电源管理芯片8个引脚说明1、脚(COMP)为误差放大器补偿脚。该脚与误差放大器反相输入端(VFB)之间应接入RC补偿网络，以改善误差放大器的性能。2、脚(VFB)为误差放大器的反相输入端。反馈电压接入该脚，与误差放大器同相输入端的基准电压比较，以便设定误差电压。3、脚(ISENSE)为电流取样比较器的同相输入端。电流取样电阻两端的压降加到该脚，与加到该放大器反相输入端的误差电压(最大值为1V)比较，确定输出驱动脉冲的占空比。4、脚(RT/CT)为外接振荡器定时电阻和定时电容。该脚与基准电压输出脚 (VREF)之间接入基准电阻，该脚与接地脚之间接入基准电容。5、 脚(GROUND)为接地脚。6、脚(OUTPUT)为输出脚。该脚输出的低电平为1.5V，输出的灌电流(平均值)为200mA。输出的高电平为13.5V，输出的源电流电压可达30V。7、脚(VCC)为电源电压引脚。该系列IC芯片的输入电源电压可达30V。8、脚(VREF)为基准电压输出端。该脚输出电压为5V，输出电流可达5mA。该基准电压可为外部电路供电。
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2021/8/26 15:45:46
电源管理芯片，是在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责的芯片。主要负责识别CPU供电幅值，产生相应的短矩波，推动后级电路进行功率输出。下面小编给大家介绍一下“电源管理ic芯片分类 电源管理ic芯片的作用”一、电源管理ic芯片分类1、AC/DC调制IC。内含低电压控制电路及高压开关晶体管。2、DC/DC调制IC。包括升压/降压调节器，以及电荷泵3、功率因数控制PFC预调制IC。提供具有功率因数校正功能的电源输入电路。4、脉冲调制或脉幅调制PWM/PFM控制IC。为脉冲频率调制和/或脉冲宽度调制控制器，用于驱动外部开关5、线性调制IC(如线性低压降稳压器LDO等)。包括正向和负向调节器，以及低压降LDO调制管。二、电源管理ic芯片的作用电源管理ic芯片主要管理电子设备系统中电能的转换、配电、检测和其他电源管理。能够对锂电池充电，特点是能够恒流、恒压充电，并且有着过流、电压保护、内部温度监测等功能。芯片的尺寸在慢慢变小，但是电场强度随距离的减小而线性增加，如果电源电压不变的话，产生的电场强度几乎能够把芯片击穿，所以电子系统对电源电压的要求不一样了。电源管理ic芯片有很多种类型，比如：TP5100电源管理芯片slm6900电源管理芯片CN3703电源管理芯片TP5100电源管理芯片能够对锂电池充电，特点是能够恒流、恒压充电，并且有着过流、电压保护、内部温度监测等功能。slm6900电源管理芯片效率高，能够对锂电池进行电源管理。CN3703电源管理芯片能够对电池进行恒流以及恒压充电，并且有一个睡眠模式。
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2021/8/26 15:36:00
目前常见的声波滤波器主要有声表面波SAW滤波器和声体波BAW滤波器。这两种滤波器也是目前在国内比较火的滤波器。对于声表面波SAW滤波器，由于频率和Q0的限制，其性能和应用场景较于体声波BAW滤波器的应用较为受限。但是村田在声表面波SAW滤波器的基础上进一步研发，做出了一款叫做IHP SAW滤波器。我们一起看看这款IHP SAW究竟怎么样？首先我们来看一下为什么叫做IHP SAW？ 根据 村田网站上的介绍，IHP 就是 Incredible High Performance 的首字母缩写，不可思议的高性能声表面波滤波器。足见这款滤波器在声表面波SAW中的地位——Incredible High Performance。根据村田的介绍，这款 IHP SAW 滤波器在性能上甚至超过了 BAW，实现了真正的Incredible High Performance。射频滤波器用于通信终端的发射器和接收器电路或收发器电路中。它们是允许所需频带信号通过并阻止其他不需要的信号通过的设备。它们由多个谐振器组成：通常，所需的滤波器带宽是由梯形电路定制的，梯形电路由梯形连接的谐振器组成（图 1）。通信终端可用的频带包括具有各种频率和通带带宽的频带。终端中的电路和谐振器的设计经过优化，以符合每个分配频段的标准。RF 滤波器中重要的是过渡带的陡度，它是连接滤波器带通特性中通带和阻带的曲线。通带和阻带之间的带宽或其过渡带宽（如图1中红色箭头所示）较窄的RF滤波器难以设计；具有更陡峭过渡带的滤波器特性是必要的。为了增加过渡带的陡度，组成滤波器的谐振器的电路设计当然很重要；但谐振器本身的特性（品质因数，或Q 因数）也非常重要。为了满足这些高难度频段对滤波器设计的需求，各种制造商一直在努力提高谐振器的 Q 因子。基于单晶压电 LiTaO3 衬底的 SAW 器件已广泛应用于射频滤波器。滤波器具有安装在压电基板表面...
