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射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分,其重要性不言而喻。在发射机的前级电路中,调制振荡电路所产生的射频信号功率很小,需要经过一系列的放大(缓冲级、中间放大级、末级功率放大级)获得足够的射频功率以后,才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频输出功率,必须采用射频功率放大器。在调制器产生射频信号后,射频已调信号就由RF PA将它放大到足够功率,经匹配网络,再由天线发射出去。放大器的功能,即将输入的内容加以放大并输出。输入和输出的内容,我们称之为“信号”,往往表示为电压或功率。对于放大器这样一个“系统”来说,它的“贡献”就是将其所“吸收”的东西提升一定的水平,并向外界“输出”。如果放大器能够有好的性能,那么它就可以贡献更多,这才体现出它自身的“价值”。如果放大器存在着一定的问题,那么在开始工作或者工作了一段时间之后,不但不能再提供任何“贡献”,反而有可能出现一些不期然的“震荡”,这种“震荡”对于外界还是放大器自身,都是灾难性的。射频功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率,如何提高输出功率和效率,是射频功率放大器设计目标的核心。通常在射频功率放大器中,可以用LC谐振回路选出基频或某次谐波,实现不失真放大。除此之外,输出中的谐波分量还应该尽可能地小,以避免对其他频道产生干扰。分类根据工作状态的不同,功率放大器分类如下:传统线性功率放大器的工作频率很高,但相对频带较窄,射频功率放大器一般都采用选频网络作为负载回路。射频功率放大器可以按照电流导通角的不同,分为甲(A)、乙(B)、丙(C)三类工作状态。甲类放大器电流的导通角为360°,适用于小信号低功率放大,乙类放大器电流的导通角等于180°,丙类放大器电流的导通角则小于180°。乙类和丙类都适用于大功率工作状态,丙类工作状态的输出功率和效率是三种工作状态中最高的。射频功率放大器大多工作...
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2021/9/14 10:02:23
滤波电路常用于滤去整流输出电压中的纹波,一般由电抗元件组成,如在负载电阻两端并联电容器C,或与负载串联电感器L,以及由电容,电感组成而成的各种复式滤波电路。下面小编给大家介绍一下“滤波电路四种基本类型 滤波电路工作原理及作用”1.滤波电路四种基本类型滤波器有低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器四种基本类型,理想滤波器的输出在通带内与它的输入相同,在阻带内为零。1、理想低通滤波器它允许低频信号无损耗地通过滤波器,当信号频率超过截止频率后,信号的衰减为无穷大。2、理想高通滤波器它与理想低通滤波器正好相反,允许高频信号无损耗地通过滤波器,当信号频率低于截止频率后,信号的衰减为无穷大。3、理想带通滤波器它允许某一频带内的信号无损耗地通过滤波器,频带外的信号衰减为无穷大。4、理想带阻滤波器下图是理想带阻滤波器,它让某一频带内的信号衰减为无穷大,频带外的信号无损耗地通过滤波器。2.滤波电路工作原理及作用工作原理当流过电感的电流变化时,电感线圈中产生的感应电动势将阻止电流的变化。当通过电感线圈的电流增大时,电感线圈产生的自感电动势与电流方向相反,阻止电流的增加,同时将一部分电能转化成磁场能存储于电感之中;当通过电感线圈的电流减小时,自感电动势与电流方向相同,阻止电流的减小,同时释放出存储的能量,以补偿电流的减小。因此经电感滤波后,不但负载电流及电压的脉动减小,波形变得平滑,而且整流二极管的导通角增大。在电感线圈不变的情况下,负载电阻愈小,输出电压的交流分量愈小。只有在RL>>ωL时才能获得较好的滤波效果。L愈大,滤波效果愈好。另外,由于滤波电感电动势的作用,可以使二极管的导通角接近π,减小了二极管的冲击电流,平滑了流过二极管的电流,从而延长了整流二极管的寿命。作用滤波电路作用是尽可能减小脉动的直流电压中的交流成分,保留其直流成分,使输出电压纹波系数降低,波形变得比较...
