5.1至7.1 GHz）的所有信道中运行。提供多模RX以确保在覆盖距离内保持高吞吐量。提供了一个具有RF输出的耦合器以及一个宽范围、恒定斜率电压对数功率检测器，用于应用反馈。QPF4702将5-7GHz功率放大器（PA）、单极双掷开关（SP2T）和可旁路多模低噪声放大器（LNA）集成到一个设备中。特征•PSAT=+29 dBm•纠正了DEVM1•POUT=+18 dBm MCS13 EHT320-43 dB动态EVM•POUT=+20 dBm MCS13 EHT160-43 dB动态EVM•POUT=+21 dBm MCS13 EHT320-38 dB动态EVM•POUT=+22 dBm MCS9 EHT80-35 dB动态EVM•POUT=+24 dBm MCS0 HT/HE20频谱掩模合规性•直流功率=0.68 W，+18 dBm•30 dB Tx增益•1.7/3 dB噪声系数•Rx路径上的2.4 GHz抑制大于25 dB•集成射频耦合器和直流对数功率检测器应用•接入点•无线路由器•住宅网关•客户驻地设备•物联网如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/19 10:25:43
Qorvo QPF4609是为Wi-Fi 7（802.11be）系统设计的集成前端模块（FEM）。小尺寸和集成匹配最大限度地减少了应用程序中的布局面积。性能侧重于优化5V电源电压的PA，以最大限度地降低功耗，使使用数字预失真的系统能够实现RF链的最高线性输出功率和前沿吞吐量。这是在从UNII5-8（5.925至7.125 GHz）的所有信道中实现宽带操作的。集成了一个具有RF输出的耦合器，用于DPD反馈训练。为了功率控制，提供了一个宽范围、恒斜率电压对数功率检测器用于应用反馈。QPF4609将6 GHz功率放大器（PA）、单极双掷开关（SP2T）、耦合器结构和可旁路低噪声放大器（LNA）集成到一个设备中。特征•POUT=+21 dBm MCS13 EHT320-43 dB动态EVM•POUT=+22 dBm MCS11 EHT320-38 dB动态EVM•POUT=+23 dBm MCS9 VHT80-35 dB动态EVM•POUT=+26 dBm MCS0 HT20频谱掩模合规性•针对+5 V操作进行了优化•32 dB Tx增益•1.8 dB噪声系数•16 dB Rx增益和6.5 dB旁路损耗•集成射频耦合器•集成直流对数功率检测器应用•接入点•无线路由器•机顶盒•客户驻地设备•物联网如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/19 10:11:27
Qorvo QPF4509是为Wi-Fi 7（802.11be）系统设计的集成前端模块（FEM）。小尺寸和集成匹配最大限度地减少了应用程序中的布局面积。性能侧重于优化5V电源电压的PA，以最大限度地降低功耗，使使用数字预失真的系统能够实现RF链的最高线性输出功率和前沿吞吐量。这是在从UNII1-4（5.170到5.895 GHz）的所有信道中实现宽带操作的。集成了一个具有RF输出的耦合器，用于DPD反馈训练。为了功率控制，提供了一个宽范围、恒斜率电压对数功率检测器用于应用反馈。QPF4509将6 GHz功率放大器（PA）、单极双掷开关（SP2T）、耦合器结构和可旁路低噪声放大器（LNA）集成到一个设备中。特征•POUT=+12 dBm MCS13 EHT160-47 dB动态EVM•POUT=+20.5 dBm MCS11 EHT160-43 dB动态EVM•POUT=+23 dBm MCS9 VHT80-35 dB动态EVM•POUT=+26 dBm MCS0 HT20频谱掩模合规性•针对+5 V操作进行了优化•29 dB Tx增益•1.8 dB噪声系数•15 dB Rx增益和7 dB旁路损耗•集成射频耦合器•集成直流对数功率检测器应用•接入点•无线路由器•机顶盒•客户驻地设备•物联网如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/19 10:00:22
Qorvo®QPF4557是为Wi-Fi 7（802.11be）系统设计的集成前端模块（FEM）。小尺寸和集成匹配最大限度地减少了应用程序中的布局面积。 性能侧重于优化5V电源电压的PA，以最大限度地降低功耗，使使用数字预失真的系统能够实现RF链的最高线性输出功率和前沿吞吐量。这是在从UNII1-3（5.125至5.925 GHz）的所有信道中实现宽带操作的。集成了一个具有RF输出的耦合器，用于DPD反馈训练。为了功率控制，提供了一个宽范围、恒斜率电压对数功率检测器用于应用反馈。QPF4557将5 GHz功率放大器（PA）、单极双掷开关（SP2T）、耦合器结构和可旁路低噪声放大器（LNA）集成到一个设备中。特征•5170–5895兆赫•PSAT=+32 dBm•针对+5 V操作进行了优化•直流功率=24 dBm时为1.7 W•33 dB Tx增益•1.6 dB噪声系数•14.5 dB Rx增益和7 dB旁路损耗•Rx路径上的25 dB 2.4 GHz抑制•集成射频耦合器和直流对数功率检测器应用•接入点•无线路由器•住宅网关•客户驻地设备•物联网如有型号及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/19 9:55:51
