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5G时代万物互联,云计算的快速发展令人惊叹。大型互联网公司、云计算服务提供商和通信服务提供商对服务器的计算性能和数据处理速度有了更高的要求。传统CPU已不能满足当今的数据处理要求。以GPU为核心的硬件加速卡仍遥遥无期,就目前而言,因其可配置性、灵活性、较短的开发周期、高并行计算速度和低延迟,以FPGA为核心的加速卡优势显而易见。未来,基于PCIe接口和FPGA的热插拔加速卡市场将出现惊人的增长。对当今的硬件来说,加速器仍可以证明其价值。新挑战这种爆炸性增长的背后是技术的不断发展。无论是提高计算速度还是增强处理器功能,电源设计都面临不小的挑战(见图1)。图1:加速卡的发展趋势随着数据处理的带宽和要求越来越高,处理器需要的电流和功率也越来越多。加速卡的计算密度和浮点速度要求也变得越来越难以满足工业需求。加速卡插槽通常都符合PCIe标准,因此电路板尺寸是固定的。但处理器的尺寸因不断增长的计算要求而增加,为电源留出的空间不断压缩。在新的挑战之下,电源模块以其高集成度、小尺寸和高功率密度的优势脱颖而出,完全满足了加速卡的电源要求。新需求在加速卡提出新挑战的同时,FPGA电源要求也越来越复杂。这些新的电源要求如下所述(如图2所示):1.输出电压偏移:电压轨的输出电压偏差必须小于±3%,而且设计中应留有足够的余量。要求优化控制环路以增加带宽并确保其稳定性,同时谨慎选择并设计去耦电容。2.单调启动:所有电压轨的启动必须单调上升,而且应避免输出电压回到其起始值。3.输出电压纹波:在稳态操作中,所有电压轨(模拟电压轨除外)的输出电压纹波必须至少为10mV。4.时序:在启动和关断期间,FPGA必须满足特定的时序要求。图2:FPGA电源设计要求为了应对新的电源挑战与要求,MPS的高级应用工程师们专门针对PCIe接口和FPGA可插拔加速卡做了技术直播,介绍了MPS的几种主要电源模块产品:●...
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2021/12/20 11:42:06
5G发展势头强劲,5G毫米波(mmWave)频段提供了丰富的频谱,以支持极高的容量、高吞吐量、低时延及数量不断上升的5G毫米波设备,包括手机、笔记本电脑等等。然而,在网络速度、带宽和同步方面,最新5G网络对测试和表征的需求要比上一代网络呈指数级提高。这要求测试新技术和新器件,包括多输入多输出(MIMO)天线阵列,高GHz毫米波频率信号测试和生成。我们经常会遇到如下两个痛点:测试混合信号:待测(DUT)包含RF信号、数字信号和模拟信号等需要测试的信号,必须设置多个测试环境,购买全部不同的设备需要一大笔钱,支出相当可观。MIMO/带宽:不能使用过去测试4G信号使用的频谱分析仪,5G信号带宽更宽,并且需要同时测试不止一条以上的通道。图1. 5G SignalVu软件测量:ACPR、SEM、EVM和功率波束成型是怎么引入的呢?我们经常听到波束成型器赋能5G毫米波,这并不是炒作。波束管理在毫米波通信中是一种决定性特性,将在5G无线设计的未来发展中发挥关键作用。从本质上看,想让5G毫米波对用户发挥效用,波束成型是必备的功能。图2. 5G毫米波波束成型器,用于4x4 MIMO双极化基站(Renesas Electronics)。波束成型采用多架天线在略微不同的时间广播相同的信号,让我们可以通过更具方向性的连接将无线信号聚焦到指定的接收设备,从而使得通信的速度更快,质量更高,可靠性更强。波束成型器是系统的核心,因为它驱动每个天线阵列,通常加在一起会有512架天线和1,024个天线单元。由于每个无线单元中有这么多贴片天线或天线元,所以优化整体性能、功耗和每个无线单元的成本非常重要。图3. 波束成型器MIMO OTA测试设置(左),包括RF功率测量(右上)和相位匹配(右下)。由于这么大的单元数目,所以波束成型器设计的每个方面都至关重要。功耗会乘512,任何不理想或单元间不匹配也会放大。您需要单...