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2021/9/13 13:52:12
信息化的21世纪,离开不了传感器,传感器的应用领域非常的广泛,电子计算机、生产自动化、现代信息、军事、交通、化学、环保、能源、海洋开发、遥感、宇航等等。1、传感器与环境保护目前,环球的大气污染、水质污浊及噪声已严重地破坏了地球的生态平衡和我们赖以生存的环境,这一现状已引起了世界各国的重视。为保护环境,利用传感器制成的各种环境监测仪器 正在发挥着积极的作用。环境检测是比较贴近人们日常生活的,这个也是气体传感器比较多的一个应用领域,比如空气中一些有毒有害的气体会严重威胁人们身体健康,一氧化碳、二氧化硫、甲醛、PM2.5等气体,这个时候就需要相应的气体传感器对环境空气质量进行监测。2、汽车与传感器目前,传感器在汽车上的应用及燃料余量等有关参数的测量。已不只局限于对行驶速度、行驶距离、发动机旋转速度以由于汽车交通事故的不断增多和汽车对环境的危害,传感器在一些新的设施。如汽车安全气囊系统、防盗装置、防滑控制系统、防抱死装置、电子变速控制装置、排气循环装置、电子燃料喷射装置及汽车'黑匣子'等都得到了实际应用。可以预测,随着汽车电于技术和汽车安全技术的发展,传感器在汽车领域的应用将会更为广泛。3、传感器与家用电器现代家用电器中普遍应用着传感器。传感器在电子炉灶、自动电饭锅、吸尘器、空调 器、电子热水器、热风取暖器、风干器、报警器、电熨斗、电风扇、游戏机、电子驱蚊器、洗衣机、洗碗机、照像机、电冰箱、彩色电视机、录像机、录音机、收音机、电唱机及家庭影院等方面得到了广泛的应用。随着人们生活水平的不断提高,对提高家用电器产品的功能及自动化程度的要求极为强烈。为满足这些要求,首先要使用能检测模拟量的高精度传感器,以获取正确的控制信息,再由微型计算机进行控制,使家用电器的使用更加方便、安全、可靠,并减少能源消耗,为更多的家庭创造一个舒适的生活环境。目前,家庭自动化的蓝图正在设计之中,...
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2021/9/13 12:02:08
仪表放大器是一种高增益、直流耦合放大器,它具有差分输入、单端输出、高输入阻抗和高共模抑制比等特点。差分放大器和仪表放大器所采用的基础部件(运算放大器)基本相同,它们在性能上与标准运算放大器有很大的不同。标准运算放大器是单端器件,其传输函数主要由反馈网络决定;而差分放大器和仪表放大器在有共模信号条件下能够放大很微弱的差分信号,因而具有很高的共模抑制比(CMR)。它们通常不需要外部反馈网络。仪表放大器的放大倍数公式推导如下图所示:测量放大器原始电路1、电路结构特征:两个同相比例电路加一个减法器总电压放大倍数为:2、信号处理特征:CMRR=1,一放对差模信号 Ud 和共模信号 Uc,一同加以放大貌似公允,实质上则良莠不齐,共模抑制任务完全交给二放。测放原始电路在差模输入电压下的表现——接地没用测放原始电路在共模输入电压下表现——离不开接地测量放大器工作原理信号处理特征:一放对差模信号 Ud 加以放大,对共模信号 Uc,Rg 相当断开,蜕化为电压跟随器,减轻了二放的共模抑制任务。一放差模电压放大倍数:一放对共模信号相当电压跟随器,其共模电压放大倍数 :Ac=1一放共模抑制比:总电压放大倍数:仪表放大器构成原理仪表放大器电路的典型结构如下图所示。它主要由两级差分放大器电路构成。其中,运放 A1,A2 为同相差分输入方式,同相输入可以大幅度提高电路的输入阻抗,减小电路对微弱输入信号的衰减;差分输入可以使电路只对差模信号放大,而对共模输入信号只起跟随作用,使得送到后级的差模信号与共模信号的幅值之比(即共模抑制比 CMRR)得到提高。这样在以运放 A3 为核心部件组成的差分放大电路中,在 CMRR 要求不变情况下,可明显降低对电阻 R3 和 R4,Rf 和 R5 的精度匹配要求,从而使仪表放大器电路比简单的差分放大电路具有更好的共模抑制能力。在 R1=R2,R3=R4,Rf=R5 的条件下...