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2021/8/26 15:19:02
电源模块的选型需要考虑很多问题，你知道有哪些吗，今天兆亿微波商城为大家做一下分享。磁珠、电容、二极管、电阻…都具有类似的潜规则，只是我们不太注意而已。电源模块的拓扑结构有多种，反激、正激、推挽、半桥、全桥多种，每种因为其原理的不同，也表现为在某些特性指标方面的优越性。反激电源在开关的一个周期中，充电的时段没有放电，就是因为这个特性，其时间响应特性、纹波特性就很难做到很好，虽然可以通过大的储能电容协助解决一点，但原理性缺陷终归是硬伤。漏感也大等等问题，但其优点是电路简单，成本低，体积小，不必加磁复位绕组，而且输入电压范围比较宽。也正因为此，才有了其占总电源市场7成以上的份额。正激电源输出电压瞬态控制特性较好，负载能力较强，但其缺点也同样显著，多用一个大储能滤波电感和一个续流二极管、体积大、变压器初级线圈反电动势电压高，对开关管的要求较高。电源模块选型需考虑哪些问题推挽式电源电流瞬态响应速度很高，电压输出特性很好，在所有拓扑结构中，是利用率的一种开关电源，无漏磁，驱动电路简单。但其缺点是两个开关器件需要很高的耐压值；要有两组初级线圈，对于小功率输出的推挽式开关电源是个缺点。若两个正激式变换器不完全对称或平衡，经过几个周期累积的偏磁，会使磁芯进入饱和，导致高频变压器励磁电流过大，甚至损坏开关管。桥式开关电源输出功率很大，工作效率很高，开关管的耐压值要求比较低，变压器初级线圈只需要一个绕组。缺点是效率低，会出现半导通区，损耗大。以上各种问题都是因为其拓扑结构的先天优势和先天缺陷造成的，虽然我们可以将电源模块当成黑匣子，但这也是我们在选择电源时要关注的一个点。另一个是要根据负载的波动情况来确定，有的负载较稳定，有的负载就波动较大，甚至于有的还会有空载、或满载、或瞬间负载变大、或瞬间负载跌落的情况发生。电源模块选型需考虑哪些问题负载的类型也是一个影响因素。一般的模块，其输出是按照默认为...