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2021/12/20 11:34:10
在现代频谱仪和信号分析仪中,随着数字信号处理技术的广泛采用,高速A/D转换器(模拟数字转换器,即ADC)的应用及其性能越来越受到关注,因为它的性能直接影响频谱仪和信号分析仪的精度,尤其是ADC的动态性能,包括信噪比和有效位数。今天我们就一起来了解模拟数字转换器的基础知识点以及在频谱分析中的作用。模数转换器(ADC转换器)模数转换器(ADC转换器)是一种将模拟信号转换为数字信号的系统。它是一个滤波、采样保持、量化和编码的过程。模拟信号经过带限滤波、采样保持电路,成为梯形信号,再经过编码器,使梯形信号中的每一级都变成二进制码。最后,模拟量被转换成数字量,然后传送到CPU。也就是说,几乎所有的通电数据都需要经过ADC转换。例如电能表的电能计量、电子秤的重量测量、电子温度计的温度测量、通讯领域。ADC类型现阶段常见的模数转换器有以下几种类型:逐次逼近型、积分型、压频变换型、流水线型、∑-Δ型等。逐次逼近型逐次逼近型ADC是应用非常广泛的模/数转换方法,它包括1个比较器、1个数模转换器、1个逐次逼近寄存器(SAR)和1个逻辑控制单元,所以逐次逼近ADC也被称为SAR ADC。它是将采样输入信号与已知电压不断进行比较,1个时钟周期完成位转换,N位转换需要N个时钟周期,转换完成,输出二进制数。9.png这一类型ADC的分辨率和采样速率是相互矛盾的,分辨率低时采样速率较高,要提高分辨率,采样速率就会受到限制。积分型ADC积分型ADC又称为双斜率或多斜率ADC,它的应用也比较广泛。它由1个带有输入切换开关的模拟积分器、1个比较器和1个计数单元构成,通过两次积分将输入的模拟电压转换成与其平均值成正比的时间间隔。与此同时,在此时间间隔内利用计数器对时钟脉冲进行计数,从而实现A/D转换。积分型ADC两次积分的时间都是利用同一个时钟发生器和计数器来确定,因此所得到的D表达式与时钟频率无关,其转换精度...
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2021/12/15 16:23:18
我们常常被告诫:实际应用中,IGBT集电极电压绝对不能超过额定值,否则器件有可能被击穿。然后有的同学并不死心:如果我只超了一点点呢,1210V就会击穿吗?如果只是一个非常短非常短,比如只有1us的脉冲呢?功率器件也没那么脆弱啊对不对?在IGBT数据手册中,显眼的位置都会给出最大额定电压的定义,例如:FF450R12ME4中关于最大额定电压的定义我们常常被告诫:实际应用中,IGBT集电极电压绝对不能超过额定值,否则器件有可能被击穿。然后有的同学并不死心:如果我只超了一点点呢,1210V就会击穿吗?如果只是一个非常短非常短,比如只有1us的脉冲呢?功率器件也没那么脆弱啊对不对?要回答这个问题,我们真的给它加上过电压试试!我们把1200V IGBT门极和发射极连接在一起,在集电极和发射极之间施加电压,并且逐步增加电压值,同时观测漏电流。当漏电流急剧上升时,我们称器件发生了雪崩击穿。为什么会发生雪崩击穿?在IGBT结构中,P阱和N衬底会形成一个PN结。集电极和发射极之间加电压时,相当于给PN结加了一个反向电压,PN结两边形成空间电荷区。当PN结反向电压增加时,空间电荷区中的电场随之增强。这样通过空间电荷区的电子,就会在电场作用下,不断的加速。当电场增加到一定临界值,自由运行的电子获得的速度将足以撞击出其它原子里的电子,产生自由电子和空穴。而新产生的自由电子又会撞击其它原子,继续产生自由电子和空穴。一撞十,十撞百,百撞千,就像滚雪球一样,IGBT内部载流子迅速增加,流过PN结的电流也急剧增大,这种碰撞电离导致击穿就称为雪崩击穿。发生雪崩击穿后器件一定损坏吗?发生雪崩击穿后器件一定损坏吗?并不是。 功率器件都有一定的雪崩耐量。对于设计良好的IGBT来说,如果雪崩时我们能够把电流控制在很低的水平,即雪崩能量不超该器件的临界能量,那么雪崩击穿是可逆的,可以反复多次测试。而且一般功率器件实际...