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2021/9/13 11:48:25
问:我有一个仪表放大器,但我需要更宽的动态范围,而不是单一增益。我可以通过多路复用增益电阻来获得可编程增益吗?答:为了实现高精度传感器测量动态范围的最大化,可能需要使用可编程增益仪表放大器(PGIA)。由于大多数仪表放大器使用外部增益电阻(RG)来设置增益,似乎通过一组多路复用增益电阻就可以实现所需的可编程增益。虽然这是可能的,但在以这种方式将固态多路复用器施加于系统之前需要考虑三个主要问题:电源与信号电压的限制、开关电容和导通电阻。图 1.AD8421 PGIA 带有多路复用器。保持在信号电压范围内固态 CMOS 开关需电源供电。源电压或漏极电压超过电源电压时,故障电流流过,会导致输出不正确。每个电阻 RG 引脚的电压通常处于二极管相应输入端的压降范围内;因此,该开关的信号电压范围须大于仪表放大器的输入范围。考虑电容该开关电容类似于将电容悬于其中一个 RG 引脚上,并保持另一个 RG 引脚不变。足够大的电容可能导致峰化或不稳定,但更容易被忽视的问题是对共模抑制比的影响。在电路板布局中,接地层一般从 Rg 引脚下方移除,因为小于 1 pF 的电容不平衡会大大降低 AC CMRR。开关电容可为几十 pF,会导致较大误差。以具有完美 CMRR 的仪表放大器为简单示例,不存在 RG,仅在一个 RG 引脚上存在电容,由电容引起的 CMRR 的估算如下:CMRR(f) = –20 × log10 (f × 2π × CRG × RF)例如,如果内部反馈电阻 RF = 25 kΩ,CRG = 10 pF,则 10 kHz 时的 CMRR 仅为 36 dB。这表明需要使用低电容开关或平衡开关架构,如图 2 所示的 SPST 开关。关于阻抗最后,根据仪表放大器的增益公式,开关的导通电阻直接影响增益。如果导通电阻足够低,以至于仍能实现所需增益,这或许可...
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2021/9/13 11:28:26
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2021/9/13 9:05:39
隧道二极管 (Tunnel Diode)又称为江崎二极管,它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。隧道二极管是采用砷化镓(GaAs)和锑化镓(GaSb)等材料混合制成的半导体二极管,其优点是开关特性好,速度快、工作频率高;缺点是热稳定性较差。一般应用于某些开关电路或高频振荡等电路中。它的工作符合发生隧道效应具备的三个条件:①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必须很窄(0.01微米以下);简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。隧道二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比(IP/PV),其中,下标'P'代表'峰';而下标'V'代表'谷'。简单地说,所谓'遂道效应'就是指粒子通过一个势能大于总能量的有限区域。这是一种量子力学现象, 按照经典力学是不可能出现的。隧道二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中(其工作频率可达毫米波段),也可以被应用于高速开关电路中。隧道二极管特点及应用隧道二极管的主要特点是它的正向电流—电压特性具有负阻(图4)。这种负阻是基于电子的量子力学隧道效应,所以隧道二极管开关速度达皮秒量级,工作频率高达100吉赫。隧道二极管还具有小功耗和低噪声等特点。隧道二极管可用于微波混频、检波(这时应适当减轻掺杂,制成反向二极管),低噪声放大、振荡等。由于功耗小,所以适用于卫星微波设备。还可用于超高速开关逻辑电路、触发器和存储电路等。研究不同半导体材料制成的隧道二极管的基本特性,还能深入了解半导体中的能带结构和一些与量子力学有关的物理问题。