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2021/8/26 12:04:06
电子产品在我们的日常生活中已经很普及，在生活中占据很重要的位置，比如：手机、电脑、电视等，这些设备里面有千千万万电子元器件组成，因此，我们忽略了它的存在，通常我们常用的电子元器件有哪些呢，今天我们一起来看看吧。一、 常用电子元器件首先我们来看看常用电子元器件有哪些。通常，常用电子元器件有：电容器、电阻器、电感器、电位器、二极管、三极管、电子管、继电器、变压器、连接器、各种敏感元件、谐振器、滤波器、开关器等。二、 常用电子元器件10大排行榜接下来，我们继续来看看常用电子元器件的前10排名情况，看看哪个元器件能当上老大。第10名：变压器。变压器（英文名称：Transformer）的工作原理是利用电磁感应的原理来改变交流电压的装置，在电气设备中起到升降电压的作用，并且还有匹配阻抗、安全隔离等功能。变压器第9名：传感器。传感器（英文名称：transducer/sensor）是一种检测装置，它能感受到被测量的信息，并能将感受到的信息，按一定规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。人们为了从外界获取信息，必须借助于感觉器官。而单靠人们自身的感觉器官，在研究自然现象和规律以及生产活动中它们的功能就远远不够了。为适应这种情况，就需要传感器。因此可以说，传感器是人类五官的延长，又称之为电五官。传感器第8名：场效应管。场效应管（英文名称：Field Effect Transistor缩写(FET)）全称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。场效应管有应可以用于放大、可以用作可变电阻、可以方便地用作恒流源、可以用作电子开关、可以很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换等作用场效应管第7名：晶体三极管。晶体三极管是一种控制电流的半导体器件，能把电流放大。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号；...
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2021/8/26 11:49:12
晶体二极管一般可用到十万小时以上。但是如果使用不合理，他就不能充分发挥作用，甚至很快地被损坏。要合理地使用二极管，必须掌握他的主要参数，因为参数是反应质量和特性的。工作频率fM（MC）----二极管能承受的频率。通过PN结交流电频率高于此值，二极管接不能正常工作。反向工作电压VRM（V）----二极管长期正常工作时，所允许的反压。若越过此值，PN结就有被击穿的可能，对于交流电来说，反向工作电压也就是二极管的工作电压。整流电流IOM（mA）----二极管能长期正常工作时的正向电流。因为电流通过二极管时就要发热，如果正向电流越过此值，二极管就会有烧坏的危险。所以用二极管整流时，流过二极管的正向电流（既输出直流）不允许超过整流电流。晶体二极管的识别和简易检测方法在使用前，通常先要判别极性，还要检查它的好坏，否则电路不仅不能正常工作，甚至可能烧毁二极管和其他元件。前面介绍的一些二极管封装上的符号或极性标记，我们可以作为依据。当封装上符号或极性标记看不清或者没有手册可查时，也可以根据二极管的单向导电性来判断它的好坏和极性。在通信生产实践中，常用的电阻档测量极间电阻来判断。万用表有两个接线端，正接线端接红表笔，负接线端接黑表笔。这部极性示意图里必须注意，使用万用表的电阻档时，表内接入电池，万用表的红表笔接表内电池负极，输出负电压；黑表笔接电池正极，输出正电压。测试前要选好档位，两表笔短接后调零位。对于耐压较低，电流较小的二极管如用r×1档，流过二极管的电流太大，用r×10k档，表内电池电压太高，都可能会使二极管损坏。通常用r×100或r×1k档来测量，具体方法和说明如表1和表2所示。注：正、反向阻值的比较参照表1要注意的是： 使用不同的万用表测同一只二极管，获得的阻值可能不同，这是由于万用表本身特性不一样；使用万用表不同的电阻档测二极管时，获得的...