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2021/12/15 14:19:52
近年来,无绳吸尘器和扫地机器人越来越普及,给人们的生活带来了极大的便利。而电池包作为吸尘器和扫地机器人的核心部件,不仅关系到产品的使用体验,同时也关系到用户的生命安全,因此需要格外地关注。无绳吸尘器电池包目前市面上主要为7串电池组,有时也会为5串或6串。而扫地机器人的电池包,目前主流则为4串。根据不同的需求,可以将吸尘器/扫地机器人电池组的BMS拓扑分为三类:电量计型,模拟前端+MCU型,硬件保护型。下面分别对这三种BMS拓扑以及相应的TI产品进行介绍。电量计型如图1所示为电量计型BMS拓扑示意图。仅电量计单颗芯片,结合电流采样电阻,保护开关构成电池包。该方案的优点是使用单颗芯片即可实现电量计算,电池监控以及保护。图1. 电量计型BMS拓扑图1中采用的电量计为BQ40Z80。该电量计支持2-6s电池组,采用TI特有的阻抗跟踪算法,电量精度可达1%,并且能够对电池老化进行跟踪,在电池老化的情况下仍然能够保证高电量精度。BQ40Z80集成了过压,欠压,过流,短路,过温,欠温等20多种保护功能,可以对电池进行全方位的保护。而集成的高边驱动则可以保证即使在保护触发后,电量计仍然能够和主机进行通信。此外,BQ40Z80还集成了内部均衡电路,保证了不同电芯之间的电量均衡,延长了设备的整体续航时间,提升用户体验。此外,对于4串的电池包,还可以使用BQ40Z50,支持2-4s,功能和BQ40Z80类似,感兴趣的读者可以在TI官网上查找完整的产品资料,本文不再赘述。模拟前端+MCU型图2所示为模拟前端+MCU型BMS拓扑示意图。该拓扑与电量计型类似,只是将电量计替换为模拟前端和MCU。该拓扑和电量计型拓扑相比,该方案不再自带电量计算功能,但仍可通过MCU结合电压电流采样数据进行电量计算,电量精度取决于采样精度和电量算法。图2. 模拟前端+AFE型BMS拓扑图2中采用的模拟前端为BQ76942...