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2021/9/10 11:55:45
什么是巴伦?巴伦的作用是什么?巴伦(英文:Balun)是平衡Balanced和不平衡Unbalanced转换器的英文音译。众所周知,我们的业余电台输出是阻抗为50欧姆不平衡的,使用的传输线缆也是阻抗为50欧姆的不平衡馈线。按照天线理论,偶极天线属于平衡型天线,而同轴电缆属于不平衡传输线缆,如果将其直接连接,则同轴电缆的外皮就有高频电流流过产生共模电流,这样一来,就影响到了天线的辐射(可以想象成电缆的屏蔽层也参与了电波的辐射。按照同轴电缆传输原理,高频电流应在电缆内部流动,外皮是屏蔽层,是不应该有电流的)。因此,就要在天线和电缆之间加入平衡不平衡转换器,把流入电缆屏蔽层外部的电流扼制掉,也就是说把从振子流过电缆屏蔽层外皮的高频电流截断。2.巴伦的种类我们可以把巴伦分为电流型(Current balun)和电压型(Voltage balun)两种。电流型巴伦(Current balun)允许工作电流通过,扼制馈线上共模电流,不进行阻抗转换。电压型巴伦(Voltage balun)除遏制馈线上的共模电流,还会进行阻抗的转换。简单的说,电压型巴伦更像变压器,电流型巴伦更像扼流器。电流型巴伦的形式 电流型巴伦从形式上又分为三种:第一种“磁环巴伦”。通常使用锰锌铁氧体MXo,初始磁导率在800 ~ 2000之间,这是使用的较广泛的一种;第二种“磁珠巴伦” (ferrite bead balun)。在馈线上套上若干个磁珠,磁珠的材料和一般EMI磁珠一样,初始导磁率大概也在2000左右,只是内径大一些,可以套在同轴电缆外面,其工作原理和抑制(衰减)电磁干扰的EMI磁珠一样;第三种“空心巴伦”。找一个合适直径的圆筒做骨架,把同轴电缆整齐的绕在上面固定之后做成的电流型巴伦。这种方式不受材料(磁环)限制,使用我们平常用的馈线就可以制作,损耗也比较小,但是覆盖的频率范围比较窄,用于单波段效果最好(...
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2021/9/10 8:56:42
Smiths Interconnect Group Limited (史密斯英特康)是全球领先的电子元器件、连接器、微波元器件,子系统以及射频产品生产商。旗下产品多应用于商用航空、国防、航空航天、医疗、铁路、半导体测试、无线通讯以及工业市场等领域负责连接、保护以及控制等关键程序。兆亿微波商城作为Smiths品牌分销商,主营Smiths射频微波元器件等产品,可以帮助广大客户定制或订购Smiths射频器件,到货周期短,服务周全,是广大客户购买射频器件更好的选择。今天兆亿微波商城为广大用户分享关于Smiths温度补偿衰减器系列有哪些,下面一起来看看。Smiths温度补偿衰减器系列包括:TT9 SMT 、ANx系列温度补偿衰减器、KTVA系列温度补偿衰减器、MTVA系列温度补偿衰减器、TVA系列温度补偿衰减器、WTVA系列温度补偿衰减器。1、TT9 SMT 系列500毫瓦芯片衰减器与其他芯片衰减器相比,TT9系列芯片衰减器提供更高的功率处理能力,同时保持20 GHz的出色射频性能。2、ANx系列温度补偿衰减器ANx系列温度补偿衰减器为商业市场提供了高性价比的无源温度补偿解决方案。该系列的操作频率是DC-6 GHz。3、KTVA系列温度补偿衰减器史密斯英特康的|EMC的KTVA高频温度补偿衰减器是毫米波放大器的不二之选。它能够处理100 mW输入功率,且可采用金丝键合焊接以及表面焊接安装。4、MTVA系列温度补偿衰减器史密斯英特康的|EMC的MTVA Thermopads®这款微波吸收衰减器的实体尺寸更小,频率范围更大。该系列的操作频率范围是DC-18 GHz。5、TVA系列温度补偿衰减器史密斯英特康的|EMC的TVA Thermopads®这款微波吸收衰减器,可补偿随温度变化的功耗,工作频率范围DC-6 GHz。6、WTVA系列温度补偿衰减器EMC公司的温度补偿...