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2021/8/26 11:29:34
英飞凌 RF 肖特基二极管是硅低势垒 N 型器件，与市场上的其他解决方案不同，它们具有各种结二极管配置，可用于非常敏感的功率检测器电路、采样电路或混频器电路。非常低的势垒高度和非常小的正向电压，以及低结电容，使这一系列器件成为理想的选择，因为检测器在高达 24 GHz 的频率下工作。所有英飞凌射频肖特基二极管都带有用于过压保护的集成片内保护环。射频混频器的型号包括：BAT24-02LS、BAT15-03W、BAT15-02LS、BAT17-04W、BAT15-02LRH、BAT17-04、BAT17、BAT15-099、BAT15-04W、BAT17-05W、BAT17-07、BAT15-04R等，如果您对该产品感兴趣，可以及时联系兆亿微波商城在线客服，将为您提供满意报价。
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2021/8/24 15:36:50
兆亿微波作为英飞凌中国分销商，为国内客户备货英飞凌TLE9012AQU，它是一款多通道电池监控和平衡系统 IC，专为在汽车世界（任何类型的 MHEV、HEV、PHEV 和 BEV 等的电动汽车）、工业（储能系统）中的许多应用中使用的锂离子电池组而设计) 和消费者（即电动自行车 BMS、家庭储能等）。TLE9012AQU 实现四个主要功能：电池电压测量、温度测量、电池平衡和与主电池控制器的隔离通信。此外，TLE9012AQU 提供了必要的诊断工具，以确保正常运行，保证受控电池周围人员的安全。功能概要监控多达 12 个串联连接的电池支持多达 20 台设备的通信支持热插拔电压测量每个电池的 16 位高分辨率 ADC 测量SoC（充电状态）和 SoH（健康状态）计算的高精度测量温度补偿测量内置噪声过滤可选择的测量位长温度测量5 个温度测量通道，用于连接到外部 NTC内部温度测量和监控集成平衡开关允许高达 150 mA 的平衡电流通信接口（iso UART）用于电池块之间通信的差分稳健串行接口高达 2 Mbps 的高速通信功率平衡通信方案安全功能两个独立的内部参考电压基于不同ADC的块电压测量可配置的模拟 OV/UV 比较器端到端 CRC 安全通信CRC 安全配置寄存器内部开路负载检测紧急通讯模式绿色产品（符合 RoHS）AEC-Q100 合格ISO-26262 就绪，支持 ASIL-C BMS 安全应用优势无需变压器或共模扼流圈即可实现稳健通信得益于应力传感器技术，即使在焊接后也具有最先进的电压测量精度集成诊断缓和功能安全设计用于在本地带有微控制器的系统的集成 UART 通信应用范围轻度混合动力汽车 (MHEV)混合动力电动汽车 (HEV)插电式混合动力汽车 (PHEV)纯电动汽车 (BEV)12V 锂离子电池系统储能系统 (ESS)家庭储能系统电动自行车电池管理系统
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2021/8/24 15:30:17
耦合电容，又称电场耦合或静电耦合，是由于分布电容的存在而产生的一种耦合方式。1.什么叫耦合电容耦合电容是电容中的一种，而其作用可以简单的理解为是耦合。其实耦合电容也是人们常说的静电耦合。（图片来源于互联网）2.耦合电容的作用耦合电容就是利用电容通交流、阻直流的特性，选择通过需要的频率，而截止不需要的频率。耦合电容常用在交流放大电路中，有直流干扰的电路也常用耦合电容隔离干扰信号。（图片来源于互联网）3.耦合电容工作原理电流中会随着电流的通过而升高或者是降低的方式来释放电荷，从而使得误觉产生，认为有电流就此通过。而其能够在运行中达到耦合的作用，犹如真正的电流通过。（图片来源于互联网）4.耦合电容电路图电容耦合电路。在前后两级电路(或两个单元电路)之间的是耦合电容,如果是在两级放大器之间又可以称为级间耦合电容。（图片来源于互联网）
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2021/8/24 15:21:35
为更高效的选型，识别IGBT单管命名规则，兆亿微波商城为大家解析以下命名规则，希望对广大用户有所帮助。IGBT单管以时间为界，有两套体系对于2013年3月份之前release的器件，命名规则如下图。主要传达的信息有：芯片种类（是否有续流二极管）+封装形式+电流等级+电压等级+芯片类型+是否车规级芯片:单管塑封壳上面都会有激光打标，这可以说是料号的“昵称“——用更少的字母，表达了丰富的特性。例如对于IHW20N120R3这颗器件，它的封装上的标志是H20R1203，各数位含义和料号的命名规则相同，如下图：对于2013年3月之后release的器件，它的命名规则稍有不同。1. 首先，封装形式更加丰富了，从6种拓展到了11种，新增封装类型包括：TO247-4pin，TO247plus-3pin/4pin，高级绝缘的TO247 3pin，以及使用烧结技术的TO263 3pin。由于新型封装形式层出不穷，表示封装的第3数位还会继续拓展，不断更新。2. 第7数位表示了反并联二极管的类型（EmCon, rapid1, rapid2），以及其电流等级是否和IGBT相同，如相同，则标为full rated。第8数位代表了IGBT类型，可以看到这套命名规则里的IGBT芯片类型，可比上一代多多啦，从TRENCHSTOP™ 2到最新的TRENCHSTOP™ 7应有尽有。3. 在高级绝缘TO247 3pin产品最后一位，可能还会有一个字母E，这个字母E代表最具性价比的高级绝缘方案。如果缺省，则默认为性能最优的高级绝缘方案。激光打标规则和上一代也有很大变化，值得注意的是两点：电压等级（第三数位）不再给出数字，而以字母替代。字母和电压的对应规则如表1。你说看起来好像没什么规律呢？是的，考验记忆力的时候到了。。。激光打标第四数位上给出了二极管信息（是否是全电流二极管），其规则同上图中料号的命名规则grou...