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2021/12/14 10:24:17
可编程逻辑控制器中的一个关键子系统是模拟输入模块,它提供了一个高精度前端来测量各种传感器。但是,在许多情况下,放大器输入级通过长电缆连接到远程传感器,并且容易受到过压条件的影响。在本文中,我将介绍运算放大器(op-amp)输入过压保护的基本概念,并讨论如何为过压故障选择正确的钳位保护电路。输入模块中使用的运算放大器的数据表应提供有关电气过应力条件下绝对最大额定值的规范。电气过应力状况分为两类:静电放电(ESD)和输入电气过应力(EOS)。 ESD事件是两个人体在不同静电势下突然转移的静电荷。静电势通常可以相隔数千伏,并且电荷转移通常在几分之一秒内发生。相反,当电路在相当长的一段时间内暴露于过电压条件(例如由意外连接引起的故障)时,就会发生EOS事件。这些EOS额定值表示设备可以承受而不会损坏的最大电源电压,输入电压和输入电流。通常,运算放大器具有内部ESD保护结构,旨在在制造和生产测试期间保护运算放大器。 ESD保护中使用的三种常见结构(如图1所示)是串联电阻器,转向二极管和吸收器件。转向二极管导通,将ESD脉冲从敏感电路元件引向吸收装置。吸收装置吸收ESD脉冲的能量并限制电压电平以防止损坏。图1通常,运算放大器内部包含三个ESD保护结构。运算放大器对EOS的最大额定值取决于内部ESD二极管可以承受的最大电压和连续电流。但是,这些结构并不是为了保护设备免受电路故障期间可能发生的更长的EOS事件影响。取而代之的是,可能需要外部电路钳位来保护运算放大器输入电路免受EOS事件的影响。肖特基二极管和串联电阻是帮助保护运算放大器输入免受过压故障的一种原因。让我们考虑一下图2所示的±10V模拟输入模块电路。在该电路中,运算放大器缓冲器提供了高输入阻抗,可与各种传感器接口。 THP210全差分放大器(FDA)对缓冲的信号进行衰减和电平转换,以驱动模数转换器。 FDA是一款精密,...
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2021/12/13 15:33:49
TPS7H1210-SEP负电压线性稳压器是一种低噪声、高PSRR稳压器,能够提供1 a的最大负载。该稳压器包括一个CMOS逻辑电平兼容使能引脚(EN),允许用户自定义电源管理方案。其他功能包括内置电流限制和热关机,以在故障条件下保护设备和系统。TPS7H1210-SEP设备采用双极技术设计,主要用于高精度、低噪声应用,其中清洁的电压轨对于最大限度地提高系统性能至关重要。因此,它非常适合为运算放大器、ADC、DAC和其他高性能模拟电路供电。此外,TPS7H1210-SEP装置适用于DC-DC转换器后调节。通过过滤DC-DC开关转换固有的输出电压纹波,在敏感器件和射频应用中确保了最大的系统性能。
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2021/12/13 15:20:05
日前,Vishay宣布, 推出新型35 A大电流商用IHCM共模扼流圈。Vishay定制磁芯IHCM-2321AA-10采用薄型表面贴装封装结构,比体积较大的环形器件更坚固且性能优异,最高工作温度可达+155 °C。薄型IHCM-2321AA-10减小了外形尺寸和体积,具有高抗冲击和耐振动能力,增强型磁芯设计最大饱和电流达35 A。IHCM-2321AA-10为表面贴装器件,并可采用自动插件组装,提高布板灵活性。IHCM-2321AA-10具有优异饱和特性、低直流阻抗(DCR)和高达1500 VDC线圈间绝缘耐压能力,是商用级DC/DC转换器、EMI滤波器和大电流滤波器的理想选择,应用包括工业和电信领域电机控制和其他电路噪声抑制。除标准表面贴装配置外,IHCM-2321AA-10还提供电感、阻抗、DCR和额定电流以及插件组装定制选择。器件符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。器件规格表:Vishay推出薄型高抗冲击耐振动35 A商用IHCM共模扼流圈(1) 直流电流 (A) 会导致ΔT下降约40 °C(2) 直流电流 (A) 会导致L0下降约30 %新型电感器现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周。
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2021/12/13 13:28:19
跨阻放大器(TIA )全称为trans-impedance amplifier,是放大器类型的一种,放大器类型是根据其输入输出信号的类型来定义的。TIA的功能如同我们平时在养花的过程中给花施肥的一样,如果一片贫瘠的土地上要种出鲜艳的花朵,那么在给这片土地施肥的时候,杂草和花苗同样得到了滋养,这时候我们就会人为地将杂草拔掉,这样杂草没了,肥料的营养能最大程度地供养给花苗,然后花苗才能茁壮成长。TIA在DWDM系统中的作用就相当于我们人为地将杂草拔掉,而且还一定程度上抵制了杂草的重生。在电学范畴,假设放大器增益A=Y/X,Y为输出,X为输入。由于表征一个信号不是用电压就是电流,所以组合一下就有4种放大器,当输入为电流信号,输出为电压信号时,A=Y(电压)/X(电流),具有电阻的量纲,所以一般称之为跨阻放大器, 另外,我们常见的都是电压放大器,也就是输入输出都是电压的那种。跨阻放大器的品牌包括:MACOM、ADI等,这两种品牌是比较热门的,非常受广大客户欢迎!如果您对兆亿微波商城跨阻放大器感兴趣,可以及时联系在线客服,将为您提供满意报价!