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2021/9/9 17:33:55
一、什么是温度补偿衰减器温度补偿衰减器介绍TCA:Temperature Compensation Attenuator中文名:温度补偿衰减器1.它是一种无源器件,表面贴装的温度可变衰减器;2.它不需要复杂的控制电路, 这样将减少元件数量,提高系统可靠性;3.它是无源的,稳定性好,无任何偏差或控制电压,并且无失真现象;4.它是模拟器件,它的补偿是很平滑的;5.它是实时调整增益的,衰减量随周围环境温度实时调整;6.衰减量范围从1dB至10dB,具有10种类型的衰减量,每种衰减量具有N3、N4、N5、N6、N7、N8、N9七种温度特性,特别是7dB、8dB、9dB、10dB,可提供N7、N8、N9的标准产品,全系列总共70种温度特性组合;7.采用TCA替代数字衰减器闭环控制方式的成本优势非常明显,性价比高8.使用简单,直接贴装到电路中即可,无需复杂的控制电路。二、温度补偿衰减器的应用1.应用于功率放大器2.应用于低噪声放大器3.有源模块4.CATV或通信光电转换模块5.雷达6.天线
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2021/9/9 17:17:47
兆亿微波科技,北京(2021年9月8日)- 德州仪器 (TI)(NASDAQ代码:TXN)今日推出业内先进的70W无刷直流 (BLDC) 电机驱动器,用于提供无需编程无传感器的梯形和磁场定向控制 (FOC)。新发布的器件使工程师能够在10分钟内启动BLDC电机,为工程师设计各种工业系统(如大型和小型家用电器)和医疗应用(如呼吸机和持续气道正压通气机器)减少了数周的设计时间。通过集成实时控制功能和包括MOSFET在内的多达18个分立式元件,新驱动器加快了系统响应,并缩小高达70%的布板空间,同时提供出色的声学性能。如需更多信息,请参阅MCF8316A和MCT8316A。Omdia高级研究分析师Noman Akhtar表示:“由于电源效率提高和自动化等各种趋势以及设计更低噪声电机的需求,人们对实时电机控制的需求比以往任何时候都更为迫切。越来越多的工业系统正在从交流感应电机过渡到更节能的BLDC电机,但需要复杂的硬件和优化的软件设计才能提供高性能。满足设计人员对加快电机响应需求的同时缩短整体设计周期,将是下一代工业系统向前发展的重要一步。”使用无需编程无传感器电机控制来缩短设计时间 MCF8316A和MCT8316A无刷直流电机驱动器包括一系列独特的换向控制算法,无需开发、维护和验证电机控制软件,从而减少数周的设计时间。这些算法和高度的集成特性可以使电机驱动器更好地管理电机故障检测等关键功能,同时实施保护机制,从而提高系统可靠性。这些电机驱动器集成了无传感器技术来确定转子位置,因此无需外部霍尔传感器,从而降低了系统成本并提高了可靠性。此外,MCF8316A无传感器磁场定向控制电机驱动器可智能地提取电机参数,使设计人员能够快速调优电机,同时提供一致的系统性能,而不受电机制造差异的影响。通过MCT8316A无传感器梯形控制电机驱动器,设计人员仅需五个硬件引脚即可对电机进行调优。由于无...