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2021/8/23 15:58:33
红外(IR)传感器是一种电子设备，可测量和检测其周围环境中的红外辐射。可以说其用途是非常广泛的，很多行业领域都会使用到它。那么选购红外传感器的时候，为何要关注其型号以及参数呢?下面就由小编跟大家详细介绍下。红外传感器型号众所周知，红外传感器的需求量正在呈现增长趋势上升，尤其是进行选购的时候，更是需要对产品本身进行了解，不仅仅是红外传感器型号以及参数，对于其品牌的知名度以及其性价比都是需要关注的。也就说大家对于红外传感器了解的越多，尤其是对其基本知识掌握程度越高，那么才能够找到适合自己使用的红外传感器产品。当然，通过红外传感器型号以及参数这些相关信息，大家还能够对其技术有所了解，那么更容易找到适合的厂家与之合作。除此之外，关注红外传感器型号以及参数或者是其他产品因素，无非是希望能够在使用过程中让其发挥更大的作用。如果其型号规格与之不匹配，那么就无法让其发挥更好的效果，那么即使其价格很便宜，其测量效果不佳的红外传感器产品对大家也是没什么用的。另外，如果跟自己的实际用途不匹配的话，红外传感器的测量数据的准确性就很难说了，这时候利用所得到的数据来进行各种分析，显然是不合适的。综上所述，关注红外传感器型号以及参数或者其他因素，在进行选购的时候是非常有必要的，只有把这些因素都结合起来综合考虑，大家才能够更容易找到适合自己使用的产品。如果对于红外传感器的类型想要了解更多，欢迎联系兆亿微波商城在线客服。
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2021/8/23 15:22:06
ISL1561是固定增益双端口G类差分放大器设计，与AB类放大器相比，可在降低功耗的情况下驱动ADSL2 +和VDSL2。线路驱动器采用+ 12V至+ 14V单电源供电，并且在检测到升压时会产生较高的电源电压。静态电流可以通过3引脚串行端口接口（SPI）用12位命令进行编程。强调ISL1561是Intersil最高效的双端口线路驱动器，适用于以+ 14V电源供电的ADSL2 +和VDSL2应用。ISL1561支持的一项新功能是对通过SPI的静态电流进行编程。给定目标MTPR性能，可以相应地调节静态电流以降低功耗（500?A步长）。传输8b VDSL2时，与AB类操作相比，功耗可降低25％。ISL1561在处理瞬变方面非常“健壮”。通过ITU-T K.20标准测试。能量消耗图1显示了8b和17a VDSL2配置文件的功耗比较。对于8b 19.5dBm，ISL1561仅消耗600mW，同时实现-64dBc的丢失带功率比（MBPR）；对于17a 14.5dBm，ISL1561消耗400mW，同时实现-60dBc的MBPR图1 AB类和G类功耗SPI控制使用评估板上集成的USB微控制器，可以为每个端口分别编程ISL1561的电源电流。微控制器使用四个逻辑信号（SCLK，SDI，SDO和CS）与ISL1561的三个引脚SPI通信：（SCLK，SDATA和CS）。由于ISL1561的SDATA用于数据的输入和输出，因此在SDI和SDO之间放置了一个10kΩ的串联电阻。因此，必须将SDI直接连接到SDATA，以使微控制器读取ISL1561中的寄存器。电源排序和复位上电之前，可以将SPI引脚悬空或拉低。数字接口产生一个内部5V VDD。SPI和BOOST引??脚内部偏置如下：BOOST引??脚：内部上拉至VDDCS引脚：内部上拉至VDDSDATA引脚：内部下拉至GNDSCLK引脚：内部下拉...