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2021/12/13 13:23:00
一种多端口的具有非互易特性的光器件。光信号由任一端口输入时,都能按图示的数字顺序从下一端口以很小的损耗输出,而该端口通向所有其他端口的损耗都很大,成为不相通端口。要求环行器相通端口间的插入损耗小(例如1至2dB),不相通端口间的隔离度大(例如30dB)。光环行器是一种多端口非互易光学器件,它的典型结构有N(N大于等于3)个端口,如图 1所示,当光由端口1输入时,光几乎毫无损失地由端口 2输出,其它端口处几乎没有光输出。当光由端口2输入时,光几乎毫无损失地由端口 3输出,其它端口处几乎没有光输出,以此类推。 这N个端口形成了一个连续的通道。严格地讲,若端口 N输入的光可以由端口 1输出,称为环行 器,若端口N输入的光不可以由端口 1输出,称为准环行器;通常人们并不在名称上做严格区 分,一般都称为环行器。 光环形器的非互易性使其成为双向通信中的重要器件,它可以完成正反向传输光的分离任 务。光环形器在光通信中单纤双向通信、上/下话路、合波/分波及色散补偿等领域有广泛的应用。图2为光环形器用于单纤双向通信的例子。环形器是兆亿微波商城主营产品之一,进口环形器品牌包括:UIY、Qotana、RADITEK等。如果您对环形器感兴趣,可以咨询兆亿微波商城!
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2021/12/13 10:39:50
KV260 是 Kria K26 SOM 的开发平台,专为高级视觉应用开发而构建,无需复杂的硬件设计知识。电源单独出售。交货时间: 60 周范围KV260设备Zynq® UltraScale+™ MPSoC构成因素SOM + 载卡 + 散热解决方案入门套件尺寸119mm x 140mm x 36mm散热解决方案主动(风扇 + 散热器)系统逻辑单元256K块 RAM 块144UltraRAM 块64DSP切片1.2K以太网接口一个 10/100/1000 Mb/sDDR内存4GB(4 x 512Mb x 16 位)[非 ECC]主引导内存512Mb QSPI辅助引导内存SDHC卡设备安全Zynq UltraScale+ MPSoC 硬件信任根 (RoT) 支持安全启动。Infineon TPM2.0 支持实测启动。图像传感器处理器OnSemi AP1302 ISPIAS MIPI 传感器接口×2树莓派摄像头接口x1Pmod 12针接口x1USB3.0/2.0接口x4显示端口 1.2ax1HDMI 1.4x1如有需求,请联系兆亿微波商城在线客服!