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2021/9/9 10:04:51
某行车记录仪,测试的时候要加一个外接适配器,在机器上电运行测试时发现超标,具体频点是84MHZ、144MH、168MHZ,需要分析其辐射超标产生的原因,并给出相应的对策。辐射测试数据如下:一、问题描述:某行车记录仪,测试的时候要加一个外接适配器,在机器上电运行测试时发现超标,具体频点是84MHZ、144MH、168MHZ,需要分析其辐射超标产生的原因,并给出相应的对策。辐射测试数据如下:二、辐射源头分析:该产品只有一块PCB,其上有一个12MHZ的晶体。其中超标频点恰好都是12MHZ的倍频,而分析该机器容易EMI辐射超标的屏和摄像头,发现LCD-CLK是33MHZ,而摄像头MCLK是24MHZ;通过排除发现去掉摄像头后,超标点依然存在,而通过屏蔽12MZH晶体,超标点有降低,由此判断144MHZ超标点与晶体有关,PCB布局如下:三、辐射产生的原理:从PCB布局可以看出,12MHZ的晶体正好布置在了PCB边缘,当产品放置与辐射发射的测试环境中时,被测产品的高速器件与实验室中参考接地会形成一定的容性耦合,产生寄生电容,导致出现共模辐射,寄生电容越大,共模辐射越强;而寄生电容实质就是晶体与参考地之间的电场分布,当两者之间电压恒定时,两者之间电场分布越多,两者之间电场强度就越大,寄生电容也会越大,晶体在PCB边缘与在PCB中间时电场分布如下:PCB边缘的晶振与参考接地板之间的电场分布示意图PCB中间的晶振与参考接地板之间的电场分布示意图从图中可以看出,当晶振布置在PCB中间,或离PUB边缘较远时,由于PCB中工作地(GND)平面的存在,使大部分的电场控制在晶振与工作地之间,即在PCB内部,分布到参考接地板去的电场大大减小,导致辐射发射就降低了。四、处理措施将晶振内移,使其离PCB边缘至少1cm以上的距离,并在PCB表层离晶振1cm的范围内敷铜,同时把表层的铜通过过孔与PCB地平面相...
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2021/9/9 9:53:49
日前,Vishay 推出通过AEC-Q200认证的新系列厚膜片式电阻---RCV-AT e3,工作电压达3 kV,外形尺寸为2010和2512。器件通过AEC-Q200认证,工作电压达3 kV,采用2010和2512外形尺寸,可替代标准电阻串2021年9月8日—日前,Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE 股市代号:VSH)推出通过AEC-Q200认证的新系列厚膜片式电阻---RCV-AT e3,工作电压达3 kV,外形尺寸为2010和2512。Vishay Draloric RCV-AT e3系列器件工作电压高,可用来替代多颗标准电阻串联。因此,设计师可节省电动(EV)和混合动力(HEV)汽车逆变器、车载充电器和DC/DC转换器电路板空间,同时减少元件数量,降低加工成本。RCV-AT e3系列器件阻值范围从100 kW到100 MW,公差分别为± 1 %和± 5 %,温度系数为± 100 ppm/K和± 200 ppm/K。电阻额定功率为1.0 W,电阻电压系数低至25 ppm/V,工作温度为-55 °C至+155 °C。器件符合 RoHS标准,无卤素,适合在自动贴片机上采用符合IEC 61760-1的波峰焊、回流焊或气相焊工艺加工。RCV-AT e3电阻现可提供样品并已实现量产,供货周期10周。
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2021/9/9 9:49:05
功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器、UPS、交流静态开关、SVC和电解氢等场合,但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解,为此我们组织了6篇连载,包括正向特性,动态特性,控制特性,保护以及损耗与热特性。内容摘自英飞凌英文版应用指南AN2012-01《双极性半导体技术信息》。3.4 载流子存储效应和开关特性当功率半导体的工作状态变化时,由于载流子存储效应,电流和电压的稳态值不会立即改变。此外,晶闸管触发时只有门极结构附近的小块区域导通。由此产生的开关损耗必须以热的形式从半导体中散发出去。3.4.1 开通3.4.1.1  二极管从非导通或阻断状态转入导通状态时,由于载流子存储效应,二极管处产生电压峰值(见图20)。图20.二极管开通过程示意图■  3.4.1.1.1 正向恢复电压峰值VFRMVFRM是正向回复期间产生的最高电压值。该值随着结温和电流变化率的升高而增大。电网 (50/60Hz)的电流变化率适中,VFRM可以忽略不计。但是在 di/dt>>1000A/μs的快速开关(IGBT、GTO和IGCT)自动换向变流器中,该值可能达到几百伏。虽然正向恢复电压仅存在几微秒,且不会显著增大二极管的总损耗,设计变流器时仍需考虑该值对开关半导体的影响。针对这些应用优化的二极管图表包含了正向恢复电压和电流变化率之间的函数关系。■  3.4.1.1.2 通态恢复时间tfr根据DIN IEC 60747-2,tfr是指突然从关断状态切换为规定的通态时,二极管完全导通且出现静态通态电压vF所需的时间(见图20)。3.4.1.2  晶闸管在正向断态电压VD下通过变化率为diG/dt且强度为iGM的门极电流启动开通过程。对于光触发晶闸管,这同样适用于施加在激光二极管上的规定触发脉冲。在门极控制延迟时间tgd内,晶闸管上的...