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2021/8/23 15:02:08
运算放大器结构探秘大学模拟电子课上，老师反复强调：理想运放的增益无穷大，分析运放，首先注意虚断和虚短，我们都坚决贯彻老师的说教，然而忽略了其他一些比较重要的概念：比如共模抑制比、失调电压、偏置电流等。一、运放输入模型按照运放模型，比较全面的梳理出运放的基本模型：就是差模信号和共模信号的叠加。二、虚短概念上学时，老师一直强调，理想运放要注意虚断和虚短。运放的同相端输入和反相端输入相等，这是怎么一回事呢？理想运放开环增益无穷大，实际略小，大部分在100dB(100000)倍左右，按这个增益，要让输出变化3V，同相反相输入端只需30uV的压差即可，如果加上纹波、噪声等干扰信号，同相反相端基本上无变化。于是又引入反馈，做闭环，同相反相端的电压差忽略不计。如同撑杠杆，小臂微微一动，大臂不住晃动。三、差模输入和共模输入在应用中，运放可以输入差模信号，也可以输入共模信号，共模信号大部分来自噪声，最核心的愿景是：共模被抵消，差模被放大。举个例子，有人在高铁车厢内做过一个实验，竖着摆放一排硬币，不管车速多快，硬币都立得很稳。这好比共模信号，外面环境怎样变化，信号不受影响。差模信号呢，就像人在车厢里来回走动，只要正常范围内，都不受到外界的干扰。四、输入电压范围(Vin或Vcm)运算放大器输入范围比较复杂，理论上来讲，同相端和反相端模拟输入在电源的正轨到负轨之间都能满足，运放的上下管大致对称，大部分时间，取运放的共模输入电压Vcm为1/2 Vdd。这样，运放主要工作在线性区。五、小信号检测方法运算放大器用来做电流小信号采集时，往往会面临一个令人疑惑的问题，信号该如何采集？是采用高边电流检测还是采用低边电流检测？部分的意见采低边，部分人的意见是采高边，大家各抒己见，莫衷一是。舞台看戏，下层的演员多，而且间杂观众，很容易被遮挡，被观众淹没；楼上的明显好得多，容易被分辨，楼层越高，成本也更高，修楼费工...