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2021/12/10 16:49:11
降压转换器的历史长达一个世纪之久,如果没有它们,实在无法想象现代电子电路会变成怎样。本文阐述笨重的机电降压转换组件如何进化为能够处理数百瓦输出功率的微型PCB安装组件。降压转换器将电源电压转换为较低的输出电压。它们的基本元件如图 1 所示。首先,开关 SW1闭合,使得电流流入线圈L1。 这导致电流持续上升,直到开关SW1打开,开关SW2闭合。这会引起电流的变化。电容C1用作积分器;因此,最终的输出电压是电流和开关SW1 和SW2的导通时间的函数。S1和S2最初实际上是机械式开关,很快就被硅器件取代,S1带有晶体管,S2则带有二极管。电路随着技术进步而变化多年来,业界一直将尽可能多的组件集成到电路中以减低成本和尺寸。能够将主开关S1直接集成到控制器IC中是一项突破,而线圈和二极管仍然在外部。为了进一步提高效率,较新的降压转换型款随后使用MOSFET器件实现两个开关(SW1和SW2),从而实现了高达2MHz的开关频率。现在的目标是向小型化更进一步。由于开关频率不断增加,现在可以减小线圈结构的尺寸。电流的幅度下降,这影响了基本电容器的尺寸。使用内部发热较少的高级电容器,进一步推动了这方面的进步。更小体积和更高效率当前的目标是减小设计尺寸,同时进一步提高效率。为了实现这一点,循环开关电源电路必须最小化,并且Z轴上的组件必须相互堆叠安装。可以通过使用引线框架倒装芯片(FCOL)封装技术轻松实现,该技术将控制器IC(带有集成功率晶体管)直接垂直连接到引线框架上,旁边带有一个也直接安装在引线框架上的SMD扼流圈(图2)。这种结构能够实现高度紧凑的降压转换器模块的全自动生产,缩短了自屏蔽电感器的连接,因此也对电磁兼容性带来正面影响。采用这种方式制造的产品也可以进行模制,从而创建具有MSL3等级的无引线QFN封装(四方扁平无引线)并提供全面的环境保护。其中一个示例是Recom RPX系列产品...
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2021/12/7 9:32:55
01实验背景在 STC单片机功率控制下载板[1] 中提到使用LT1910驱动功率MOS作为STC WiFi功率下载转接板控制电源器。替代原来设计的MAX202(MAX3232)的方案。LT1910[2] 是由LINEAR TECHNOLOGY出品的用于驱动高端(电源端)N-MOS功率管芯片。内部集成有电荷泵,无需外部器件便可以驱动N-MOS管的导通。LT1910还可以对MOS漏极上串联的电流采样电阻进行检测。如果MOS漏极电流过流,则自动关闭MOS驱动,关闭的时间由外部电容设定。LT1910可以被用于汽车、航空、工业等各种恶劣环境场合,在供电电压从-15V ~ +60V 都不会损毁LT1910。02 LT1910基本应用1.外部引脚和内部功能框图2.基本应用电路03实验电路1.建立AD元器件在SCH.LIB中的器件:LT1910,封装SOP-8。2.实验电路模块(1) 原理图设计(2) 快速实验电路板制作04测试MOS管1.实验电路测试MOS管 型号: CSD19535[3] :超低Qg,Qgd。2.面包板上的电路设置在电路板上的实验电路3.工作静态电压(1) 工作电压5V(2) 工作电压12V(3) 工作电压与栅极电压设置LT1910不同的工作电压,将IO设置与VCC一样。GATE输出电压与工作电压之间的关系如下图所示。从中可以看到:●    LT1910只有在工作电压大于5.4V 之后,内后的栅极升压电路才开始工作。●    在3V ~ 5.4V之间输出的电压与工作电压同步增加。下面是工作电压从0 ~ 24V。输出的Vgate的电压。对比于数据手册给出的特性表格,之间是相互符合的。4.测试LT1910动态特性输入信号与输出之间大约有400us的延迟。输入与输出之间的延迟※ 结论通过实验数据,可以得到:●    ...