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2021/9/8 15:29:36
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,已开始量产M4G组中用于高速数据处理的20种新器件。M4G组是TXZ+TM 族高级系列的新成员,采用40nm工艺制造。这些产品采用带FPU的Arm Cortex-M4内核,运行频率高达200MHz,内部集成2MB代码闪存和32KB数据闪存,具有10万次的写入周期耐久性,此外还提供了丰富的接口和通信选项。因此,M4G组器件非常适用于办公设备、楼宇和工厂自动化应用。M4G组中的微控制器配置增强型的通信功能,除UART、FUART、TSPI和I2C外,还支持Quad/Octal SPI、音频接口(I2S)以及外部总线接口。此外,这些器件内置3单元DMAC和总线矩阵结构,与传统产品相比,大幅提升了通信吞吐量。微控制器配置高速、高精度12位模拟/数字转换器,最高支持24个模数转换输入通道,它们可以单独设置采样保持时间,便于器件支持多种多样的传感器。这些器件能够为ROM、RAM、ADC和时钟提供自诊断功能,有助于客户通过IEC60730 B类功能安全认证。这些新器件不但实现了低电流消耗和高功能,同时也与现有的TXZTM系列M4G(1)组的器件保持了良好的兼容性。您可以访问东芝网站并下载文档、示例软件及其实际使用示例,以及控制每种外围设备的接口的驱动程序软件。评估板和开发环境是与Arm全球生态系统合作伙伴合作提供的。新产品的主要特性●带FPU的高性能Arm Cortex-M4内核,最高频率为200MHz●电机控制功能和通信接口●满足IEC60730 B类功能安全要求的自诊断功能应用●用于消费电器和工业设备的高速数据处理。●多功能打印机(MFP)、影音设备、楼宇和工厂自动化的通信设备、物联网家用电器等规格产品组M4G组CPU内核Arm Cortex-M4—存储器保护单元(MPU)—浮点单元(FPU)最大运行频率200MHz内部振荡器10M...
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2021/9/8 15:07:33
随着人们对数字化转型DX(Digital Transformation)的兴趣日益浓厚,物联网在消费电子和工业设备中的使用也在增加。这些物联网端点不仅限于将收集到的数据发送到云端,而且许多还需要执行基于人工智能的程序,从 HMI 的语音识别、触摸键到故障预测。自从10年前推出高速大容量闪存的RX630,我们在RX600系列中陆续推出了采用RXv2内核的RX651和采用RXv3内核的RX66N,在同类微控制器中性能一直处于行业前列。RX671 是 RX600 系列的新成员。RX671在保持与RX651 MCU的物联网应用高度兼容性的同时,提升了处理能力、实时性和功能性,可以满足更广泛的用户需求。在这篇博客中,我们想介绍RX671的高性能、多功能和小型化。更高的性能RX 系列配备了瑞萨电子专有的 RX CPU 内核。RX-core逐年不断进化,如今已经开发出业界领先的5.9 CoreMark/MHz性能的RXv3内核。由于RX671搭载RXv3内核,性能比现有RX631产品提升约2.1倍。即使与其他公司的产品相比,RX671 也可以在 120MHz 时钟下实现相当于 200MHz 的性能。此外,瑞萨电子的 40 纳米制造工艺使其能够实现 48.8CoreMark/mA的高功率效率。高功能性和小型化的结合RX671 提供一系列 4.5x4.5mm 方形 64 引脚 BGA 封装。尽管它是一个非常小的封装,但它提供了 2MB 闪存和 384KB SRAM 闪存。这允许在没有外部存储器的情况下实现物联网设备所需的固件更新。此外,RX671 还配备了电容式触摸传感器 (CTSU),该传感器因其高抗噪性特点而在 RX100/200 系列中非常受欢迎。只需单芯片即可实现设计美观、维护成本低的触控按键,无需额外组件。此外,带有串行声音接口(SSIE)的RX671为您实现语音识别提供了更多选择...