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2021/8/23 14:53:19
射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分。在发射机的前级电路中，调制振荡电路所产生的射频信号功率很小，需要经过一系列的放大获得足够的射频功率以后，才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频输出功率，必须采用射频功率放大器。在调制器产生射频信号后，射频已调信号就由RF PA将它放大到足够功率，经匹配网络，再由天线发射出去。1.射频功率放大器的分类射频放大器可分为高增益放大器、低噪声放大器、中-高功率放大器。放大器电路的核心是微波晶体管。传统线性功率放大器的工作频率很高，但相对频带较窄，射频功率放大器一般都采用选频网络作为负载回路。射频功率放大器可以按照电流导通角的不同，分为甲（A）、乙（B）、丙（C）三类工作状态。甲类放大器电流的导通角为360°，适用于小信号低功率放大，乙类放大器电流的导通角等于180°，丙类放大器电流的导通角则小于180°。乙类和丙类都适用于大功率工作状态，丙类工作状态的输出功率和效率是三种工作状态中最高的。射频功率放大器大多工作于丙类，但丙类放大器的电流波形失真太大，只能用于采用调谐回路作为负载谐振功率放大。由于调谐回路具有滤波能力，回路电流与电压仍然接近于正弦波形，失真很小。开关型功率放大器（Switching Mode PA,SMPA)，使电子器件工作于开关状态，常见的有丁（D）类放大器和戊（E）类放大器，丁类放大器的效率高于丙类放大器。SMPA将有源晶体管驱动为开关模式，晶体管的工作状态要么是开，要么是关，其电压和电流的时域波形不存在交叠现象，所以是直流功耗为零，理想的效率能达到100%。2.射频功率放大器的工作原理射频功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率，如何提高输出功率和效率,是射频功率放大器设计目标的核心。通常在射频功率放大器中，可以用LC谐振回路选出基频或某次谐波，实现不失真放大。除此之外，输...
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2021/8/23 11:11:13
2014 年，赛普拉斯推出了 HyperBus 接口，该接口利用并行和串行接口存储器的传统特性，提高了系统性能，简化了设计，并显着降低了成本。在支持 HyperBus 的解决方案中，HyperRAM 是一种新颖的技术解决方案，可以实现高达 333 MB/s 的吞吐量，在 HyperRAM 2.0 中增加到 400 MB/s。HyperRAM 2.0 是一种高速、低引脚数的自刷新动态 RAM (DRAM)，专为需要扩展内存的高性能嵌入式系统而设计，例如汽车、工业、消费和物联网应用。HyperRAM 2.0 提供 HyperBus 和 Octal SPI 接口，并在 DDR 模式下提供高达 400 MBps 的读/写带宽。超级内存通过与赛普拉斯的合作，华邦电子已经推出了32Mb到512Mb密度的产品。目前，24BGA（6×8mm 2）汽车级、WLCSP（Wafer Level Chip Scale Package）面向消费级可穿戴市场、KGD（Known Good Die）产品都已上市。除赛普拉斯外，其他相关领先的MCU厂商如NXP、Renesas、ST、TI等都已经开发出了支持HyperBus接口的微控制器，未来也有望支持。同时，Cadence、Synopsys 和 Mobiveil 等领先的硅 IP 提供商也开始提供 HyperBus 内存控制 IP，从而加快了包含该内存解决方案的产品的上市时间。HyperRAM 可以显着提高终端设备的性能，其主要优势如下：低功耗：此功能是通过混合睡眠模式 (HSM) 实现的，该模式仅消耗 45µW@1.8V 和 55µW@3V（与具有相同容量的待机模式 SDRAM 的 2000µW@3.3V 相比）减少占用空间：低引脚数可以节省 PCB 上的宝贵空间易于控制：使用较少的有源引脚，设计更简单，而不会影...