CGH40180PP是一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGH40180PP从28伏轨道运行，为各种射频和微波应用提供了一种通用的宽带解决方案。GaN HEMT具有高效率、高增益和宽带能力，使CGH40180PP成为线性和压缩放大器电路的理想选择。晶体管采用4引脚法兰封装。特征•工作频率高达2.5 GHz•1.0 GHz时20 dB小信号增益•2.0 GHz时15 dB小信号增益•220 W典型PSAT•PSAT的效率为70%•28V操作应用•双向私人电台•宽带放大器•蜂窝基础设施•测试仪器•适用于OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA波形的A类、AB类放大器如有型号需求及选型，可最直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/18 10:53:14
CGH40120F是一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGH40120F从28伏轨道运行，为各种射频和微波应用提供了一种通用的宽带解决方案。GaN HEMT具有高效率、高增益和宽带能力，使CGH40120F成为线性和压缩放大器电路的理想选择。晶体管采用法兰封装。特征•工作频率高达2.5 GHz•1.0 GHz时20 dB小信号增益•2.0 GHz时15 dB小信号增益•120 W典型PSAT•PSAT的效率为70%•28V操作应用•双向私人收音机•宽带放大器•蜂窝基础设施•测试仪器•适用于OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA波形的A类、AB类线性放大器如有型号需求及选型，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/18 10:46:29
CG2H40045是一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CG2H40045从28伏轨道运行，为各种射频和微波应用提供了一种通用的宽带解决方案。GaN HEMT具有高效率、高增益和宽带能力，使CG2H40045成为线性和压缩放大器电路的理想选择。晶体管有法兰和药丸包装。特征•工作频率高达4 GHz•2.0 GHz时18 dB小信号增益•4.0 GHz时14 dB小信号增益•55 W典型PSAT•PSAT的效率为60%•28V操作应用•双向私人电台•宽带放大器•蜂窝基础设施•测试仪器•适用于OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA波形的A类、AB类线性放大器如有型号需求及选型，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/18 10:40:25
CGH40025是MACOM一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGH40025从28伏轨道运行，为各种射频和微波应用提供了一种通用的宽带解决方案。GaN HEMT具有高效率、高增益和宽带能力，使CGH40025成为线性和压缩放大器电路的理想选择。晶体管有拧紧法兰封装和焊接药丸封装两种。特征•工作频率高达6 GHz•2.0 GHz时15 dB小信号增益•4.0 GHz时的13 dB小信号增益•30 W典型PSAT•PSAT的效率为62%•28V操作应用•双向私人电台•宽带放大器•蜂窝基础设施•测试仪器•适用于OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA波形的A类、AB类放大器如有型号采购需求及选型，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/18 10:35:40
CG2H40010是MACOM一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CG2H40010从28伏轨道运行，为各种射频和微波应用提供了一种通用的宽带解决方案。GaN HEMT具有高效率、高增益和宽带能力，使CG2H40010成为线性和压缩放大器电路的理想选择。该晶体管有拧紧、法兰和焊接、药丸封装两种。特征•工作频率高达8 GHz•2.0 GHz时18 dB小信号增益•4.0 GHz时16 dB小信号增益•17 W典型PSAT•PSAT的效率为70%•28V操作应用•双向私人电台•宽带放大器•蜂窝基础设施•测试仪器•适用于OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA波形的A类、AB类线性放大器如有产品型号需求及选型，可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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2025/11/18 10:27:59