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2021/9/8 15:01:25
电容式传感器是以各种类型的电容器作为传感元件,将被测转物理量或机械量换成为电容量变化的一种转换装置,实际上就是一个具有可变参数的电容器。电容式传感器广泛用于位移、角度、振动、速度、压力、成分分析、介质特性等方面的测量。最常用的是平行板型电容器或圆筒型电容器。下面小编给大家介绍一下“电容式传感器的工作原理与分类“一、电容式传感器的工作原理与分类原理电容式传感器也常常被人们称为电容式物位计,电容式物位计的电容检测元件是根据圆筒形电容器原理进行工作的,电容器由两个绝缘的同轴圆柱极板内电极和外电极组成,在两筒之间充以介电常数为ε的电解质时,两圆筒间的电容量为式中L为两筒相互重合部分的长度;D为外筒电极的直径;d为内筒电极的直径;e为中间介质的电介常数。在实际测量中D、d、e是基本不变的,故测得C即可知道液位的高低,这也是电容式传感器具有使用方便,结构简单和灵敏度高,价格便宜等特点的原因之一。电容式传感器是以各种类型的电容器作为传感元件,由于被测量变化将导致电容器电容量变化,通过测量电路,可把电容量的变化转换为电信号输出。测知电信号的大小,可判断被测量的大小。这就是电容式传感器的基本工作原理。分类根据传感器的工作原理可把电容式传感器分为变极距型、变面积型和变介质型三种类型。根据传感器的结构可把电容式传感器分为三种类型的结构形式。它们又可按位移的形式分为线位移和角位移两种,每一种又依据传感器极板形状分成平(圆形)板形和圆柱(圆筒)形,虽然还有球面形和锯齿形等其他形状,但一般很少用。其中差动式一般优于单组(单边)式传感器,它具有灵敏度高、线性范围宽、稳定性高等特点。
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2021/9/7 15:15:41
MOS管是电压控制电流源,控制电压和电流属于不同的支路,因而电压的求解一般不难,进而根据漏极电流表达式来求出电流值,然后进行模型分析,求出跨导和输出电阻.而三极管要先建立模型,然后进行电路分析,求解过程特别是计算很复杂,容易出错;总体而言,我觉得MOS管的分析要比三极管简单一些.三极管和MOS管的不同之处:一、在三极管中,空穴和自由电子都参与导电,称为双极型器件,用BJT表示;而MOS管只有多子导电,称为单极型器件,用FET表示.由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响,在环境变化剧烈的条件下,选用FET比较合适. 这也就是我们通常所说的MOS管比较稳定的原因.二、在放大状态工作时,三极管发射结正偏,有基极电流,为电流控制器件,相应的输入电阻较小,约103Ω;FET在放大状态工作时无栅极电流,为电压控制器件,输入电阻很大,JFET的输入电阻大于107Ω,MOS管的输入电阻大于109Ω.三、MOS管的源极和漏极在结构上对称,可以互换使用(但应注意,有时厂家已将MOS管的源极与衬底在管内已经短接,使用时就不能互换).对耗尽型MOS管的VGS可正、可负、可为零,使用时比较灵活.三极管的集电极和发射极一般不能互换使用.四、在低电压小电流状态下工作时,FET可作为压控可变线性电阻器和导通电阻很小的无触点电子开关.五、MOS管工艺简单,功耗小,适合于大规模集成.三极管的增益高,非线性失真小,性能稳定.在分立元件电路和中、小规模集成电路中,三极管仍占优势.六、三极管的转移特性(ic-vbe的关系)按指数规律变化,场效应管的转移特性按平方规律变化,因此MOS管的非线性失真比三极管的非线性失真大.七、MOS管的三种基本组态电路(共源、共漏和共栅)可以对照三极管的共发、共集和共基电路,由于场效应管的栅极无电流,所以输入电阻R'i≈∞.跨导gm比三极管的小一个数量级,gm我们可以用转移...
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2021/9/7 15:13:29
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