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2021/12/7 9:26:15
如果使用适当的本地化dc / dc转换器生成-5V偏置电压,则许多需要65V电源的低电流设备可以在单个5V电源环境中可靠地工作。通常,这些5V IC的功能和优势远远超过了一些不便。增加了额外的-5V转换器功能的成本。许多公司生产各种额定功率和占位面积的dc / dc转换器IC和模块。但是,对于仅需要负偏置电压和低工作电流的简单单芯片应用而言,这些典型的dc / dc转换器可能会显得过高。对于这些应用,典型的负电压要求范围为-4至-6V,电源电流为1 mA,而对-5V电源的要求通常并不严格。用于从正电源产生负直流电压的传统DC / DC转换器模块的低成本替代方案是使用低成本的四半导体模拟开关和板载系统时钟(图1a)。这种类型的电压转换器会从5V输入产生一个低功率的负偏置电压。该电路模拟电荷泵dc / dc转换器,该转换器适用于产生极性与输入电压相反的输出电压。与常规转换器一样,也需要两个电荷存储电容器。与传统的独立DC / DC转换器方法不同,该电路需要单个外部时钟输入来对开关的导通和关断进行排序,并且电路板空间的数量大致相同。您可以从任何5V逻辑门输出中以连续,规则的5至500kHz信号周期来输出此时钟。图1使用带有两个外部电容器和一个外部时钟的模拟开关是从5V输入产生25V电压的一种可行方法,以满足低功率,-5V的需求。一种方法仅使用时钟的一个相位(a);第二种方法需要两个相位(b)。电荷泵转换器的工作方式是:首先为一个电容器充电,然后使用开关电路将该电荷交替传输到另一个电容器。图1a中的开关电路交替对C1和C2进行充电和放电,以从5V输入产生-5V输出。 ALD4213模拟开关内部的集成电平转换器和逻辑门提供逻辑转换,可将单个5V输入转换为±5V逻辑摆幅。该电路在时钟控制下闭合两个开关S1和S4。在一个时钟周期的前半部分,C1充电至等于输入电压V +的电压。时...
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2021/12/7 9:14:16
可编程逻辑控制器中的一个关键子系统是模拟输入模块,它提供了一个高精度前端来测量各种传感器。但是,在许多情况下,放大器输入级通过长电缆连接到远程传感器,并且容易受到过压条件的影响。在本文中,我将介绍运算放大器(op-amp)输入过压保护的基本概念,并讨论如何为过压故障选择正确的钳位保护电路。输入模块中使用的运算放大器的数据表应提供有关电气过应力条件下绝对最大额定值的规范。电气过应力状况分为两类:静电放电(ESD)和输入电气过应力(EOS)。 ESD事件是两个人体在不同静电势下突然转移的静电荷。静电势通常可以相隔数千伏,并且电荷转移通常在几分之一秒内发生。相反,当电路在相当长的一段时间内暴露于过电压条件(例如由意外连接引起的故障)时,就会发生EOS事件。这些EOS额定值表示设备可以承受而不会损坏的最大电源电压,输入电压和输入电流。通常,运算放大器具有内部ESD保护结构,旨在在制造和生产测试期间保护运算放大器。 ESD保护中使用的三种常见结构(如图1所示)是串联电阻器,转向二极管和吸收器件。转向二极管导通,将ESD脉冲从敏感电路元件引向吸收装置。吸收装置吸收ESD脉冲的能量并限制电压电平以防止损坏。图1通常,运算放大器内部包含三个ESD保护结构。运算放大器对EOS的最大额定值取决于内部ESD二极管可以承受的最大电压和连续电流。但是,这些结构并不是为了保护设备免受电路故障期间可能发生的更长的EOS事件影响。取而代之的是,可能需要外部电路钳位来保护运算放大器输入电路免受EOS事件的影响。肖特基二极管和串联电阻是帮助保护运算放大器输入免受过压故障的一种原因。让我们考虑一下图2所示的±10V模拟输入模块电路。在该电路中,运算放大器缓冲器提供了高输入阻抗,可与各种传感器接口。 THP210全差分放大器(FDA)对缓冲的信号进行衰减和电平转换,以驱动模数转换器。 FDA是一款精密,...