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2021/8/20 14:34:44
兆亿微波商城作为ADI公司优质分销商，为国内无线基础设施等应用领域提供一款双通道集成射频前端多芯片模块ADRF5515A，专为时分双工（TDD）应用而设计。该设备的工作频率为3.3 GHz至4.0 GHz。ADRF551A配置在双通道中，带有级联、两级低噪声放大器（LNA）和高功率硅单极双掷（SPDT）开关。在高增益模式下，级联两级低噪声放大器和开关在3.6 GHz下提供1.05 dB的低噪声系数和36 dB的高增益，输出三阶截距（OIP3）点为35 dBm（典型）。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路状态，在48 mA的较低电流下提供17 dB的增益。在断电模式下，LNA关闭，设备消耗13 mA。在传输操作中，当射频输入连接到终端引脚（TERM-CHA或TERM-CHB）时，交换机提供0.5 dB的低插入损耗，并处理43 dBm的长期演进（LTE）平均功率（9 dB峰均比（PAR））以供全寿命操作。该设备采用符合RoHS标准的紧凑型6毫米×6毫米40引线框架芯片级封装（LFCSP）。应用无线基础设施TDD大规模多输入多输出有源天线系统基于TDD的通信系统集成双通道射频前端2级低噪声放大器和大功率硅单刀双掷开关片上偏置与匹配单电源操作TCASE=105°C时的高功率处理LTE全寿命平均功率（9 dB PAR）：43 dBm
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2021/8/20 14:00:45
兆亿微波商城(Trillion Microwave Mall)作为ADI分销商，优质合作商，为广大客户供应ADMV1139，它是一款硅上隔离器（SOI）、微波、上变频器和下变频器，针对在37 GHz至48.2 GHz频率范围内运行的5G无线电设计进行了优化。上变频器和下变频器都提供两种频率转换模式。一种模式是从和/或转换为复杂的中频（IF）信号，然后通过片上90°IF混合，称为IF模式。另一种模式是从和/或到单端或差分基带同相/正交（I/Q）输入和输出的直接转换，称为基带模式。I/Q基带输出共模电压可在0 V和1.5 V之间编程。SPI提供正交相位的微调，以优化I/Q解调性能。当设备用作图像抑制下变频器时，在校准之前，不需要的图像项通常被抑制到26 dBc。ADMV1139提供了一个平方律功率检测器，用于监测下变频器混频器输入端的功率水平。射频接收输入、射频发射输出和本地振荡器（LO）接口均为单端，并与50Ω匹配。片上射频交换机提供将发射和接收射频端口组合在一起的选项，用于时分双工（TDD）应用。串行端口接口（SPI）提供正交相位调整，以实现最佳边带抑制。此外，SPI允许在不需要载波馈通优化时关闭输出包络检测器的电源，以降低功耗。ADMV1139上变频器和下变频器封装在一个紧凑的热增强型6毫米×6.5毫米球栅阵列（BGA）封装中。此BGA封装能够从封装顶部散热ADMV1139，以实现最高效的散热。ADMV1139在网络上运行−40°C至+95°C温度范围。应用毫米波5G应用点对点微波收音机雷达和电子战系统仪表和自动测试设备（ATE）优势和特点：在一个芯片中集成带倍频器的上变频器、下变频器和LO链具有业界领先效率和线性Pout (5G NR)的CMOS上变频器/下变频器RF输入/输出频率范围：37 GHz至48 GHz具有旁路选项的集成...
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2021/8/20 13:52:51
LTC4381是面向低静态电流浪涌抑制器应用的集成解决方案，可保护负载免受高压瞬变的影响。通过钳位内部9mΩ N通道MOSFET的栅极电压来提供过压保护，以便在过压事件期间（例如汽车负载突降）将输出电压限制在安全值。MOSFET安全工作区经过生产测试，确保能够承受高压瞬态应力。可以选择适用于12V和24V/28V系统的固定输出钳位电压。对于任何电压高达80V的系统，则使用可调钳位版本。还提供过流保护。内部倍频器可生成与VDS和ID成正比的TMR引脚电流，以便根据MOSFET应力限制过流和过压条件下的工作时间。GATE引脚可驱动背靠背MOSFET以实现反向输入保护，从而消除肖特基二极管解决方案的压降和功耗。6µA低工作电流特性适合始终导通和电池供电应用。应用汽车12V、24V和48V系统航空电子/工业浪涌保护热插拔/带电插入电池供电系统的高端开关汽车负载突降保护优势和特点承受高达 100V 的浪涌电压内部 9mΩ N 通道 MOSFET保证的安全操作区域：70V、1A 时，为 20ms低静态电流：6μA 工作电流通过汽车冷启动运行宽工作电压范围：4V 至 72V过流保护可选内部 28.5V/47V 或可调输出钳位电压反向输入保护高达 –60 V可调开启阈值具有 MOSFET 应力加速功能的可调故障计时器锁存和重试选项在故障期间具有低重试占空比32 引脚 DFN (7mm × 5mm) 封装
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2021/8/20 13:44:40