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2021/12/7 9:11:34
兆亿微波商城出售现货(RF)射频开关器件HMC284AMS8GETR,兆亿微波商城作为ADI优势分销商,备有较多的ADI现货,可供小批量需求者采购。HMC284AMS8G和HMC284AMS8GE为低成本SPDT开关,采用8引脚基极接地MSOP封装。 该设计经过优化提供中低功耗应用所需的高隔离度、最小插入损耗。 片内电路在极低直流电流时采用正电压控制工作,且控制输入兼容CMOS和大多数TTL逻辑系列。 “关断”状态下,RF1和RF2为非反射式。点击获取HMC284AMS8GETR报价
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2021/12/3 9:17:06
输出级的作用是提供功率增益。它应该具有高输入阻抗和低输出阻抗。该级的一个显而易见的选择就是发射极跟随器。但是,为了同时提供拉电流和灌电流能力,需要两个互补跟随器:一个NPN型用于拉电流,一个PNP型用于灌电流。结果就是所谓推挽配置,图1显示了一个简单例子。R1和R2用于检测Q1和Q2的集电极电流,以及在输出过载的情况下限制这些电流。本次实验旨在研究简单推挽放大器的输出级(B类和AB类)。背景信息输出级的作用是提供功率增益。它应该具有高输入阻抗和低输出阻抗。该级的一个显而易见的选择就是发射极跟随器。但是,为了同时提供拉电流和灌电流能力,需要两个互补跟随器:一个NPN型用于拉电流,一个PNP型用于灌电流。结果就是所谓推挽配置,图1显示了一个简单例子。R1和R2用于检测Q1和Q2的集电极电流,以及在输出过载的情况下限制这些电流。材料●     ADALM2000 主动学习模块●     无焊面包板●     跳线●     两个100 Ω电阻●     一个2.2 kΩ电阻●     两个10 kΩ电阻●     两个小信号NPN晶体管(最好是具有匹配VBE的SSM2212)●     两个小信号PNP晶体管(最好是具有匹配VBE的SSM2220)说明开始之前,请确保关闭ADALM2000上的电源。电路和实验室硬件的连接如图1所示。示波器输入1应连接到Q1和Q2基极的接合处。示波器输入2应连接到Q1和Q2发射极的接合处。图1.推挽输出级 硬件设置示波器的通道1应连接为显示第一发生器的输出,两个通道(1和2)均应设置为以每格1 V显示输...
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2021/12/1 16:50:42
为具体应用选择合适的射频放大器时,应考虑增益、噪声、带宽和效率等特性。本文将评述最常用的射频放大器,并说明增益、噪声、带宽、效率和各种功能特性如何影响不同应用的放大器选择。问题:如何选择合适的射频放大器,不同射频放大器之间有何区别?答案:为具体应用选择合适的射频放大器时,应考虑增益、噪声、带宽和效率等特性。本文将评述最常用的射频放大器,并说明增益、噪声、带宽、效率和各种功能特性如何影响不同应用的放大器选择。射频放大器有多种类型和形式,旨在满足不同的应用场景。然而,为目标应用选择合适的射频放大器时,种类如此繁多的射频放大器使得这项工作变得并不轻松。虽然几乎所有射频放大器的关键特性都是其增益,但这并不是选择合适的器件所要考虑的唯一参数,很多时候甚至也不是最重要的参数。增益表明放大器可以为信号提供多大的提升,由输出功率与输入功率之比(以dB为单位)表示。它一般针对放大器的线性模式(即输出功率的变化与输入功率的相应变化呈线性关系)进行规定(参见图1)。如果继续提高射频放大器的输入信号的功率水平,器件将开始进入非线性模式,并产生杂散频率分量。这些干扰分量包括谐波和交调产物(参见图2中的HD2、HD3、IMD2和IMD3),代表了射频放大器输出端出现的交调失真(IMD)。射频放大器处理不同输入功率水平而不引入显著失真的能力反映了其线性度性能,这可以用不同参数来表示(参见图1),包括:●    输出1 dB压缩点(OP1dB),其定义了系统增益降低1 dB时的输出功率。●    饱和输出功率(PSAT),即当输入功率变化不再改变输出功率时的输出功率。●    2阶交调点(IP2)和3阶交调点(IP3),它们是输入(IIP2、IIP3)和输出(OIP2、OIP3)信号功率水平的假设点,在这些点上,相应杂散分量的功率将达到与基波分量...
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2021/12/1 16:22:59
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